JPH0490153A

JPH0490153A - 光磁気ディスク

Info

Publication number: JPH0490153A
Application number: JP2206437A
Authority: JP
Inventors: Yukio Tojo; 行雄東條; Masao Urayama; 雅夫浦山; Noboru Otani; 昇大谷; Tomokazu Ise; 智一伊勢
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1990-08-01
Filing date: 1990-08-01
Publication date: 1992-03-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野本発明は、光磁気ディスクに関するものであり、特に、
レーザ光を照射することにより、情報の記録、再生、消
去を行う光磁気ディスクに関するものである。

光磁気ディスクの記録密度は、光ヘットにより記録媒体
上に形成されるビームスポソト径に制限され、また、こ
のスポット径は光源の波長に比例して変化する。

従って、記録密度の向上を図るためには、半導体レーザ
の短波長化が不可欠てあり、現在実用化されている波長
７８０ｎｍ〜８３０　ｎｍの半導体レーザに代わる、６
３０ｎｍ〜６７０　ｎｍ帯の可視半導体レーザの開発が
進められている。既に６７０　ｎｍＳ　１０ｍＷの可視
半導体レーザのサンプル出荷が新聞発表されており、近
い将来出力３０ｍＷ程度の半導体レーザの実用化か期待
される。

これに伴って、現在の８３０ｎｍ半導体レーザ光磁気ノ
ステムに加え、可視半導体レーザを搭載した光磁気シス
テムが実用化するものと考えられ、上記２波長のシステ
ムに適応できる光磁気ディスクが求められる。

（ハ）発明が解決しようとする課題現在のところ、６００　ｎｍ帯・８００　ｎｍ帯の２つ
の波長域に対し高い性能を有する光磁気デイスフは提案
されていない。そこで、本発明は、６００ｎｍ程度から
８００ｎｍ程度までの広い波長域で良好な記録再生性能
を有する光磁気ディスクを提供するしのである。

（ニ）課題を解決するための手段上記課題を解決するため、本発明は、透明基板上に、光
磁気記憶膜、透明誘電体膜、反射膜の順に積層してなり
、前記光磁気記憶膜はＴ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ、ＤｙＦｅ
ＣｏまたはＧｄＦｅＣｏの希土類と遷移金属のアモルフ
ァス合金とし、膜厚が１５〜２５ｎｍ、前記透明誘電体
膜はＡＩＮ、Ｓｉ○まにはＳｉＮの透明誘電体とし、膜
厚が１０〜２５ｎｍ、前記反射膜はＣｕま１こはＡｕの
金属とし、膜厚５０ｎｍ以上を有することを特徴とする
光磁気ディスクを提供するものである。

（ホ）作用透明基板上に膜厚１５〜２５ｎｍの光磁気記憶膜、膜厚
ｌＯ〜２５ｎｍの透明誘電体膜、膜厚５０ｎｍ以上の反
射膜をこの順に積層した構造を採用することにより、６
００　ｎｍ帯から８００　ｎｍ帯までの広い波長域で、
大きな性能指数（Ｒ・θに、Ｒ反射率、θｋ　カー回転
角）を有する光磁気ディスクを得ることかてきる。ここ
て、性能指数（Ｒ・θｋ）は、再生用の光検出器として
自己増幅作用をらγこないＰＩＮフォトダイオードなど
を用いた場合に、信号雑音比（Ｃ／　Ｎ　）と比例関係
にある指数である。

反射膜材料としては、波長６００ｎｍ及び、５００ｎｍ
付近て光学的反射率の変曲点を有するＣＵおよびＡｕが
適している。反射膜にＣｕを用いた場合、波長６００ｎ
ｍ程度から８００ｎｍ程度の波長域で、高い性能指数の
値が得られ、また、Ａｕを用いた場合は、５００ｎｍ程
度から７００ｎｍ程度の波長域で、高い性能指数の値が
得られる。

（へ）実施例以下、本発明の実施例を、図面を参照して詳細に説明す
る。

第１図は、本発明の一実施例の光磁気ディスクの構造を
示す。ｌは透明ガラス基板であり、ガラス基板ｌ上に希
土類遷移金属合金薄膜であるＴｂＦｅＣｏ（テルビウム
、鉄、コバルト）合金薄膜２か形成され、このＴｂＦｅ
Ｃｏ合金薄膜２上にＡＩＮ（窒化アルミニウム）透明誘
電体膜３が形成され、更にこのＡ　Ｉ　Ｎ　ＩＩ！上に
反射膜であるＣｕ（銅）金属膜４が形成されている。上
記ＴｂＦｅＣｏ合金膜２は、ＦｅとＣｏの原子組成比が
９５５であり、保磁力が５　（ｋｏｅ）である。

これらの各層は、スパッタリング法にて形成されている
が、膜形成法としては、スパッタリング法の他に真空蒸
着法やイオンブレーティング法などでもよい。

実施例１第２図は、上記の構成において、上記ＴｂＦｅＣ０合金
薄膜２の膜厚を１７．５ｎｍ、Ｃｕ金属膜４を５０ｎｍ
、そしてＡＩＮＷｌ＆３を１０ｎｍ。

１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍとし、スパッタ法により
作製した４種類について、ガラス基板！を介して反射率
Ｒ及びカー回転角θｋを測定し、これらの値より性能指
数Ｒ・θｋを算出し、その波長依存性を示したものであ
る。

第２図より、性能指数は、Ａ　Ｉ　Ｎ膜厚をｔｏｎｍ以
上２５ｎｍ以下とすることにより、波長６００ｎｍから
８３０　ｎｍまでの０．２２以上が得られている。現在
一般に用いられている四層反射膜構造では、この波長域
における性能指数の値が０１９〜０，２１であることか
ら、高い性能指数の値が得られていることがわかる。

反射膜の膜厚は、３０ｎｍ程度では反射率が低く高い性
能指数が得られなかったが、５０ｎｍ以上であると反射
率ら十分で高い性能指数の値を得ることができた。

実施例２第３図は、上記実施例１と同様の上記第１図の構造で、
上記ＡｌＮ１１１３を２０ｎｍ、Ｃｕ金属膜４を５０ｎ
ｍとし、モしてＴｂＦｅＣｏ合金薄膜２の膜厚を１５ｎ
ｍ、１７．５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍとし、スパッタ
法により作製した４種類について、ガラス基板ｌを介し
て反射率Ｒ及びカー回転角θｋを測定し、これらの値よ
り性能指数Ｒ・θｋを算出し、その波長依存性を示した
しのである。

第３図より、ＡＩＮ膜厚を２０ｎｍと設定し、ＴｂＦｅ
Ｃｏ膜厚を１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下とすることにより
、性能ｔ！敗は波長６００　ｎｍから波長８００　ｎｍ
まで０２２以上が得られ、実用上、十分な値が得られて
いる。

（ト）発明の効果以上のように、本発明の記録膜構造を採用することによ
り、波長６００　ｎｍ付近から８００ｎｍ付近までの広
い波長域で高い性能指数を存する光磁気ディスクを得る
ことができる。これにより、従来の波長８３０ｎｍ〜７
８０　ｎｍの半導体レーザを用いた光磁気ンステム、そ
して、近い将来開発されると考えられる６　００　ｎｍ
帯の半導体レーザを用いた光磁気ンステム、いずれにお
いても優れた記録再生性能が得られる光磁気ディスクを
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係わる光磁気素子の構成説明図、第
２図は、ＴｂＦｅＣｏ合金薄膜２の膜厚を１７．５ｎｍ
、Ｃｕ金＠膜４を５０ｎｍ、そしてＡ　Ｉ　Ｎ　ＩＥ　
３をｌｏｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍとしたと
きの性能指数の波長依存性の測定結果を示すグラフ図、
第３図は１．Ａ　Ｉ　Ｎ膜３を２０ｎｍＳＣｕ金属膜４
を５０ｎｍとし、そしてＴｂＦｅＣｏ合金薄＠２の膜厚
を１５ｎｍ、１７５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍとしたと
きの性能指数の波長依存性の測定結果を示すグラフ図で
ある。ｌ・−・カラス基板、２・−ＴｂＦｅＣｏ合金薄膜（光磁気記憶膜）、３　・
・ＡＩＮ透明膜（誘電体膜）、４　・・・Ｃｕ金属膜（反射膜）。代理人　　弁理士　　野　河　信太部〜、テ；

Claims

【特許請求の範囲】

１、透明基板上に、光磁気記憶膜、透明誘電体膜、反射
膜の順に積層してなり、前記光磁気記憶膜はＴｂＦｅＣ
ｏ、ＤｙＦｅＣｏまたはＧｄＦｅＣｏの希土類と遷移金
属のアモルファス合金とし、膜厚が１５〜２５ｎｍ、前
記透明誘電体膜はＡｌＮ、ＳｉＯまたはＳｉＮの透明誘
電体とし、膜厚が１０〜２５ｎｍ、前記反射膜はＣｕま
たはＡｕの金属とし、膜厚５０ｎｍ以上を有することを
特徴とする光磁気ディスク。