JPH0484362U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案の原料供給機構を採用した、
単結晶製造装置の模式図。第２図は、本考案の原
料供給機構の一実施例の要部縦断面図。第３図は
、本考案の原料供給機構の異なる実施例の要部縦
断面図。第４図は、本考案の原料供給機構の異な
る実施例の要部斜視図。 １……ホツパー、２……供給器、３……予備加
熱装置、４，４′……隔離管、５……石英るつぼ
、６……シリコン融液、７……シリコン単結晶、
８……原料供給機構、９……チヤンバー内気相部
、１０……原料供給機構気相部、１１，１１′，
２１……排気管、１２……溶解室、１３……貯留
室、１４……供給室、１５，１５′……隔壁、１
６……連通孔、１７……上蓋、１８……単結晶製
造装置、１９……ガス導入管、２０……供給管。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 連続引上げ式半導体単結晶製造装置の原料供
   給機構において、単結晶製造装置のチヤンバー外
   に設けられ、原料を貯留、供給するホツパーと、
   ホツパーより導かれ、チヤンバー内のるつぼ内融
   液充填域に達する供給器と、供給器周囲に設けた
   原料加熱用の予備加熱装置と、供給器先端部にあ
   つて、原料融液充填時にはその一部がるつぼ内融
   液中に浸漬する隔離管とから構成され、隔離管に
   は、チヤンバー外への排気管を備えたことを特徴
   とする半導体単結晶製造装置の原料供給機構。 ２ 供給器が、らせん管状に構成されたことを特
   徴とする請求項１記載の半導体単結晶製造装置の
   原料供給機構。 ３ 供給器内が、原料の溶解室、貯留室、および
   供給室の３室に隔壁により分割され、貯留室と供
   給室間の隔壁の高さは、他の隔壁より低く、溶解
   室は上部に設けた連通管によりホツパーに、また
   その底部は、溶解室と貯留室間の隔壁底部に設け
   た連通孔により、貯留室に連通しており、各室上
   部には、隔壁上端との間に間隙を設けて各室上部
   空間を一体的に覆つて、前記連通管とチヤンバー
   外への排気管とを備える上蓋を気密に設け、前記
   隔離管には、チヤンバー外からのガス導入管を備
   えたことを特徴とする請求項１記載の半導体単結
   晶製造装置の原料供給機構。