JPH0489320A - 酸化物超電導体用原料の製造方法 - Google Patents

酸化物超電導体用原料の製造方法

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JPH0489320A
JPH0489320A JP2204682A JP20468290A JPH0489320A JP H0489320 A JPH0489320 A JP H0489320A JP 2204682 A JP2204682 A JP 2204682A JP 20468290 A JP20468290 A JP 20468290A JP H0489320 A JPH0489320 A JP H0489320A
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JP
Japan
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calcined
oxide superconductor
calcining
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JP2204682A
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English (en)
Inventor
Shinji Nakai
中居 進治
Masahiro Orita
政寛 折田
Kouhei Ametani
飴谷 公兵
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Denka Co Ltd
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

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  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、酸化物超電導体を製造するのに適した原料の
製造方法に関するものである。酸化物超電導体は液体窒
素温度でも高い超電導相を示すものであり、鉄などの磁
気シールドを代替できる高性能の軽量磁気シールド材料
などとして使用できる。
(従来の技術) ビスマスBi1ストロンチウムSr、カルシウムCa。
銅Cu及び酸素0を構成元素とするB15rCaCuO
系酸化物超電導体は、107にと高い超電導転移温度(
以下、Tcという)を有する磁気材料である。
最近、B15rCaCuO系超電導体用の原料にPb及
びsbを添加して高い超電導転移温度(Tc=107K
)を有する超電導相(以下高Tc相と呼ぶ)の含有比率
を高め、超電導性を改質したよりすぐれたPbxBit
−xSrCaCuO系酸化物超電導体が得られるように
なった。さらに緒特性改善のため、K、Li、1!、S
bを含む化合物を添加剤として加えたPb、Bi t−
xSrCaCuO系超電導体も得られている。
これらPb、Bit−xSrCaCuO(0,1≦x≦
0.3)系超電導体用原料の製造において従来は超電導
体を構成する元素を含んだすべての出発原料を一括して
仮焼する方法を採用していた。しかしこの方法では出発
原料であるCa、 Sr、 Bi、 Cu、 Pbを構
成元素として含む化合物のうち、特にCa、 Srを構
成元素として含む化合物の融点が高いために、−括して
、800〜900℃の比較的高い焼成温度で3〜50時
間位焼成する必要があった。
(発明が解決しようとする課!!り 上述したように、PbXB1、.5rCaCuO(0,
1≦x≦0.3)系超電導体用原料はCa、 Sr、 
Bi、 Cu、 Pbを構成元素として含む化合物を主
成分としてなる出発原料を一括して、高温で仮焼するた
めに、Ca、 Sr、Bi、 Cuを構成元素として含
む化合物を主成分とする出発原料以外のより低融点の、
Pbを構成元素として含む化合物を主成分としてなる出
発原料が蒸発し易く、目的とする組成の超電導体用原料
が得られない。又特に反応しやすい化合物たとえばPb
、Biを構成元素として含む化合物が選択的に反応する
ために均質な組成のものが得られない。
すなわち、Pb、B11−.5rCaCuO(0,1≦
x≦0.3)系超電導体は組成ずれによって、より低い
転移温度(Tc・85K)を有する相(以下、低Tc相
という)を容易に生成しやすく、超電導性を低下させた
り、組成が均質でないという問題点があった。
本発明はかかる問題点に鑑み、なされたものであって、
組成ずれがなく、超電導性に優れた均質な組成の焼結体
が容易に得られるPt1XBil−XCaCuO(0,
1≦x≦0.3)系酸化物超電導体用原料を提供するこ
とにある。
本発明者らは、この目的を達成するために鋭意検討した
結果、超電導体用原料を構成する元素を含む出発原料を
融点とその反応性に応じて、段階的に仮焼する方法が適
していることを見い出して、本発明を完成するに至った
(課題を解決するための手段) すなわち、本発明は以下を要旨とするものである。
PbxBi+−xSrCaCuO(0,1≦x≦0.3
)系酸化物超電導体用原料を製造するに際し、 (A) Ca、 Sr、 Bi、 Cuを構成元素とし
て含む化合物を主成分としてなる出発原料を仮焼する工
程、 (B)前記(A)工程で得た粉末に、Pbを構成元素と
して含む化合物を主成分としてなる出発原料を混合して
、仮焼する工程、 からなることを特徴とするPbxB i I−xsrc
acuo系酸化物超電導体用原料の製造方法。
以下、さらに本発明について詳細に説明する。
本発明の原料の製造方法は組成ずれがなく、超電導性に
優れた均質な組成の焼結体が容易に得られるPbJi、
−XSrCaCuO(0,1≦x≦0.3)系酸化物超
電導体用原料を得るためのものである。
まず(A)工程について説明する。
Pb*Bi I−xSrCaCuO系酸化物超電導体を
構成する元素のうち、Ca、 Sr、 Bt、 Cuを
構成元素として含む化合物を主成分としてなる出発原料
とは例えば、CaCO3,5rCO5、旧102 、C
uOなとの化合物を主成分とするものであり、各々の化
合物に前述した添加剤に、Li、Tl、Sbを少量含ん
でもよい。緒特性改善のために添加されるこれらの添加
剤は通常添加量が少いのでこの工程で含まれていても本
発明の目的は達成できる。父上記各種の構成元素を同時
に含む化合物を主成分とするものでもよい。
これらの化合物としては、上記化合物の他にCaO、C
a(O)l)z 、CaC,04、SrO% Sr (
O)l) t 、SrOt、Bi2O3・nH2O1C
u02、Cu (OH) zなどが使用できる。
これらの出発原料を800〜900″Cの温度で、3〜
50時間仮焼する。このことによって、均質な仮焼体が
得られる。この仮焼工程をさらに2段階に分けてもよい
、すなわち、Ca、 Sr、 B15Cuを構成元素と
して含む化合物のうち、融点の高いCa、 Srを構成
元素として含む化合物をまず先に850〜1000°C
で仮焼して、その後、残りの化合物を加えて均一に混合
粉砕して、再度800〜900°Cで仮焼することによ
って、より均質で化学量論的な組成物を得ることができ
る。
次に(B)工程について説明する。Pbを構成元素とし
て含む化合物を主成分としてなる出発原料とはPbo 
、Pbコ04 、PbC0z 、Pb(OH)z 、P
bCO3、Pb(OH)z 、Pb(Ct13COO)
t 、 Pb(CHsCOO)a等のPb化合物を主成
分とするものであって、(A)工程と同様、添加剤を少
量含んでいても本発明の目的は十分に達成できる。(A
)工程で得られた粉末に上記の出発原料を混合して、7
00〜800で3〜50時間仮焼する。(B)工程で添
加する主成分である化合物の構成元素のPbはBiと反
応しやすいために、(A)工程で仮焼する出発原料と同
時に仮焼すると選択的に反応が進み、Pb−B1+□5
rCaCuO系超電導体用原料として、均質でかつ量論
的なものを得ることができない。(A)、(B)工程で
得られた仮焼物はボールミル等の粉砕機で平均粒径0.
2〜3μm程度に粉砕することが好ましい。このことに
よって、最終的に得られる粉体の特性が向上するからで
ある。(B)工程で得られた仮焼物をボールミルで粉砕
した後、1000〜2000kg/cdの圧力で加圧成
形して、800〜900°Cで5〜100時間焼成する
ことによって、高Tc相であるTc=107Kを有する
BizSrzCazCuiO+ o、低Tc相であるT
c = 85Kを有するBizSr、Ca、Cu、01
1等の化合物からなる焼結体が得られるが本発明によれ
ば高Tc相を多く含み、良好な超電導特性を有する酸化
物超電導体を得ることができる。すなわち、107にの
高温において、超電導性利用時に必要な磁気遮蔽効果に
すぐれ、又且つ液体窒素温度で使用した場合においても
、より長時間使用しても安定した超電導状態を保つ、超
電導体を得ることができるのである。
(実施例) 以下に実施例をあげて、本発明を具体的に説明する。
〈実施例1〉 Pb、04 (平均粒径;1.7μm、純度100%)
、以下出発原料及び添加剤の()内は平均粒径及び純度
を示すとして、”bzos(1,5μm、99.9%)
、Biz03(2,0μm、99.9%)、CaC05
(2,0μm、99.0%)、SrCO3(2,2B 
ea、100%) 、Cu0(3,0μs、99.9%
)の粉末を構成元素の原子比でPb:Sb:旧:Sr:
Ca:Cu=2 x :2 )’ :2−2x −2y
 :2:2:3(ここで■x =0.1、y=0、■x
=0.1、y =0.3、■x=0.3、y =O,x
 =0.3、y =0.1)となるようにそれぞれ秤量
した。上記出発原料及び添加剤中Bit’s、CaCO
5,5rCO,、sb、o、、CuOをボールミルに仕
込み、122時間粉砕混し、得られた混合物を温度80
0’Cで15時間仮焼し、仮焼粉を得た。この仮焼粉に
残りの出発原料のPb30aを加え、ボールミルで4時
間粉砕混合し、平均粒径1.0μの粉体を得た。得られ
た混合物を温度750°Cで5時間仮焼した。この仮焼
物をボールミルで8時間粉砕し、平均粒径0.8μの粉
体とした後、成形圧力1500kg/jに加圧成形し、
850°Cで50時間焼結し、室温まで炉冷した。得ら
れた焼結体中の高Tc相の量と超電導性を測定した。そ
の結果を第1表に示すとおり、高Tc相含有量の多い優
れた超電導体が得られた。ここで高Tc相の同定は2θ
=4.6゜に現れるX線回折ピークによった。使用した
回折装置は理学電機社製RAD II−B型口折装置で
、X線源にはCuターゲットを用いた。超電導性はチノ
ー社製超電導測定装置を用い、帯磁率の温度依存性を測
定して見積った。
〈実施例2〉 実施例1で用いた出発原料及び添加剤としてPb3o、
、Bit’s、5bzOz、CaC0,,5rCOs、
CuOを用いて、Pb:Sb:Bi:Ca:Sr:Cu
の原子比で2x:2y:2−2 x −2y :2:2
:3(ここで■x=0.1、y=0■x=0.1、y 
=0.1、■x=0.3、y=0■x =0.3、y=
0.1)となるようにそれぞれ秤量した。上記出発原料
及び添加剤中Biz03.CaC0,,、SrCO3、
CuOをボールミルに仕込み122時間粉砕混し、得ら
れた混合物を温度800°Cで15時間仮焼し、仮焼粉
を得た。この仮焼粉に残りの出発原料のPb、o、、及
び添加剤5bzO+加え、ボールミルで4時間粉砕混合
した。得られた混合物を温度700°Cで5時間仮焼し
て粉体を得た。この粉体をボールミルで解砕後、成形圧
力1500kg/cjで加圧成形し、850°Cで50
時間焼結し室温まで炉冷した。得られた焼結体中の高T
c相の量と超電導性を実施例1と同じ方法で測定した。
その結果は第1表に示すとうり高Tc相の含有量の多い
、優れた超電導体が得られた。
〈比較例1〉 実施例2と同じ出発原料を用い、同じ組成になるよう秤
量した。これらの出発原料を全て一括してボールミルに
仕込み、12時間粉砕し、−括に混合した。得られた混
合物を温度850°Cで15時間仮焼し、仮焼粉を得た
。この粉体をボールミルで解砕後、成形圧力1500k
g/cjで加圧成形し、850°Cで50時間焼結し室
温まで炉冷した。得られた焼結体中の高Tc相の量と超
電導特性を実施例1と同じ方法で測定した。その結果は
第1表に示すとうり、全ての焼結体に低Tc相による回
折ピークがみられた。高Tc相の比率はもっとも高い場
合で80%であった。
(発明の効果) 本発明の製造方法を用いれば、組成ずれがなく、高Tc
相を多く含む超電導性に優れたPbXB11−、CaC
uO系酸化物超電導体用原料を、容易に製造することが
できる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 Pb_xBi_1_−_xSrCaCuO(0.1≦x
    ≦0.3)系酸化物超電導体用原料を製造するに際し、 (A)Ca、Sr、Bi、Cuを構成元素として含む化
    合物を主成分としてなる出発原料を仮焼する工程、 (B)前記(A)工程で得た粉末に、Pbを構成元素と
    して含む化合物を主成分としてなる出発原料を混合して
    、仮焼する工程、 からなることを特徴とするPb_xBi_1_−_xS
    rCaCuO系酸化物超電導体用原料の製造方法。
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