JPH0491050A - シクロヘキセン誘導体の製造方法 - Google Patents
シクロヘキセン誘導体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
Ｃ産業上の利用分野）
本発明は、ビタミンＤ活性を持つ化合物のＡ環部フラグ
メントとして有用なシクロヘキセン誘導体の製造方法に
関する。なおここで、Ａ環部フラグメントとは、ステロ
イド核を持つ化合物においては、一般に３１ｍ１の六ｊ
１１！Ｉと１１ｍ１の五員環を、それぞれ下式に示すよ
うにＡ、Ｂ、ＣおよびＤ環と呼んでいるが［岩波生物学
辞典第２版、第６１８ベージ、岩波書店発行コ、 ビタミンＤ類においても、これに準じて、多環をそれぞ
れ下式のように命名したものである。 （従来の技術） ビタミンＤの代謝産物である１α、２５−ジヒドロキシ
ビタミンＤａが ビタミンＤの真の活性種であることが
確認されている。この１α、２５−ジヒドロキシビタミ
ンＤコ誘導体の製造方法器よ従来より種々検討されてい
る０例えば、 ■１α−ヒドロキシ化ステロイドを合成し、対応する１
α−ヒドロキシ−５，７−ジニンステロール膀導体に変
換後、光化学的方法からビタミンＤ訪導体を得る方法［
有機合成化学、１９７９年、第３７号、第７５５ベージ
］、 ■ビタミン誘導体を３．５−シクロビタミンＤＩ導体と
した後、Ｃ（１）位をアリル酸化し、再びビタミンＤｐ
ｌ導体へと変換する方法［ジャーナルオ′ブオーガニツ
クケミストリー （ｊ、Ｏｒｇ、ｃｈｅ＋ａ、 ）、１
９８０年、第４５巻、第３２５３ページ］、■ビタミン
Ｄ体をトランスビタミンＤ体としてＣ（１）位アリル酸
化し、これをビタミンＤ体へと変換する方法［ジャーナ
ルオブオーガニツクケミストリ−（Ｊ、Ｏｒｇ、Ｃｈｅ
ｓ、 ） 、１９８６年、第５１巻、第１６３５ページ
］、 ■Ｃ（１）漬水酸基を持つＡＪＪｉ１部相当のフラグメ
ントを合成し、次にＣ，Ｄ環部相当のフラグメントを結
合させて、目的物を得る方法［テトラヘドロンレターズ
（丁ｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ） 、 １
９８７年、第２８巻、第４９４７ベージ］などがある。 （発明が解決しようとする課題） しかしながら、前記の■〜■の製造方法はそれぞれ次の
ような問題点がある。 ■の方法；１α位に水酸基を導入するのに多段階を要し
、かつ立体、位置選択性は必ずしもよくない、その上、
Ｒ終のビタミンＤまでに更に多くの工程を要するため非
効率的な方法といえる。 ■の方法：アリル酸化工程において、立体選択性はよい
ものの、Ｃ（１）位オキソ体がかなりＩＩＩ生するなど
収率はよくない、さらにソルボリシス工程においては目
的物である１α−ヒドロキシ体と分離困難なトランスビ
タミンＤ体がかなり副生するという問題点がある。 ■の方法、トランスビタミンＤ体への変換収率はよいも
のの、酸化工程での収率は必ずしもよくなく、酸化体を
ビタミンＤ体に変換する際に光化学的方法によらなけれ
ばならない点に問題がある。 ■の方法・全体として多段階を要し、しかもＡ環合成の
フラグメントの出発原料であるｄ−ｃａｒｖｏｎｅは高
価であるという問題点がある。 従って■〜■のいずれの方法も、工業的製造方法として
適しているとはいえない。 （課題を解決するための手段） 本発明者は、上述の従来技術の問題点を解決し、 Ｃ（
１）漬水酸基を持つ／１ｕｌ１部相当のフラグメントの
効率的製造方法を開発すべく検討したところ、シクロヘ
キサノン化合物を出発原料とするシクロヘキセン誘導体
の製造方法を見いだし、本発明を完成したものである。 すなわち （１）一般式［Ｉ−ａｌ Ｃ式中、Ｒ１およびＲ１は同一または異なり、水床原子
または水酸基の保護基を表わす、Ｒ″は水酸基の保護基
を表わす、） で示されるシクロヘキサノン化合物（以下化合物１−ａ
と称する）より、一般式［■］ Ｒ’ＣＨＭＺ ［■］ （式中、Ｒ’はトリアルキルシリル基を表わし、Ｚはマ
グネシウムクロリドまたはリチウム原子を表わす、） で示される化合物（以下化合物■と称する）と反応させ
て、一般式［Ｉｆ −ａ ］ Ｈ プロパンと反応させて、一般式［ｒＩＩ］（式中、Ｒ′
、Ｒ１およびＲ′は前記と同じ意味を表わす、） で示される化合物Ｃ以下化合物ＩＩ＋と称する）を得る
。続いて塩基を用いて反応させて、 一般式［］Ｖ］ （式中、Ｒ′およびＲ”は前記と同じ意味を表わし Ｒ
６はトリアルキルシリル基を表わす、）で示される化合
物（以下化合物Ｈ−ａと称する）を得、次に酸触媒の存
在下、２．２−ジメトキシ（式中、Ｒ１およびＲ′は前
記と同じ意味を表ねす、） で示される化合物（以下化合物■と称する）を得る。更
に鉱酸または有機酸を用いて反応させて、一般式［Ｖコ ０１イ Ｃ式中、Ｒ゛およびＲ１は前記と同じ意味を表わす。） でホされる化合物（以下化合物Ｖと称する）を得る。モ
して過ヨウ累酸類を用いて反応させて、一般式［ＶＩ］ （式中、Ｒ１およびＲ１は前記と同じ意味を表わす、） で示されるシクロヘキセン誘導体（以下化合物■と称す
る）を得ることを特徴とするシクロヘキセン誘導体の製
造方法。 （２）一般式［Ｉ−ａ］ （式中、Ｒ１およびＲ２は前記と同じ意味を表わす。） で示される化合物（以下化合物■と称する）を得て、有
機塩基を用いて反応させて、一般式［■］（式中、Ｒｌ
、 ＲｆｆｉおよびＲ３は前記と同じ意味を表わす、
） で示されるシクロヘキサノン化合物より、一般式［■］ Ｒ“ＣＨ，Ｚ ［■］ （式中、Ｒ“およびＺは前記と同じ意味を表わす、） で示される化合物と反応させて、 一般式［Ｉ１−ａ］ θＨ で示される化合物を得る。続いて鉱酸または有機酸を用
いて反応させて、一般式［Ｖ］ （’ＩＨ １式中、Ｒ１，ＲＭおよＴＪＲ″は前記と同じ意味を表
わす、） で示される化合物を得、次に酸触媒の存在下、２．２−
ジメトキシプロパンと反応させて、（式中、Ｒ１および
Ｒ２は前記と同じ意味を表わす、） で示される化合物を得る。モして過ヨウ票酸類を用いて
反応させて、一般式［ＶＩ］ （式中、Ｒ１およびＲ１は前記と同じ意味を表わす、） （式中、Ｒ１およびＲ１は前記と同じ意味を表わす、） で示される化合物を得て、有機塩基を用いて反応させて
、一般式［■］ で示される化合物と反応させて、 一般式［ｎ −ｂ ］ （式中、ＲＭおよびＲ２は前記と同じ意味を表わす、） で示されるシクロヘキセン誘導体を得ることを特徴とす
るシクロヘキセン誘導体の製造方法。 （３）一般式［Ｉ−ｂｌ （式中、ＲＭ、Ｒ１およびＲＭ１は前記と同じ意味を表
わし、Ｒ４は水酸基の保護基を表わす、）で示されるシ
クロヘキサノン化合物（以下化合物１−ｂと称する）よ
り、一般式［■］ Ｒ“ＣＨ，Ｚ ［■］ （式中、ＲＭおよびＺは前記と同じ意味を表わす、） （式中、Ｒｌ 、 Ｒ！、Ｒ５、Ｒ４およびＲ“は前記
と同じ意味を表わす、） で示される化合物（以下化合物ＴＩ −ｂと称する）を
得る６次に鉱酸または有機酸を用いて処理し、一般式［
Ｖ］ Ｈ （式中、Ｒ１およびＲＭは前記と同じ意味を表ねす、） で示される化合物を得る。モして遇ヨウ票酸類を用いて
反応させて、一般式［■］ （式中、Ｒ’およびＲ１は前記と同じ意味を表わす、） で示される化合物を得て、有機塩基を用いて反応させて
、一般式［■］ （式中、Ｒ’およびＲ２は前記と同じ意味を表わす、） で示されるシクロヘキセン誘導体を得ることを特徴とす
るシクロヘキセン誘導体の製造方法である本発明の出発
原料である化合物Ｔ−ａおよび化合物Ｔ−ｂは、本発明
者が先に特許出願した発明の名称「シクロヘキサノン誘
導体およびその中間体ならびにそれらの製造方法」によ
り、調製することができる。 本発明における化合物において、水酸基の保護基として
は、テトラヒドロピラニル基、アセチル基、ｔ−ブチル
ジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ｐ
−メトキシベンジル基などが挙げられるが、これらに限
定されるものではなく、水酸基の保護基として通常用い
られるものは全て使用することができる。 次に各工程ごとに説明する。 化合物１−ａから化合物ＴＩ −ａの合成は、適当な溶
媒中で、一般式［■］ Ｒ’ＣＨオＺ ［■］ （式中、Ｒ６はトリアルキルシリル基を表わし、Ｚはマ
グネシウムクロリドまたはリチウム原子を表わす、） で示される化合物■を用いて行なうことができる、溶媒
は、反応に関与しない不活性溶媒であれば特に限定され
ないが、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン
などのエーテル類が挙げられる。化合物■としては、例
えばトリメチルシリルメチルマグネシウムクロリド、ト
リエチルシリルメチルマグネシウムクロリド、トリメチ
ルシリルメチルリチウム、ブチルジメチルシリルメチル
リチウムなどを挙げることができる。化合物■の使用量
は、化合物１−ａに対して、１〜１０倍モル量である。 反応は０℃〜室温の範囲の温度で行なわれ、好ましくは
０℃であり、通常２０時間以内に終了する。 また化合物１−ｂから化合物ＩＴ −ｂの合成は、化合
物Ｉ−ａから化合物ＩＩ −ａの合成と同様の方法で行
なうことができる。 化合物ＩＩ −ａから化合物！１１の合成は、適当な溶
媒中で、酸触媒の存在下、２，２−ジメトキシプロパン
を用いて行なうことができる。溶媒は、反応に関与しな
い不活性溶媒であれば特に限定されないが、例えばベン
ゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、塩
化メチレン、１２ジクロロエタン、クロロホルム、クロ
ロベンゼンなどのハロゲン化炭化水床類、ヘキサン、ヘ
プタンなどの脂肪族炭化水素類、シクロヘキサンなどの
脂肪族炭化水素類が挙げられる。酸触媒としては、例え
ばピリジニウムバラトルエンスルホネート、パラトルエ
ンスルホン酸、カンファースルホン酸などが挙げられる
が好ましくはピリジニウムバラトルエンスルホネートで
ある。２，２−ジメトキシプロパンの使用量は、化合物
ＩＩ −ａに対して１〜１０倍モル量、好ましくは１〜
５倍モル量である。酸触媒の使用量は、化合物ＩＩ −
ａに対して０．００１〜２倍量、好ましくは０．００５
〜１倍量である０反応は室温で進行し、通常３時間以内
に終了する。 化合物１１１から化合物■の合成は、適当な溶媒中で、
塩基を用いて行なうことができる。溶媒は、反応に関与
しない不活性ｆａ媒であれば特に限定されないが、例え
ばジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル類が挙げられる。塩基としては１例えば水素化カリウ
ム、水素化ナトリウムなどのアルカリ金属水床化物また
はカリウムｔ−ブトキシドなどのアルカリ金属アルコキ
シドが挙げられる。塩基の使用量は、化合物Ｉ１１に対
して１〜１０倍モル量、好ましくは１〜５倍モル量であ
る０反応は室温で進行し、通常２０時間以内に終了する
。 化合物■から化合物Ｖの合成は、塩酸、硫酸などの鉱酸
または酢酸、シュウ酸などの有機酸を用いて行なうこと
ができる。反応は室温〜１００℃の温度で行なうことが
できるが、水酸基の保護基を保持したまま反応を行なう
場合は、室温が好ましい。反応は、通常２０時間以内に
終了する。 なお化合物ＩＩ＋から化合物Ｖの合成を直接行なうこと
もできる。この場合は、塩酸、硫酸などの鉱酸または酢
酸、シュウ酸などの有機酸を用いて行なう。反応は加熱
還流下で行ない、通常１０時間以内に終了する。 また化合物ＩＩ −ｂから化合物Ｖの合成を直接行なう
ことができる。反応は塩酸、硫酸などの鉱酸または酢酸
、シュウ酸などの有機酸を用いて行なう０反応は加熱還
流下で行ない、通常１０時間以内に終了する。 化合物Ｖから化合物■の合成は、適当な溶媒中で、過ヨ
ウ素酸類を用いて行なうことができる。 溶媒は、反応に関与しない不活性溶媒であれば特ニ限定
されないが、例えばメタノール、エタノール、イソプロ
パツールなどのアルコール類が挙げられる。過ヨウ素酸
類としては、例えばメタ通ヨウ累酸ナトリウム、メタ通
ヨウ素酸カリウム、オルト遇ヨウ紫酸ナトリウムなどが
挙げられるが好ましくはメタ過ヨウ素酸カリウムである
。過ヨウ素酸類の使用量は、化合物Ｖに対して１〜１０
倍モル量、好ましくは１〜５倍モル量である０反応は室
温で進行し、通常２時間以内に終了する。 化合物■から化合物■の合成は、適当な′ｆｇ媒中で
有機塩基を用いて行なうことができる。ｆａ媒は、反応
に関与しない不活性溶媒であれば特に堕定されないが、
例えばベンゼン、トルエン、キシレンなどの万香族炭化
水床類、塩化メチレン、１．２−ジクロロエタン、クロ
ロホルム、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水床類
、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水床類、シクロ
ヘキサンなどの脂環族炭化水素類が挙げられる。有機塩
基としては、例えばトリエチルアミン、トリメチルアミ
ン、ピリジン、ジメチルアニリン、Ｎ−メチルモルホリ
ン、４−ジメチルアミノピリジン、１．８−ジアザビシ
クロ［５，４，０１ウンデカ＝７−エン（ＤＢｔＪ）
、ｌ、５−ジアザビシクロ（４，３，Ｏｌノナ−５−エ
ン（ＤＢＮ） 、１゜４−ジアザビシクロ（２，２，２
）オクタン（ＤＡＢＣＯ）などが挙げられるが、好まし
くは１゜８−ジアザビシクロ［５，４，Ｏｌウンデカ−
７−エン（Ｄ］３０）である、有機塩基の使用量は、化
合物■に対して１〜１０倍モル量、好ましくは１〜５倍
モル量である９反応は室温で進行し、通常１時間以内に
終了する。 本発明における化合物の単Ｍｎ＋製は、通常の手段、例
えば抽出、洗浄、潰縮、カラムクロマトグラフィーなど
の操作により行なうことができる。 なお本発明における化合物において、分子内に不斉炭棄
原子を持つ化合物には、これに基づく異性体が全て含ま
れる。 （実施例） 次に実施例にて、本発明を更に説明する。 なお式中で、Ａｃはアセチル基、ＴＨＰはテトラヒドロ
ピラニル基、ＴＭＳはトリメチルシリル基、ＴＢＤＭＳ
はｔ〜ブチルジメチルシリル基、ＴＢＤＰＳはｔ−ブチ
ルジフェニルシリル基を表わす。 実施例１ （Ａ１．（４Ｓ、６Ｒ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）〜４−（し−ブチルジフェニルシリルオキ
シ）−１−ヒドロキシ−２−（１２−ジヒドロキシエチ
ル）−１−トリメチルシリルメチルーシクロヘキサン［
化合物１１− ａの合成］（４Ｓ、６Ｒ）−６−（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−プチルジフ
ェニルシリルオキシ）−２−［（１−ヒドロキシ−２−
アセトキシ）エチルコシクロヘキサノン３５０■ｇを含
むテトラヒドロフラン２０■ｌ溶液に氷冷撹拌下、トリ
メチルシリルメチルマグネシウムクロリドの１モルエー
テル溶液６ｍｌを加え同温度にて１時間撹拌する。反応
後反応液は飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後、酢
酸エチルエステルにて抽出する。抽出液は水洗後無水硫
酸ナトリウムにて乾燥する。溶媒を留去して得られる残
漬をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［シリカゲル
：１ｇ、溶媒：ｎ−ヘキサン／酢酸エチルエステル＝１
００／３（ｖ／ｖ）］に付し、（４Ｓ、６Ｒ）−６−（
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ） −４−（ｔブチル
ジフェニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−（１
，２−ジヒドロキシエチル）−１−トリメチルシリルメ
チル−シクロヘキサン２１６濡ｇ〔収率５６％］を得た
。 ＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ ｆＮａｃＩ）ａｍ−’
＋ ３４５ＯＮＭＲスペクトルｆｃｃＬ）δ： −０
，１３０（６１１ｅａｃｈｓ）、 ０．０７（９１１，
ｓ）、 ０．７７（９１１，ｓ）、 ０．８７（２１１
，ｓ）、 １．０５（９１１，ｓ）、 ７．２０〜
７．８０（１０１１，ｍ）マススペクトルａｌｅ ：
５９９（Ｍ”−３１）、 ５５５（Ｎ”−７４）１４６
７、 ４４９ （Ｂ）、（４Ｓ、６Ｒ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキ
シ）−１−ヒドロキシ−２−（２２−ジメチル−１，３
−ジオキソラン−４−イル）−１−トソメチルシリルメ
チルーシクロヘキサン［化実施例１の（Ａ）で得た（４
Ｓ、６Ｒ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ’
）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）−１−
ヒドロキシ−２−（１，２−ジヒドロキシエチル）−】
−トリメチルシリルメチル−シクロヘキサン２００−ｇ
、２．２−ジメトキシプロパン ０．２ｍｌおよびピリ
ジニウムバラトルエンスルホネート１０＋＋ｇを含む塩
化メチレン１０１１溶液を室温にて３ｏ分間撹拌した後
、溶媒を留去して得られる残漬をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー［シリカゲル：１ｇ、溶媒 ｎ−ヘキサ
ン／酢酸エチルエステル＝ １００／１（Ｖ／Ｖｌコに
付し、（４Ｓ、６Ｒ）−６−（１−ブチルジメチルシリ
ルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ
）−１−ヒドロキシ−２−（２，２−ジメチル−１，３
−ジオキソラン−４−イル）−１−トリメチルシリルメ
チル−シクロヘキサン１３０５ｇ［収率５７％〕を得た
。 ＩＲスペクトル ｖ ｍｉｘ （ＮａＣ１）ｃ＋＋−’
： ３４０ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ１，ｌδ：
−０，１３，−０，０７−００３（６１１，ｅａｃｈｓ
）、 ０．０３（９［Ｉ，ｓｌ、 ０．７０４９＋１．
ｓ）０．８０（２１１，ｓ）、 １．０２ｆ９１１．
ｓ）、 １．２５（８［Ｉ，ｓ）、 １．３０〜２．
１０（４１１，ｍｌ、 ３．００〜４．２１１（６１
１，ｇ＋）、 ７．１７〜？、８０（Ｌｏｌｌ、 ｍ
） マススペクトル園／ｅ ： ６７０（Ｍ”）、 ６１３
（Ｎ”−５７） ５５５、５３７．５２３．４６５．
４２７．４１４．３９９（Ｃ）、 （４Ｓ・６Ｒ）−６
−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブ
チルジフェニルシリルオキシ）−２−（２，２−ジメチ
ル−１３−ジオキソラン−４−イル）−１−メチレンシ
クロ実施例１のＮ３）で得た（４Ｓ、８Ｒ）−６−（ｔ
−ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジ
フェニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−（２，
２−ジメチル−１，３−ジオキソフン−４−イル）−１
−トリメチルシリルメチルシクロヘキサン３０−ｇを含
むテトラヒドロフラン２ｓｌ溶Ｔルに室温にて撹拌下、
水素化カリウム１０−ｇを加え同温度にて１３特間撹ｔ
↑する０反応後反応液はエーテルにて希釈後水洗し無水
硫酸ナトリウムにて乾燥する。？８媒を留去して得られ
る残涌をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［シリカ
ゲル＝５００−ｇ、溶媒：ｎ−ヘキサン／酢酸エチルエ
ステル＝ １０ ｏ／１ｆｖ／ｖ ）］に付し、（４Ｓ
、５Ｒ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−
４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）−２−（２
，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）−
１−メチレンシクロヘキサン２１厘ｇ［収率８６％］を
得た。 ＮＭＲスペクトルＦＣＣ１，）δニー０゜１０（ａｌｌ
、 ｓ）、 ０゜７３＋９＋１． ｓｌ、 １．０３（
９１１，ｓ） １．２３（６［Ｉ，ｓ）、 ３．１５
〜４．４０（ＧＩＩ、 −）、 ４．７３（ＩＩＩ
、 ｂｒｓ）、 ４．８２（ＩＴＩ、 ｂｒｓｌ
、 ７．１７〜７．８０（ＩＯＩＩ、 腸）マスス
ペクトルａｌｅ ： ５８０（Ｍ’ｌ、 ５６５．５２
３（に１−５７）、 ４６５．４４５．４２１．３８７
（Ｄ）、（４Ｓ、６Ｒ）−４−（ｔ−ブチルジフェニル
シリルオキシ）−６−ヒトロキシー２− （１，２−ジ
ヒドロキシエチル）−１−メチレンシクロヘキサン［化
合物■の合成］ 実施例１の（Ｃ）で得た（４３，６Ｒ）−６−（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−２−（２，２−ジメチル−１，３
−ジオキソラン−４−イル）−１−メチレンシクロヘキ
サン２０１ｇを含む酢酸−水（８０：２０）の混液１ｍ
ｌを室温にて１３時間撹拌する０反応後反応液は酢酸エ
チルエステルにて希釈し、水、飽和！！＃１８１ｍナト
リウム水溶液、水にて順次洗浄後無水硫酸ナトリウムに
て乾燥する。溶媒を留去して得られる残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー［シリカゲル：０．２ｇ溶媒
：ｎ−ヘキサン／酢酸エチルエステル＝１７１［Ｖ／Ｖ
）コに付し、（４Ｓ、８Ｒ）−４−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−６−ヒドロキシ−２−（１，２−
ジヒドロキシエチル）−１−メチレンシクロヘキサン１
０１ｇ［収率６８％］を得た。 ＩＲスペクトル ｖ ｍｉｘ （ＮａＣＩ）Ｃｍ−’
： ３４０ＯＮＭＲスペクトル（ＣＤＣＩコ）δ：
１．１０（９ｎ、 Ｓｌ、 ４９０（ｉｌｌ、 ｂｒｓ
）、 ５．＋７（ＩＨ，ｂｒｓ）、 ７．２５〜７．８
５（１０１１、■） マススペクトルａｌｅ ： ３６９（１１”−５７１，
３５＋（Ｅｌ、（３Ｒ，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジフ
ェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−メチレン
シクロヘキサン−１−カルバルデヒド
メントとして有用なシクロヘキセン誘導体の製造方法に
関する。なおここで、Ａ環部フラグメントとは、ステロ
イド核を持つ化合物においては、一般に３１ｍ１の六ｊ
１１！Ｉと１１ｍ１の五員環を、それぞれ下式に示すよ
うにＡ、Ｂ、ＣおよびＤ環と呼んでいるが［岩波生物学
辞典第２版、第６１８ベージ、岩波書店発行コ、 ビタミンＤ類においても、これに準じて、多環をそれぞ
れ下式のように命名したものである。 （従来の技術） ビタミンＤの代謝産物である１α、２５−ジヒドロキシ
ビタミンＤａが ビタミンＤの真の活性種であることが
確認されている。この１α、２５−ジヒドロキシビタミ
ンＤコ誘導体の製造方法器よ従来より種々検討されてい
る０例えば、 ■１α−ヒドロキシ化ステロイドを合成し、対応する１
α−ヒドロキシ−５，７−ジニンステロール膀導体に変
換後、光化学的方法からビタミンＤ訪導体を得る方法［
有機合成化学、１９７９年、第３７号、第７５５ベージ
］、 ■ビタミン誘導体を３．５−シクロビタミンＤＩ導体と
した後、Ｃ（１）位をアリル酸化し、再びビタミンＤｐ
ｌ導体へと変換する方法［ジャーナルオ′ブオーガニツ
クケミストリー （ｊ、Ｏｒｇ、ｃｈｅ＋ａ、 ）、１
９８０年、第４５巻、第３２５３ページ］、■ビタミン
Ｄ体をトランスビタミンＤ体としてＣ（１）位アリル酸
化し、これをビタミンＤ体へと変換する方法［ジャーナ
ルオブオーガニツクケミストリ−（Ｊ、Ｏｒｇ、Ｃｈｅ
ｓ、 ） 、１９８６年、第５１巻、第１６３５ページ
］、 ■Ｃ（１）漬水酸基を持つＡＪＪｉ１部相当のフラグメ
ントを合成し、次にＣ，Ｄ環部相当のフラグメントを結
合させて、目的物を得る方法［テトラヘドロンレターズ
（丁ｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ） 、 １
９８７年、第２８巻、第４９４７ベージ］などがある。 （発明が解決しようとする課題） しかしながら、前記の■〜■の製造方法はそれぞれ次の
ような問題点がある。 ■の方法；１α位に水酸基を導入するのに多段階を要し
、かつ立体、位置選択性は必ずしもよくない、その上、
Ｒ終のビタミンＤまでに更に多くの工程を要するため非
効率的な方法といえる。 ■の方法：アリル酸化工程において、立体選択性はよい
ものの、Ｃ（１）位オキソ体がかなりＩＩＩ生するなど
収率はよくない、さらにソルボリシス工程においては目
的物である１α−ヒドロキシ体と分離困難なトランスビ
タミンＤ体がかなり副生するという問題点がある。 ■の方法、トランスビタミンＤ体への変換収率はよいも
のの、酸化工程での収率は必ずしもよくなく、酸化体を
ビタミンＤ体に変換する際に光化学的方法によらなけれ
ばならない点に問題がある。 ■の方法・全体として多段階を要し、しかもＡ環合成の
フラグメントの出発原料であるｄ−ｃａｒｖｏｎｅは高
価であるという問題点がある。 従って■〜■のいずれの方法も、工業的製造方法として
適しているとはいえない。 （課題を解決するための手段） 本発明者は、上述の従来技術の問題点を解決し、 Ｃ（
１）漬水酸基を持つ／１ｕｌ１部相当のフラグメントの
効率的製造方法を開発すべく検討したところ、シクロヘ
キサノン化合物を出発原料とするシクロヘキセン誘導体
の製造方法を見いだし、本発明を完成したものである。 すなわち （１）一般式［Ｉ−ａｌ Ｃ式中、Ｒ１およびＲ１は同一または異なり、水床原子
または水酸基の保護基を表わす、Ｒ″は水酸基の保護基
を表わす、） で示されるシクロヘキサノン化合物（以下化合物１−ａ
と称する）より、一般式［■］ Ｒ’ＣＨＭＺ ［■］ （式中、Ｒ’はトリアルキルシリル基を表わし、Ｚはマ
グネシウムクロリドまたはリチウム原子を表わす、） で示される化合物（以下化合物■と称する）と反応させ
て、一般式［Ｉｆ −ａ ］ Ｈ プロパンと反応させて、一般式［ｒＩＩ］（式中、Ｒ′
、Ｒ１およびＲ′は前記と同じ意味を表わす、） で示される化合物Ｃ以下化合物ＩＩ＋と称する）を得る
。続いて塩基を用いて反応させて、 一般式［］Ｖ］ （式中、Ｒ′およびＲ”は前記と同じ意味を表わし Ｒ
６はトリアルキルシリル基を表わす、）で示される化合
物（以下化合物Ｈ−ａと称する）を得、次に酸触媒の存
在下、２．２−ジメトキシ（式中、Ｒ１およびＲ′は前
記と同じ意味を表ねす、） で示される化合物（以下化合物■と称する）を得る。更
に鉱酸または有機酸を用いて反応させて、一般式［Ｖコ ０１イ Ｃ式中、Ｒ゛およびＲ１は前記と同じ意味を表わす。） でホされる化合物（以下化合物Ｖと称する）を得る。モ
して過ヨウ累酸類を用いて反応させて、一般式［ＶＩ］ （式中、Ｒ１およびＲ１は前記と同じ意味を表わす、） で示されるシクロヘキセン誘導体（以下化合物■と称す
る）を得ることを特徴とするシクロヘキセン誘導体の製
造方法。 （２）一般式［Ｉ−ａ］ （式中、Ｒ１およびＲ２は前記と同じ意味を表わす。） で示される化合物（以下化合物■と称する）を得て、有
機塩基を用いて反応させて、一般式［■］（式中、Ｒｌ
、 ＲｆｆｉおよびＲ３は前記と同じ意味を表わす、
） で示されるシクロヘキサノン化合物より、一般式［■］ Ｒ“ＣＨ，Ｚ ［■］ （式中、Ｒ“およびＺは前記と同じ意味を表わす、） で示される化合物と反応させて、 一般式［Ｉ１−ａ］ θＨ で示される化合物を得る。続いて鉱酸または有機酸を用
いて反応させて、一般式［Ｖ］ （’ＩＨ １式中、Ｒ１，ＲＭおよＴＪＲ″は前記と同じ意味を表
わす、） で示される化合物を得、次に酸触媒の存在下、２．２−
ジメトキシプロパンと反応させて、（式中、Ｒ１および
Ｒ２は前記と同じ意味を表わす、） で示される化合物を得る。モして過ヨウ票酸類を用いて
反応させて、一般式［ＶＩ］ （式中、Ｒ１およびＲ１は前記と同じ意味を表わす、） （式中、Ｒ１およびＲ１は前記と同じ意味を表わす、） で示される化合物を得て、有機塩基を用いて反応させて
、一般式［■］ で示される化合物と反応させて、 一般式［ｎ −ｂ ］ （式中、ＲＭおよびＲ２は前記と同じ意味を表わす、） で示されるシクロヘキセン誘導体を得ることを特徴とす
るシクロヘキセン誘導体の製造方法。 （３）一般式［Ｉ−ｂｌ （式中、ＲＭ、Ｒ１およびＲＭ１は前記と同じ意味を表
わし、Ｒ４は水酸基の保護基を表わす、）で示されるシ
クロヘキサノン化合物（以下化合物１−ｂと称する）よ
り、一般式［■］ Ｒ“ＣＨ，Ｚ ［■］ （式中、ＲＭおよびＺは前記と同じ意味を表わす、） （式中、Ｒｌ 、 Ｒ！、Ｒ５、Ｒ４およびＲ“は前記
と同じ意味を表わす、） で示される化合物（以下化合物ＴＩ −ｂと称する）を
得る６次に鉱酸または有機酸を用いて処理し、一般式［
Ｖ］ Ｈ （式中、Ｒ１およびＲＭは前記と同じ意味を表ねす、） で示される化合物を得る。モして遇ヨウ票酸類を用いて
反応させて、一般式［■］ （式中、Ｒ’およびＲ１は前記と同じ意味を表わす、） で示される化合物を得て、有機塩基を用いて反応させて
、一般式［■］ （式中、Ｒ’およびＲ２は前記と同じ意味を表わす、） で示されるシクロヘキセン誘導体を得ることを特徴とす
るシクロヘキセン誘導体の製造方法である本発明の出発
原料である化合物Ｔ−ａおよび化合物Ｔ−ｂは、本発明
者が先に特許出願した発明の名称「シクロヘキサノン誘
導体およびその中間体ならびにそれらの製造方法」によ
り、調製することができる。 本発明における化合物において、水酸基の保護基として
は、テトラヒドロピラニル基、アセチル基、ｔ−ブチル
ジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ｐ
−メトキシベンジル基などが挙げられるが、これらに限
定されるものではなく、水酸基の保護基として通常用い
られるものは全て使用することができる。 次に各工程ごとに説明する。 化合物１−ａから化合物ＴＩ −ａの合成は、適当な溶
媒中で、一般式［■］ Ｒ’ＣＨオＺ ［■］ （式中、Ｒ６はトリアルキルシリル基を表わし、Ｚはマ
グネシウムクロリドまたはリチウム原子を表わす、） で示される化合物■を用いて行なうことができる、溶媒
は、反応に関与しない不活性溶媒であれば特に限定され
ないが、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン
などのエーテル類が挙げられる。化合物■としては、例
えばトリメチルシリルメチルマグネシウムクロリド、ト
リエチルシリルメチルマグネシウムクロリド、トリメチ
ルシリルメチルリチウム、ブチルジメチルシリルメチル
リチウムなどを挙げることができる。化合物■の使用量
は、化合物１−ａに対して、１〜１０倍モル量である。 反応は０℃〜室温の範囲の温度で行なわれ、好ましくは
０℃であり、通常２０時間以内に終了する。 また化合物１−ｂから化合物ＩＴ −ｂの合成は、化合
物Ｉ−ａから化合物ＩＩ −ａの合成と同様の方法で行
なうことができる。 化合物ＩＩ −ａから化合物！１１の合成は、適当な溶
媒中で、酸触媒の存在下、２，２−ジメトキシプロパン
を用いて行なうことができる。溶媒は、反応に関与しな
い不活性溶媒であれば特に限定されないが、例えばベン
ゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、塩
化メチレン、１２ジクロロエタン、クロロホルム、クロ
ロベンゼンなどのハロゲン化炭化水床類、ヘキサン、ヘ
プタンなどの脂肪族炭化水素類、シクロヘキサンなどの
脂肪族炭化水素類が挙げられる。酸触媒としては、例え
ばピリジニウムバラトルエンスルホネート、パラトルエ
ンスルホン酸、カンファースルホン酸などが挙げられる
が好ましくはピリジニウムバラトルエンスルホネートで
ある。２，２−ジメトキシプロパンの使用量は、化合物
ＩＩ −ａに対して１〜１０倍モル量、好ましくは１〜
５倍モル量である。酸触媒の使用量は、化合物ＩＩ −
ａに対して０．００１〜２倍量、好ましくは０．００５
〜１倍量である０反応は室温で進行し、通常３時間以内
に終了する。 化合物１１１から化合物■の合成は、適当な溶媒中で、
塩基を用いて行なうことができる。溶媒は、反応に関与
しない不活性ｆａ媒であれば特に限定されないが、例え
ばジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル類が挙げられる。塩基としては１例えば水素化カリウ
ム、水素化ナトリウムなどのアルカリ金属水床化物また
はカリウムｔ−ブトキシドなどのアルカリ金属アルコキ
シドが挙げられる。塩基の使用量は、化合物Ｉ１１に対
して１〜１０倍モル量、好ましくは１〜５倍モル量であ
る０反応は室温で進行し、通常２０時間以内に終了する
。 化合物■から化合物Ｖの合成は、塩酸、硫酸などの鉱酸
または酢酸、シュウ酸などの有機酸を用いて行なうこと
ができる。反応は室温〜１００℃の温度で行なうことが
できるが、水酸基の保護基を保持したまま反応を行なう
場合は、室温が好ましい。反応は、通常２０時間以内に
終了する。 なお化合物ＩＩ＋から化合物Ｖの合成を直接行なうこと
もできる。この場合は、塩酸、硫酸などの鉱酸または酢
酸、シュウ酸などの有機酸を用いて行なう。反応は加熱
還流下で行ない、通常１０時間以内に終了する。 また化合物ＩＩ −ｂから化合物Ｖの合成を直接行なう
ことができる。反応は塩酸、硫酸などの鉱酸または酢酸
、シュウ酸などの有機酸を用いて行なう０反応は加熱還
流下で行ない、通常１０時間以内に終了する。 化合物Ｖから化合物■の合成は、適当な溶媒中で、過ヨ
ウ素酸類を用いて行なうことができる。 溶媒は、反応に関与しない不活性溶媒であれば特ニ限定
されないが、例えばメタノール、エタノール、イソプロ
パツールなどのアルコール類が挙げられる。過ヨウ素酸
類としては、例えばメタ通ヨウ累酸ナトリウム、メタ通
ヨウ素酸カリウム、オルト遇ヨウ紫酸ナトリウムなどが
挙げられるが好ましくはメタ過ヨウ素酸カリウムである
。過ヨウ素酸類の使用量は、化合物Ｖに対して１〜１０
倍モル量、好ましくは１〜５倍モル量である０反応は室
温で進行し、通常２時間以内に終了する。 化合物■から化合物■の合成は、適当な′ｆｇ媒中で
有機塩基を用いて行なうことができる。ｆａ媒は、反応
に関与しない不活性溶媒であれば特に堕定されないが、
例えばベンゼン、トルエン、キシレンなどの万香族炭化
水床類、塩化メチレン、１．２−ジクロロエタン、クロ
ロホルム、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水床類
、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水床類、シクロ
ヘキサンなどの脂環族炭化水素類が挙げられる。有機塩
基としては、例えばトリエチルアミン、トリメチルアミ
ン、ピリジン、ジメチルアニリン、Ｎ−メチルモルホリ
ン、４−ジメチルアミノピリジン、１．８−ジアザビシ
クロ［５，４，０１ウンデカ＝７−エン（ＤＢｔＪ）
、ｌ、５−ジアザビシクロ（４，３，Ｏｌノナ−５−エ
ン（ＤＢＮ） 、１゜４−ジアザビシクロ（２，２，２
）オクタン（ＤＡＢＣＯ）などが挙げられるが、好まし
くは１゜８−ジアザビシクロ［５，４，Ｏｌウンデカ−
７−エン（Ｄ］３０）である、有機塩基の使用量は、化
合物■に対して１〜１０倍モル量、好ましくは１〜５倍
モル量である９反応は室温で進行し、通常１時間以内に
終了する。 本発明における化合物の単Ｍｎ＋製は、通常の手段、例
えば抽出、洗浄、潰縮、カラムクロマトグラフィーなど
の操作により行なうことができる。 なお本発明における化合物において、分子内に不斉炭棄
原子を持つ化合物には、これに基づく異性体が全て含ま
れる。 （実施例） 次に実施例にて、本発明を更に説明する。 なお式中で、Ａｃはアセチル基、ＴＨＰはテトラヒドロ
ピラニル基、ＴＭＳはトリメチルシリル基、ＴＢＤＭＳ
はｔ〜ブチルジメチルシリル基、ＴＢＤＰＳはｔ−ブチ
ルジフェニルシリル基を表わす。 実施例１ （Ａ１．（４Ｓ、６Ｒ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）〜４−（し−ブチルジフェニルシリルオキ
シ）−１−ヒドロキシ−２−（１２−ジヒドロキシエチ
ル）−１−トリメチルシリルメチルーシクロヘキサン［
化合物１１− ａの合成］（４Ｓ、６Ｒ）−６−（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−プチルジフ
ェニルシリルオキシ）−２−［（１−ヒドロキシ−２−
アセトキシ）エチルコシクロヘキサノン３５０■ｇを含
むテトラヒドロフラン２０■ｌ溶液に氷冷撹拌下、トリ
メチルシリルメチルマグネシウムクロリドの１モルエー
テル溶液６ｍｌを加え同温度にて１時間撹拌する。反応
後反応液は飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後、酢
酸エチルエステルにて抽出する。抽出液は水洗後無水硫
酸ナトリウムにて乾燥する。溶媒を留去して得られる残
漬をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［シリカゲル
：１ｇ、溶媒：ｎ−ヘキサン／酢酸エチルエステル＝１
００／３（ｖ／ｖ）］に付し、（４Ｓ、６Ｒ）−６−（
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ） −４−（ｔブチル
ジフェニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−（１
，２−ジヒドロキシエチル）−１−トリメチルシリルメ
チル−シクロヘキサン２１６濡ｇ〔収率５６％］を得た
。 ＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ ｆＮａｃＩ）ａｍ−’
＋ ３４５ＯＮＭＲスペクトルｆｃｃＬ）δ： −０
，１３０（６１１ｅａｃｈｓ）、 ０．０７（９１１，
ｓ）、 ０．７７（９１１，ｓ）、 ０．８７（２１１
，ｓ）、 １．０５（９１１，ｓ）、 ７．２０〜
７．８０（１０１１，ｍ）マススペクトルａｌｅ ：
５９９（Ｍ”−３１）、 ５５５（Ｎ”−７４）１４６
７、 ４４９ （Ｂ）、（４Ｓ、６Ｒ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキ
シ）−１−ヒドロキシ−２−（２２−ジメチル−１，３
−ジオキソラン−４−イル）−１−トソメチルシリルメ
チルーシクロヘキサン［化実施例１の（Ａ）で得た（４
Ｓ、６Ｒ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ’
）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）−１−
ヒドロキシ−２−（１，２−ジヒドロキシエチル）−】
−トリメチルシリルメチル−シクロヘキサン２００−ｇ
、２．２−ジメトキシプロパン ０．２ｍｌおよびピリ
ジニウムバラトルエンスルホネート１０＋＋ｇを含む塩
化メチレン１０１１溶液を室温にて３ｏ分間撹拌した後
、溶媒を留去して得られる残漬をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー［シリカゲル：１ｇ、溶媒 ｎ−ヘキサ
ン／酢酸エチルエステル＝ １００／１（Ｖ／Ｖｌコに
付し、（４Ｓ、６Ｒ）−６−（１−ブチルジメチルシリ
ルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ
）−１−ヒドロキシ−２−（２，２−ジメチル−１，３
−ジオキソラン−４−イル）−１−トリメチルシリルメ
チル−シクロヘキサン１３０５ｇ［収率５７％〕を得た
。 ＩＲスペクトル ｖ ｍｉｘ （ＮａＣ１）ｃ＋＋−’
： ３４０ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ１，ｌδ：
−０，１３，−０，０７−００３（６１１，ｅａｃｈｓ
）、 ０．０３（９［Ｉ，ｓｌ、 ０．７０４９＋１．
ｓ）０．８０（２１１，ｓ）、 １．０２ｆ９１１．
ｓ）、 １．２５（８［Ｉ，ｓ）、 １．３０〜２．
１０（４１１，ｍｌ、 ３．００〜４．２１１（６１
１，ｇ＋）、 ７．１７〜？、８０（Ｌｏｌｌ、 ｍ
） マススペクトル園／ｅ ： ６７０（Ｍ”）、 ６１３
（Ｎ”−５７） ５５５、５３７．５２３．４６５．
４２７．４１４．３９９（Ｃ）、 （４Ｓ・６Ｒ）−６
−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブ
チルジフェニルシリルオキシ）−２−（２，２−ジメチ
ル−１３−ジオキソラン−４−イル）−１−メチレンシ
クロ実施例１のＮ３）で得た（４Ｓ、８Ｒ）−６−（ｔ
−ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジ
フェニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−（２，
２−ジメチル−１，３−ジオキソフン−４−イル）−１
−トリメチルシリルメチルシクロヘキサン３０−ｇを含
むテトラヒドロフラン２ｓｌ溶Ｔルに室温にて撹拌下、
水素化カリウム１０−ｇを加え同温度にて１３特間撹ｔ
↑する０反応後反応液はエーテルにて希釈後水洗し無水
硫酸ナトリウムにて乾燥する。？８媒を留去して得られ
る残涌をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［シリカ
ゲル＝５００−ｇ、溶媒：ｎ−ヘキサン／酢酸エチルエ
ステル＝ １０ ｏ／１ｆｖ／ｖ ）］に付し、（４Ｓ
、５Ｒ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−
４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）−２−（２
，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）−
１−メチレンシクロヘキサン２１厘ｇ［収率８６％］を
得た。 ＮＭＲスペクトルＦＣＣ１，）δニー０゜１０（ａｌｌ
、 ｓ）、 ０゜７３＋９＋１． ｓｌ、 １．０３（
９１１，ｓ） １．２３（６［Ｉ，ｓ）、 ３．１５
〜４．４０（ＧＩＩ、 −）、 ４．７３（ＩＩＩ
、 ｂｒｓ）、 ４．８２（ＩＴＩ、 ｂｒｓｌ
、 ７．１７〜７．８０（ＩＯＩＩ、 腸）マスス
ペクトルａｌｅ ： ５８０（Ｍ’ｌ、 ５６５．５２
３（に１−５７）、 ４６５．４４５．４２１．３８７
（Ｄ）、（４Ｓ、６Ｒ）−４−（ｔ−ブチルジフェニル
シリルオキシ）−６−ヒトロキシー２− （１，２−ジ
ヒドロキシエチル）−１−メチレンシクロヘキサン［化
合物■の合成］ 実施例１の（Ｃ）で得た（４３，６Ｒ）−６−（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−２−（２，２−ジメチル−１，３
−ジオキソラン−４−イル）−１−メチレンシクロヘキ
サン２０１ｇを含む酢酸−水（８０：２０）の混液１ｍ
ｌを室温にて１３時間撹拌する０反応後反応液は酢酸エ
チルエステルにて希釈し、水、飽和！！＃１８１ｍナト
リウム水溶液、水にて順次洗浄後無水硫酸ナトリウムに
て乾燥する。溶媒を留去して得られる残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー［シリカゲル：０．２ｇ溶媒
：ｎ−ヘキサン／酢酸エチルエステル＝１７１［Ｖ／Ｖ
）コに付し、（４Ｓ、８Ｒ）−４−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−６−ヒドロキシ−２−（１，２−
ジヒドロキシエチル）−１−メチレンシクロヘキサン１
０１ｇ［収率６８％］を得た。 ＩＲスペクトル ｖ ｍｉｘ （ＮａＣＩ）Ｃｍ−’
： ３４０ＯＮＭＲスペクトル（ＣＤＣＩコ）δ：
１．１０（９ｎ、 Ｓｌ、 ４９０（ｉｌｌ、 ｂｒｓ
）、 ５．＋７（ＩＨ，ｂｒｓ）、 ７．２５〜７．８
５（１０１１、■） マススペクトルａｌｅ ： ３６９（１１”−５７１，
３５＋（Ｅｌ、（３Ｒ，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジフ
ェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−メチレン
シクロヘキサン−１−カルバルデヒド
【化合物■の合成
］ Ｈ 実施例１の（Ｄ）で得た（４Ｓ、６Ｒ）−４−（ｔ−ブ
チルジフェニルシリルオキシ）−６−ヒドロキシ−２−
（１，２−ジヒドロキシエチル）−１−メチレンシクロ
ヘキサン７Ｂを含むメタノール１１・水１滴の混合溶液
に室温（こて撹１字下、メタ過ヨウ素酸ナトリウム１０
１ｇを加え同温度にて２０分間１１２１↑する。反応後
反応液はエーテルにて希釈後水洗し、無水硫酸ナトリウ
ム（ごて乾燥する、溶媒を留去して得られる残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー［シリカゲル： ０．
１ ｇ、ｔｓ媒°ｎ−ヘキサン／酢酸エチルエステル＝
１０／ＮＶ／Ｖ）］に付し、（３Ｒ，５Ｓ）−５−（を
−ブチルジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−
２−メチレンシクロヘキサン−１−カルバルデヒド６１
ｇ［収率９３％］を得た。 ＩＲスペクトル Ｖ ＩＩＩＸ （ＮａＣ１）ｃｌ’
＋ ３４００．１７２ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ１４）
δ： １．０７（９１１，Ｓ）、 ４．８５（Ｉｎ
ｂｒｓ）、 ５．１７（ＩＩＩ、 ｂｒｓ）、 ７．
２０〜？、９０（１０１１゜−１９，７０（ＩＩＩ、
ｂｒｓｌ マススペクトルａｌｅ ： ３３７（Ｈ”−５７１，３
０９，２５９ｔＦ）、（３Ｒ，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチ
ルジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−メ
チルシクロヘキセン−１−カルバルデヒド［化合物■の
合成］ 実施例１の（Ｅ）で得た（３Ｒ，５Ｓ） −５−（ｔ−
ブチルジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２
−メチレンシクロヘキサン−１−カルバルデヒド６１１
ｇを含むベンゼン１■１溶液に、１゜８−ジアザビシク
ロ［５，４，Ｏ］ラウンカ−７エン（ＤＢＵ）ｌｉを加
え、室温にて１０分間撹（↑する。反応後反応液はベン
ゼンにて希釈し、１０％塩酸、水にて洗浄後無水硫酸ナ
トリウムにて乾燥する。溶媒を留去して得られる残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー［シリカゲル二〇
、１ｇ、溶媒：ｎ−ヘキサン／酢酸エチルエステル＝
１０１５（Ｖ／Ｖ ）］に付し、（３Ｒ，５Ｓ）−５−
（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）−３ヒドロキシ
−２−メチルシクロヘキセン−１カルバルデヒド５Ｂ［
収率８３％］を得た。 ＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ （ＮａＣ１）ｃｍ−’
： ３４５０．１６７ＯＮＭＲスペクトル（ｃｃｔ、１
δ、 １．０６（９Ｂ、 ｓｌ、 ２．１８（３１１
，ｂｒｓｌ、 ４．２４（１［Ｉ，ｔ、 Ｊ＝５．
０ＩＩｚ）、 ７．２０〜７゜８５（ｔｏｎ 、園
）、 １０．０７＋１１． ｓ）マススペクトルａ
ｌｅ ： ３３７（Ｍ”−５７１，３０９，１９９実施
例２ （Ａ）、（４Ｓ、６Ｓ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキ
シ）−１−ヒドロキシ−２−（１，２−ジヒドロキシエ
チル）−１−）リメチルシリルメチルーシクロヘキサン
［化合物Ｈ−ａの合成］（４３，６Ｓ）−６−（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−２−［（１−ヒドロキシ−２−ア
セトキシ）エチルコシクロへキサノン３５０１ｇより、
実施例１の（Ａ）と同様の操作を行ない、（４Ｓ８Ｓ）
−６−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ
−ブチルジフェニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−
２−（１，２−ジヒドロキシエチル）−１−トリメチル
シリルメチル−シクロヘキサン２１６Ｂ［収率５６％］
を得た。 ＪＲスペクトル ｖ ｗａｘ （ＮａＣ１）Ｃｓ−’
： ３４５ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ１，）δ： −
０，１３（６［Ｉ，ｓ）、 ０（９１１、ｓ）、 ０．
８５（９１’ｌ、 ｓ）、 １．０７（９Ｂ、 ｓ）、
７．２０〜７゜８５（１０１１，ｉ） マススペクトルａｌｅ： ８３０（Ｍ”）、 ５９９．
５８１．５７３（Ｂ１．（４Ｓ ６Ｓ）−６−（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフ
ェニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−（２，２
−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）−１−
トリメチルシリルメチル−シクロヘキサン［化合物ＩＩ
＋の合成］ ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔブチルジ
フェニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−（１，
２−ジヒドロキシエチル）−１−トリメチルシリルメチ
ル−シクロヘキサン１２００１ｇより、実施例１の（Ｂ
ｌと同様の操作を行ない（４Ｓ、６Ｓ）−６−（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−（２，２−
ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）−１−ト
リメチルシリルメチルーシクロヘキサン２゜Ｏｓｇ［収
ｆ、８８％］を得た。 ＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ （ＮａＣＩ）ｃｍ−’
： ３５５ＯＮＭＲスヘ’７ トル（ＣＣＩ４１δ：
０．０６（ａｌｌ、 ｓ）、 ０（９１１、ｓ）、
［Ｉ，９０（９１１，ｓ）、 １．１４（９Ｌ ｓ）、
１．３４（６１１ｓｌ、 ７．３０〜８．００ＣＩｏ
ｎ、’ｍ）マススペクトルａｌｅ ： ８７０（８勺、
６５５．６１３．５５５゜（Ｃ）、（４Ｓ、６５）−
４−（ｔ−ブチルジフェニルシリル、オキシ）−６−ヒ
ドロキシ−２−（１，２−ジヒドロキシエチル）−１−
メチレンシクロヘキサン［化合物Ｖの合成］ 実施例２の（Ｂｌで得た（４Ｓ、８Ｓ）−８−（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−（２，２−
ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）−１−ト
リメチルシリルメチル−シクロヘキサン５０ｍｇを含む
酢酸−水（８０２０）の混液２１を撹拌下６時間加熱還
流する。 冷却後酢酸エチルエステルにて希釈後、水、飽和重炭酸
ナトリウム水溶液、水にて順次洗浄し無水硫酸ナトリウ
ムにて乾燥する・溶媒を留去して得られる残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー［シリカゲル：０．５ｇ
、溶媒：ｎ−ヘキサン／酢酸エチルエステル ４Ｓ，６５）−４− （ｔ−ブチルジフェニルシリルオ
キシ）−６−ヒドロキシ−２− （１．２−ジヒドロキ
シエチル）−１−メチレンシクロヘキサン２０１ｇ［収
率６７％〕を得た。 ＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ ｆＮａｃＩ）ｃｍ−’
： ３４０ＯＮＭＲスペクトル（ＣＩＩＣｌ．）６
１．１０（９１１， ｓ）、３。 ９０〜４．３５＋３＋１， ｍｌ， ４．９８（Ｉ
ＩＴ， ｂｒｓ）、 ５．２３（Ｉｎ， ｂｒｓ
ｌ， ７．３５ 〜？．９０（ＩＯＩＩ，謹）マススペ
クトルａｌｅ ： ３６９ｆＭ”−５７１， ３５１，
３３３ＣＤ＋．（３Ｓ，５Ｓ）−５− （ｔ−ブチル
ジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−メチ
レンシクロヘキサン−１−カルバルデヒド［化合物■の
合成］ 実施例２の（Ｃ）で得た（４Ｓ．６Ｓ）−４− （ｔ−
ブチルジフェニルシリルオキシ）−６−ヒトロキシー：
２− （１．２−ジヒドロキシエチル）−１−メチレン
シクロヘキサン２０■ｇより、実施例１の（Ｅ）と同様
の操作を行ない、（３Ｓ，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジ
フェニルシリルオキシ）３−ヒドロキシ−２−メチレン
シクロヘキサン−１−カルバルデヒド１５Ｂ［収率８１
％］を得たＩＲスペクトル ｖｍａｘ （ＮａＣＩ）Ｃ
ｍ ’ ： ３４５０． １７３ＯＮＭＲスペクトル（
ＣＣＬ）δ： １．０７（９１１， ｓ）、 ２．５
０〜２．８５（Ｉｌｌ， ■］，３．８５〜４．３［
Ｉ（２ｎ。ｍｌ，４．８３（ＩＨｂｒｓｌ ５．２０
（ＩＩＩ，ｂｒｓ）、７．２７−７、８７（ｌ旧１．
ｍ）。 ９、８２（Ｉｌｌ， ｂｒｓ） マススペクトルｍ／ｅ ： ３３７（Ｍ”−５７）、
３１９， ３０９ｆＥ）、（３Ｓ，５Ｓ） シリルオキシ） クロヘキセン−１ 合成〕 ５−（ｔ−ブチルジフェニル ３−ヒドロキシ−２−メチレン カルバルデヒド［化合物■の 実施例２の（Ｄｉで得た（３Ｓ，５Ｓ）−５− （ｔ−
ブチルジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２
−メチレンシクロヘキサン−１−カルバルデヒド１５Ｂ
より、実施例１の（Ｆ）と同様の操作を行ない、（３Ｓ
．５Ｓ） −５− （ｔ−ブチルジフェニルシリルオキ
シ）−３−ヒドロキシ２−メチルシクロヘキセン−１−
カルバルデヒド１０舞ｇ［収率６７％］を得た。 ＩＲスペクトル ｖ ＠ａｘ （ＮａＣＩ）ｃｍ−’
＋ ３４５０． １６７ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ１．
）δ： １．０５Ｆ９＋１， ｓｌ， ２．３８（３
１， ｂｒｓｌ， ３．７０−４．０５ｆｌｌｌ， ｍ
ｌ， ４．０７ 〜４．４５（ＩＩＩ ｍ）、 ７．
２３−７．８５（ＩＯＩＩ， ｍ）、 １０．２０（ｌ
ｉｔ， ｂｒｓ）マススペクトルＩＩｌｅ ： ３３７
（Ｍ”−５７）、 ３１９， ３０９実施例３ （Ａ）、（４５，ＳＲ＞−６−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキ
シ）−１−ヒドロキシ−２−［Ｉ，２−ビス（２−テト
ラヒドロピラニルオキシ）エチル］１−トリメチルシリ
ルメチル−シクロヘキサン［化合物ＩＩ −ｂの合成］ （４Ｓ、６Ｒ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）−２
−［Ｉ，２−ビス（２−テトラヒドロピラニルオキシ）
エチルコシクロへキサノン６００ｍｇを含むテトラヒド
ロフラン１０■ｌ溶液に氷玲撹行下、トリメチルシリル
メチルマグネシウムクロリドの１モルエーテル溶液５ｍ
ｌを加え、室温にて１３時間撹↑↑する。反応後反応液
は飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後、酢酸エチル
エステルにて抽出する。抽出液は水洗後無水硫酸ナトリ
ウムにてｌ）！ｆｌする。溶媒を留去して得られる残漬
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［シリカゲル：
１ｇ、溶媒：ｎ−ヘキサン／酢酸エチルエステル＝１０
０／３（ｖ／ｖ）］に付し、（４Ｓ６Ｒ）−６−（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフ
ェニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−［Ｉ，２
−ビス（２−テトラヒドロピラニルオキシ）エチル］−
１−トリメチルシリルメチル−シクロヘキサン６００１
ｇ［収￥、８９％］を得た。 ＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ （ＮａＣＩ）Ｃｍ−’
： ３５０ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ１４１δ −０
，３０，−０，２８，０（１５１１ｅａｃｈｓｌ、 ０
．６５ｆ９１１． ｓｌ、 １．０３（９８，ｓ）、
４．８３ｆ２１１ ｂｒｓ）、 ７．１６〜７．８３
（Ｌｏｌｌ、 ｍ）マススペクトルｌｌ１ｅ ： ７９
８ＣＭ”）、 ７８０．７６７、７２３７＋４．６８３
．８３９．５９９．５８１．５５５．５３８．５０７．
４８３、４６５ （Ｂ１．（４Ｓ、６Ｒ）−４−（ｔ−ブチルジフェニル
シリルオキシ）−６−ヒドロキシ−２−（１，２＝ジヒ
ドロキシエチル）−１−メチレンシクロヘキサン［化合
物Ｖの合成］ 実施例３の（Ａ＋で得た（４Ｓ、６Ｒ）−６−（し−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−［Ｉ，２−
ビス（２−テトラヒドロピラニルオキシ）エチル］ −
１−トリメチルシリルメチル−シクロヘキサン１００ｍ
ｇを含む酢酸−水（８０： ２０）の混液ｌｌ１ｌを撹
拌下４時間加熱還流する。反応後反応液は酢酸エチルエ
ステルにて希釈後１０％炊酸ナトリウム水溶液、水にて
順次洗浄後無水硫酸ナトリウムにて乾燥する。溶媒を留
去して得られる残渣をメタノール１１に溶解し、苛性カ
リの１モルメタノール溶液 ０．５ｍｌを加え室温にて
３０分間撹袢する。反応液は水１０ｍ１にて希釈後、酢
酸エチルエステルにて抽出する。抽出液は水洗後無水硫
酸ナトリウムにて乾燥する。 ｔｌｌＭを留去して得られる残漬をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー［シリカゲル゛Ｉｇ、？？１媒：ｎ−
ヘキサン／酢酸エチルエステル＝３／２（Ｖ／Ｖｌ］＋
：付し、（４Ｓ、６Ｒ）−４−（ｔ−ブーｆ−ルジフェ
ニルシリルオキシ）−６−ヒドロキシ−２−（１，２−
ジヒドロキシエチル）−１−メチレンシクロヘキサン２
０ｍｇ［収率３８％］を得た。 ＩＲスペクトル Ｖ ＩＩＩＸ （ＮａＣＩ）ｃｍ−’
： ３４０ＯＮ Ｍ Ｒスペクトル（ＣＣ１，ｌδ：
１．０８（９１１，ｓ）、 ４．７３（ＩＩＩ
ｂｒｓｌ、 ４．９０ｆｌｌｌ、 ｂｒｓ）、 ７．１
５〜７．８０（１０１１゜マススペクトルａｌｅ ：
３９５（１４”−３１）、 ３６９（Ｈ”−５７１３５
１、３３３，３０９，２９１，２７３，２５９（Ｃ１，
（３Ｒ，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオ
キシ）−３−ヒドロキシ−２−メチレンシクロヘキサン
−１−カルバルデヒド［化合物■の合成〕 ｐＨ （Ｄ）、（３Ｒ，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジフェニル
シリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−メチルシクロヘ
キセン−１−カルバルデヒド［化合物■の合成］ 実施例３の（Ｂ）で得た（４Ｓ、 ６Ｒ）−４−（し−
ブチルジフェニルシリルオキシ）−６−ヒドロキシ−２
−（１，２−ジヒドロキシエチル）−１−メチレンシク
ロヘキサン２０腸ｇより、実施例１のｆＥ）と同様の操
作を行ない、（３Ｒ，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−メチレンシ
クロヘキサン１−力ルパルプヒト１５Ｂ［収率８１％］
を得たＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ （ＮａＣ１）ｃｍ
−’ ： ３４００．１７２ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ
ｔ、）δ： １．［Ｉ７（９Ｈ，ｓ）、 ４．８５（
ＩＩＩ、ｂｒｓ）、５．＋７（ＩＩＩ、ｂｒｓ）、７．
２０〜？、９０（ＩＯＩＩ。 ｍｌ、 ９．７０（ＩＩｌ、 ｂｒｓ）マススペク
トル１ｌｌｅ ： ３３７（Ｍ”−５７１，３０９，２
５９，１実施例３の（Ｃ）で得た（３Ｒ，５Ｓ）−５−
（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキ
シ−２−メチレンシクロヘキサン−１−カルバルデヒド
１１１ｇより、実施例１の（Ｆ）と同様の操作を行ない
、（３Ｒ，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジフェニルシリル
オキシ）−３−ヒドロキシ２−メチルシクロヘキセン−
１−カルバルデヒド１０Ｂ［収￥−９１％］を得た。本
化合物は、実施例１のｆＦｌで得た化合物と、ＩＲ，Ｎ
ＭＲおよびマスの各種機器データが完全に一致した。 実施例４ ＦＡ、）、（４Ｓ、６Ｓ）−６−（ｔ−ブチルジメチル
シリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオ
キシ）−２−［Ｉ−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
）−２−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）エチルコ
シクロヘキサノン［化合物！ｂの合成］ （４３，６Ｓ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ） −４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）−
２−［Ｉ−ヒドロキシ−２−（２−テトラヒドロピラニ
ルオキシ）エチルコシクロへキサノン８８０１ｇおよび
２．６−ルチジン１ｍｌを含む塩化メチレン２０腸１溶
液に氷冷撹拌下、ｔブチルジメチルシリルトリフルオロ
メタンスルホネート ０．３１１を滴下する。同温度に
て３０分間撹拌後、６０％塩酸、水にて洗浄後無水硫酸
ナトリウムにて乾煙する。溶媒を留去して得られる残漬
をシリカゲル力ラムグロマトグラフィー［シリカゲル：
２０ｇ、溶媒：ｎ−ヘキサン／酢酸エチｈエステル＝
１００／１（Ｖ／ｌ’）］に付し、（４Ｓ８５）−８−
（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチ
ルジフェニルシリルオキシ）−２−［Ｉ−（ｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシ）−２−（２−テトラヒドロピラ
ニルオキシ）エチル】シクロへキサノン９５０ｍｇ ［
収率９７％〕を得た。 ＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ （ＮａＣＩ）ｃｍ−’
： １７３ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ１４１δ −０，
１４，０，０，０５゜０．０７ｆ１２１１． ｅａｃｈ
ｓ）、 ０．８０（９１１，ｓｌ、 ０．８３（９１１
，ｓ）１．０５（９１１，５１，７，１５−７，８０（
１０＋１． ｍ）マススペクトルａｌｅ ： ６８３（
Ｈ”−５７）、 ６２４ ５９９ ５８１、５５１．５
０７．４６７ （Ｂ）、（４Ｓ、６Ｓ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキ
シ）−２−［Ｉ−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）
−２−（２−テトラヒド口ビラニルオキシ）エチル］−
１−ヒドロキシー１−トリメチルシリルメチル−シクロ
ヘキサン［化合物ＩＴ−ｂの合成］ 実施例４の（Ａ）で得た（４Ｓ、６Ｓ）−６−（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−２−［Ｉ−（ｔ−ブチルジメチル
シリルオキシ）−２−（２−テトラヒドロピラニルオキ
シ）エチルコシクロへキサノン９００１１ｇを含むエー
テル２０１溶液に氷玲撹拌下、トリメチルシリルメチル
マグネシウムクロリドの１モルエーテル溶液５ｍｌを滴
下する。 反応液は室温にて１３時間撹拌後飽和塩化アンモニウム
水溶液を加え水洗し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥する
。溶媒を留去して得られる残漬をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー［シリカゲル：２０ｇ、溶媒 ｎ−ヘキ
サン／酢酸エチルエステに＝ １００／ １（Ｖ／Ｖｌ
ｌ １ｍ付り、（４Ｓ、６Ｓ）−ａ−（ｔ−プチルジメ
チルシ１ノルオキシ）−４−い−ブチルジフエニルシ１
ノルオキシ）−２−［Ｉ−（ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシ）−２−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）エ
チル］−１−ヒドロキシー１−トリメチルシ１ノルメチ
ル−シクロヘキサン１ｇ［収率９４％］を（得た。 ＩＲスペクトル ｖｍａｘ （ＮａＣＩｌｃｍ−’ ：
３５５ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣＬ）δ： ０．０
５．０．０．１３＋２１１Ｉ、 ｅａｃｈｓｌ、 ０．
８６（９■、 ｓ）、 ０．９０（９１１，ｓ）、 １
．０５＋９１１ ｓ）、 ４．５０（Ｉｌｌ、 ｂｒ
ｓ）、 ７．１５〜？、８０（１０１１，ｍｌマススペ
クトルａｌｅ ： ７７１（Ｍ”−５７）、 ７５３．
７２５．７＋３ ６６９．６２５．５９５．５５５．５
３７．５１５（Ｃ）、（４Ｓ、８Ｓ）−４−（ｔ−ブチ
ルジフェニルシリルオキシ）−６−ヒドロキシ−２−（
１，２−ジヒドロキシエチル）−１−メチレンシクロヘ
キサン［化合物Ｖの合成］ 実施例４の（Ｂ）で得た（４Ｓ、６Ｓ）−６−（し−ブ
チルジメチルシリルオキシ） −４−（ｔ−ブチルジフ
ェニルシリルオキシ）−２−［Ｉ−（Ｌ−ブチルジメチ
ルシリルオキシ）−２−（２−テトラヒドロピラニルオ
キシ）エチル］−１−ヒドロキシー１−トリメチルシリ
ルメチル−シクロヘキサン１２０ｍ（Ｈを含む酢酸−水
（８０：２０）の混液２Ｉｌｌを撹拌下２時間加熱還流
する０反応液は酢酸エチルエステルにて希ｒＲ後、水、
飽和重炭酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて順次洗浄
後無水硫酸ナトリウムにて乾燥する。溶媒を留去して９
すられる残漬のメタノール１１溶液に、苛性カリの１モ
ルメタノール溶ｉ＆１ｍｌを加え室温にて１時間撹拌す
る。溶媒を留去して得られる残漬に水を加えた後酢酸エ
チルエステルにて抽出する。抽出液は水洗後無水硫酸ナ
トリウムにてｒＬ燥する。 溶媒を留去して得られる残ｊＱをシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー［シリカゲル＝１ｇ、溶媒ｎ−ヘキサン
／酢酸エチルエステル＝２／１（Ｖ／Ｖｌ］に付し、（
４Ｓ、６Ｓ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキ
シ）−６−ヒドロキシ−２（１，２−ジヒドロキシエチ
ル）−１−メチレンシクロヘキサン３ｏ麿ｇ［収率４９
％］を得た。 ＴＲスペクトλし ｖ ｗａｘ ｆｌｌａｃｌ）ｃｍ−
’ ＋ ３４０ＯＮＭＲスペクトルｆｃＤｃＩｓ）δ・
１．１０（９Ｂ、 ｓ）、 、４゜８８ｆｌｌｌ、
ｂｒｓ）、 ５．＋３（ＩＩＩ、 ｂｒｓ）、 ７．３
０〜？、９０（１０１１■） マススペクトル廁／ｅ ： ３６９（Ｎ”−５７１，３
５１，３３３，３２１、３０７，２９１ Ｎ）１．（３Ｓ、５Ｓ］ −５−（ｔ−ブチルジフェニ
ルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−メチレンシク
ロヘキサン−１−カルバルデヒド［化合物■の合成］ 実施例４のｆｃ）で得た（４３，６Ｓ）−４−（ｔ−ブ
チルジフェニルシリルオキシ）−６−ヒドロキシ−２−
（１，２−ジヒドロキシエチル）−１−メチレンシクロ
ヘキサン２０ｍｇを含むメタノール１ｍｌおよび水１滴
の溶液に、メタ遇ヨウ素酸ナトリウム１００ｍｇを加え
室温にて３０分間撹拌する０反応後反応液は塩化メチレ
ンにて希釈後水洗し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥する
。’ｆ８媒を留去して得られる［ｉをシリカゲルカラム
クロマトグラフィー［シリカゲル：１ｇ、溶媒：ｎ−ヘ
キサン／酢酸エチルエステル−１０／１ｆＶ／Ｖ）］に
付し、（３３，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジフェニルシ
リルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−メチレンシクロヘ
キサン−１−カルバルデヒド１５ｍｇ［収率８１％〕を
得た。 ＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ （ＮａＣ１）ｃｍ−’
： ３４５０．１７３ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ１，）
６ｉ ： １．０７（９１１，ｓ）、 ２．５０〜２
．８５ｆｌ１１． 腸）、 ３．８５〜４．３０（
２［Ｉ，園）、 ４．８３ＣＩＩＩｂｒｓ）、 ５
．２０（Ｉｌｌ、 ｂｒｓ）、 ７．２７〜７．８
７（１０１１，ｍｌ。 ９．８２（Ｉｎ、 ｂｒｓ） マススペクトルａｌｅ ： ３：＋７（Ｍ”−５７）、
３１９．３０９（Ｅ）、（３Ｓ、５Ｓ）−５−（ｔ−
ブチルジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２
−メチルシクロヘキセン−１−カルバルデヒド［化合物
■の合成］ 実施例４の（Ｄ）で得た（３Ｓ、５Ｓ）−５−（ｔ−ブ
チルジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−
メチレンシクロヘキサン−１−カルバルデヒド１０１ｇ
より、実施例〕の（Ｆ）と同様の操作を行ない、（３Ｓ
、５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）
−３−ヒドロキシ−２−メチルシクロヘキセン−１−カ
ルバルデヒド９ｍｇ［収率９０％］を得た０本化合物は
、実施例２の（Ｅ）で得た化合物と、ＩＲ，ＮＭＲおよ
びマスの各種機器データが完全に一致した。 （発明の効果）
］ Ｈ 実施例１の（Ｄ）で得た（４Ｓ、６Ｒ）−４−（ｔ−ブ
チルジフェニルシリルオキシ）−６−ヒドロキシ−２−
（１，２−ジヒドロキシエチル）−１−メチレンシクロ
ヘキサン７Ｂを含むメタノール１１・水１滴の混合溶液
に室温（こて撹１字下、メタ過ヨウ素酸ナトリウム１０
１ｇを加え同温度にて２０分間１１２１↑する。反応後
反応液はエーテルにて希釈後水洗し、無水硫酸ナトリウ
ム（ごて乾燥する、溶媒を留去して得られる残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー［シリカゲル： ０．
１ ｇ、ｔｓ媒°ｎ−ヘキサン／酢酸エチルエステル＝
１０／ＮＶ／Ｖ）］に付し、（３Ｒ，５Ｓ）−５−（を
−ブチルジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−
２−メチレンシクロヘキサン−１−カルバルデヒド６１
ｇ［収率９３％］を得た。 ＩＲスペクトル Ｖ ＩＩＩＸ （ＮａＣ１）ｃｌ’
＋ ３４００．１７２ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ１４）
δ： １．０７（９１１，Ｓ）、 ４．８５（Ｉｎ
ｂｒｓ）、 ５．１７（ＩＩＩ、 ｂｒｓ）、 ７．
２０〜？、９０（１０１１゜−１９，７０（ＩＩＩ、
ｂｒｓｌ マススペクトルａｌｅ ： ３３７（Ｈ”−５７１，３
０９，２５９ｔＦ）、（３Ｒ，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチ
ルジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−メ
チルシクロヘキセン−１−カルバルデヒド［化合物■の
合成］ 実施例１の（Ｅ）で得た（３Ｒ，５Ｓ） −５−（ｔ−
ブチルジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２
−メチレンシクロヘキサン−１−カルバルデヒド６１１
ｇを含むベンゼン１■１溶液に、１゜８−ジアザビシク
ロ［５，４，Ｏ］ラウンカ−７エン（ＤＢＵ）ｌｉを加
え、室温にて１０分間撹（↑する。反応後反応液はベン
ゼンにて希釈し、１０％塩酸、水にて洗浄後無水硫酸ナ
トリウムにて乾燥する。溶媒を留去して得られる残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー［シリカゲル二〇
、１ｇ、溶媒：ｎ−ヘキサン／酢酸エチルエステル＝
１０１５（Ｖ／Ｖ ）］に付し、（３Ｒ，５Ｓ）−５−
（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）−３ヒドロキシ
−２−メチルシクロヘキセン−１カルバルデヒド５Ｂ［
収率８３％］を得た。 ＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ （ＮａＣ１）ｃｍ−’
： ３４５０．１６７ＯＮＭＲスペクトル（ｃｃｔ、１
δ、 １．０６（９Ｂ、 ｓｌ、 ２．１８（３１１
，ｂｒｓｌ、 ４．２４（１［Ｉ，ｔ、 Ｊ＝５．
０ＩＩｚ）、 ７．２０〜７゜８５（ｔｏｎ 、園
）、 １０．０７＋１１． ｓ）マススペクトルａ
ｌｅ ： ３３７（Ｍ”−５７１，３０９，１９９実施
例２ （Ａ）、（４Ｓ、６Ｓ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキ
シ）−１−ヒドロキシ−２−（１，２−ジヒドロキシエ
チル）−１−）リメチルシリルメチルーシクロヘキサン
［化合物Ｈ−ａの合成］（４３，６Ｓ）−６−（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−２−［（１−ヒドロキシ−２−ア
セトキシ）エチルコシクロへキサノン３５０１ｇより、
実施例１の（Ａ）と同様の操作を行ない、（４Ｓ８Ｓ）
−６−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ
−ブチルジフェニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−
２−（１，２−ジヒドロキシエチル）−１−トリメチル
シリルメチル−シクロヘキサン２１６Ｂ［収率５６％］
を得た。 ＪＲスペクトル ｖ ｗａｘ （ＮａＣ１）Ｃｓ−’
： ３４５ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ１，）δ： −
０，１３（６［Ｉ，ｓ）、 ０（９１１、ｓ）、 ０．
８５（９１’ｌ、 ｓ）、 １．０７（９Ｂ、 ｓ）、
７．２０〜７゜８５（１０１１，ｉ） マススペクトルａｌｅ： ８３０（Ｍ”）、 ５９９．
５８１．５７３（Ｂ１．（４Ｓ ６Ｓ）−６−（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフ
ェニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−（２，２
−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）−１−
トリメチルシリルメチル−シクロヘキサン［化合物ＩＩ
＋の合成］ ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔブチルジ
フェニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−（１，
２−ジヒドロキシエチル）−１−トリメチルシリルメチ
ル−シクロヘキサン１２００１ｇより、実施例１の（Ｂ
ｌと同様の操作を行ない（４Ｓ、６Ｓ）−６−（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−（２，２−
ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）−１−ト
リメチルシリルメチルーシクロヘキサン２゜Ｏｓｇ［収
ｆ、８８％］を得た。 ＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ （ＮａＣＩ）ｃｍ−’
： ３５５ＯＮＭＲスヘ’７ トル（ＣＣＩ４１δ：
０．０６（ａｌｌ、 ｓ）、 ０（９１１、ｓ）、
［Ｉ，９０（９１１，ｓ）、 １．１４（９Ｌ ｓ）、
１．３４（６１１ｓｌ、 ７．３０〜８．００ＣＩｏ
ｎ、’ｍ）マススペクトルａｌｅ ： ８７０（８勺、
６５５．６１３．５５５゜（Ｃ）、（４Ｓ、６５）−
４−（ｔ−ブチルジフェニルシリル、オキシ）−６−ヒ
ドロキシ−２−（１，２−ジヒドロキシエチル）−１−
メチレンシクロヘキサン［化合物Ｖの合成］ 実施例２の（Ｂｌで得た（４Ｓ、８Ｓ）−８−（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−（２，２−
ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）−１−ト
リメチルシリルメチル−シクロヘキサン５０ｍｇを含む
酢酸−水（８０２０）の混液２１を撹拌下６時間加熱還
流する。 冷却後酢酸エチルエステルにて希釈後、水、飽和重炭酸
ナトリウム水溶液、水にて順次洗浄し無水硫酸ナトリウ
ムにて乾燥する・溶媒を留去して得られる残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー［シリカゲル：０．５ｇ
、溶媒：ｎ−ヘキサン／酢酸エチルエステル ４Ｓ，６５）−４− （ｔ−ブチルジフェニルシリルオ
キシ）−６−ヒドロキシ−２− （１．２−ジヒドロキ
シエチル）−１−メチレンシクロヘキサン２０１ｇ［収
率６７％〕を得た。 ＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ ｆＮａｃＩ）ｃｍ−’
： ３４０ＯＮＭＲスペクトル（ＣＩＩＣｌ．）６
１．１０（９１１， ｓ）、３。 ９０〜４．３５＋３＋１， ｍｌ， ４．９８（Ｉ
ＩＴ， ｂｒｓ）、 ５．２３（Ｉｎ， ｂｒｓ
ｌ， ７．３５ 〜？．９０（ＩＯＩＩ，謹）マススペ
クトルａｌｅ ： ３６９ｆＭ”−５７１， ３５１，
３３３ＣＤ＋．（３Ｓ，５Ｓ）−５− （ｔ−ブチル
ジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−メチ
レンシクロヘキサン−１−カルバルデヒド［化合物■の
合成］ 実施例２の（Ｃ）で得た（４Ｓ．６Ｓ）−４− （ｔ−
ブチルジフェニルシリルオキシ）−６−ヒトロキシー：
２− （１．２−ジヒドロキシエチル）−１−メチレン
シクロヘキサン２０■ｇより、実施例１の（Ｅ）と同様
の操作を行ない、（３Ｓ，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジ
フェニルシリルオキシ）３−ヒドロキシ−２−メチレン
シクロヘキサン−１−カルバルデヒド１５Ｂ［収率８１
％］を得たＩＲスペクトル ｖｍａｘ （ＮａＣＩ）Ｃ
ｍ ’ ： ３４５０． １７３ＯＮＭＲスペクトル（
ＣＣＬ）δ： １．０７（９１１， ｓ）、 ２．５
０〜２．８５（Ｉｌｌ， ■］，３．８５〜４．３［
Ｉ（２ｎ。ｍｌ，４．８３（ＩＨｂｒｓｌ ５．２０
（ＩＩＩ，ｂｒｓ）、７．２７−７、８７（ｌ旧１．
ｍ）。 ９、８２（Ｉｌｌ， ｂｒｓ） マススペクトルｍ／ｅ ： ３３７（Ｍ”−５７）、
３１９， ３０９ｆＥ）、（３Ｓ，５Ｓ） シリルオキシ） クロヘキセン−１ 合成〕 ５−（ｔ−ブチルジフェニル ３−ヒドロキシ−２−メチレン カルバルデヒド［化合物■の 実施例２の（Ｄｉで得た（３Ｓ，５Ｓ）−５− （ｔ−
ブチルジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２
−メチレンシクロヘキサン−１−カルバルデヒド１５Ｂ
より、実施例１の（Ｆ）と同様の操作を行ない、（３Ｓ
．５Ｓ） −５− （ｔ−ブチルジフェニルシリルオキ
シ）−３−ヒドロキシ２−メチルシクロヘキセン−１−
カルバルデヒド１０舞ｇ［収率６７％］を得た。 ＩＲスペクトル ｖ ＠ａｘ （ＮａＣＩ）ｃｍ−’
＋ ３４５０． １６７ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ１．
）δ： １．０５Ｆ９＋１， ｓｌ， ２．３８（３
１， ｂｒｓｌ， ３．７０−４．０５ｆｌｌｌ， ｍ
ｌ， ４．０７ 〜４．４５（ＩＩＩ ｍ）、 ７．
２３−７．８５（ＩＯＩＩ， ｍ）、 １０．２０（ｌ
ｉｔ， ｂｒｓ）マススペクトルＩＩｌｅ ： ３３７
（Ｍ”−５７）、 ３１９， ３０９実施例３ （Ａ）、（４５，ＳＲ＞−６−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキ
シ）−１−ヒドロキシ−２−［Ｉ，２−ビス（２−テト
ラヒドロピラニルオキシ）エチル］１−トリメチルシリ
ルメチル−シクロヘキサン［化合物ＩＩ −ｂの合成］ （４Ｓ、６Ｒ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）−２
−［Ｉ，２−ビス（２−テトラヒドロピラニルオキシ）
エチルコシクロへキサノン６００ｍｇを含むテトラヒド
ロフラン１０■ｌ溶液に氷玲撹行下、トリメチルシリル
メチルマグネシウムクロリドの１モルエーテル溶液５ｍ
ｌを加え、室温にて１３時間撹↑↑する。反応後反応液
は飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後、酢酸エチル
エステルにて抽出する。抽出液は水洗後無水硫酸ナトリ
ウムにてｌ）！ｆｌする。溶媒を留去して得られる残漬
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［シリカゲル：
１ｇ、溶媒：ｎ−ヘキサン／酢酸エチルエステル＝１０
０／３（ｖ／ｖ）］に付し、（４Ｓ６Ｒ）−６−（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフ
ェニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−［Ｉ，２
−ビス（２−テトラヒドロピラニルオキシ）エチル］−
１−トリメチルシリルメチル−シクロヘキサン６００１
ｇ［収￥、８９％］を得た。 ＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ （ＮａＣＩ）Ｃｍ−’
： ３５０ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ１４１δ −０
，３０，−０，２８，０（１５１１ｅａｃｈｓｌ、 ０
．６５ｆ９１１． ｓｌ、 １．０３（９８，ｓ）、
４．８３ｆ２１１ ｂｒｓ）、 ７．１６〜７．８３
（Ｌｏｌｌ、 ｍ）マススペクトルｌｌ１ｅ ： ７９
８ＣＭ”）、 ７８０．７６７、７２３７＋４．６８３
．８３９．５９９．５８１．５５５．５３８．５０７．
４８３、４６５ （Ｂ１．（４Ｓ、６Ｒ）−４−（ｔ−ブチルジフェニル
シリルオキシ）−６−ヒドロキシ−２−（１，２＝ジヒ
ドロキシエチル）−１−メチレンシクロヘキサン［化合
物Ｖの合成］ 実施例３の（Ａ＋で得た（４Ｓ、６Ｒ）−６−（し−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−１−ヒドロキシ−２−［Ｉ，２−
ビス（２−テトラヒドロピラニルオキシ）エチル］ −
１−トリメチルシリルメチル−シクロヘキサン１００ｍ
ｇを含む酢酸−水（８０： ２０）の混液ｌｌ１ｌを撹
拌下４時間加熱還流する。反応後反応液は酢酸エチルエ
ステルにて希釈後１０％炊酸ナトリウム水溶液、水にて
順次洗浄後無水硫酸ナトリウムにて乾燥する。溶媒を留
去して得られる残渣をメタノール１１に溶解し、苛性カ
リの１モルメタノール溶液 ０．５ｍｌを加え室温にて
３０分間撹袢する。反応液は水１０ｍ１にて希釈後、酢
酸エチルエステルにて抽出する。抽出液は水洗後無水硫
酸ナトリウムにて乾燥する。 ｔｌｌＭを留去して得られる残漬をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー［シリカゲル゛Ｉｇ、？？１媒：ｎ−
ヘキサン／酢酸エチルエステル＝３／２（Ｖ／Ｖｌ］＋
：付し、（４Ｓ、６Ｒ）−４−（ｔ−ブーｆ−ルジフェ
ニルシリルオキシ）−６−ヒドロキシ−２−（１，２−
ジヒドロキシエチル）−１−メチレンシクロヘキサン２
０ｍｇ［収率３８％］を得た。 ＩＲスペクトル Ｖ ＩＩＩＸ （ＮａＣＩ）ｃｍ−’
： ３４０ＯＮ Ｍ Ｒスペクトル（ＣＣ１，ｌδ：
１．０８（９１１，ｓ）、 ４．７３（ＩＩＩ
ｂｒｓｌ、 ４．９０ｆｌｌｌ、 ｂｒｓ）、 ７．１
５〜７．８０（１０１１゜マススペクトルａｌｅ ：
３９５（１４”−３１）、 ３６９（Ｈ”−５７１３５
１、３３３，３０９，２９１，２７３，２５９（Ｃ１，
（３Ｒ，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオ
キシ）−３−ヒドロキシ−２−メチレンシクロヘキサン
−１−カルバルデヒド［化合物■の合成〕 ｐＨ （Ｄ）、（３Ｒ，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジフェニル
シリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−メチルシクロヘ
キセン−１−カルバルデヒド［化合物■の合成］ 実施例３の（Ｂ）で得た（４Ｓ、 ６Ｒ）−４−（し−
ブチルジフェニルシリルオキシ）−６−ヒドロキシ−２
−（１，２−ジヒドロキシエチル）−１−メチレンシク
ロヘキサン２０腸ｇより、実施例１のｆＥ）と同様の操
作を行ない、（３Ｒ，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−メチレンシ
クロヘキサン１−力ルパルプヒト１５Ｂ［収率８１％］
を得たＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ （ＮａＣ１）ｃｍ
−’ ： ３４００．１７２ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ
ｔ、）δ： １．［Ｉ７（９Ｈ，ｓ）、 ４．８５（
ＩＩＩ、ｂｒｓ）、５．＋７（ＩＩＩ、ｂｒｓ）、７．
２０〜？、９０（ＩＯＩＩ。 ｍｌ、 ９．７０（ＩＩｌ、 ｂｒｓ）マススペク
トル１ｌｌｅ ： ３３７（Ｍ”−５７１，３０９，２
５９，１実施例３の（Ｃ）で得た（３Ｒ，５Ｓ）−５−
（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキ
シ−２−メチレンシクロヘキサン−１−カルバルデヒド
１１１ｇより、実施例１の（Ｆ）と同様の操作を行ない
、（３Ｒ，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジフェニルシリル
オキシ）−３−ヒドロキシ２−メチルシクロヘキセン−
１−カルバルデヒド１０Ｂ［収￥−９１％］を得た。本
化合物は、実施例１のｆＦｌで得た化合物と、ＩＲ，Ｎ
ＭＲおよびマスの各種機器データが完全に一致した。 実施例４ ＦＡ、）、（４Ｓ、６Ｓ）−６−（ｔ−ブチルジメチル
シリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオ
キシ）−２−［Ｉ−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
）−２−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）エチルコ
シクロヘキサノン［化合物！ｂの合成］ （４３，６Ｓ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ） −４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）−
２−［Ｉ−ヒドロキシ−２−（２−テトラヒドロピラニ
ルオキシ）エチルコシクロへキサノン８８０１ｇおよび
２．６−ルチジン１ｍｌを含む塩化メチレン２０腸１溶
液に氷冷撹拌下、ｔブチルジメチルシリルトリフルオロ
メタンスルホネート ０．３１１を滴下する。同温度に
て３０分間撹拌後、６０％塩酸、水にて洗浄後無水硫酸
ナトリウムにて乾煙する。溶媒を留去して得られる残漬
をシリカゲル力ラムグロマトグラフィー［シリカゲル：
２０ｇ、溶媒：ｎ−ヘキサン／酢酸エチｈエステル＝
１００／１（Ｖ／ｌ’）］に付し、（４Ｓ８５）−８−
（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチ
ルジフェニルシリルオキシ）−２−［Ｉ−（ｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシ）−２−（２−テトラヒドロピラ
ニルオキシ）エチル】シクロへキサノン９５０ｍｇ ［
収率９７％〕を得た。 ＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ （ＮａＣＩ）ｃｍ−’
： １７３ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ１４１δ −０，
１４，０，０，０５゜０．０７ｆ１２１１． ｅａｃｈ
ｓ）、 ０．８０（９１１，ｓｌ、 ０．８３（９１１
，ｓ）１．０５（９１１，５１，７，１５−７，８０（
１０＋１． ｍ）マススペクトルａｌｅ ： ６８３（
Ｈ”−５７）、 ６２４ ５９９ ５８１、５５１．５
０７．４６７ （Ｂ）、（４Ｓ、６Ｓ）−６−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキ
シ）−２−［Ｉ−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）
−２−（２−テトラヒド口ビラニルオキシ）エチル］−
１−ヒドロキシー１−トリメチルシリルメチル−シクロ
ヘキサン［化合物ＩＴ−ｂの合成］ 実施例４の（Ａ）で得た（４Ｓ、６Ｓ）−６−（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−４−（ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルオキシ）−２−［Ｉ−（ｔ−ブチルジメチル
シリルオキシ）−２−（２−テトラヒドロピラニルオキ
シ）エチルコシクロへキサノン９００１１ｇを含むエー
テル２０１溶液に氷玲撹拌下、トリメチルシリルメチル
マグネシウムクロリドの１モルエーテル溶液５ｍｌを滴
下する。 反応液は室温にて１３時間撹拌後飽和塩化アンモニウム
水溶液を加え水洗し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥する
。溶媒を留去して得られる残漬をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー［シリカゲル：２０ｇ、溶媒 ｎ−ヘキ
サン／酢酸エチルエステに＝ １００／ １（Ｖ／Ｖｌ
ｌ １ｍ付り、（４Ｓ、６Ｓ）−ａ−（ｔ−プチルジメ
チルシ１ノルオキシ）−４−い−ブチルジフエニルシ１
ノルオキシ）−２−［Ｉ−（ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシ）−２−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）エ
チル］−１−ヒドロキシー１−トリメチルシ１ノルメチ
ル−シクロヘキサン１ｇ［収率９４％］を（得た。 ＩＲスペクトル ｖｍａｘ （ＮａＣＩｌｃｍ−’ ：
３５５ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣＬ）δ： ０．０
５．０．０．１３＋２１１Ｉ、 ｅａｃｈｓｌ、 ０．
８６（９■、 ｓ）、 ０．９０（９１１，ｓ）、 １
．０５＋９１１ ｓ）、 ４．５０（Ｉｌｌ、 ｂｒ
ｓ）、 ７．１５〜？、８０（１０１１，ｍｌマススペ
クトルａｌｅ ： ７７１（Ｍ”−５７）、 ７５３．
７２５．７＋３ ６６９．６２５．５９５．５５５．５
３７．５１５（Ｃ）、（４Ｓ、８Ｓ）−４−（ｔ−ブチ
ルジフェニルシリルオキシ）−６−ヒドロキシ−２−（
１，２−ジヒドロキシエチル）−１−メチレンシクロヘ
キサン［化合物Ｖの合成］ 実施例４の（Ｂ）で得た（４Ｓ、６Ｓ）−６−（し−ブ
チルジメチルシリルオキシ） −４−（ｔ−ブチルジフ
ェニルシリルオキシ）−２−［Ｉ−（Ｌ−ブチルジメチ
ルシリルオキシ）−２−（２−テトラヒドロピラニルオ
キシ）エチル］−１−ヒドロキシー１−トリメチルシリ
ルメチル−シクロヘキサン１２０ｍ（Ｈを含む酢酸−水
（８０：２０）の混液２Ｉｌｌを撹拌下２時間加熱還流
する０反応液は酢酸エチルエステルにて希ｒＲ後、水、
飽和重炭酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて順次洗浄
後無水硫酸ナトリウムにて乾燥する。溶媒を留去して９
すられる残漬のメタノール１１溶液に、苛性カリの１モ
ルメタノール溶ｉ＆１ｍｌを加え室温にて１時間撹拌す
る。溶媒を留去して得られる残漬に水を加えた後酢酸エ
チルエステルにて抽出する。抽出液は水洗後無水硫酸ナ
トリウムにてｒＬ燥する。 溶媒を留去して得られる残ｊＱをシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー［シリカゲル＝１ｇ、溶媒ｎ−ヘキサン
／酢酸エチルエステル＝２／１（Ｖ／Ｖｌ］に付し、（
４Ｓ、６Ｓ）−４−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキ
シ）−６−ヒドロキシ−２（１，２−ジヒドロキシエチ
ル）−１−メチレンシクロヘキサン３ｏ麿ｇ［収率４９
％］を得た。 ＴＲスペクトλし ｖ ｗａｘ ｆｌｌａｃｌ）ｃｍ−
’ ＋ ３４０ＯＮＭＲスペクトルｆｃＤｃＩｓ）δ・
１．１０（９Ｂ、 ｓ）、 、４゜８８ｆｌｌｌ、
ｂｒｓ）、 ５．＋３（ＩＩＩ、 ｂｒｓ）、 ７．３
０〜？、９０（１０１１■） マススペクトル廁／ｅ ： ３６９（Ｎ”−５７１，３
５１，３３３，３２１、３０７，２９１ Ｎ）１．（３Ｓ、５Ｓ］ −５−（ｔ−ブチルジフェニ
ルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−メチレンシク
ロヘキサン−１−カルバルデヒド［化合物■の合成］ 実施例４のｆｃ）で得た（４３，６Ｓ）−４−（ｔ−ブ
チルジフェニルシリルオキシ）−６−ヒドロキシ−２−
（１，２−ジヒドロキシエチル）−１−メチレンシクロ
ヘキサン２０ｍｇを含むメタノール１ｍｌおよび水１滴
の溶液に、メタ遇ヨウ素酸ナトリウム１００ｍｇを加え
室温にて３０分間撹拌する０反応後反応液は塩化メチレ
ンにて希釈後水洗し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥する
。’ｆ８媒を留去して得られる［ｉをシリカゲルカラム
クロマトグラフィー［シリカゲル：１ｇ、溶媒：ｎ−ヘ
キサン／酢酸エチルエステル−１０／１ｆＶ／Ｖ）］に
付し、（３３，５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジフェニルシ
リルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−メチレンシクロヘ
キサン−１−カルバルデヒド１５ｍｇ［収率８１％〕を
得た。 ＩＲスペクトル ｖ ｗａｘ （ＮａＣ１）ｃｍ−’
： ３４５０．１７３ＯＮＭＲスペクトル（ＣＣ１，）
６ｉ ： １．０７（９１１，ｓ）、 ２．５０〜２
．８５ｆｌ１１． 腸）、 ３．８５〜４．３０（
２［Ｉ，園）、 ４．８３ＣＩＩＩｂｒｓ）、 ５
．２０（Ｉｌｌ、 ｂｒｓ）、 ７．２７〜７．８
７（１０１１，ｍｌ。 ９．８２（Ｉｎ、 ｂｒｓ） マススペクトルａｌｅ ： ３：＋７（Ｍ”−５７）、
３１９．３０９（Ｅ）、（３Ｓ、５Ｓ）−５−（ｔ−
ブチルジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２
−メチルシクロヘキセン−１−カルバルデヒド［化合物
■の合成］ 実施例４の（Ｄ）で得た（３Ｓ、５Ｓ）−５−（ｔ−ブ
チルジフェニルシリルオキシ）−３−ヒドロキシ−２−
メチレンシクロヘキサン−１−カルバルデヒド１０１ｇ
より、実施例〕の（Ｆ）と同様の操作を行ない、（３Ｓ
、５Ｓ）−５−（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）
−３−ヒドロキシ−２−メチルシクロヘキセン−１−カ
ルバルデヒド９ｍｇ［収率９０％］を得た０本化合物は
、実施例２の（Ｅ）で得た化合物と、ＩＲ，ＮＭＲおよ
びマスの各種機器データが完全に一致した。 （発明の効果）
Claims (3)
- （１）一般式［ I −ａ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［ I −ａ］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。Ｒ＾３は水酸基の
保護基を表わす。） で示されるシクロヘキサノン化合物より、 一般式［VIII］ ▲数式、化学式、表等があります▼［VIII］ （式中、Ｒ＾６はトリアルキルシリル基を表わし、Ｚは
マグネシウムクロリドまたはリチウム原子を表わす。） で示される化合物と反応させて、 一般式［II−ａ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［II−ａ］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。Ｒ＾５はトリアル
キルシリル基を表わす。） で示される化合物を得、次に酸触媒の存在下、２，２−
ジメトキシプロパンと反応させて、 一般式［III］ ▲数式、化学式、表等があります▼［III］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。Ｒ＾６はトリアル
キルシリル基を表わす。） で示される化合物を得る。続いて塩基を用いて反応させ
て、一般式［IV］ ▲数式、化学式、表等があります▼［IV］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。） で示される化合物を得る、更に鉱酸または有機酸を用い
て反応させて、一般式［Ｖ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［Ｖ］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。） で示される化合物を得る。そして過ヨウ素酸類を用いて
反応させて、一般式［VI］ ▲数式、化学式、表等があります▼［VI］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。） で示される化合物を得て、有機塩基を用いて反応させて
、一般式［VII］ ▲数式、化学式、表等があります▼［VII］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。） で示されるシクロヘキセン誘導体を得ることを特徴とす
るシクロヘキセン誘導体の製造方法。 - （２）一般式［ I −ａ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［ I −ａ］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす、Ｒ＾３は水酸基の
保護基を表わす。） で示されるシクロヘキサノン化合物より、 一般式［VIII］ ▲数式、化学式、表等があります▼［VIII］ （式中、Ｒ＾５はトリアルキルシリル基を表わし、Ｚは
マグネシウムクロリドまたはリチウム原子を表わす。） で示される化合物と反応させて、 一般式［II−ａ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［II−ａ］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。Ｒ＾５はトリアル
キルシリル基を表わす。） で示される化合物を得、次に酸触媒の存在下、２，２−
ジメトキシプロパンと反応させて、 一般式［III］ ▲数式、化学式、表等があります▼［III］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。Ｒ＾５はトリアル
キルシリル基を表わす。） で示される化合物を得る。続いて鉱酸または有機酸を用
いて反応させて、一般式［Ｖ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［Ｖ］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。） で示される化合物を得る。そして過ヨウ素酸類を用いて
反応させて、一般式［VI］ ▲数式、化学式、表等があります▼［VI］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。） で示される化合物を得て、有機塩基を用いて反応させて
、一般式［VII］ ▲数式、化学式、表等があります▼［VII］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。） で示されるシクロヘキセン誘導体を得ることを特徴とす
るシクロヘキセン誘導体の製造方法。 - （３）一般式［ I −ｂ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［ I −ｂ］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。Ｒ＾３およびＲ＾
４は同一または異なり、水酸基の保護基を表わす。） で示されるシクロヘキサノン化合物より、 一般式［VIII］ ▲数式、化学式、表等があります▼［VIII］ （式中、Ｒ＾６はトリアルキルシリル基を表わし、Ｚは
マグネシウムクロリドまたはリチウム原子を表わす。） で示される化合物と反応させて、 一般式［II−ｂ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［II−ｂ］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。Ｒ＾５およびＲ＾
４は同一または異なり、水酸基の保護基を表わす。Ｒ＾
５はトリアルキルシリル基を表わす。） で示される化合物を得る、次に鉱酸または有機酸を用い
て処理し、一般式［Ｖ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［Ｖ］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。） で示される化合物を得る、そして過ヨウ素酸類を用いて
反応させて、一般式［VI］ ▲数式、化学式、表等があります▼［VI］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。） で示される化合物を得て、有機塩基を用いて反応させて
、一般式［VII］ ▲数式、化学式、表等があります▼［VII］ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一または異なり、水素
原子または水酸基の保護基を表わす。） で示されるシクロヘキセン誘導体を得ることを特徴とす
るシクロヘキセン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2207645A JPH0491050A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | シクロヘキセン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2207645A JPH0491050A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | シクロヘキセン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0491050A true JPH0491050A (ja) | 1992-03-24 |
Family
ID=16543211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2207645A Pending JPH0491050A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | シクロヘキセン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0491050A (ja) |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP2207645A patent/JPH0491050A/ja active Pending
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