JPH0482083A - 入力信号バッファ回路 - Google Patents

入力信号バッファ回路

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Publication number
JPH0482083A
JPH0482083A JP2195391A JP19539190A JPH0482083A JP H0482083 A JPH0482083 A JP H0482083A JP 2195391 A JP2195391 A JP 2195391A JP 19539190 A JP19539190 A JP 19539190A JP H0482083 A JPH0482083 A JP H0482083A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
supply voltage
input signal
voltage
transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP2195391A
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English (en)
Inventor
Hiroshige Hirano
博茂 平野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、入力信号バッファ回路に関するものである。
従来の技術 最近、半導体装置の利用が高まり、これらの半導体装置
の使用にあたり、低電圧から高電圧までの広い電源電圧
範囲で安定した入力スイッチングレベルで動作するもの
が要求されている。このような中で、入力スイッチング
レベルを決定する入力信号バッファ回路は重要な回路部
である。第4図は、従来の入力信号バッファ回路の一実
施例の回路図で、第5図は、第4図の回路図の入力信号
Aの入力スイッチングレベルと電源電圧の関係図である
。Aは入力信号、Bは出力信号、vCCは電源電圧、v
SSは接地電圧、QplはPチャンネル型MOSトラン
ジスタ、QnlはNチャンネル型MO8トランジスタ、
VrHはハイ個人カスイツチングレベル、VILはロー
制入カスイツチングレベルである。動作について第4図
を参照し説明すると、入力信号Aが低論理電圧“L”か
ら高論理電圧“H”になると、出力信号Bが“H”から
“L”になり、入力信号Aが“H”から“L”になると
、出力信号Bが“L”から“H”になるというもので、
その入力信号Aの入力スイッチングレベルは、トランジ
スタQplとトランジスタQnlのトランジスタのゲー
ト幅とゲート長によって決まり、入力スイッチングレベ
ルと電源電圧の関係は第5図のように電源電圧に対して
単調増加の関係になる。
発明が解決しようとする課題 このような従来の入力信号バッファ回路では、第5図の
ように入力スイッチングレベルが電源電圧に対して単調
増加の関係になるため、電源電圧が高くなると入力スイ
ッチングレベルも高くなり、低電圧から高電圧までの広
い電源電圧範囲で安定した入力スイッチングレベルで動
作することが困難となるという課題があった。
課題を解決するための手段 このような課題を解決するために、複数個のPチャンネ
ル型MOSトランジスタと複数個のNチャンネル型MO
Sトランジスタで構成され入力信号が入力され出力信号
が出力される論理回路と電源電圧検知回路を有し、電源
電圧が高くなると前記電源電圧検知回路から出力される
信号が、前記入力信号か入力される前記複数個のPチャ
ンネル型MOSトランジスタのうちの少なくとも1個の
Pチャンネル型MO8トランジスタかオフするか、或い
は前記複数個のNチャンネル型MOSトランジスタのう
ちの少なくとも1個のNチャンネル型MOSトランジス
タがオンし、電源電圧が低くなると前記電源電圧検知回
路から出力される信号が、前記入力信号が入力される前
記複数個のPチャンネル型MOSトランジスタのうちの
少なくとも1個のPチャンネル型MOS)ランシスタが
オンするか、或いは前記複数個のNチャンネル型MOS
トランジスタのうちの少なくとも1個のNチャンネル型
MOSトランジスタがオフする回路構成の入力信号バッ
ファ回路とする。
作用 本発明のバッファ回路によれば、電源電圧検知回路によ
り電源電圧が一定の電圧より高くなったときに入力スイ
ッチングレベルを低くし、電源電圧が一定の電圧より低
くなったときに入力スイッチングレベルを高くすること
により、低電圧から高電圧までの広い電源電圧範囲で安
定した入力スイッチングレベルで動作する入力信号バッ
ファ回路となる。
実施例 以下、本発明を実施例によって説明する。第1図は、本
発明の入力信号バッファ回路の一実施例の回路図で、第
2図は、第1図の回路図のノードNl、N2の電圧レベ
ルと電源電圧の関係図、第3図は、第1図の回路図の入
力信号Aの入力スイッチングレベルと電源電圧の関係図
である。Aは入力信号、Bは出力信号、1は電源電圧検
知回路、vCCは電源電圧、vSSは接地電圧、Qpl
ないしQp3はPチャンネル型MOSトランジスタ、Q
nlないしQn3はNチャンネル型MOSトランジスタ
、N1.N2はノード名、VIHはハイ偏入カスイツチ
ングレベル、VILはロー偏入カスイツチングレベルで
ある。動作について第1図を参照しながら説明する。ま
ず、電源電圧3.5v以上、6.5V以下の時について
説明する。このとき、ノードN1は“H”、ノードN2
は“L”であり、トランジスタQp3.Qn3は共にオ
ンであり、入力信号Aが”L”或いは“H”のとき、出
力信号Bのノードに対して、電源電圧vCCはトランジ
スタQp1.Qp2を通して供給され、接地電圧VSS
はトランジスタQnl。
Q n 2を通して供給され、トランジスタQpl。
Qp2.Qp3.Qnl、Qn2.Qn3のトランジス
タのゲート幅とゲート長によって入力スイッチングレベ
ルは決まる。次に、電源電圧6.5V以上の時について
説明する。このとき、ノードN1.N2は共に“H”で
あり、トランジスタQp3はオフ、トランジスタQn3
はオンであり、入力信号Aが“L”或いは“H”のとき
、出力信号Bのノードに対して、電源電圧vCCはトラ
ンジスタQplを通してのみ供給され、接地電圧vSS
はトランジスタQnl、Qn2を通して供給されるため
、入力スイッチングレベルは電源電圧3.5V以上、6
.5V以下の時に比べて低くなる。次に、電源電圧3.
5V以下の時について説明する。このとき、ノードNl
、N2は共に“L”であり、トランジスタQp3はオン
、トランジスタQn3はオフであり、入力信号Aが“L
”或いは“H”のとき、出力信号Bのノードに対して、
電源電圧vCCはトランジスタQp1.Qp2を通して
供給され、接地電圧VSSはトランジスタQnlを通し
てのみ供給されるため、入力スイッチングレベルは電源
電圧3.5VJff上、6.5V以下の時に比べて高く
なる。このようにして、第3図のような入力信号Aの入
力スイッチングレベルと電源電圧の関係になり、低電圧
から高電圧までの広い電源電圧範囲で安定した入力スイ
ッチングレベルでの動作が可能な入力信号バッファ回路
を実現している。
発明の詳細 な説明したように、本発明の入力信号バッファ回路によ
ると、低電圧から高電圧までの広い電源電圧範囲で安定
した入力スイッチングレベルで動作する入力信号バッフ
ァ回路となり大きな効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の入力信号lくツファ回路の一実施例の
回路図で、第2図は第1図の回路図のノードN1.N2
の電圧レベルと電源電圧の関係図、第3図は第1図の回
路図の入力信号Aの入力スイッチングレベルと電源電圧
の関係図、第4図は従来の入力信号バッファ回路の一実
施例の回路図で、第5図は第4図の回路図の入力信号A
の入力スイッチングレベルと電源電圧の関係図である。 A・・・・・・入力信号、B・・・・・・出力信号、1
・・・・・・電源電圧検知回路、vCC・・・・・・電
源電圧、vSS・・・・・・接地電圧、QplないしQ
p3・・・・・・Pチャンネル型MOSトランジスタ、
Qnl  ないしQn3・・・・・・Nチャンネル型M
OSトランジスタ、N1.N2・・・・・・ノード名、
VIH・・・・・・ハイ個入力スイッチングレベル、V
IL・・・・・・ロー個入力スイッチングレベル。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名第4図 Vに / 第2 図 \   \ 5SV55 \、 vSS 第5図 第 図 市逓電斑VCC−中 龜琥電斤VCC→ tJ!電圧ycc→

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数個のPチャンネル型MOSトランジスタと複数個の
    Nチャンネル型MOSトランジスタとで構成される論理
    回路と、前記Pチャンネル型MOSトランジスタおよび
    前記Nチャンネル型MOSトランジスタへの入力信号を
    形成するための電源電圧検知回路とを備え、電源電圧が
    高いとき、前記Pチャンネル型MOSトランジスタの少
    なくとも1つがオフ、または前記Nチャンネル型MOS
    トランジスタの少なくとも1つがオンし、前記電源電圧
    が低いとき、前記Pチャンネル型MOSトランジスタの
    少なくとも1つがオン、または前記Nチャンネル型MO
    Sトランジスタの少なくとも1つがオフする入力信号バ
    ッファ回路。
JP2195391A 1990-07-23 1990-07-23 入力信号バッファ回路 Pending JPH0482083A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH076587A (ja) * 1992-12-16 1995-01-10 Hyundai Electron Ind Co Ltd データ出力バッファー回路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02101693A (ja) * 1988-10-07 1990-04-13 Texas Instr Japan Ltd 入力回路
JPH02213779A (ja) * 1989-02-15 1990-08-24 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02101693A (ja) * 1988-10-07 1990-04-13 Texas Instr Japan Ltd 入力回路
JPH02213779A (ja) * 1989-02-15 1990-08-24 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH076587A (ja) * 1992-12-16 1995-01-10 Hyundai Electron Ind Co Ltd データ出力バッファー回路
US5929668A (en) * 1992-12-16 1999-07-27 Hyundai Electronice Industries Co., Ltd. Data output buffer circuit

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