JPS61102735A - 基板変形チャック - Google Patents
基板変形チャックInfo
- Publication number
- JPS61102735A JPS61102735A JP59223956A JP22395684A JPS61102735A JP S61102735 A JPS61102735 A JP S61102735A JP 59223956 A JP59223956 A JP 59223956A JP 22395684 A JP22395684 A JP 22395684A JP S61102735 A JPS61102735 A JP S61102735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chuck
- plate
- thin plate
- flattening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体ウエノ・、バブルメモリウェハ等に微
細パターンを露光する露光装置において、特に、ウエノ
１表面を平坦化するのに好適なウェハチャックに関する
。
細パターンを露光する露光装置において、特に、ウエノ
１表面を平坦化するのに好適なウェハチャックに関する
。
従来の装置は、特開昭５９−１０６１１８号に記載きれ
ているように、ウエノ１をダ形するピエゾ素子とウェハ
吸着用薄板とを真窒圧によ）接触ζせ。
ているように、ウエノ１をダ形するピエゾ素子とウェハ
吸着用薄板とを真窒圧によ）接触ζせ。
ピエゾ素子を伸縮させることによりウエノ・吸着用薄板
に吸着されたウエノ・全部分的に変形する゛構造となっ
ていた。しかし、この装置では、ウェハ全面を平坦化す
るためには、ピエゾ素子の配列密度を高くする必要があ
り、構造がｖ１雑になるという間踊があった。甘た、ウ
ェハ吸着用薄板とピエゾ素子間が頁窒吸滑されており、
かつこの薄板は、ウェハよフ大きくなくてはならないた
めウェハの裏面を吸着して、ウェハチャックに、ローデ
ィング又はアンローディングすることが構造的に困難で
あるという問題があった。
に吸着されたウエノ・全部分的に変形する゛構造となっ
ていた。しかし、この装置では、ウェハ全面を平坦化す
るためには、ピエゾ素子の配列密度を高くする必要があ
り、構造がｖ１雑になるという間踊があった。甘た、ウ
ェハ吸着用薄板とピエゾ素子間が頁窒吸滑されており、
かつこの薄板は、ウェハよフ大きくなくてはならないた
めウェハの裏面を吸着して、ウェハチャックに、ローデ
ィング又はアンローディングすることが構造的に困難で
あるという問題があった。
本発明の目的は、そりやうねり（厚さむら）ノアルウエ
バの表面を平坦化し、かつウェハの裏面を吸着したウェ
ハハンドラーによジローディング、アンローディングを
可能としたウェハ平坦化チャックを提供することＫある
。
バの表面を平坦化し、かつウェハの裏面を吸着したウェ
ハハンドラーによジローディング、アンローディングを
可能としたウェハ平坦化チャックを提供することＫある
。
上記目的を達成するために、本発明においては、ウェハ
を吸着固定するウェハチャック板の下面と多数の上下動
素子とを弾性支持により接続し、このウェハチャック板
を上下動素子（たとえばピエゾ素子）Ｋより上下するこ
とによシ変形させ、これにならってウェハが平坦となる
ように変形するようにした。
を吸着固定するウェハチャック板の下面と多数の上下動
素子とを弾性支持により接続し、このウェハチャック板
を上下動素子（たとえばピエゾ素子）Ｋより上下するこ
とによシ変形させ、これにならってウェハが平坦となる
ように変形するようにした。
以下、本発明の一実施例を図面Ｋｆりて説明する。
第１図、第２図は、本発明のウェハ平坦化チャックの一
実施例を示す構成図である。本ウェハチャ９りは、ウェ
ハ１を真空吸着するウェハチャック板２と弾性支持部３
をもつ多数の上下動素子４、及びベース５から構成され
ている。
実施例を示す構成図である。本ウェハチャ９りは、ウェ
ハ１を真空吸着するウェハチャック板２と弾性支持部３
をもつ多数の上下動素子４、及びベース５から構成され
ている。
ウェハ吸着板２と上下動素子４とは、弾性支持部３を介
して直結されており、上下動素子４を上下することＫよ
り、ウェハチャック板２を変形することができる。ウェ
ハチャックｔｙ２は、アルミニウム、ガラス板、シリコ
ン、ステンレスあるいはリン青銅製の薄板を用い、表面
にはウェハ１を吸着するためのランド部６と、Ｘ空吸引
ロアを設けている。
して直結されており、上下動素子４を上下することＫよ
り、ウェハチャック板２を変形することができる。ウェ
ハチャックｔｙ２は、アルミニウム、ガラス板、シリコ
ン、ステンレスあるいはリン青銅製の薄板を用い、表面
にはウェハ１を吸着するためのランド部６と、Ｘ空吸引
ロアを設けている。
上下動素子４は、ウェハ１を平坦化するのに充分なスト
ロークをもつことが必要である。ウェハ１のそり、うね
り（厚さむら）は、１０〜２０μｍ以下であるため、上
下動素子４のストロークは、５０〜５０μｍで十分であ
る。この上下動素子４として、本発明の用途に最適々も
のに、印加電圧によシ伸縮するピエゾ素子がある。
ロークをもつことが必要である。ウェハ１のそり、うね
り（厚さむら）は、１０〜２０μｍ以下であるため、上
下動素子４のストロークは、５０〜５０μｍで十分であ
る。この上下動素子４として、本発明の用途に最適々も
のに、印加電圧によシ伸縮するピエゾ素子がある。
第６図は、本ウェハチャックの上下動素子４として、ピ
エゾ素子を用いた時の構成を示している。
エゾ素子を用いた時の構成を示している。
ピエゾ素子１０には、リング板状のピエゾ素子を複数枚
積層し、ＤＣ５００Ｖ印加でストローク５０〜５０μｍ
発生するものを使用する。このピエゾ素子１０は、上下
２枚の絶縁プレート１１を介して、接続ロッド１２と、
ベースリング１３の間に取シっけられている。なお、接
続ロッド１２と、ベースリング１５とを、サラバネ１４
を介して、ナツト１５で固定することにより、ピエゾ素
子１０に、上下方向以外の力が加わった時のピエゾ素子
１ｏの破損を防（°構造とした。ベースリング１３は、
ベース５と取付ボルト１６により固定されている。
積層し、ＤＣ５００Ｖ印加でストローク５０〜５０μｍ
発生するものを使用する。このピエゾ素子１０は、上下
２枚の絶縁プレート１１を介して、接続ロッド１２と、
ベースリング１３の間に取シっけられている。なお、接
続ロッド１２と、ベースリング１５とを、サラバネ１４
を介して、ナツト１５で固定することにより、ピエゾ素
子１０に、上下方向以外の力が加わった時のピエゾ素子
１ｏの破損を防（°構造とした。ベースリング１３は、
ベース５と取付ボルト１６により固定されている。
接続ロッド１２の上端部には、くひれを持つ弾性支持部
３を設け、この先端を、ウェハチャック板２とネジ１７
により接続する構造となっている。この弾性支持部３は
、各上下動素子の上下変位により変形するウェハチャッ
ク板２の傾きに対して剛性が低く、反面、上下方向のｌ
ｉ！！ＩＩ性が高い接続部となるようＫ、設計したくび
れ５を有するものでちる。
３を設け、この先端を、ウェハチャック板２とネジ１７
により接続する構造となっている。この弾性支持部３は
、各上下動素子の上下変位により変形するウェハチャッ
ク板２の傾きに対して剛性が低く、反面、上下方向のｌ
ｉ！！ＩＩ性が高い接続部となるようＫ、設計したくび
れ５を有するものでちる。
第４．５図は、以上述べたウェハ平坦化チャックによシ
ウエハを平坦化する方法を示したものである。
ウエハを平坦化する方法を示したものである。
まず、第４図に示すように、そりあるいはうねり（厚さ
むら）のあるウェハ１を、ウェハチャック板２に固定す
る。ウェハ１のそりは、ウェハチャック板２に真空吸着
することにより、なくなるが、うねり（厚さむら）は、
残るため、ウェハ１の平坦度は、第４図の如くなる。ウ
ェハ１の表面の平坦度は、ウェハ平坦度測定器２０で測
定する。ウェハ平坦度測定器２０は、公知技術であるレ
ーザ干渉稿法あるいは、静電容量形センサによる平坦度
内定器を用いる。
むら）のあるウェハ１を、ウェハチャック板２に固定す
る。ウェハ１のそりは、ウェハチャック板２に真空吸着
することにより、なくなるが、うねり（厚さむら）は、
残るため、ウェハ１の平坦度は、第４図の如くなる。ウ
ェハ１の表面の平坦度は、ウェハ平坦度測定器２０で測
定する。ウェハ平坦度測定器２０は、公知技術であるレ
ーザ干渉稿法あるいは、静電容量形センサによる平坦度
内定器を用いる。
第５図は、第４図で測定したウェハ平坦度測定結果より
、各上下動素子４（ピエゾ素子）の伸縮１をコンピュー
タで演算し、ピエゾドライバ２２より各上下動素子４に
電圧を印加して、ウェハ１を平坦化した状態を示してい
る。
、各上下動素子４（ピエゾ素子）の伸縮１をコンピュー
タで演算し、ピエゾドライバ２２より各上下動素子４に
電圧を印加して、ウェハ１を平坦化した状態を示してい
る。
ウェハチャック板２は、上下動素子４の伸縮により、弾
性変形し、ウェハ１は、ウェハチャック板２とともＫｌ
−形される。この時、上下動素子２はベース５に固定さ
れているため、ウェハチャック面２と上下動素子２との
間の傾斜は、弾性支持部３で吸収される。
性変形し、ウェハ１は、ウェハチャック板２とともＫｌ
−形される。この時、上下動素子２はベース５に固定さ
れているため、ウェハチャック面２と上下動素子２との
間の傾斜は、弾性支持部３で吸収される。
次に、本ウェハ平坦化チャックにウェハ１をローディン
グする方法の一実施例を第６図、第７図に示す。
グする方法の一実施例を第６図、第７図に示す。
本ウェハチャックに゛は、中央部に、リフター（例えば
小形シリンダ、 ＤＣソレノイド、あるいはモータとネ
ジによる直進機構、カム轡構等）３０を設け、この先端
にウェハ１の裏面を吸着する真空バンド５１を有してい
る。ウェハチャックｊｆｉ２とリフター３０との間には
、シールリング３２を設けている。
小形シリンダ、 ＤＣソレノイド、あるいはモータとネ
ジによる直進機構、カム轡構等）３０を設け、この先端
にウェハ１の裏面を吸着する真空バンド５１を有してい
る。ウェハチャックｊｆｉ２とリフター３０との間には
、シールリング３２を設けている。
第６図は、ウェハ１をウェハチャックにローディングす
る状態を示している。壕ず、ウェハハンドラー３３でウ
ェハ１の左右端裏面を真空チャック３４で吸着し、ウェ
ハチャックの上に移動する。次にリフタ５ｏＩＣより上
昇したｌＬ窒バッド５１に、ウェハ１を受けわたす。
る状態を示している。壕ず、ウェハハンドラー３３でウ
ェハ１の左右端裏面を真空チャック３４で吸着し、ウェ
ハチャックの上に移動する。次にリフタ５ｏＩＣより上
昇したｌＬ窒バッド５１に、ウェハ１を受けわたす。
第７図は、ウェハローディングを完了した状態を示して
いる。
いる。
ウェハ１が、真空パッド５１に吸着されると、ウェハハ
ンドラー５３は、ウェハ１の真空吸着を解除し、ウェハ
１の裏面から左右に退避し、次に１ ウェハ１は、リフ
ター３０の下降とともに、ウェハチャック板２上に下降
する。ウェハ１は、ウェハチャック板２上に、真空吸着
され、ローディングを完了する。なお、ウェハのアンロ
ーディングは、以上の逆のシーケンスをたどることによ
り可能である。
ンドラー５３は、ウェハ１の真空吸着を解除し、ウェハ
１の裏面から左右に退避し、次に１ ウェハ１は、リフ
ター３０の下降とともに、ウェハチャック板２上に下降
する。ウェハ１は、ウェハチャック板２上に、真空吸着
され、ローディングを完了する。なお、ウェハのアンロ
ーディングは、以上の逆のシーケンスをたどることによ
り可能である。
このように、本ウェハ平坦化チャックは、ウェハ１の表
面へ接触することなく、ウェハ１をα−ディング、アン
ローディングすることができる。
面へ接触することなく、ウェハ１をα−ディング、アン
ローディングすることができる。
第８図、第９図は、ウェハ平坦化チャックにウェハ１を
ローディングするもう１つの方法ｔ−示している。
ローディングするもう１つの方法ｔ−示している。
ウェハチャック板２の両端に、ウェハハンドラー５５が
下降できる切り欠き５５を設けている。
下降できる切り欠き５５を設けている。
まず、ウェハ１は、左右両端の裏面をウェハハンドラー
５５の真空チャック３４で支持された状態でウェハチャ
ック板２上に上方からセットされる。
５５の真空チャック３４で支持された状態でウェハチャ
ック板２上に上方からセットされる。
次に、ウェハチャック板２にウェハ１を真空吸着すると
同時罠、ウェハハンドラー３３のｒＬ窒吸着を解除する
ことにより、ウェハローディングが完了する。本方法は
、第６．第７図に示す方法と異なり、ウェハチャ、り内
にり７ター３０のような機構が不要であるが、反面、ウ
エハノ）ンドラー３３の動作が複雑になる。
同時罠、ウェハハンドラー３３のｒＬ窒吸着を解除する
ことにより、ウェハローディングが完了する。本方法は
、第６．第７図に示す方法と異なり、ウェハチャ、り内
にり７ター３０のような機構が不要であるが、反面、ウ
エハノ）ンドラー３３の動作が複雑になる。
本発明によれば、ウェハを吸着固定するウェハチャック
鈑金直接上下動素子で変形させ、ウェハを平坦化できる
ためウェハのもつそりやうねり（厚さむら）を除去する
ことが可能である。
鈑金直接上下動素子で変形させ、ウェハを平坦化できる
ためウェハのもつそりやうねり（厚さむら）を除去する
ことが可能である。
このため、特に、Ｘ線露光装置においてマスクとウェハ
間の間隙を一定に保つことができ、解偉度の高い微細パ
ターン露光が実現できる。
間の間隙を一定に保つことができ、解偉度の高い微細パ
ターン露光が実現できる。
一方、ウェハチャック板と上下動素子を大気中で弾性支
持を用いて直接結合しているため、ウェハチャックの構
造が単純となり、このため、ウェハ表面に接触しないウ
ェハ裏面吸ＭＶＣよるローディング、アンローディング
が行ない易いというメリットがある。
持を用いて直接結合しているため、ウェハチャックの構
造が単純となり、このため、ウェハ表面に接触しないウ
ェハ裏面吸ＭＶＣよるローディング、アンローディング
が行ない易いというメリットがある。
第１図は、ウェハ平坦化チャックの平面図、第２図は、
第１図の中央断面図、第５図は、第１図の上下動素子の
詳細断面図、第４，５図は、ウェハ平坦化の方法を示す
説明図、第６，７図は、ウェハローディング方法の一実
施例を示す断面図、第８図は、ウェハローディング方法
の他の実施例を示す平面図、第９図は、第８図の中央断
面図である。 １・・・ウェハ １０・・・ピエゾ素子２
・・ウェハチャック板 ２０・・・ウェハ平坦度測定器
３・・・弾性支持部 ３０・・・リフタ４・・・
上下動素子 ３３・・・ウエノ・ノ・ンドラー５
・・・ベース
第１図の中央断面図、第５図は、第１図の上下動素子の
詳細断面図、第４，５図は、ウェハ平坦化の方法を示す
説明図、第６，７図は、ウェハローディング方法の一実
施例を示す断面図、第８図は、ウェハローディング方法
の他の実施例を示す平面図、第９図は、第８図の中央断
面図である。 １・・・ウェハ １０・・・ピエゾ素子２
・・ウェハチャック板 ２０・・・ウェハ平坦度測定器
３・・・弾性支持部 ３０・・・リフタ４・・・
上下動素子 ３３・・・ウエノ・ノ・ンドラー５
・・・ベース
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空吸着された薄板を、その吸着面側から上下に変
形させ薄板を平坦化させる薄板平坦化チャックにおいて
、薄板を吸着するチャック板とこのチャック板の裏側に
、弾性支持部を介して固定され、チャック板を上下に変
形させる複数個の上下動素子と、この上下動素子を固定
するベースを設けたことを特徴とする薄板平坦化チャッ
ク。 ２、上記上下動素子が、ピエゾ素子であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の薄板平坦化チャック。 ３、上記チャック板内の一部に、チャック板の下方から
薄板の裏面を吸着しながらチャック板と独立に上下する
リフト機構を有することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の薄板平坦化チャック。 ４、上記チャック板上に、薄板の裏面を吸着したまま、
ロード又はアンロードするために、チャック板の端面の
一部に、切り欠き部を設けたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄板平坦化チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223956A JPS61102735A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 基板変形チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223956A JPS61102735A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 基板変形チャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102735A true JPS61102735A (ja) | 1986-05-21 |
| JPH0481850B2 JPH0481850B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=16806328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59223956A Granted JPS61102735A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 基板変形チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102735A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220440A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ウエハ平坦度制御方法及びその装置 |
| JPH0720267U (ja) * | 1993-09-17 | 1995-04-11 | 株式会社東日製作所 | トルクレンチ |
| JPH08181054A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nikon Corp | ステージ装置及びその制御方法 |
| JP2010182866A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Nikon Corp | 静電吸着保持装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| JP2011103407A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| DE102012105218A1 (de) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | Epcos Ag | Haltevorrichtung zum Festhalten eines Wafers und Verfahren zur Befestigung eines Wafers |
| JP2015065298A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 吸着ステージ、貼合装置、および貼合方法 |
| WO2018074281A1 (ja) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | 株式会社日本製鋼所 | アニール被処理体の製造方法、レーザアニール基台およびレーザアニール処理装置 |
| WO2023124443A1 (zh) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司 | 调整卡盘形变的系统及装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101849443B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2018-04-16 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP59223956A patent/JPS61102735A/ja active Granted
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220440A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ウエハ平坦度制御方法及びその装置 |
| JPH0720267U (ja) * | 1993-09-17 | 1995-04-11 | 株式会社東日製作所 | トルクレンチ |
| JPH08181054A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nikon Corp | ステージ装置及びその制御方法 |
| JP2010182866A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Nikon Corp | 静電吸着保持装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| JP2011103407A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| DE102012105218A1 (de) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | Epcos Ag | Haltevorrichtung zum Festhalten eines Wafers und Verfahren zur Befestigung eines Wafers |
| JP2015065298A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 吸着ステージ、貼合装置、および貼合方法 |
| WO2018074281A1 (ja) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | 株式会社日本製鋼所 | アニール被処理体の製造方法、レーザアニール基台およびレーザアニール処理装置 |
| JPWO2018074281A1 (ja) * | 2016-10-20 | 2019-08-22 | 株式会社日本製鋼所 | アニール被処理体の製造方法、レーザアニール基台およびレーザアニール処理装置 |
| US11938563B2 (en) | 2016-10-20 | 2024-03-26 | Jsw Aktina System Co., Ltd. | Annealed workpiece manufacturing method, laser anneal base stage, and laser anneal processing apparatus |
| WO2023124443A1 (zh) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司 | 调整卡盘形变的系统及装置 |
| CN116403929A (zh) * | 2021-12-28 | 2023-07-07 | 拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司 | 调整卡盘形变的系统及装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0481850B2 (ja) | 1992-12-25 |
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