JPH0483462A - 密着型イメージセンサ - Google Patents

密着型イメージセンサ

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JPH0483462A
JPH0483462A JP2198286A JP19828690A JPH0483462A JP H0483462 A JPH0483462 A JP H0483462A JP 2198286 A JP2198286 A JP 2198286A JP 19828690 A JP19828690 A JP 19828690A JP H0483462 A JPH0483462 A JP H0483462A
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聡 町田
Kojin Kawahara
河原　行人
Hiroshi Konakano
浩志 向中野
Masahiro Yokomichi
横道　昌弘
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、イメージスキャナやＦＡＸに用いる密着型
イメージセンサに関する。
〔発明のｍ要〕
こｔｖＲＭは、複数個のイメージセンサチップを直線状
に配列してなる密着型イメージセンサにおいて、イメー
ジセンサチップ内の画素を、主走査方向の読み取りピッ
チよりもわずかに小さい一定のピンチで配列することに
より、出力均一性の良好な密着型イメージセンサを得る
ものである。
〔従来の技術〕
密着型イメージセンサの中で、複数のイメージセンサチ
ップを直線状に配列するタイプのものが知られている。
第３図に、その−例である密着型イメージセンサの平面
図を示す、基板１の上に、イメージセンサチップ２が直
線状に配列されている。第４図にイメージセンサチップ
２の平面図を示す。直線状に配列されている画素３の間
隔は、端部画素とその内側の画素間がｂ、その他の画素
間は間隔ａとなっており、間隔すは間隔ａよりも小さい
、また、間隔ａは主走査方向の読み取りピッチと等しい
、イメージセンサチップ２は半導体ＩＣであり、画素３
の受光部は基板と反対の導電型の拡散層でできている。
間隔すが間隔ａよりも小さいのは、イメージセンサチッ
プ２のっなき目においても、画素ピッチを一定に保とう
とする一方、画素３がチップ端に近すぎると、受光部拡
散層と基板間のリーク電流が大きくなる等の問題が発止
するからである。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、従来の技術の密着型イメージセンサは、端部画
素の出力が、他の画素と比べて不均一であるという欠点
があった。これは、端部画素とその内側の画素の間隔す
は、その他の画素間隔ａよりも小さいため、端部画素周
辺部のパターンが、他の画素の周辺部のパターンと異な
るためである。
即ち、画素周辺の信号線パターン等と受光領域との間の
容量が微妙に異なるので、出力が不均一となりやすい。
これを設計時に予測し、調整するのは困難である。
この発明は、従来のこの欠点を解決し、出力均一性の良
い密着型イメージセンサを提供することを目的としてい
る。
〔課題を解決するための手段〕
上記問題点を解決するためにこの発明は、端部画素の位
置は変えずに、画素周辺のパターンを全画素について均
一にするために、イメージセンサチップ内の画素の主走
査方向のピッチを、読み取りピッチａよりもわずかに小
さい一定のピッチａζこすることにより、出力均一性の
良い密着型イメージセンサを得られるようにした。
〔作用〕
上記のように構成された密着型イメージセンサにおいて
は、端部画素周辺のパターンを、他の画素周辺のパター
ンと全く等しくできるので、端部画素と、その他の画素
の出力が均一となる。したがって出力均一性の良い密着
型イメージセンサを得ることができる。
また、イメージセンサチップ内の主走査方向の画素数を
ｎとしたとき、ｎ　（ａ−ａ’　）≦ａを満たすように
ピンチａ°を決めてやれば、画素のズレは１画素以下と
なり、読み取り画像の原画に対するズレはほとんど問題
ない。
〔実施例〕
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明による密着型イメージセンサの平面図
で、基板１の上に、イメージセンサチップ２が直線状に
複数個配列されている０画像を一様に読み取るため、隣
接するイメージセンサチップ２の間隔は、数十−以下に
なっている。
第２図は、本発明によるイメージセンサチップ２の平面
図である６画素３は、主走査方向にｎ個直線状に配列さ
れている０画素間隔は、すべての画素間においてピンチ
ａ゛であり一定である。ピッチａ′は主走査方向の読み
取りピッチａよりもわずかに小さくなっている。また、
画素及び画素周辺の配線パターンは、全ての画素につい
て同一としである。これによりイメージセンサテンプ２
内の特定の画素、特に両端の画素の配線パターンの違い
による出力の不均一性は全く起こらない。
また、ピンチａ°は弐（１）を満たすように定める。
ｎ（ａ−ａ’）≦ａ　　、　　　　　　　−（１ンこの
時、画素ズレは最大で１画素となる。
例えば、解像度を１６ドノ）７ｍｍ、画素数ｎを１２８
とすると、読み取りピンチａは６２．５−、　　ピッチ
ａは式（１）より　ａＩ　　≧６２．０１２　（μ１）
１）となる。そこで今ａ’　　＝６２．１一定める。
一方、１２８ドツト分の読み取り幅は８開となるから、
チップ長ｌは８ｍｍ以下である必要がある。
隣接するチップの間隔ｆは実装精度によるが、例として
　ｆ＝２０ｎとすると、正確なピッチにイメージセンサ
チップを実装する為には、 １４　＝８０００−２０＝７９８０　（ｌＩｍ）とする
必要がある。第２図より端部画素センターからチップ端
までの距Ｈｃは次式で表わせる。
ｃ＝　（ｊ！　−（ｎ−１）　ａ’　ｌ　／２各数値を
代入すると、ｃ　＝４６．６５　ｕｎとなる。端部画素
の受光層とチップ端の距離ｄは、切断精度にもよるが、
２５−とする。この時画素幅ｅは、ｅ＝２　（ｃ−ｄ）
　＝４３．３ｎ となる。したがって十分な受光面積が得られる。
隣接する２チツプにまたがる画素間隔ａ°は、ａ　’　
　＝　２　ｃ　＋　ｆ　＝１）３．３（ＩＩｒｎ）とな
る。これは読み取りピンチａ　＝６２．５ｍ＋に対して
、約８０％長い。通常、解像度が１６ドノ）／ｍのとき
、１画素分のズレでも、はとんど画像に影響ないと言わ
れている。
以上の説明は、複数の画素列が存在するイメージセンサ
チップについて全く同様である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれば簡単な構造で出
力均一性の良い密着型イメージセンサを提供することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例にかかる密着型イメージセン
サの平面図、第２図は本発明の密着型イメージセンサの
イメージセンサチップの平面図、第３図は従来の密着型
イメージセンサの平面図、第４図は従来の密着型イメー
ジセンサのイメージセンサチップの平面図である。 ・　・基板 ・イメージセンサチップ ・画素 ・読み取りピッチ ・画素ピンチ ・隣接する２チツプにまたがる画素間隔・端部画素とそ
の内側の画素の間隔 ・端部画素センターからチップ端まで の距離 ・・端部画素の受光層とチップ端の距離・・ｉｉ！ｉｉ
紫輻 ・・隣接するチップの間隔 ・・チップ長 以上 出願人　セイコー電子工業株式会社 代理人　弁理士　林　　敬　之　助

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）複数個のイメージセンサチップを直線状に配列し
    てなる密着型イメージセンサにおいて、前記イメージセ
    ンサチップ内の画素は、主走査方向の読み取りピッチａ
    よりもわずかに小さい一定のピッチａ′で主走査方向に
    直線状に配列されていることを特徴とする密着型イメー
    ジセンサ。
  2. （２）イメージセンサチップ内の主走査方向の画素数を
    ｎとしたとき、ｎ（ａ−ａ′）≦ａを満たすことを特徴
    とする請求項１に記載の密着型イメージセンサ。
JP2198286A 1990-07-26 1990-07-26 密着型イメージセンサ Expired - Lifetime JP3013189B2 (ja)

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EP19910111233 EP0468255A3 (en) 1990-07-26 1991-07-05 Linear image sensor of the contact type
KR1019910012069A KR100212030B1 (ko) 1990-07-26 1991-07-15 접촉형 선형 이미지 센서
US07/731,741 US5619345A (en) 1990-07-26 1991-07-16 Linear image sensor of the contact type
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