JPH0489560A - ガスクロマトグラフの補正方法 - Google Patents
ガスクロマトグラフの補正方法Info
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- JPH0489560A JPH0489560A JP20394090A JP20394090A JPH0489560A JP H0489560 A JPH0489560 A JP H0489560A JP 20394090 A JP20394090 A JP 20394090A JP 20394090 A JP20394090 A JP 20394090A JP H0489560 A JPH0489560 A JP H0489560A
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- Japan
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- gas
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- tcd
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、キャリアガスによって移送されてくるサンプ
ルガスの濃度を熱伝導度検出器により検出するガスクロ
マトグラフ装置に関し、特にこの装置の熱伝導度検出器
の特性値のばらつきを補正するガスクロマトグラフの補
正方法に関するものである。
ルガスの濃度を熱伝導度検出器により検出するガスクロ
マトグラフ装置に関し、特にこの装置の熱伝導度検出器
の特性値のばらつきを補正するガスクロマトグラフの補
正方法に関するものである。
［従来の技術］
従来のこの種のガスクロマトグラフ装置の要部の構成を
第４図に示す。
第４図に示す。
同図において、１は被計測用のサンプルガス、２は移動
相であるキャリアガス、３．４は到来するガスの濃度、
すなわちその温度を抵抗値の変化により検出する熱伝導
度検出器（以下、ＴＣＤセンサ）、５はこれらＴＣＤセ
ンサヘ一定電流を供給する定電流源、６はゲインアンプ
部、７はゲイン部、Ｒ１，ｒは抵抗、ａはゲイン切換信
号、■はゲインアンプ部６の出力電圧信号である。
相であるキャリアガス、３．４は到来するガスの濃度、
すなわちその温度を抵抗値の変化により検出する熱伝導
度検出器（以下、ＴＣＤセンサ）、５はこれらＴＣＤセ
ンサヘ一定電流を供給する定電流源、６はゲインアンプ
部、７はゲイン部、Ｒ１，ｒは抵抗、ａはゲイン切換信
号、■はゲインアンプ部６の出力電圧信号である。
そして、従来の装置は、ＴＣＤセンサ３，４としてフィ
ラメントやサーミスタを用い、これらＴＣＤセンサ３，
４と抵抗Ｒ１，ｒとを第２図に示すようなブリッジ構成
にしてサンプルガス１の濃度を検出している。すなわち
、ＴＣＤセンサ４は常時キャリアガス２を検出しており
、また、ＴＣＤセンサ３も、通常は、キャリアガス２を
検出している、この場合、このブリッジ回路は平衡状態
となっており、従ってゲインアンプ部６の２つの入力電
圧間に電位差が生じないことから、このゲインアンプ部
６の出力電圧は０■となっている。
ラメントやサーミスタを用い、これらＴＣＤセンサ３，
４と抵抗Ｒ１，ｒとを第２図に示すようなブリッジ構成
にしてサンプルガス１の濃度を検出している。すなわち
、ＴＣＤセンサ４は常時キャリアガス２を検出しており
、また、ＴＣＤセンサ３も、通常は、キャリアガス２を
検出している、この場合、このブリッジ回路は平衡状態
となっており、従ってゲインアンプ部６の２つの入力電
圧間に電位差が生じないことから、このゲインアンプ部
６の出力電圧は０■となっている。
その後、キャリアガス２に続きサンプルガス１が移送さ
れてくると、ＴＣＤセンサ３においてこのサンプルガス
１の温度が検出され、この結果、ＴＣＤセンサ３の抵抗
値が変化することから、ブリッジ回路が不平衡となって
ゲインアンプ部６の２つの入力電圧間に電位差が生じ、
従って、第５図のグラフに示されるように、ゲインアン
プ部６の出力電圧■はＯＶから上昇し、このサンプルガ
ス１がＴＣＤセンサ３を通過すると低下して再びＯＶに
なる。第５図のグラフは、このようなサンプルガスが３
種、成る時間間隔でＴＣＤセンサ３に移送されてきた場
合のゲインアンプ部６の出力電圧を示している。
れてくると、ＴＣＤセンサ３においてこのサンプルガス
１の温度が検出され、この結果、ＴＣＤセンサ３の抵抗
値が変化することから、ブリッジ回路が不平衡となって
ゲインアンプ部６の２つの入力電圧間に電位差が生じ、
従って、第５図のグラフに示されるように、ゲインアン
プ部６の出力電圧■はＯＶから上昇し、このサンプルガ
ス１がＴＣＤセンサ３を通過すると低下して再びＯＶに
なる。第５図のグラフは、このようなサンプルガスが３
種、成る時間間隔でＴＣＤセンサ３に移送されてきた場
合のゲインアンプ部６の出力電圧を示している。
そして、このＴＣＤセンサ３．４は、それぞれ個々に特
性値が異なっていてこれらの間にばらつきがあるので、
これらの特性値のばらつきを補正するため、この装置の
１台毎に、上記したガスとは異なる標準ガスを入れて個
々のＴＣＤセンサを校正するようにしている。
性値が異なっていてこれらの間にばらつきがあるので、
これらの特性値のばらつきを補正するため、この装置の
１台毎に、上記したガスとは異なる標準ガスを入れて個
々のＴＣＤセンサを校正するようにしている。
［発明が解決しようとする課題」
上述した従来のガスクロマトグラフの補正方法は、ＴＣ
Ｄセンサの抵抗値およびこの温度が測定できないため、
装置１台毎に、標準ガスを入れて個々のＴＣＤセンサ特
性値のばらつきを校正するようにしているので、多大な
工数とこのための出費を余儀なくされるという問題があ
った。
Ｄセンサの抵抗値およびこの温度が測定できないため、
装置１台毎に、標準ガスを入れて個々のＴＣＤセンサ特
性値のばらつきを校正するようにしているので、多大な
工数とこのための出費を余儀なくされるという問題があ
った。
［課題を解決するための手段］
このような課題を解決するために本発明に係るガスクロ
マトグラフの補正方法は、ＴＣＤセンサの温度に対する
抵抗の変化の割合を感度値として算出するとともに、こ
の算出された感度値を標準の校正データとして保有し、
この校正データに基づいてＴＣＤセンサの特性値のばら
つきを補正するようにした方法である。
マトグラフの補正方法は、ＴＣＤセンサの温度に対する
抵抗の変化の割合を感度値として算出するとともに、こ
の算出された感度値を標準の校正データとして保有し、
この校正データに基づいてＴＣＤセンサの特性値のばら
つきを補正するようにした方法である。
１作用］
保有した感度値に基づきＴＣＤセンサの特性値のばらつ
きが補正される。
きが補正される。
「実施例１
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明のガスクロマトグラフの補正方法を適
用した装置の一実施例を示すブロック図である。同図に
おいて、第４図の従来の構成図と同等部分は同一符号を
付してその説明を省略する。
用した装置の一実施例を示すブロック図である。同図に
おいて、第４図の従来の構成図と同等部分は同一符号を
付してその説明を省略する。
第１図において、１０は恒温漕であり、この恒温漕１０
の中は、アナライザバルブ１１、サンプルガス１とキャ
リアガス２とを通過させるカラム１２、サンプルガス１
の濃度、すなわちその温度を抵抗の値の変化により検出
するＴＣＤセンサ１３から構成される。また、１４はＴ
ＣＤセンサ１３へ供給される定電流を切り換える電流切
換部、１５は加算回路、１６はベースライン電圧をキャ
ンセルするベースラインキャンセル電圧発生部、１７は
ゲインアンプ部６のゲインを選択して切り換えるゲイン
選択部、１８は電圧信号を周波数に変換してディジタル
のカウント値として送出する電圧・周波数変換部、２０
はＣＰＵである。
の中は、アナライザバルブ１１、サンプルガス１とキャ
リアガス２とを通過させるカラム１２、サンプルガス１
の濃度、すなわちその温度を抵抗の値の変化により検出
するＴＣＤセンサ１３から構成される。また、１４はＴ
ＣＤセンサ１３へ供給される定電流を切り換える電流切
換部、１５は加算回路、１６はベースライン電圧をキャ
ンセルするベースラインキャンセル電圧発生部、１７は
ゲインアンプ部６のゲインを選択して切り換えるゲイン
選択部、１８は電圧信号を周波数に変換してディジタル
のカウント値として送出する電圧・周波数変換部、２０
はＣＰＵである。
まず、所定のサンプルガス１の濃度を検出するために、
ＣＰＵ２０は、このサンプルガス１の検出に適合するよ
うにＴＣＤセンサ１３への供給電流を電流切換部１４を
切り換えることにより供給しておく。そして、ＴＣＤセ
ンサ１３へキャリアガス２が到来している間は、ＴＣＤ
センサ１３の出力電圧は、一定値となって加算回路１５
の一方の入力端子へ供給されており、この電圧信号は加
算回路１５を介し、さらにゲインアンプ部６により所定
のゲインで増幅されて電圧・周波数変換部１８に送出さ
れる。一方、電圧・周波数変換部１８においては、この
入力した電圧信号に応じた周波数の信号を生成するとと
もにこの生成された周波数信号を計数しこのディジタル
の計数値をｃｐＵ２０に伝達する。
ＣＰＵ２０は、このサンプルガス１の検出に適合するよ
うにＴＣＤセンサ１３への供給電流を電流切換部１４を
切り換えることにより供給しておく。そして、ＴＣＤセ
ンサ１３へキャリアガス２が到来している間は、ＴＣＤ
センサ１３の出力電圧は、一定値となって加算回路１５
の一方の入力端子へ供給されており、この電圧信号は加
算回路１５を介し、さらにゲインアンプ部６により所定
のゲインで増幅されて電圧・周波数変換部１８に送出さ
れる。一方、電圧・周波数変換部１８においては、この
入力した電圧信号に応じた周波数の信号を生成するとと
もにこの生成された周波数信号を計数しこのディジタル
の計数値をｃｐＵ２０に伝達する。
ＣＰＵ２０は、ディジタルの計数値を入力し、このキャ
リアガス２の到来による電圧値（ベースライン電圧値）
を判定し、ベースラインキャンセルミ圧発生部１６を駆
動して上記において判定した電圧値だけ加算回路１５か
ら減じさせる制御を行う、こうして、キャリアガス２の
到来中には、ベースライン電圧がキャンセルされている
ので、ＣＰＵ２０への入力電圧はＯｖに設定されている
。
リアガス２の到来による電圧値（ベースライン電圧値）
を判定し、ベースラインキャンセルミ圧発生部１６を駆
動して上記において判定した電圧値だけ加算回路１５か
ら減じさせる制御を行う、こうして、キャリアガス２の
到来中には、ベースライン電圧がキャンセルされている
ので、ＣＰＵ２０への入力電圧はＯｖに設定されている
。
その後、サンプルガス１がＴＣＤセンサ１３上に移送さ
れてくると、ＴＣＤセンサ１３においては、その抵抗値
がキャリアガス２の到来時よりも大きく変動し、この結
果、ＴＣＤセンサ１３からの出力電圧も大となって加算
回路１５の一方の入力端子に送出される。
れてくると、ＴＣＤセンサ１３においては、その抵抗値
がキャリアガス２の到来時よりも大きく変動し、この結
果、ＴＣＤセンサ１３からの出力電圧も大となって加算
回路１５の一方の入力端子に送出される。
一方、加算回路１５においては、ベースライン電圧がキ
ャンセルされているので、サンプルガス１に相当するだ
けの電圧信号を出力し、この出力された電圧信号は、上
記したと同様に、ゲインアンプ部６．電圧・周波数変換
部１８を介し、ディジタルの計数値としてＣＰＵ２０に
伝達される。
ャンセルされているので、サンプルガス１に相当するだ
けの電圧信号を出力し、この出力された電圧信号は、上
記したと同様に、ゲインアンプ部６．電圧・周波数変換
部１８を介し、ディジタルの計数値としてＣＰＵ２０に
伝達される。
そして、ＣＰＵ２０ではこの伝達された計数値に基づい
てサンプルガス１の濃度分析が行われる。
てサンプルガス１の濃度分析が行われる。
また、ゲインアンプ部６の出力電圧が低くサンプルガス
１の検出が不可能になる場合は、ＣＰＵ２０によりゲイ
ン選択部１７が制御されることによってより高いゲイン
が選択され、この結果、ゲインアンプ部６からより高い
電圧信号が出力されてサンプルガス１を確実に検出する
ことができる。なお、ゲイン選択部１７中の０１は８倍
のゲインを選択するスイッチ、Ｇ２は４０倍のゲインを
選択するスイッチ、Ｇ３は２００倍のゲインを選択する
スイッチ、またＧｏは０倍のゲインを選択するスイッチ
である。
１の検出が不可能になる場合は、ＣＰＵ２０によりゲイ
ン選択部１７が制御されることによってより高いゲイン
が選択され、この結果、ゲインアンプ部６からより高い
電圧信号が出力されてサンプルガス１を確実に検出する
ことができる。なお、ゲイン選択部１７中の０１は８倍
のゲインを選択するスイッチ、Ｇ２は４０倍のゲインを
選択するスイッチ、Ｇ３は２００倍のゲインを選択する
スイッチ、またＧｏは０倍のゲインを選択するスイッチ
である。
次に、以上のような動作を行うガスクロマトグラフ装置
のＴＣＤセンサ１３の抵抗値の補正方法について説明す
る。
のＴＣＤセンサ１３の抵抗値の補正方法について説明す
る。
ＴＣＤセンサ１３として使用する抵抗体の抵抗値と温度
との関係は、一般に第３図のグラフに示すように、次の
ような２次式で近似される。
との関係は、一般に第３図のグラフに示すように、次の
ような２次式で近似される。
Ｒａ ＝Ｒｏ （１＋ａＴ、 ＋ｂ’ｒＨ２）、 ＋
１１１ここで、Ｒ，は基準温度における抵抗値［Ω］、
ａは一次温度係数［１／”Ｃ］、ｂは二次温度係数［１
／’Ｃ２］ であり、このときのＴＣＤセンサの温度
ＴＷＩは、 Ｔ）Ｉ −Ｔ Ｔｏ ［”Ｃ］ となる。また、ＴＣＤセンサ１３の特性値は、個々にば
らつきがあると仮定して、抵抗値Ｒｏ。
１１１ここで、Ｒ，は基準温度における抵抗値［Ω］、
ａは一次温度係数［１／”Ｃ］、ｂは二次温度係数［１
／’Ｃ２］ であり、このときのＴＣＤセンサの温度
ＴＷＩは、 Ｔ）Ｉ −Ｔ Ｔｏ ［”Ｃ］ となる。また、ＴＣＤセンサ１３の特性値は、個々にば
らつきがあると仮定して、抵抗値Ｒｏ。
温度係数ａ、ｂをそれぞれデータとして入力し、ＣＰＵ
２０に記憶させる。
２０に記憶させる。
次に、第３図のグラフに示されるような、ベースライン
電圧に相当するＴＣＤセンサ１３の温度ＴＨ１すなわち
キャリアガス２の到来による温度Ｔ、を測定するが、こ
のためには、まず、第２図に示すブロック回路を用いて
ベースライン電圧における抵抗値ＲＲを求めなければな
らない。
電圧に相当するＴＣＤセンサ１３の温度ＴＨ１すなわち
キャリアガス２の到来による温度Ｔ、を測定するが、こ
のためには、まず、第２図に示すブロック回路を用いて
ベースライン電圧における抵抗値ＲＲを求めなければな
らない。
第２図はＴＣＤセンサ１３の抵抗値Ｒ）を計測する方法
を説明するための説明図である。同図において、２２は
定電流源であり、これは電流切換部１４の切換によりＴ
ＣＤセンサ１３へ一定電流を供給するものでこの電流値
■はＣＰＵ２０に記憶されている。そして、ＴＣＤセン
サ１３へキャリアガス２を移送したときの加算回路１５
の出力電圧■２をゲインアンプ部６．電圧・周波数変換
部１８を介してディジタルの計数値として読み込み、こ
の値が「０」になるような可変電圧■ｌをベースライン
キャンセル電圧発生部１６を駆動して発生させる。こう
して発生した可変電圧Ｖ１が加算回路１５の一方の入力
端子に印加されると、加算回路１５の出力電圧値はＯｖ
になり、ＣＰＵ２０はこの出力電圧値をゲインアンプ部
６．電圧・周波数変換部１８を介して読み込んで確認す
るとともに、この可変電圧Ｖ□に相当する電圧値を記憶
する。
を説明するための説明図である。同図において、２２は
定電流源であり、これは電流切換部１４の切換によりＴ
ＣＤセンサ１３へ一定電流を供給するものでこの電流値
■はＣＰＵ２０に記憶されている。そして、ＴＣＤセン
サ１３へキャリアガス２を移送したときの加算回路１５
の出力電圧■２をゲインアンプ部６．電圧・周波数変換
部１８を介してディジタルの計数値として読み込み、こ
の値が「０」になるような可変電圧■ｌをベースライン
キャンセル電圧発生部１６を駆動して発生させる。こう
して発生した可変電圧Ｖ１が加算回路１５の一方の入力
端子に印加されると、加算回路１５の出力電圧値はＯｖ
になり、ＣＰＵ２０はこの出力電圧値をゲインアンプ部
６．電圧・周波数変換部１８を介して読み込んで確認す
るとともに、この可変電圧Ｖ□に相当する電圧値を記憶
する。
そして、このときには、加算回路１５の他方の入力端子
の電圧値は−Ｖ１となっているので、この場合のＴＣＤ
センサ１３の抵抗値Ｒ８は次の式により求めることがで
きる。すなわち、Ｒ１４＝ｖｌ／Ｉ・・・・ａ なお、ここで、ＣＰＵ２０は、この電圧値Ｖｌおよび電
流値■を記憶しているので、上記の演算により抵抗値Ｒ
Ｈを計測して記憶することができる。
の電圧値は−Ｖ１となっているので、この場合のＴＣＤ
センサ１３の抵抗値Ｒ８は次の式により求めることがで
きる。すなわち、Ｒ１４＝ｖｌ／Ｉ・・・・ａ なお、ここで、ＣＰＵ２０は、この電圧値Ｖｌおよび電
流値■を記憶しているので、上記の演算により抵抗値Ｒ
Ｈを計測して記憶することができる。
こうして、抵抗値Ｒ，，Ｒ，および温度係数ａ、ｂをデ
ータとして記憶することにより、次の式（５）を演算し
てベースライン電圧における温度ＴＨを求めることがで
きる。すなわち、 式に基づいて補正される。
ータとして記憶することにより、次の式（５）を演算し
てベースライン電圧における温度ＴＨを求めることがで
きる。すなわち、 式に基づいて補正される。
または、
ｂ
こうして、温度ＴＨが算出されると、次に（１）式を微
分してベースライン電圧近傍でのＴＣＤセンサ１３の感
度を求めることができる。すなわち、ＴＨ このようにしてベースライン電圧近傍でのＴＣＤセンサ
１３の感度が算出されると、この感度値を標準の校正デ
ータとして記憶し、以降、サンプルガス１の到来時にお
いて第５図のグラフに示されるようなサンプルガス１の
ピーク高さＰＨまたはピーク面積ＰＡを測定するととも
に、この測定値と記憶された感度値からピーク高さＰＨ
またはピーク面積ＰＡの各補正値がそれぞれ次のような
この結果、このピーク高さＰＨの補正値またはピーク面
積ＰＨの補正値と記憶された標準の校正データとに基づ
いてサンプルガス１の濃度［ｖ０１％］を算出すること
ができる。
分してベースライン電圧近傍でのＴＣＤセンサ１３の感
度を求めることができる。すなわち、ＴＨ このようにしてベースライン電圧近傍でのＴＣＤセンサ
１３の感度が算出されると、この感度値を標準の校正デ
ータとして記憶し、以降、サンプルガス１の到来時にお
いて第５図のグラフに示されるようなサンプルガス１の
ピーク高さＰＨまたはピーク面積ＰＡを測定するととも
に、この測定値と記憶された感度値からピーク高さＰＨ
またはピーク面積ＰＡの各補正値がそれぞれ次のような
この結果、このピーク高さＰＨの補正値またはピーク面
積ＰＨの補正値と記憶された標準の校正データとに基づ
いてサンプルガス１の濃度［ｖ０１％］を算出すること
ができる。
このように、各種のガスが到来してＴＣＤセンサ１３の
温度が変化した場合でも、このＴＣＤセンサ１３の感度
値を標準の校正データとして記憶しておいてこれにより
ＴＣＤセンサ１３の補正を行えば、各種のガスの計測毎
に標準ガスを入れて補正を行う必要がなくなる。
温度が変化した場合でも、このＴＣＤセンサ１３の感度
値を標準の校正データとして記憶しておいてこれにより
ＴＣＤセンサ１３の補正を行えば、各種のガスの計測毎
に標準ガスを入れて補正を行う必要がなくなる。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明に係るガスクロマトグラフの
補正方法は、熱伝導度検出器の温度に対する抵抗の変化
の割合を感度値として算出するとともに、この算出され
た感度値を標準の校正データとして保有し、この校正デ
ータに基づいて熱伝導度検出器の特性値のばらつきを補
正するようにしたので、標準ガスを用いることなく、熱
伝送度検出器の校正が行え、校正のための工数が大幅に
削減されるという効果がある。
補正方法は、熱伝導度検出器の温度に対する抵抗の変化
の割合を感度値として算出するとともに、この算出され
た感度値を標準の校正データとして保有し、この校正デ
ータに基づいて熱伝導度検出器の特性値のばらつきを補
正するようにしたので、標準ガスを用いることなく、熱
伝送度検出器の校正が行え、校正のための工数が大幅に
削減されるという効果がある。
第１図は本発明に係るガスクロマトグラフの補正方法を
適用した装置のブロック図、第２図はこの補正方法を説
明するための図、第３図はこの装置に使用されるセンサ
の抵抗値と温度との関係を示すグラフ、第４図は従来の
ガスクロマトグラフの装置の構成図、第５図はこの装置
により検出されたガスの濃度状況を示すグラフである。 １・−・・サンプルガス、２・・・・キャリアカス、６
・・・・ゲインアンプ部、１０・・・・恒温漕、１１・
・・・アナライザバルブ、１２・・・カラム、１３・・
・・熱伝導度検出器（ＴＣＤセンサ）、１４−・・・電
流切換部、１５・−・・加算回路、１６・・・−ベース
ラインキャンセル電圧発生部、１７・・・・ゲイン選択
部、１８・・・・電圧・周波数変換部、２０・・・・Ｃ
ＰＵ、２２・・・・定電流源。 特許出願人 山武ハネウェル株式会社
適用した装置のブロック図、第２図はこの補正方法を説
明するための図、第３図はこの装置に使用されるセンサ
の抵抗値と温度との関係を示すグラフ、第４図は従来の
ガスクロマトグラフの装置の構成図、第５図はこの装置
により検出されたガスの濃度状況を示すグラフである。 １・−・・サンプルガス、２・・・・キャリアカス、６
・・・・ゲインアンプ部、１０・・・・恒温漕、１１・
・・・アナライザバルブ、１２・・・カラム、１３・・
・・熱伝導度検出器（ＴＣＤセンサ）、１４−・・・電
流切換部、１５・−・・加算回路、１６・・・−ベース
ラインキャンセル電圧発生部、１７・・・・ゲイン選択
部、１８・・・・電圧・周波数変換部、２０・・・・Ｃ
ＰＵ、２２・・・・定電流源。 特許出願人 山武ハネウェル株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 キャリアガスによって移送されるサンプルガスの温度を
熱伝導度検出器の抵抗値の変化により検出して前記サン
プルガスの濃度分析を行うガスクロマトグラフ装置にお
いて、 前記熱伝導度検出器の温度に対する抵抗の変化の割合を
感度値として算出するとともに、この算出された感度値
を標準の校正データとして保有し、この校正データに基
づいて該熱伝導度検出器の特性値のばらつきを補正する
ようにしたことを特徴とするガスクロマトグラフの補正
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20394090A JPH0489560A (ja) | 1990-08-02 | 1990-08-02 | ガスクロマトグラフの補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20394090A JPH0489560A (ja) | 1990-08-02 | 1990-08-02 | ガスクロマトグラフの補正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0489560A true JPH0489560A (ja) | 1992-03-23 |
Family
ID=16482204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20394090A Pending JPH0489560A (ja) | 1990-08-02 | 1990-08-02 | ガスクロマトグラフの補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0489560A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158552A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Yamatake Honeywell Co Ltd | ガスクロマトグラフにおける熱伝導度形検出器によるガス濃度の測定方法 |
-
1990
- 1990-08-02 JP JP20394090A patent/JPH0489560A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158552A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Yamatake Honeywell Co Ltd | ガスクロマトグラフにおける熱伝導度形検出器によるガス濃度の測定方法 |
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