JPH07320324A - 光磁気記録媒体およびその再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体およびその再生方法Info
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- JPH07320324A JPH07320324A JP10680594A JP10680594A JPH07320324A JP H07320324 A JPH07320324 A JP H07320324A JP 10680594 A JP10680594 A JP 10680594A JP 10680594 A JP10680594 A JP 10680594A JP H07320324 A JPH07320324 A JP H07320324A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、光磁気記録媒体において十
分な反射率を確保しながら大きなカー回転角を得ること
であり、更にはカー回転角が極大となるような光干渉層
膜厚でも十分な反射率を得ることが出来る光磁気記録媒
体を提供することにある。 【構成】 基体上に少なくとも磁性層と該磁性層よりも
光源に近い側に光源からの光の一部を反射し他を透過す
る半反射層と、磁性層より光源から遠い側に光源からの
光を反射する反射層をそれぞれ有する光磁気記録媒体に
おいて、該半反射層がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕの中から選ばれ
る１元素あるいは２元素以上を主体とする薄膜からなる
ことを特徴とする光磁気記録媒体。
分な反射率を確保しながら大きなカー回転角を得ること
であり、更にはカー回転角が極大となるような光干渉層
膜厚でも十分な反射率を得ることが出来る光磁気記録媒
体を提供することにある。 【構成】 基体上に少なくとも磁性層と該磁性層よりも
光源に近い側に光源からの光の一部を反射し他を透過す
る半反射層と、磁性層より光源から遠い側に光源からの
光を反射する反射層をそれぞれ有する光磁気記録媒体に
おいて、該半反射層がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕの中から選ばれ
る１元素あるいは２元素以上を主体とする薄膜からなる
ことを特徴とする光磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気ディスク、光磁気
テープ等の熱磁気記録による信号記録と磁気光学効果を
利用した信号再生を行う光磁気記録媒体およびそれを用
いた信号再生方法に関するものである。
テープ等の熱磁気記録による信号記録と磁気光学効果を
利用した信号再生を行う光磁気記録媒体およびそれを用
いた信号再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光磁気記録媒体は、基体上に反射
層、磁性層、透明な１層もしくは２層の光干渉層を有す
る構造を持つ。光磁気記録媒体の信号品質は光の反射率
と磁気カー回転角が大きいほど高くなるため、従来の媒
体では磁性層を光干渉層や反射層で挟むことにより光を
媒体内で多重反射させてカー回転角を高めている。
層、磁性層、透明な１層もしくは２層の光干渉層を有す
る構造を持つ。光磁気記録媒体の信号品質は光の反射率
と磁気カー回転角が大きいほど高くなるため、従来の媒
体では磁性層を光干渉層や反射層で挟むことにより光を
媒体内で多重反射させてカー回転角を高めている。
【０００３】この時、光の干渉効果により反射率が低下
するが、信号品質に対する寄与は反射率よりもむしろカ
ー回転角の方が大きいので、トータルとしては信号品質
が向上することになる。信号再生時のノイズは通常、媒
体の反射率によって決定されるショットノイズで制限さ
れる。
するが、信号品質に対する寄与は反射率よりもむしろカ
ー回転角の方が大きいので、トータルとしては信号品質
が向上することになる。信号再生時のノイズは通常、媒
体の反射率によって決定されるショットノイズで制限さ
れる。
【０００４】従って、反射率が低下するとショットノイ
ズが低下することになるが、ショットノイズが極端に小
さくなると、システムノイズと呼ばれる機器全体のノイ
ズが信号再生時のノイズを支配するようになり、ショッ
トノイズ限界の信号検出ができなくなる。また、反射率
が極端に小さくなると、光スポットのフォーカスサー
ボ、トラッキングサーボにも支障をきたす。
ズが低下することになるが、ショットノイズが極端に小
さくなると、システムノイズと呼ばれる機器全体のノイ
ズが信号再生時のノイズを支配するようになり、ショッ
トノイズ限界の信号検出ができなくなる。また、反射率
が極端に小さくなると、光スポットのフォーカスサー
ボ、トラッキングサーボにも支障をきたす。
【０００５】媒体の反射率は光干渉層の膜厚に依存して
大きく変化し、反射率が極小となる光干渉層の膜厚付近
（干渉点と呼ぶこととする）で、カー回転角は極大とな
る。この反射率が極小となる光干渉層膜厚を選べば、光
干渉層の膜厚変動に対する反射率変動を最小に抑えるこ
とになるため、媒体の製造マージンを大きくすることが
できる。
大きく変化し、反射率が極小となる光干渉層の膜厚付近
（干渉点と呼ぶこととする）で、カー回転角は極大とな
る。この反射率が極小となる光干渉層膜厚を選べば、光
干渉層の膜厚変動に対する反射率変動を最小に抑えるこ
とになるため、媒体の製造マージンを大きくすることが
できる。
【０００６】しかしながら、従来の媒体では光干渉層の
厚みを干渉点に選ぶと反射率が小さくなりすぎるという
問題が生じる。よって、従来の媒体では極端にカー回転
角を大きくせず反射率が２０％程度となるように光干渉
層膜厚が設計されており、磁性層のもつ性能を十分に引
き出しているとは言えない。
厚みを干渉点に選ぶと反射率が小さくなりすぎるという
問題が生じる。よって、従来の媒体では極端にカー回転
角を大きくせず反射率が２０％程度となるように光干渉
層膜厚が設計されており、磁性層のもつ性能を十分に引
き出しているとは言えない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】光磁気記録媒体の記録
密度は現状よりも更に向上することが望まれており、記
録再生用レーザー光の短波長化は最も有力な手法であ
る。従って、今後光磁気記録媒体に対して用いられるレ
ーザーは短波長化する傾向が続くと考えられる。
密度は現状よりも更に向上することが望まれており、記
録再生用レーザー光の短波長化は最も有力な手法であ
る。従って、今後光磁気記録媒体に対して用いられるレ
ーザーは短波長化する傾向が続くと考えられる。
【０００８】光の波長が短くなると磁性層の反射率その
ものが低下するうえに、光干渉層の屈折率は一般的に増
大するので、干渉点での反射率の低下は現在よりも更に
顕著になる。よって、先に述べたようにショットノイズ
限界の再生を行ったり、十分なサーボ信号を得るために
は光干渉層膜厚を干渉点から大幅にずらすことによりカ
ー回転角を犠牲にして反射率を確保することが必要にな
る。
ものが低下するうえに、光干渉層の屈折率は一般的に増
大するので、干渉点での反射率の低下は現在よりも更に
顕著になる。よって、先に述べたようにショットノイズ
限界の再生を行ったり、十分なサーボ信号を得るために
は光干渉層膜厚を干渉点から大幅にずらすことによりカ
ー回転角を犠牲にして反射率を確保することが必要にな
る。
【０００９】透明基板を通して光磁気記録媒体の信号を
再生する場合、基板の複屈折が信号品質を低下させる。
基板の複屈折が大きい場合は、層構成を逆にして基板の
反対側から基板を通さずに信号を再生しなければならな
い。この場合、空気から直接光干渉層に光が入射するこ
とになり、干渉点での反射率低下が著しくなる。
再生する場合、基板の複屈折が信号品質を低下させる。
基板の複屈折が大きい場合は、層構成を逆にして基板の
反対側から基板を通さずに信号を再生しなければならな
い。この場合、空気から直接光干渉層に光が入射するこ
とになり、干渉点での反射率低下が著しくなる。
【００１０】よって、基板を介さずに信号を再生する場
合にも光干渉層膜厚を干渉点から大きくずらして反射率
を確保する必要がある。本発明の解決しようとする課題
は、光磁気記録媒体において十分な反射率を確保しなが
ら大きなカー回転角を得ることであり、更にはカー回転
角が極大となるような光干渉層膜厚でも十分な反射率を
得ることである。
合にも光干渉層膜厚を干渉点から大きくずらして反射率
を確保する必要がある。本発明の解決しようとする課題
は、光磁気記録媒体において十分な反射率を確保しなが
ら大きなカー回転角を得ることであり、更にはカー回転
角が極大となるような光干渉層膜厚でも十分な反射率を
得ることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、光磁気記録媒体の磁性
層よりも光源に近い側に光源からの光の一部を反射し他
を透過する半反射層を設け、該半反射膜をＡｕ、Ａｇ、
Ｃｕの中から選ばれる１元素あるいは２元素以上を主体
とする薄膜で構成することにより、比較的大きな反射率
を確保しつつ大きなカー回転角を有する光磁気記録媒体
を提供できることを見い出した。
を解決すべく鋭意検討した結果、光磁気記録媒体の磁性
層よりも光源に近い側に光源からの光の一部を反射し他
を透過する半反射層を設け、該半反射膜をＡｕ、Ａｇ、
Ｃｕの中から選ばれる１元素あるいは２元素以上を主体
とする薄膜で構成することにより、比較的大きな反射率
を確保しつつ大きなカー回転角を有する光磁気記録媒体
を提供できることを見い出した。
【００１２】本発明の要旨は、基体上に少なくとも磁性
層と該磁性層よりも光源に近い側に光源からの光の一部
を反射し他を透過する半反射層と、磁性層より光源から
遠い側に光源からの光を反射する反射層をそれぞれ有す
る光磁気記録媒体において、該半反射層がＡｕ、Ａｇ、
Ｃｕの中から選ばれる１元素あるいは２元素以上を主体
とする薄膜からなることを特徴とする光磁気記録媒体お
よび、その媒体を用い、磁性層からの光を半反射層から
の光でホモダイン検波することを特徴とする光磁気記録
信号の再生方法である。
層と該磁性層よりも光源に近い側に光源からの光の一部
を反射し他を透過する半反射層と、磁性層より光源から
遠い側に光源からの光を反射する反射層をそれぞれ有す
る光磁気記録媒体において、該半反射層がＡｕ、Ａｇ、
Ｃｕの中から選ばれる１元素あるいは２元素以上を主体
とする薄膜からなることを特徴とする光磁気記録媒体お
よび、その媒体を用い、磁性層からの光を半反射層から
の光でホモダイン検波することを特徴とする光磁気記録
信号の再生方法である。
【００１３】以下に本発明を詳細に説明する。本発明に
用いられる基体としてはガラス基板、ポリカーボネート
等のプラスチック基板、ＰＥＴ等のプラスチックフィル
ム等が挙げられる。ポリカーボネート等の複屈折の小さ
な基体を用いる場合は基体を通して磁性層に光を入射す
る層構成とするのが望ましく、ＰＥＴフィルム等の複屈
折の大きな基体を用いる場合は基体を通さず基体の反対
側から磁性層に光を入射する層構成が望ましい。
用いられる基体としてはガラス基板、ポリカーボネート
等のプラスチック基板、ＰＥＴ等のプラスチックフィル
ム等が挙げられる。ポリカーボネート等の複屈折の小さ
な基体を用いる場合は基体を通して磁性層に光を入射す
る層構成とするのが望ましく、ＰＥＴフィルム等の複屈
折の大きな基体を用いる場合は基体を通さず基体の反対
側から磁性層に光を入射する層構成が望ましい。
【００１４】本発明に用いられる磁性層としてはＴｂＦ
ｅＣｏ等の希土類−遷移金属非晶質合金薄膜、Ｃｏ／Ｐ
ｔ等の人工格子薄膜等が挙げられる。磁性層の特性とし
ては垂直磁気異方性が大きく垂直磁化膜となること、磁
気光学効果が大きいこと、キュリー温度が１７０〜３０
０℃程度でレーザーでの熱磁気記録に適していることが
望まれる。
ｅＣｏ等の希土類−遷移金属非晶質合金薄膜、Ｃｏ／Ｐ
ｔ等の人工格子薄膜等が挙げられる。磁性層の特性とし
ては垂直磁気異方性が大きく垂直磁化膜となること、磁
気光学効果が大きいこと、キュリー温度が１７０〜３０
０℃程度でレーザーでの熱磁気記録に適していることが
望まれる。
【００１５】磁性層の膜厚は薄すぎると十分な磁気光学
効果が得られず、厚すぎると記録感度が低下するため、
１５ｎｍ〜５０ｎｍ程度が好ましい。磁性層よりも光源
に近い側に光源からの光の一部を反射し他を透過する半
反射層を設けるのが本発明において特徴的である。この
半反射層は光源からの光を反射することである程度の反
射率を確保する。
効果が得られず、厚すぎると記録感度が低下するため、
１５ｎｍ〜５０ｎｍ程度が好ましい。磁性層よりも光源
に近い側に光源からの光の一部を反射し他を透過する半
反射層を設けるのが本発明において特徴的である。この
半反射層は光源からの光を反射することである程度の反
射率を確保する。
【００１６】それと同時に光の一部を透過させるが、こ
の透過光は磁性層、反射層、および光干渉層で多重反射
を起こしカー回転角が増大する。半反射層はカー回転角
が増大した光を再び逆向きに透過させ、受光素子に到達
させる。半反射層としては光を十分に透過する様な薄い
膜厚でも比較的大きな反射率を得ることが重要であり、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕの中から選ばれる１元素あるいは２元
素以上を主体とする薄膜がそのような条件を満たす。
の透過光は磁性層、反射層、および光干渉層で多重反射
を起こしカー回転角が増大する。半反射層はカー回転角
が増大した光を再び逆向きに透過させ、受光素子に到達
させる。半反射層としては光を十分に透過する様な薄い
膜厚でも比較的大きな反射率を得ることが重要であり、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕの中から選ばれる１元素あるいは２元
素以上を主体とする薄膜がそのような条件を満たす。
【００１７】反射層の膜厚は厚すぎると光が透過しなく
なり、また逆に薄すぎると反射率が不十分となり問題が
ある。膜厚としては５〜４０ｎｍの範囲が好ましく、１
０〜３０ｎｍがより好ましい。光源の波長が６００ｎｍ
〜８００ｎｍ程度の場合は、半反射層を構成する薄膜の
主体がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕの中のいずれでも、あるいはそ
の中のどの２元素以上の組合せでも特に問題がない。
なり、また逆に薄すぎると反射率が不十分となり問題が
ある。膜厚としては５〜４０ｎｍの範囲が好ましく、１
０〜３０ｎｍがより好ましい。光源の波長が６００ｎｍ
〜８００ｎｍ程度の場合は、半反射層を構成する薄膜の
主体がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕの中のいずれでも、あるいはそ
の中のどの２元素以上の組合せでも特に問題がない。
【００１８】しかし、波長が６００ｎｍ未満の短波長に
なると、Ａｕ、Ｃｕ、あるいはそれらの合金を主体とす
る薄膜を半反射層としても半反射層としての効果が十分
でなくなる。よって、６００ｎｍ未満の短波長光源に対
応した光磁気記録媒体を作製する場合は、半反射層をＡ
ｇを主体とする薄膜とするのが好ましい。
なると、Ａｕ、Ｃｕ、あるいはそれらの合金を主体とす
る薄膜を半反射層としても半反射層としての効果が十分
でなくなる。よって、６００ｎｍ未満の短波長光源に対
応した光磁気記録媒体を作製する場合は、半反射層をＡ
ｇを主体とする薄膜とするのが好ましい。
【００１９】Ａｕは耐食性に優れるため、単体で半反射
層を構成できるのに対して、ＡｇやＣｕはＡｕに比べて
耐食性に劣るため、単体で半反射層を構成することは困
難である。従って、Ａｇ、Ｃｕ、あるいはそれらの合金
を主体とする薄膜で半反射層を構成する場合は耐食性を
向上させるために、次に挙げる元素群の中から１元素以
上を半反射層に添加するのが好ましい。
層を構成できるのに対して、ＡｇやＣｕはＡｕに比べて
耐食性に劣るため、単体で半反射層を構成することは困
難である。従って、Ａｇ、Ｃｕ、あるいはそれらの合金
を主体とする薄膜で半反射層を構成する場合は耐食性を
向上させるために、次に挙げる元素群の中から１元素以
上を半反射層に添加するのが好ましい。
【００２０】耐食性を向上させる元素としてはＡｕ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉが効果的であり、添
加濃度としては０．５原子％以上１０原子％以下程度が
適当である。また、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕはいずれも熱伝導
度が高いため、これらを半反射層として用いると、磁性
層の熱が半反射層に逃げることになり、記録感度の低下
を引き起こす。
ｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉが効果的であり、添
加濃度としては０．５原子％以上１０原子％以下程度が
適当である。また、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕはいずれも熱伝導
度が高いため、これらを半反射層として用いると、磁性
層の熱が半反射層に逃げることになり、記録感度の低下
を引き起こす。
【００２１】従って、記録感度の向上を望む場合は、熱
伝導度を低減するために半反射層に次に挙げる元素を添
加するのが好ましい。熱伝導度を低減させる元素として
はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆ、Ｂｉが挙げられる。本発明
では磁性層に対して半反射層と反対側に反射層を設け
る。
伝導度を低減するために半反射層に次に挙げる元素を添
加するのが好ましい。熱伝導度を低減させる元素として
はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆ、Ｂｉが挙げられる。本発明
では磁性層に対して半反射層と反対側に反射層を設け
る。
【００２２】即ち、半反射層と反射層で磁性層を挟む構
成とする。半反射層と磁性層の間、磁性層と反射層の間
のいずれか、あるいは両方に誘電体等からなる光干渉層
を設けてもよい。反射層は半反射層と磁性層を透過して
きた光源からの光を反射して、再び磁性層に戻す役割を
担う。
成とする。半反射層と磁性層の間、磁性層と反射層の間
のいずれか、あるいは両方に誘電体等からなる光干渉層
を設けてもよい。反射層は半反射層と磁性層を透過して
きた光源からの光を反射して、再び磁性層に戻す役割を
担う。
【００２３】従って、反射層としてはそれに接する層、
即ち磁性層あるいは光干渉層に対する反射率が高いのが
望ましく、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕを主体とする薄膜で
構成するのが好ましい。波長が６００ｎｍ未満では、Ａ
ｕおよびＣｕの磁性層あるいは光干渉層にたいする反射
率が低下するため、反射層として用いるのは適当でな
い。
即ち磁性層あるいは光干渉層に対する反射率が高いのが
望ましく、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕを主体とする薄膜で
構成するのが好ましい。波長が６００ｎｍ未満では、Ａ
ｕおよびＣｕの磁性層あるいは光干渉層にたいする反射
率が低下するため、反射層として用いるのは適当でな
い。
【００２４】波長が６００ｎｍ未満の場合にはＡｌある
いはＡｇを主体とする薄膜を反射層として用いるのが好
ましい。半反射層と同様、耐食性を向上させるため、あ
るいは熱伝導度を低減するために、先に述べたような元
素を反射層に添加してもよい。反射層の厚みとしては５
０ｎｍ程度が一般的である。
いはＡｇを主体とする薄膜を反射層として用いるのが好
ましい。半反射層と同様、耐食性を向上させるため、あ
るいは熱伝導度を低減するために、先に述べたような元
素を反射層に添加してもよい。反射層の厚みとしては５
０ｎｍ程度が一般的である。
【００２５】光干渉層はその界面で反射した光とその界
面を透過して別な界面で反射してきた光の位相差を変化
させる役割を担い、その位相差によって反射率等が変化
することになる。光干渉層は光を透過するため、使用す
る光源の波長で吸収係数が小さいことが望まれ、一般的
には窒化珪素等の透明な誘電体が用いられる。
面を透過して別な界面で反射してきた光の位相差を変化
させる役割を担い、その位相差によって反射率等が変化
することになる。光干渉層は光を透過するため、使用す
る光源の波長で吸収係数が小さいことが望まれ、一般的
には窒化珪素等の透明な誘電体が用いられる。
【００２６】光干渉層の屈折率は干渉効果を支配し、屈
折率が大きいほど干渉効果が大きくなる。一般的には屈
折率が２．２程度のものが光干渉層として用いられてい
る。本発明の光磁気記録信号の再生方法は磁性層に達し
て戻ってくる光を半反射層で反射されて戻ってくる光で
ホモダイン検波することを特徴とする。
折率が大きいほど干渉効果が大きくなる。一般的には屈
折率が２．２程度のものが光干渉層として用いられてい
る。本発明の光磁気記録信号の再生方法は磁性層に達し
て戻ってくる光を半反射層で反射されて戻ってくる光で
ホモダイン検波することを特徴とする。
【００２７】磁性層まで達して戻ってきた光と半反射層
で反射された光の位相差は媒体上のどの位置でも一定に
保たれなければならないが、本発明においては磁性層と
半反射層の間の層、即ち光干渉層の厚みが大きく変化し
なければ位相差はほぼ一定に保たれる。
で反射された光の位相差は媒体上のどの位置でも一定に
保たれなければならないが、本発明においては磁性層と
半反射層の間の層、即ち光干渉層の厚みが大きく変化し
なければ位相差はほぼ一定に保たれる。
【００２８】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明を具体的に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。 実施例１ 厚さ１．２ｍｍのポリカーボネートディスク基体上にま
ず半反射層として厚さ１７ｎｍのＡｕ膜をスパッタ法で
設けた。
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。 実施例１ 厚さ１．２ｍｍのポリカーボネートディスク基体上にま
ず半反射層として厚さ１７ｎｍのＡｕ膜をスパッタ法で
設けた。
【００２９】更に、光干渉層として厚さ１２０ｎｍの酸
化タンタル膜を、磁性層として厚さ２５ｎｍのＴｂＦｅ
Ｃｏ非晶質合金膜を、再び光干渉層として厚さ４０ｎｍ
の酸化タンタル膜を、それぞれスパッタ法によって設け
た。最後に反射層として厚さ５０ｎｍのＡｌ膜をスパッ
タ法により設けて光磁気記録媒体とした。
化タンタル膜を、磁性層として厚さ２５ｎｍのＴｂＦｅ
Ｃｏ非晶質合金膜を、再び光干渉層として厚さ４０ｎｍ
の酸化タンタル膜を、それぞれスパッタ法によって設け
た。最後に反射層として厚さ５０ｎｍのＡｌ膜をスパッ
タ法により設けて光磁気記録媒体とした。
【００３０】半反射層の直後に設けた光干渉層は波長７
８０ｎｍでカー回転角が最大となるよう１２０ｎｍとし
た。分光光度計により反射率を、偏波面変調法によりカ
ー回転角をそれぞれ測定した。測定波長は７８０ｎｍと
した。この実施例のように、基体を透過させて光を入射
させる構成の光磁気記録媒体の場合、基体表面でも反射
が起こるが、この反射光は実際の信号には寄与しないの
で、反射率およびカー回転角に対する基体表面での反射
光の寄与を計算により除いて反射率とカー回転角を求め
た。表１に結果を示す。
８０ｎｍでカー回転角が最大となるよう１２０ｎｍとし
た。分光光度計により反射率を、偏波面変調法によりカ
ー回転角をそれぞれ測定した。測定波長は７８０ｎｍと
した。この実施例のように、基体を透過させて光を入射
させる構成の光磁気記録媒体の場合、基体表面でも反射
が起こるが、この反射光は実際の信号には寄与しないの
で、反射率およびカー回転角に対する基体表面での反射
光の寄与を計算により除いて反射率とカー回転角を求め
た。表１に結果を示す。
【００３１】比較例１ 半反射層を設けない以外は実施例１と同様の方法でディ
スクを作製し、光磁気記録媒体とした。但し、基体上に
直接設ける光干渉層の厚みは波長７８０ｎｍでカー回転
角が最大になるよう６０ｎｍとした。分光光度計により
反射率を、偏波面変調法によりカー回転角をそれぞれ測
定した。測定波長は７８０ｎｍとした。この比較例のよ
うに、基体を透過させて光を入射させる構成の光磁気記
録媒体の場合、基体表面でも反射が起こるが、この反射
光は実際の信号には寄与しないので、反射率およびカー
回転角に対する基体表面での反射光の寄与を計算により
除いて反射率とカー回転角を求めた。表１に結果を示
す。
スクを作製し、光磁気記録媒体とした。但し、基体上に
直接設ける光干渉層の厚みは波長７８０ｎｍでカー回転
角が最大になるよう６０ｎｍとした。分光光度計により
反射率を、偏波面変調法によりカー回転角をそれぞれ測
定した。測定波長は７８０ｎｍとした。この比較例のよ
うに、基体を透過させて光を入射させる構成の光磁気記
録媒体の場合、基体表面でも反射が起こるが、この反射
光は実際の信号には寄与しないので、反射率およびカー
回転角に対する基体表面での反射光の寄与を計算により
除いて反射率とカー回転角を求めた。表１に結果を示
す。
【００３２】比較例２ 半反射層をＡｌ膜６ｎｍとした以外は実施例１と同様の
方法でディスクを作製し、光磁気記録媒体とした。半反
射層の直後に設ける光干渉層は波長７８０ｎｍでカー回
転角が最大となるよう１２０ｎｍとした。分光光度計に
より反射率を、偏波面変調法によりカー回転角をそれぞ
れ測定した。
方法でディスクを作製し、光磁気記録媒体とした。半反
射層の直後に設ける光干渉層は波長７８０ｎｍでカー回
転角が最大となるよう１２０ｎｍとした。分光光度計に
より反射率を、偏波面変調法によりカー回転角をそれぞ
れ測定した。
【００３３】測定波長は７８０ｎｍとした。この比較例
のように、基体を透過させて光を入射させる構成の光磁
気記録媒体の場合、基体表面でも反射が起こるが、この
反射光は実際の信号には寄与しないので、反射率および
カー回転角に対する基体表面での反射光の寄与を計算に
より除いて反射率とカー回転角を求めた。表１に結果を
示す。
のように、基体を透過させて光を入射させる構成の光磁
気記録媒体の場合、基体表面でも反射が起こるが、この
反射光は実際の信号には寄与しないので、反射率および
カー回転角に対する基体表面での反射光の寄与を計算に
より除いて反射率とカー回転角を求めた。表１に結果を
示す。
【００３４】実施例２ 半反射層をＡｇ膜１９ｎｍとした以外は実施例１と同様
の方法でディスクを作製し、光磁気記録媒体とした。但
し、半反射層の直後に設ける光干渉層は波長４５０ｎｍ
でカー回転角が最大となるよう５２ｎｍとした。分光光
度計により反射率を、偏波面変調法によりカー回転角を
それぞれ測定した。
の方法でディスクを作製し、光磁気記録媒体とした。但
し、半反射層の直後に設ける光干渉層は波長４５０ｎｍ
でカー回転角が最大となるよう５２ｎｍとした。分光光
度計により反射率を、偏波面変調法によりカー回転角を
それぞれ測定した。
【００３５】測定波長は４５０ｎｍとした。この実施例
のように、基体を透過させて光を入射させる構成の光磁
気記録媒体の場合、基体表面でも反射が起こるが、この
反射光は実際の信号には寄与しないので、反射率および
カー回転角に対する基体表面での反射光の寄与を計算に
より除いて反射率とカー回転角を求めた。表１に結果を
示す。
のように、基体を透過させて光を入射させる構成の光磁
気記録媒体の場合、基体表面でも反射が起こるが、この
反射光は実際の信号には寄与しないので、反射率および
カー回転角に対する基体表面での反射光の寄与を計算に
より除いて反射率とカー回転角を求めた。表１に結果を
示す。
【００３６】比較例３ 基体上に直接設ける光干渉層の厚みを波長４５０ｎｍで
カー回転角が最大になるよう３８ｎｍとした以外は比較
例１と同様の方法でディスクを作製し光磁気記録媒体と
した。分光光度計により反射率を、偏波面変調法により
カー回転角をそれぞれ測定した。
カー回転角が最大になるよう３８ｎｍとした以外は比較
例１と同様の方法でディスクを作製し光磁気記録媒体と
した。分光光度計により反射率を、偏波面変調法により
カー回転角をそれぞれ測定した。
【００３７】測定波長は４５０ｎｍとした。この比較例
のように、基体を透過させて光を入射させる構成の光磁
気記録媒体の場合、基体表面でも反射が起こるが、この
反射光は実際の信号には寄与しないので、反射率および
カー回転角に対する基体表面での反射光の寄与を計算に
より除いて反射率とカー回転角を求めた。表１に結果を
示す。
のように、基体を透過させて光を入射させる構成の光磁
気記録媒体の場合、基体表面でも反射が起こるが、この
反射光は実際の信号には寄与しないので、反射率および
カー回転角に対する基体表面での反射光の寄与を計算に
より除いて反射率とカー回転角を求めた。表１に結果を
示す。
【００３８】実施例３ 厚さ２０μｍのＰＥＴフィルム基体上にまず反射層とし
て厚さ５０ｎｍのＡｌ膜をスパッタ法により形成した。
更に光干渉層として厚さ４０ｎｍの酸化タンタル膜を、
磁性層として厚さ２５ｎｍのＴｂＦｅＣｏ非晶質合金膜
を、再び光干渉層として厚さ１１６ｎｍの酸化タンタル
膜を、それぞれスパッタ法によって設けた。
て厚さ５０ｎｍのＡｌ膜をスパッタ法により形成した。
更に光干渉層として厚さ４０ｎｍの酸化タンタル膜を、
磁性層として厚さ２５ｎｍのＴｂＦｅＣｏ非晶質合金膜
を、再び光干渉層として厚さ１１６ｎｍの酸化タンタル
膜を、それぞれスパッタ法によって設けた。
【００３９】最後に半反射層として厚さ１４ｎｍのＡｕ
膜をスパッタ法により設けて光磁気記録媒体とした。半
反射層の直前に設ける光干渉層は波長７８０ｎｍでカー
回転角が最大となるよう１１６ｎｍとした。分光光度計
により反射率を、偏波面変調法によりカー回転角をそれ
ぞれ測定した。測定波長は７８０ｎｍとした。表１に結
果を示す。
膜をスパッタ法により設けて光磁気記録媒体とした。半
反射層の直前に設ける光干渉層は波長７８０ｎｍでカー
回転角が最大となるよう１１６ｎｍとした。分光光度計
により反射率を、偏波面変調法によりカー回転角をそれ
ぞれ測定した。測定波長は７８０ｎｍとした。表１に結
果を示す。
【００４０】比較例４ 半反射層を設けないこと以外は実施例３と同様の方法で
光磁気記録媒体を作製した。
光磁気記録媒体を作製した。
【００４１】最後に設ける光干渉層は波長７８０ｎｍで
カー回転角が最大となるよう６０ｎｍとした。信号品質
を比較するために、分光光度計により反射率を、偏波面
変調法によりカー回転角をそれぞれ測定した。測定波長
は７８０ｎｍとした。表１に結果を示す。
カー回転角が最大となるよう６０ｎｍとした。信号品質
を比較するために、分光光度計により反射率を、偏波面
変調法によりカー回転角をそれぞれ測定した。測定波長
は７８０ｎｍとした。表１に結果を示す。
【００４２】
【表１】
【００４３】実施例１は十分高い反射率を示すと同時
に、大きなカー回転角を示している。それに対して、比
較例１の場合はカー回転角は大きいが反射率が十分に高
いとは言えないし、比較例２は反射率は高いがカー回転
角は実施例の半分以下である。このことから、高い反射
率を得るには半反射層を設けることが重要であること、
および、高反射率と大きなカー回転角を両立させるため
には半反射膜をＡｕ、Ａｇ、Ｃｕの中から選ばれる１元
素あるいは２元素以上を主体とする薄膜で構成すること
が重要であることが理解できる
に、大きなカー回転角を示している。それに対して、比
較例１の場合はカー回転角は大きいが反射率が十分に高
いとは言えないし、比較例２は反射率は高いがカー回転
角は実施例の半分以下である。このことから、高い反射
率を得るには半反射層を設けることが重要であること、
および、高反射率と大きなカー回転角を両立させるため
には半反射膜をＡｕ、Ａｇ、Ｃｕの中から選ばれる１元
素あるいは２元素以上を主体とする薄膜で構成すること
が重要であることが理解できる
【００４４】実施例２と比較例３より、短波長領域では
半反射層を設けないと十分な反射率を得ることが困難で
あることが分かり、半反射層は短波長領域で非常に効果
的であることが分かる。実施例３と比較例４より、光干
渉層に直接光を入射する場合も高反射率を得ることが困
難であり、このような場合にも半反射層が特に効果的で
あることが分かる。
半反射層を設けないと十分な反射率を得ることが困難で
あることが分かり、半反射層は短波長領域で非常に効果
的であることが分かる。実施例３と比較例４より、光干
渉層に直接光を入射する場合も高反射率を得ることが困
難であり、このような場合にも半反射層が特に効果的で
あることが分かる。
【００４５】
【発明の効果】本発明によればショットノイズ限界の再
生を行うのに十分な反射率と大きなカー回転角を示す光
磁気記録媒体を提供できる。
生を行うのに十分な反射率と大きなカー回転角を示す光
磁気記録媒体を提供できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島守 巧美 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成株式会社総合研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 基体上に少なくとも磁性層と該磁性層よ
りも光源に近い側に光源からの光の一部を反射し他を透
過する半反射層と、磁性層より光源から遠い側に光源か
らの光を反射する反射層をそれぞれ有する光磁気記録媒
体において、該半反射層がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕの中から選
ばれる１元素あるいは２元素以上を主体とする薄膜から
なることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 半反射層がＡｇを主体とする薄膜からな
ることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 半反射層の厚みが５ｎｍ以上４０ｎｍ以
下であることを特徴とする請求項１および請求項２に記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１、請求項２および請求項３に記
載の光磁気記録媒体を用い、磁性層まで達して戻ってき
た光を半反射層で反射されて戻ってきた光でホモダイン
検波することを特徴とする光磁気記録信号の再生方法。 - 【請求項５】 情報の記録再生を行う光を基体と逆側か
ら磁性層に入射するのに適した層構成を有することを特
徴とする請求項４に記載光磁気信号の再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10680594A JPH07320324A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 光磁気記録媒体およびその再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10680594A JPH07320324A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 光磁気記録媒体およびその再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07320324A true JPH07320324A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14443080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10680594A Pending JPH07320324A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 光磁気記録媒体およびその再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07320324A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7291374B2 (en) | 1998-06-22 | 2007-11-06 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
-
1994
- 1994-05-20 JP JP10680594A patent/JPH07320324A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7291374B2 (en) | 1998-06-22 | 2007-11-06 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7384677B2 (en) | 1998-06-22 | 2008-06-10 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
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