JPH0485845A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査方法Info
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- JPH0485845A JPH0485845A JP19879890A JP19879890A JPH0485845A JP H0485845 A JPH0485845 A JP H0485845A JP 19879890 A JP19879890 A JP 19879890A JP 19879890 A JP19879890 A JP 19879890A JP H0485845 A JPH0485845 A JP H0485845A
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- Japan
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、プローブ針を使用した、ウェハ状の半導体装
置の電気特性検査方法に関する。
置の電気特性検査方法に関する。
[発明が解決しようとする課題]
しかし従来の方法には、以下の問題があった。
■安定、した接触抵抗を得る為、かつ電極パッドにダメ
ージを与えない為の、電極パッドに対するプローブ針荷
重の適正化が必要である。またこれを目的としたプロー
ブ針の位置精度の確保が必要である。
ージを与えない為の、電極パッドに対するプローブ針荷
重の適正化が必要である。またこれを目的としたプロー
ブ針の位置精度の確保が必要である。
■電極パッドとの機械的接触が有る為、プローブ針が、
ダメージを受は易く、安定した導通を長期間維持するこ
とが難しい。
ダメージを受は易く、安定した導通を長期間維持するこ
とが難しい。
■プローブ針の機械的強度を確保する必要がある為、プ
ローブ針の微細化に限度があり、対応する電極パッドの
微細化に制限を与える。
ローブ針の微細化に限度があり、対応する電極パッドの
微細化に制限を与える。
そこで本発明は、従来のこのような問題点を解決する為
、機械的接触がなく、安定した電気的導通の得られる検
査方法を提供することを目的とする。
、機械的接触がなく、安定した電気的導通の得られる検
査方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明の半導体装置の検査方法は、ウェハ状態の半導体
装置の電気特性検査において、前記半導体装置の電極パ
ッドにペースト状態、あるいは液状の導電物質を付け、
電極パッドとプローブ針との間に介在させることにより
、直接接触させること無く、電気的導通をとることを特
徴とする。
装置の電気特性検査において、前記半導体装置の電極パ
ッドにペースト状態、あるいは液状の導電物質を付け、
電極パッドとプローブ針との間に介在させることにより
、直接接触させること無く、電気的導通をとることを特
徴とする。
[実施例]
第1図は、本発明の実施例における、半導体装置の電極
パッドとプローブ針との電気的導通状態を示す図であっ
て、1はプローブ針、2は半導体装置の電極パッド、3
は2のパッド上に塗布した導電材料、4は半導体装置表
面保護膜である。
パッドとプローブ針との電気的導通状態を示す図であっ
て、1はプローブ針、2は半導体装置の電極パッド、3
は2のパッド上に塗布した導電材料、4は半導体装置表
面保護膜である。
ここで、3の導電材料には、金属繊維または金属粒子を
練り込んだペースト、あるいは水銀等の液体金属、その
他の電解液などが使用できる。
練り込んだペースト、あるいは水銀等の液体金属、その
他の電解液などが使用できる。
第1図で判るように、3の導電材料を介在させることに
より、機械的接触をせずどもプローブ針と電極パッドと
の間に電気的接続がとれることになる。
より、機械的接触をせずどもプローブ針と電極パッドと
の間に電気的接続がとれることになる。
第2図は、同様の実施例における、複数パッドの接続状
態を示す図である。ここでプローブ針の先端の高さは、
必ずわずかながらのバラツキを持ってしまうが、この高
さバラツキδが電極パッド上に塗布した導電材料の厚み
tより充分小さい場合、プローブ針の高さバラツキδが
あっても、良好な接続が同時に得られることになる。
態を示す図である。ここでプローブ針の先端の高さは、
必ずわずかながらのバラツキを持ってしまうが、この高
さバラツキδが電極パッド上に塗布した導電材料の厚み
tより充分小さい場合、プローブ針の高さバラツキδが
あっても、良好な接続が同時に得られることになる。
第3図は、プローブ針が何らかの要因によりパッドの位
置かられずかにずれた場合を示す図である。ここで3の
導電材料に液体を使用した場合、いったん接触すれば液
体の表面張力により、プローブ針との接触面積は増大し
、良好な導電状態を得ることが出来る。
置かられずかにずれた場合を示す図である。ここで3の
導電材料に液体を使用した場合、いったん接触すれば液
体の表面張力により、プローブ針との接触面積は増大し
、良好な導電状態を得ることが出来る。
[発明の効果]
以上述べたように、本発明によれば、ウェハ状の半導体
装置の電気特性検査において、プローブ針と半導体装置
の電極パッドとの直接の接触無しに良好な導通が得られ
ることになり、その効果として下記の内容が得られる。
装置の電気特性検査において、プローブ針と半導体装置
の電極パッドとの直接の接触無しに良好な導通が得られ
ることになり、その効果として下記の内容が得られる。
■電極パッドに機械的ダメージを与えないため、半導体
装置の品質が向上する。
装置の品質が向上する。
■プローブ針に従来のような機械的強度を要求する必要
がないため、プローブ針の微細化が出来、半導体装置の
微細化、多ビン化に対応した検査が可能となる。
がないため、プローブ針の微細化が出来、半導体装置の
微細化、多ビン化に対応した検査が可能となる。
■プローブ針に対する機械的ダメージが極小となりプロ
ーブ針の寿命が増大する。
ーブ針の寿命が増大する。
■安定した接触抵抗が得られるため電気特性検査の品質
が向上する。
が向上する。
第1図は、本発明の実施例における、半導体装置の電極
パッドとプローブ針との電気的導通状態を示す図。 1−一一ブローブ針 2−m−電極パッド 3−m−導電材料 4−m−半導体装置表面保護膜 第2図は、同様の実施例における、複数パッドの接続状
態を示す図。 δ−−−プローブ針の高さバラツキ 1−−一導電材の塗布厚み 第3図は、プローブ針が何らかの要因により電極パッド
の位置かられずかにずれた場合を示す図。 第4図は、従来の方法による、半導体装置の電極パッド
とプローブ針との電気的導通状態を示す図。 以上
パッドとプローブ針との電気的導通状態を示す図。 1−一一ブローブ針 2−m−電極パッド 3−m−導電材料 4−m−半導体装置表面保護膜 第2図は、同様の実施例における、複数パッドの接続状
態を示す図。 δ−−−プローブ針の高さバラツキ 1−−一導電材の塗布厚み 第3図は、プローブ針が何らかの要因により電極パッド
の位置かられずかにずれた場合を示す図。 第4図は、従来の方法による、半導体装置の電極パッド
とプローブ針との電気的導通状態を示す図。 以上
Claims (1)
- ウエハ状態の半導体装置の電気特性検査において、前
記半導体装置の電極パッドにペースト状態、あるいは液
状の導電物質を付け、電極パッドとプローブ針との間に
介在させることにより、直接接触させること無く、電気
的導通をとることを特徴とする、半導体装置の検査方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19879890A JPH0485845A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19879890A JPH0485845A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体装置の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0485845A true JPH0485845A (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=16397086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19879890A Pending JPH0485845A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0485845A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009295707A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Hide Jinbo | プローブ検査方法 |
| JP2017116266A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 三菱電機株式会社 | 測定装置、測定方法 |
| WO2022230250A1 (ja) * | 2021-04-30 | 2022-11-03 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP19879890A patent/JPH0485845A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009295707A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Hide Jinbo | プローブ検査方法 |
| JP2017116266A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 三菱電機株式会社 | 測定装置、測定方法 |
| WO2022230250A1 (ja) * | 2021-04-30 | 2022-11-03 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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