TW198768B - - Google Patents

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Description

經濟部屮央標準局貝工消费合作社印製 A 6 _Β_6__ 五、發明説明（1 ) 發明背景： 本發明關於一接觸型線性感像器使用於圖像掃描器與 傳真機等。 習知有一種接觸型感像器包含許多感像器晶片彼此線 性排列。圖3是此種接觸型線性感像器之例子的平面圖。 許多感像器晶片2 1線性地排列在一底板1 1上。圖4指 出一感像器晶片2 1之平面圖。晶片2 1提供有一線性陣 列的像素3 1排列成使得末端像素與内相鄰的像素之間相 隔-間隔b ,且其餘的中間像素彼此相隔一間隔a。末端 間隔b被設定小於中間間隔a。此外，中間間隔a被設定 成完全等於在水平或主要掃描方向之感測器的給定標準讀 取節距。感像器晶片21包含一半導體1C,且各像素3 1具有一光接收區域其由一擴散層組成具有一導電型式相 對於I C晶片之半導體基層的型式。末端間隔b被設定成 小於中間間隔a以補償相鄰感像器晶片2 1之間的間隙以 保持標準讀取節距之整體規律性。 如果末端像素31置於太靠近具有規律間隔a之晶片 的邊緣，會導致一缺點使得光接收擴散層與半導體基層之 間的漏電流會流超過。 然而，上述習知的接觸型感像器具有一缺點，末端像 素之輸出位準是相對於其餘的中間像素而改變的。亦即， 由於末端像素與内相鄰像素之間的末端間隔b被設定小於 其餘像素之中間間隔a，末端像素附近的·電極圖型規割不 同於其餘像素附近的規劃。換句話説，在光接收區域與各 太m 中因 a 玄捃m(CNS)甲4ίΘ格m(1 x297公If·θ - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部+央標準局貝工消費合作社印製 x9liV6c5 A6 ___B_6 五、發明説明（2 ) 別像素附近之信號電極圖型之間會有寄性電容改變，藉此 産生不均勻輸出。很難以圖型設計暫時性地補償此改變。 發明之節要： 本發明之目的在於消除習知技術之缺點以提供一改良 的接觸型慼像器具有均勻的輸出性能。欲達成上述目的， 依據本發明，末端像素與内相鄰像素分離一節距等於其餘 像素之給定的固定中間節距a / ，日其被設定稍微小於 平或主要掃描方向的標準讀取節距a，所以電極圖型規割 被共同地設定在每一個像素附近，藉此確保接觸型感像器 之均勻輸出性能。 在如前所述構造的接觸型感像器中，末端像素附近具 有一圖型規劃其與其餘像素附近之規割相同，所以末端像 素可以産生一輸出其均勻方式與相餘像素相同。因此，可 以得到接觸型感像器具有均勻的輸出性能。 此外，接觸節距a z可以被設定以滿足 n ( a - a ^ ) < a之關傜，此處η代表沿著水平掃描 向之感像器晶片所包含的像素之數目，以限制像素陣列之 整個因次誤差於一標準謓取節距之範圍内，以大致地消除 一謓取像相對於一原像之水平失真。 圖形之簡要説明： 圖1是一平面圖指本發明之接觸型感像器的一値實施 例； 太《.钵 Κ 泞 iA 闲 + Η Η 玄Ψ4規格ί210χ297公if — ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i9bV68 A 6 B6 經濟部中央楳芈扃M工消#合作社印31 五、發明説明（3 ) 圖2是一平面圖指出包含於本發明之接觸型感像器的 感像器晶片； 圖3是一習知的接觸型感像器之平面圖；及 圖4是包含於習知的接觸型感像器中之感像器晶片的 平面圖。 發明之詳細敘述： 此後將連同圖形敘述本發明之實施例。圖1是本發明 之接觸型感像器的平面圖。許多感像器晶片2被線性地排 列在一基板1上。相鄰的感像器晶Η 2被置於彼此相距一 間隙f小於數拾ϋ m。 圖2指感_器晶片2之放大的平面圖。晶片2具有η 個像素3線性地排列於主要或水平掃描方向之陣列。在整 個陣列中，像素3被置於一給定的固定間隔或節距a / 節距a /被設定稍微小於水平掃描方向之標準讀取節距 ，其計是藉由將線性感像器之跨距（span)除以像素之總 數。此外，局部引線電極圖型被設計成在所有像素3包括 末端像素之附近及其中為相同的，藉以避免在相同的感像 器晶片2中在特殊像素之輸出的不均勻變化，例如在相對 的末端像素。此種變化會由局部引線電極圔型規劃之差異 而引起。 再者，線性排列節距a 2最好被設定以滿足以下之關 傺（"： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂- 線- « /? iA ffl Φ B1 a ^4*0*^(210x297-^7?-)^ iBbV68 A 6 B6 五、發明説明（4 ) η ( a — a 1 ) < a ............... ( 1 ) 藉此排列，像素之整個位置誤差可以被限制低於晶片 内之標準節距a之级數。例如，如果各個感像器晶片陣列 具有1 6點/毫米之圖像讀取解析度及像素數目η為 128,標準讀取節距a被計算為1毫升/16= 62. 5Wm，且排列節距a·*依據關係式（1)不得 於62.0 12^111。於是節距£1>在此實施例中被設 為 6 2 . 1 ju m 〇 另一方面，128點之謓取跨距被計算為 128+16 = 8mm,因此晶片長度i?應小於8mm以 在相鄰的晶片之間留一間隙。雖然視晶片之裝設準確度而 定，相鄰晶片之間的間隙例如被估計為2 0 w m。在此情 形中，晶片長度$應被設定為i?=8〇00 — 20 = 7 9 8 m以準確地將晶片排列成一直線配合所給定的 標準讀取節距。 如圖2所示，自末端像素之中心至晶片邊緣之距離c 經濟部屮央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 是以下列關像（2 )來表示： C =〔卜（η - 1 ) a ^ 〕/ 2 ............ (2 將特定值導入關偽式（2)中可計算距離 C=46. 65wm,此外，晶片邊緣與末端像素之光接 收區的外緣間的距離d被設定為例如d = 2 5 w m ,以正 太蚯？6尺疳ifl用Ψ因S3 甲4抝核mo乂297公'— 198^63 Μ 五、發明説明（5 ) 常的切割工作準確度來看。在此情形中，像素之寛度e被 設定為e = 2 (c-d) = 43. 3ium,因此，可以有 效地得到一足夠的光接收區域。此外，相鄰晶片之並列的 末端像素之間的間隔a "被設定為a 〃 = 2 c + f = 113. 3wm。此值大於標準謓取節距a=62. 5 wm於80%。通常在1 6點/毫米之解析度的情形下約 一像素大小之尺寸誤差不會影饗至再生圖像之品質。以最 佳及有效的引導圖型規割來看，上述的側面形式中，實際 的設置節距可以相對於固定節距值a /被局部待別地加寬 一個以之中間點。然而在此情形中，固定節距a/被保持 在幾乎全部的像素包括末端像素，藉以保持一再生圖像之 均勻品質。本發明不僅可以應用至具有單一條線的像素之 圖像感測器，亦可以應用至具有多條線的像素之圖像感測 器。 如前所述，依據本發明可以得到一接觸型的線性感像 器以簡化之結構具有均勻的輸出操作。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· ·，，·訂- 線- 經濟部中央楳準局员工消費合作社印製 太R /f m Φ® a 抝格（21(1乂297公_分/

Claims (1)

  1. A7 B7 C7 D7 經濟部中央標準局8工消费合作社印製 六、申請專利範圍 附件一： 第80105140號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國81年11月修正 1 . 一種接觸型線性感像器，包含： 一底板；及 許多感像器晶片裝設於基板上，彼此在主要掃描方向 上是線性的，以一値給定的標準讀取節距a來謓取圖像， 各個感像器晶Η具有一陣列的像素以一給定的固定節距 a **線性地設置在主要掃描方向上，在整個全部像素包括 一末端像素中，此一給定的固定節距a **較小於標準讀取 節距a。 2. 如申請專利範圍第1項所述之接觸型線性感像器 ，其中此陣列具有一固定節距a/之像素排列以滿足關僳 式n (a — a / ) <a,在此處η代表設置於主要掃描方 向中之像素的數目。 3. —種接觸型線性感像器，包含： 一底板； 許多感像器晶Η裝設於基板上，彼此在主要掃描方向 上是線性的，以一個給定的標準讀取節距a來讀取圖像， 各値感像器晶Η具有一陣列的像素以一給定的固定節距 a /線性地設置在主要掃描方向上，在整個全部像素包括 一末端像素中，此一給定的固定節距a/較小於標準謓取 節距a ;及 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝- 訂· 丨線. 太纸張尺度適用中國國家橒準（CNS)甲4規格（210 X 297公犛） 8L9.10,000 A7 B7 C7 D7 六、申請專利範圍局部引線電極圖型，其設計成相同於包含尾端像素之 全部像素中及附近之電極圖型。 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) -裝- 訂. 線. 經濟部中央標準局MK工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>甲4規格（210 X 297父贷） 81.9.10,000 9
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