JPH0482780A

JPH0482780A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH0482780A
Application number: JP2194779A
Authority: JP
Inventors: Hideo Kobayashi; 英夫小林; Osamu Ueno; 修上野
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1990-07-25
Filing date: 1990-07-25
Publication date: 1992-03-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、レーザビーム等の光ビームを記録材料層へ照
射してその照射部位の光学的性質を変化させ、この光学
的性質の変化を利用して情報の記録・再生、又は記録・
再生・消去を行う書換え可能な光記録媒体に係り、特に
、情報の書込み若しくは書換えを高速で行え、かつ、こ
の記録情報を長期に亘って保持できると共に、記録感度
の向上か図れる光記録媒体の改良に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、レーザビーム等の光ビームを利用して情報の記録
を行う書換え可能な光記録媒体として光磁気記録媒体が
あり一部において実用化されている。すなわち、この方
式は光エネルギと磁界を印加し、記録材料層の磁化方向
を反転させて情報の書込みを行う一方、磁化方向による
ファラデー回転角あるいはカー回転角の違いを検出して
再生信号を求める方式である。

しかし、この方式においては少なくともｌセクタ以内で
書換えを行うための実用的な方法がないため限られた分
野に応用されているに過ぎないものであった。

一方、書換え可能なもう一つの光記録媒体として「結晶
−アモルファス」間の相変化を利用する、所謂、相変化
型の光記録媒体が研究途上にある。

すなわち、この方式は、第２図に示すように結晶質状態
（ｃｒ）にある記録材料層（ａ）の一部へ高出力のレー
ザビームを照射し、その部位の記録材料層（ａ）を溶融
後急冷することでアモルファス状態（ａｍ）に変化させ
、通常、これを記録状態に対応させる一方、消去に際し
ては第３図に示すようにその記録部位へ低出力のレーザ
ビームを照射し、溶融後、徐冷することで結晶質状態（
ｃｒ）に戻すという方法で行われている。

そして、この方式においては２つの光ビームを用いて１
セクタ一以内での書換え（すなわち、記録されている情
報を先行ビームで消去した後、次の光ビームで記録を行
う）ができるほか、結晶化時間の短い記録材料を適用し
た場合には１つの光ビームによるオーバーライド（すな
わち、ビームの出力を選択的に切換えながら記録又は消
去を行う情報の同時書換え）が可能となるため、様々な
分野において応用できる利点を有している。

ところで、この相変化型の光記録媒体に適用される記録
材料としては、光学系の簡素化あるいは転送速度の向上
を図る観点からその結晶化時間か短いものが好ましく、
かつ、記録された情報を長期に亘って保持させる観点か
らそのアモルファス相における安定性が高いもの（通常
、記録材料の結晶化温度により評価される）が好ましく
、上記結晶化時間については１００　ｎｓ以下、好まし
くは５０ｎｓ以下であることが、一方、結晶化温度につ
いては最低１４０℃以上必要であるとされていた。

そして、これ等２つの要求を満たす材料として［信学会
ＣＰＭ８７−８８　：１９８７］並びに特開昭６３−２
２５９３４号公報においてはＧｅ−８ｂ−Ｔｅの３元系
記録材料が開示されている。すなわち、この３元系記録
材料は、結晶化時間は短い（３０ｎｓ）がアモルファス
相の安定性が充分でない（結晶化温度：１００℃）　５
ｂ２Ｔｅｉと、アモルファス相の安定性は充分である（
結晶化温度：２００°Ｃ）が結晶化時間の長い（１００
ｎｓ以上）　ＧｅＴｅとを混合して合成されているもの
で、上記３ｂ２Ｔｅ＋とＧｅＴｅとの中間的な性質を具
備するものであるとされていた。

しかし、このＧｅＴｅは上述したようにその結晶化時間
が長＜　（１００ｎｓ以上）、その混合比が高くなるに
つれてＧｅ−３ｂ−Ｔｅの結晶化時間も長くなる欠点が
あり、１４０℃以上の結晶化温度を確保する組成のＧｅ
−３ｂ−Ｔｅにおいてはその結晶化時間が５０ｎｓ以上
になってしまうため、その実用化は可能であるものの特
性的には十分なものでなかった。

一方、上記２つの要求を満たす他の記録材料として特開
昭６２−２４１１４５号公報においてはＧａ−３ｂ−Ｔ
ｅの３元系記録材料が挙げられている。

すなわち、このＧａ−３ｂ−Ｔｅは、［ＡＰＰＬＩＥＤ
　０ＰＴＩＣＳ：Ｖｏｌ、　２６．　Ｎｏ、　２２：１
５／Ｎｏｖ、　／’　８７］で報告されているように結
晶化時間が短＜　（２０ｎｓ）、アモルファス相の安定
性も高い（結晶化温度：３５０’Ｃ）がそのアモルファ
ス化に難のあるＧａＳｂに、アモルファス化し易いＴｅ
を添加してそのアモルファス化の改良を図った記録材料
で、上記Ｇｅ−３ｂ−Ｔｅと同様、結晶化時間とアモル
ファス相の安定性に関する２つの要求を具備する材料と
されていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、上記ＧａＳｂについてそのアモルファス化の
改善を図るためには、上記Ｔｅを、望ましくは１０ａｔ
％（原子％）以上添加する必要があった。

しかし、Ｇａ−３ｂ−Ｔｅ中のＴｅの割合が１０ａｔ％
を越えた場合、アモルファス化の改善は図れるものの特
開昭６２−２４１１４５号公報においても述べられてい
るように上記Ｇａ−３ｂ−Ｔｅの結晶化時間が著しく長
くなってしまう（すなわち、結晶化速度が著しく遅くな
ってしまう）問題点があり、かつ、Ｔｅの結晶化温度は
１０°Ｃと低いことからＴｅの割合が増えるに伴いＧａ
−３ｂ−Ｔｅの結晶化温度も急激に低下しそのアモルフ
ァス相の安定性も劣化する問題点があった。

このため、上記Ｇｅ−５ｂ−Ｔｅと同様、その実用化は
可能であるものの特性的には未だ充分でない問題点があ
った。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は以上の問題点に着目してなされたちので、その
課題とするところは、アモルファス化に難はあるものの
結晶化時間が短くアモルファス相の安定性も高いＧａＳ
ｂと、このＧａＳｂと結晶構造が同一で光学的バンドギ
ャップがＧａＳｂより小さいＩｎＳｂと、結晶化時間が
短く、そのアモルファス化も容易で、しかも結晶化温度
がＴｅより高いＶｂ２ｖｔｂ、とて上記記録材料を構成
することにより、情報の書込み若しくは書換えを高速で
行え、かつ、この記録情報を長期に亘って保持できると
共に、記録感度の向上が図れる光記録媒体を提供するこ
とにある。

すなわち本発明は、光、熱等の手段により可逆的に相変化する記録材料層を
基板上に備え、この相変化に伴う光学的性質の変化を利
用して情報の記録・再生、又は記録・再生・消去を行う
光記録媒体を前提とし、上記記録材料が、［（ＧａＳｂ）１ｏｏ−ｙ（ＩｎＳｂ）ｙ］１ｏｏ−、
（Ｖｂ２ＶＩｂｉ）。

（但し、Ｖ　ｂ　２　ＶＴ、　ｂ　ｈは周期表上のＶｂ
族元素とＶＩｂ族元素とで構成されその化学式がＶｂ２
ｖ’ｘｂ、で表現される化学量論化合物又はこの化学量
論化合物の２種以上の混合物であり、また、ｘ、ｙの範
囲は、７ｍｏｌＸ≦　Ｘ　≦８５ｍｏｌＸ５ｍｏｌＸ≦　ｙ　≦７０ｍｏｌＸである）で示される
組成物にて構成されていることを特徴とするものである
。

このような技術的手段おいて上記Ｖ　ｂ　２ＶＴ　ｂ　
ｈとしては、Ａｓ、　Ｓｂ、　Ｂｉ等のＶｂ族元素と、
Ｓ　、　Ｓｅ、　Ｔｅ等のＶＩｂ族元素で構成されその
化学式がＶｂ２ＶＩｂｌで表現される５ｂ２Ｔｅａ、Ｂ
ｉ２Ｔｅ５、Ｓｂ＋Ｓｅ＋、Ｂｉ２Ｔｅ５、Ｓｂ＋Ｓ＋
、Ｂ＋２Ｓｔ、ＡＳ２Ｓｅｌ、及び、ＡｓｔＴｅ＋等の
化学量論化合物があり、またこれ等化学量論化合物を２
種以上混合した混合物、例えば、Ｂｉ２５Ｔｅ２等の化
学量論化合物や、その他の固溶体、混合体等か適用でき
る。

一方、ＧａＳｂ、　ＩｎＳｂ、及び■ｂ２ＶＩｂ、とで
合成され、一般式［（ＧａＳｂ）！ｏｏ−ｙ（ＩｎＳｂ
）ｙ］１００−（Ｖｂ＋ＶＩｂ＋）−で示される組成物
には、上記Ｖｂ２’ＶＩｂｌの構成元素の種類、並びに
、ＧａＳｂ、　ＩｎＳｂ、及びＶｂ、ｖｈｂ、の合成割
合により、例えば、化学量論化合物を構成するもの、固
溶体を構成するもの、及び、混合体がある。

また、上記Ｖｂ２ＶＩｂ、の合成割合、すなわち一般式
［（ＧａＳｂ）ｔｏｏ−、（ＩｎＳｂ）ｙ］１ｏｏ−、
（ＶｂｘＶＩｂｘ）、におけるＸの適用範囲は、Ｘ≦７
ｍｏｌＸの場合、ＧａＳｂにおけるアモルファス化の改
善が不十分で、上記材料［（ＧａＳｂ）１ｎｏ−ｙ（Ｉ
ｎＳｂ）ｙＬｏｏ−（ＶｂｚＶＩｂ＋Ｌのアモルファス
化が困難となり、一方、Ｘ≧８５ｍｏｌＸの場合には、
［（ＧａＳｂ）ｔｏｏ−ｙ（ＩｎＳｂ）ｉ１００−、（
Ｖｂ＋ＶＩｂｓ）。

の結晶化速度が遅くなり、かつ結晶化温度が下がってア
モルファス相の安定性も劣化する危険性があるため、（
７ｍｏｌＸ≦　Ｘ　≦８５ｍｏｌＸ　）の範囲内に設定
する必要がある。

他方、上記（ＩｎＳｂ）の合成割合、すなわち−紋穴％
式％ｙの適用範囲は、ｙ≦５ｍｏｌＸの場合、記録感度の向
上に寄与する上記ＩｎＳｂの作用が不十分となり、また
、ｙ≧１０ｍｏｌＸの場合には、［（ＧａＳｂ）１００−ｙ（ＩｎＳｂ）ｙ］１００−−
（Ｖｂ＋ＶＩｂｓ）−の結晶化速度が遅くなる危険性が
あるため、（５ｍｏｌＸ≦　ｙ　≦７０ｍｏｌＸ　）の範囲内に設
定する必要がある。

次に、上述した記録材料を適用した光記録媒体の基本構
造は、原則として光透過性の基板とこの面上に形成され
た記録材料層とで構成される。

また、記録材料層が溶融後固化するまでに変形すること
を防止する目的、あるいは、記録材料層の機械的損傷、
酸化等を防止する目的で上記記録材料層上に保護層を設
けることも可能である。

そして、上記光透過性の基板としてはガラスの他、アク
リノペポリカーボネート、エポキシ等の樹脂材料が利用
できる。ここで、基板として樹脂材料を適用した場合、
樹脂材料の熱的損傷を防ぐため記録材料層と基板間に、
例えばＳｉＯ□、Ｚｎ５Ｚｒ０２等、あるいはこれ等の
混合物等で構成される基板保護層を設けてもよい。尚、
基板の反対側から光ビームを照射して記録・再生・消去
を行う光記録媒体においては、アルミニウム等の光不透
過性の材料により基板を構成しても当然のことながらよ
い。

また、上記保護層を構成する材料としては、上記基板保
護層を構成する材料と同様の材料の他、紫外線硬化樹脂
、アクリル、ポリカーボネート、エポキシ等の樹脂材料
、及び、ガラス等を挙げることかできる。また、上記保
護層はこれ等材料の単一層で構成してもよく、あるいは
上記材料を複数積層して構成してもよく任意である。ま
た、冷却速度を速めることを目的として、Ａｕ、　ＡＩ
、Ａｇ等熱伝導率の高い金属より成る熱拡散層や、Ｓｌ
、Ｇｅ、ＧａＡｓ、　ＢｅＯ、ＡＩＮ　、　ＴｉＣ、Ｃ
ｒ、　ＦｅＸＲｈ、　Ｂｅ、　Ｉｒ等高温になる程その
熱伝導率か低下する材料より成る熱伝導制御層等を設け
てもよい。

更に、上記記録材料層の形成方法としてはスパッタリン
グ法や真空蒸着法か利用できる。すなわち、上記スパッ
タリング法としては複数のターゲットを用い夫々のター
ゲットに加える電力量を適宜調整することにより目的の
組成物を合成すると同時にこの組成物を基板に着膜させ
る同時スパッタリングの他、目的の組成物に対応した一
つの合金ターゲットを用いてスパッタリングを行うこと
も可能である。また、上記真空蒸着法としては、複数の
蒸着源を使用し夫々の蒸着速度を調整することにより目
的の組成物を得ると同時にこれを基板に着膜させる共蒸
着法が利用できる。

尚、この技術的手段の光記録媒体においては、従来と同
様に記録材料層のアモルファス相を記録状態に対応させ
その結晶相を消去状態に対応させてもよく、この反対に
、記録材料層のアモルファス相を消去状態に対応させそ
の結晶相を記録状態に対応させてもよ（その選択は任意
である。

〔作用〕

上述したような技術的手段によれば、記録材料が、アモルファス化に難はあるものの結晶化時間か短＜　（
２０ｎｓ）、かつ、アモルファス相の安定性も高い（結
晶化温度：３５０℃）　ＧａＳｂと、このＧａＳｂと結
晶構造が同一（閃亜鉛鉱型構造）で光学的バンドキャッ
プがＧａＳｂ　（０，７ｅＶ）より小さいＩｎＳｂ　（
０，２ｅＶ）と結晶化時間が短く、アモルファス化も容易で、しかも結
晶化温度がＴｅより高いＶ　ｂ　２　ＶＩ　ｂｈ、とて
合成された下記一般式、［（ＧａＳｂ）ｔｏｏ−ｙ（ｌｎｓｂ）ｙ］１ａｏ−、
（ＶｂｌＶＩｂｌ）、で表示される組成物にて構成され
ているため、結晶化速度の低下と結晶化温度の低下を引
起こさずにそのアモルファス化の改善が図れ、かつ、そ
のアモルファス相を記録状態に対応させた場合に記録感
度の向上を図ることが可能となる。

ここで、上記一般式、すなわち、ｆ（ＧａＳｂ）ｌＱａ−ｒ（ＩｎＳｂ）ｒ）１００−ｆ
（ＶｂｌＶＩｂｌ）−中におけるＴｅ等ＶＩｂ族元素の
構成割合か１０ａｔ％を超えた場合においても、特開昭
６２−２４１１４５号公報に開示された手段と較べて結
晶化速度の低下と結晶化温度の低下が起こり難い理由に
ついて本発明者は以下のように推論している。

すなわち、「結晶化速度」については、Ｉ（ＧａＳｂ）
１ａｏ−ｙ（ＪｎＳｂ）ｉ１００−、（ＶｂｐＶＩｂ、
）ｔが、化学量論化合物であるＧａＳｂとＩｎＳｂ、及
び化学量論化合物であるＶｂ、ＶＩｂ、間の合成、又は
、化学量論化合物であるＧａＳｂとＩｎＳｂ、及び化学
量論化合物であるＶ　ｂ　２ＶＩ　ｂ　ｈの２種以上の
混合物間の合成により求められ、かつ、上記ＧａｒｂとＩｎＳｂとは共に閃亜鉛鉱型構造
でその結晶構造が同一であることと、上記ＧａＳｂ並びにＶｂｌＶＩｂｌの結晶化速度が共に
速いためであると推論している。

一方、「結晶化温度ｊについては、［（ＧａＳｂ）１００−ｙ（ＩｎＳｂ）ｙ］１ｏａ−（
Ｖｂ２ＶＩｂ＋）、の一部を構成するＶ　ｂ　２ＶＩ　
ｂ　！の結晶化温度が上述したようにＴｅに較べて高く
、かつ、上記ＧａＳｂとＩｎＳｂの結晶構造が同一であ
るため、Ｖｂ２ＶＩｂ、並びにＩｎＳｂの添加に伴う結
晶化温度への影響が少ないためであると推論している。

また、［（ＧａＳｂ）＋ｃｏ−ｙ（ＩｎＳｂ）ｙ］１０
０−ｘ（Ｖｂ２ＶＩＥｌ＋）。

の記録感度、すなわちアモルファス感度が向上する理由
については、上記ＧａＳｂと一部置換するＩｎＳｂの光学的バンドギ
ャップが０．２ｅＶでＧａＳｂの数値（０，７ｅＶ）に
較べて著しく小さいため、このＩｎＳｂの一部置換に伴
い上記［（ＧａＳｂ）１００−ｙ（ＩｎＳｂ）ｙｌ！ａ
ｏ−、（Ｖｂ２ＶＩｂａ）−における光ビームの吸収率
が高められるためであると推論している。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。

◎第一実施例この実施例に係る光記録媒体は、第１図に示すように厚
さ１．２ｍｍのアクリル製の基板（１）と、この基板（
１）上にＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成
された厚さ１１００ｎの５ｉＯｔ製の基板保護層（２）
と、この基板保護層（２）上に同様のＲＦマグネトロン
スパッタリング法にて形成された厚さ４０ｎｍの［（Ｇ
ａＳｂ）ｇ　ｏ　（ＩｎＳｂ）＋　ｏ］　＋　ｉ　（Ｓ
ｂ２Ｔｅｉ　Ｌ　ｉ製の記録材料層（３）と、この記録
材料層（３）上に同様の方法にて形成された厚さ１１０
０ｎのＳｉＯ３製の保護層（４）と、この保護層（４）
上に同様の方法にて形成された厚さ１１００ｎのＡ１合
金製の熱拡散層（５）と、この熱拡散層（５）上に紫外
線硬化型樹脂の接着層（６）を介して積層された厚さ１
．２ｍｍのアクリル製の保護板（７）とでその主要部が
構成されるものである。

尚、この光記録媒体における光吸収は可視光から近赤外
光中にわたっており、少なくとも４００〜８６０　ｎｍ
の範囲で光記録媒体として使用可能であった。

そして、この光記録媒体の使用に際しては、従来と同様
、その記録材料のアモルファス相を記録状態に対応させ
る一方、記録材料の結晶相を消去状態に対応させて使用
した。

以下、この光記録媒体を適用した記録法について説明す
ると、まず、上記光記録媒体を１８００ｒｐｍの速度で
回転させながら７８０　ｎｍの半導体レーザを一様に照
射し光記録媒体の初期化を行った。

次に、初期化された光記録媒体を１８００ｒｐｍの速度
で回転させ、この状態でその出力か選択的に切換わる単
一の記録消去用ビーム（記録時の出力、７ｍＷ、消去時
の出カニ３ｍＷ）を照射してオーバーライドによる情報
の記録・消去を行った。

一方、情報が書込まれた光記録媒体を１８００ｒｐｍの
速度で回転させ、この状態で出力１ｍＷのレーザビーム
をその記録材料層（３）へ照射すると共に、この反射ビ
ームを受光素子により読取らせて記録情報の再生を行っ
た。

そして、この光記録媒体を適用した記録法においてはそ
の記録・消去時間が５０ｎｓ以下となり、従来の光記録
媒体を適用した方法に較べて記録・消去速度の著しい改
善が図れ、かつ、その消去率も２５ｄＢ以上の実用的な
値が得られた。

一方、上記記録材料層（３）を加熱しながらその反射率
をモニターし、その反射率が急激に変化し始める温度を
「結晶化温度Ａと定義してこの光記録媒体に適用された
記録材料の結晶化温度を求めたところ１４０°Ｃ以上あ
り、そのアモルファス相の安定性も充分であった。

また、上述したように記録消去用ビームの出力はその記
録時が７　ｍＷ、消去時が３ｍＷであり、ＧａＳｂの一
部がＩｎＳｂで置換されていない以下の記録材料、すな
わち、（ＧａＳｂ）ｓ（Ｓｂ２Ｔｅａ）ｅｓが適用サレ
テいル光記録媒体の場合（この場合、記録時が１２ｍＷ
、消去時が５ｍＷであった）に較べてその記録感度の向
上か確認された。

更に、１０４回まで情報の書換え試験を行ったか記録材
料の偏析等は起こらず記録特性に大きな劣化はみられな
かった。

◎第二実施例この実施例に係る光記録媒体は、上記記録材料層（３）
が真空蒸着法にて成膜された厚さ１００　ｎｍの［（Ｇ
ａＳｂ）ｎｏ（ＩｎＳｂ）ｔｏ］１ｏ（Ｓｂ２Ｔｅａ）
ｉｏて構成されている点と、Ａ１合金製の熱拡散層（５
）が設けられていない点を除き第一実施例に係る光記録
媒体と路間−である。

そして、第一実施例と同様に初期化した光記録媒体を１
８００ｒｐｍの速度で回転させ、この状態でその出ノＪ
が選択的に切換わる単一の記録消去用ビーム（記録時の
出カニ９ｍＷ、消去時の出カニ５ｍＷ）を照射してオー
バーライドによる情報の記録・消去を行う一方、書込ま
れた光記録媒体を１８０Ｏｒｐｍの速度で回転させ、こ
の状態で出力１＋ｎＷのレーサビームをその記録材料層
（３）へ照射すると共に、この反射ビームを受光素子に
より読取らせて記録情報の再生を行った。

この結果、第二実施例に係る光記録媒体を適用した記録
法においてもその記録・消去時間が５０ｎｓ以下となり
、記録・消去速度の著しい改善が図れ、かつ、その消去
率も２５ｄＢ以上の実用的な値が得られた。

また、上述したように記録消去用ビームの出力はその記
録時か９ｍＷ、消去時が５ｍＷであり、ＧａＳｂの一部
が１ｎｓｂで置換されていない以下の記録材料、すなわ
ち、（ＧａＳｂ）ｉｏ（Ｓｂ２Ｔｅ＋ン、。が適用され
ている光記録媒体の場合（この場合、記録時が１５ｍＷ
、消去時が７ｍＷであった。但し、この光記録媒体はＡ
ｕ製の熱拡散層を具備している）に較べてその記録感度
の向上が確認された。

更に、この記録材料の結晶化温度を求めたところ、１６
０°Ｃ以上でそのアモルファス相の安定性も充分であり
、かつ、２０’回まで情報の書換え試験を行ったが記録
材料の偏析等は起こらず記録特性に大きな劣化はみられ
なかった。

◎第三実施例この実施例に係る光記録媒体は、上記記録材料層（３）
が真空蒸着法にて成膜された厚さ１００　ｎｍの［（Ｇ
ａＳｂ）＊１（ＩｎＳｂ）ｔ］ａｓ（ＳｂｚＴｅ＋）ｉ
で構成されている点と、Ａ１合金製の熱拡散層（５）が
設けられていない点を除き第一実施例に係る光記録媒体
と路間−である。

そして、第一実施例と同様に初期化した光記録媒体を１
８００ｒｐｍの速度で回転させ、この状態でその出力が
選択的に切換わる単一の記録消去用ビーム（記録時の出
カニ１１ｍＷ、消去時の出力・５　ｍＷ）を照射してオ
ーバーライドによる情報の記録・消去を行う一方、書込
まれた光記録媒体を１８００ｒｐｍの速度で回転させ、
この状態で出力１ｍＷのレーザビームをその記録材料層
（３）へ照射すると共に、この反射ビームを受光素子に
より読取らせて記録情報の再生を行った。

この結果、第三実施例に係る光記録媒体を適用した記録
法においてもその記録・消去時間が５０ｎｓ以下となり
、記録・消去速度の著しい改善が図れ、かつ、その消去
率も２５ｄＢ以上の実用的な値が得られた。

また、上述したように記録消去用ビームの出力はその記
録時が１１ｍＷ、消去時が５ｍＷであり、ＧａＳｂの一
部がＩｎＳｂで置換されていない以下の記録材料、すな
わち、（ＧａＳｂ）９ｏ（Ｓｂ＋Ｔｅ＋）ｔｏが適用さ
れている光記録媒体の場合（この場合、記録時が１８ｍ
Ｗ、消去時が１０ｍＷであった。但し、この光記録媒体
はＡｕ製の熱拡散層を具備している）に較べてその記録
感度の向上が確認された。

更に、この記録材料の結晶化温度を求めたところ、２０
０℃以上でそのアモルファス相の安定性も充分であり、
かつ、１０”回まで情報の書換え試験を行ったが記録材
料の偏析等は起こらず記録特性に大きな劣化はみられな
かった。

◎第四実施例この実施例に係る光記録媒体は、上記記録材料層（３）
が真空蒸着法にて成膜された厚さ１００　ｎｍの［（Ｇ
ａＳｂ）ａｏ（ＩｎＳｂ）ｔｏｌｓａ（Ｂｉ＋Ｔｅ＋）
ｓｏで構成されている点と、Ａ１合金製の熱拡散層（５
）が設けられていない点を除き第一実施例に係る光記録
媒体と路間−である。

そして、第一実施例と同様に初期化した光記録媒体を１
８００ｒｐｍの速度で回転させ、この状態でその出力が
選択的に切換わる単一の記録消去用ビーム（記録時の出
カニ９ｍＷ、消去時の出カニ５ｍＷ）を照射してオーバ
ーライドによる情報の記録・消去を行う一方、書込まれ
た光記録媒体を１８００ｒｐｍの速度で回転させ、この
状態で出力１ｍＷのレーザビームをその記録材料層（３
）へ照射すると共に、この反射ビームを受光素子により
読取らせて記録情報の再生を行った。

この結果、第四実施例に係る光記録媒体を適用した記録
法においてもその記録・消去時間が５０ｎｓ以下となり
、記録・消去速度の著しい改善が図れ、かつ、その消去
率も２５ｄＢ以上の実用的な値が得られた。

また、上述したように記録消去用ビームの出力はその記
録時が９　ｍＷ、消去時が５ｍＷであり、ＧａＳｂの一
部カ月ｎＳｂで置換されていない以下の記録材料、すな
わち、（ＧａＳｂ）ｓｏ（Ｂｊ２Ｔｅｓ）ｓｏが適用さ
れている光記録媒体の場合（この場合、記録時が１５ｍ
Ｗ、消去時が７ｍＷであった。但し、この光記録媒体は
Ａｕ製の熱拡散層を具備している）に較べてその記録感
度の向上が確認された。

更に、この記録材料の結晶化温度を求めたところ、１６
０℃以上でそのアモルファス相の安定性も充分であり、
かつ、１０５回まで情報の書換え試験を行ったが記録材
料の偏析等は起こらず記録特性に大きな劣化はみられな
かった。

〔発明の効果〕

本発明によれば、記録材料が、アモルファス化に難はあるものの結晶化時間が短くアモ
ルファス相の安定性も高いＧａＳｂと、このＧａＳｂと
結晶構造が同一で、Ｇａｒｂより光学的バンドギャップ
が小さいＩｎＳｂと結晶化時間が短く、アモルファス化も容易で、しかも結
晶化温度がＴｅより高いＶ　ｂ　ｒ　ＶＩ　ｂ　＋、と
で合成された下記−紋穴、［（ｃａｓｂＬｏｏ−、（ＩｎＳｂＬＬｏｏ−ｘ（Ｖｂ
’２ＶＩｂ＋）ｘで表示される組成物にて構成されてい
るため、結晶化速度の低下と結晶化温度の低下を引起こ
さずにそのアモルファス化の改善と記録感度の向上を図
ることが可能となる。

従って、情報の書込み若しくは書換えを高速で行え、か
つ、この記録情報を長期に亘って保持てきる効果を有し
ている。

更に、記録感度の向上に伴い書込み時における光ビーム
の出力低減が図れるため、光記録媒体に加わる熱的スト
レスが少なくなって繰り返し書換え耐性が向上する効果
を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例に係る光記録媒体の構成を示す断面図、
第２図〜第３図は「相変化方式１における記録・消去の
原理説明図である。〔符号説明〕（ｚ）・・・基板（３）・・・記録材料層特　許　出　願　人　富士ゼロックス株式会社代　理　
人　弁理士　中　村　智　廣（外２名）記録材料層

Claims

【特許請求の範囲】光、熱等の手段により可逆的に相変化する記録材料層を
基板上に備え、この相変化に伴う光学的性質の変化を利
用して情報の記録・再生、又は記録・再生・消去を行う
光記録媒体において、上記記録材料が、［（ＧａＳｂ）＿１＿０＿０＿−＿ｙ（ＩｎＳｂ）＿ｙ
］＿１＿０＿０＿−＿ｘ（Ｖｂ＿２VIｂ＿３）＿ｘ（但
し、Ｖｂ＿２VIｂ＿３は周期表上のＶｂ族元素とVIｂ族
元素とで構成されその化学式がＶｂ＿２VIｂ＿３で表現
される化学量論化合物又はこの化学量論化合物の２種以
上の混合物であり、また、ｘ、ｙの範囲は、７ｍｏｌ％
≦ｘ≦８５ｍｏｌ％５ｍｏｌ％≦ｙ≦７０ｍｏｌ％である）で示される組成物にて構成されていることを特徴とする
光記録媒体。