JPH0492867A - 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 - Google Patents
高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法Info
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- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 45
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 42
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- -1 rare earth aluminum oxide Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 34
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 12
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 5
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 3
- 239000001273 butane Substances 0.000 claims description 3
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 2
- 229930091371 Fructose Natural products 0.000 claims description 2
- 239000005715 Fructose Substances 0.000 claims description 2
- RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N Fructose Chemical compound OC[C@H]1O[C@](O)(CO)[C@@H](O)[C@@H]1O RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N 0.000 claims description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 claims description 2
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 claims description 2
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 claims description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 2
- 239000008103 glucose Substances 0.000 claims description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims description 2
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 claims description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 15
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N Butylbenzyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229960002380 dibutyl phthalate Drugs 0.000 description 3
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- QTYUSOHYEPOHLV-FNORWQNLSA-N 1,3-Octadiene Chemical compound CCCC\C=C\C=C QTYUSOHYEPOHLV-FNORWQNLSA-N 0.000 description 1
- RZRNAYUHWVFMIP-KTKRTIGZSA-N 1-oleoylglycerol Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCC(O)CO RZRNAYUHWVFMIP-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical class CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000872198 Serjania polyphylla Species 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIOOACNPATUQFW-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(dioxo)molybdenum Chemical compound [Ca+2].[O-][Mo]([O-])(=O)=O BIOOACNPATUQFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDMFQOCGNBYKPY-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(dioxo)tungsten Chemical compound [Ca+2].[O-][W]([O-])(=O)=O FDMFQOCGNBYKPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 235000021323 fish oil Nutrition 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004643 material aging Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000005078 molybdenum compound Substances 0.000 description 1
- 150000002752 molybdenum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- AJSTXXYNEIHPMD-UHFFFAOYSA-N triethyl borate Chemical compound CCOB(OCC)OCC AJSTXXYNEIHPMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
-
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- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
る電子材料等に使用されるセラミックス焼結体に関し、
特に高熱伝導性を有し、かつ着色を呈する窒化アルミニ
ウム焼結体およびその製造方法に関するものである。
、大規模集積回路装置(LSI)に関する技術の進歩は
目覚しく、特に集積度の向上は著しいものである。この
集積度の向上と、さらにICチップサイズの大型化に伴
って、ICチップが搭載されるパッケージ当たりの発熱
量が増大している。このため、半導体装置用パッケージ
等に用いられる基板材料の放熱性が重要視されるように
なってきた。また、従来、ICの基板として広く用いら
れてきたアルミナ焼結体の熱伝導率では、その放熱性が
十分でなく、ICチップの発熱量の増大に対応できなく
なりつつある。このアルミナ焼結体に代わるものとして
、高熱伝動性を有するベリリアが検討されているが、ベ
リリアは毒性が強く、その取り扱いが困難であるという
欠点を有する。
質的に高熱伝導性、高絶縁性を有し、毒性もないため、
半導体装置用の回路基板材料あるいはパッケージ材料と
して注目を集めている。
により、熱伝導性や電気絶縁性に優れたAIN焼結体を
得ることが広(行なわれている。
的には、光フィルタ等の用途に用いるのか好ましい。そ
の反面、パッケージ等の用途に用いるには、紫外線の透
過がICの誤動作を招くため、大きな問題となっている
。
々試みられており、その成功例について数例報告されて
いる。
いて、黒色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
が開示されている。これによれば、黒色を呈するAtN
焼結体の組成およびその製造方法が開示されており、A
tN粉末にタングステン酸カルシウム粉末および/また
はモリブデン酸カルシウム粉末とを特定量添加し、混合
成形した後、非酸化性雰囲気中において焼成することに
より、黒色AtN焼結体が得られることが記述されてい
る。
tN粉末と、金属モリブデンまたはモリブデン化合物を
添加剤として焼結することにより、黒色AtN焼結体が
得られることが記述されている。しかしながら、上記2
つの公報に開示された窒化アルミニウム焼結体の熱伝導
率は100W/m・K程度と低いものである。
高純度のAtN粉末を用いることにより、高熱伝導化が
追求されているのが一般的である。
添加することは、熱伝導率低下の要因となる。これによ
り、高熱伝導率を有する着色AtN焼結体を得ることは
できないという問題点があった。
る基板材料に対しては、ICチップの温度上昇に起因す
るICの誤動作を抑制・するために、基板の要求特性と
して放熱性を改善する観点から高熱伝導性が要求される
。これと同時に、紫外線透過に起因するICの誤動作を
抑制するために、基板の要求特性として着色化が要求さ
れる。ところが、上述のように、従来の技術によれば、
ICチップの基板材料に課せられた2つの要求特性を同
時に満足し得るセラミックス基板を提供することは困難
であった。
材料等の電子材料として有用であり、着色を呈するとと
もに熱伝導率に優れた窒化アルミニウム焼結体およびそ
の製造方法を提供することである。
者達は、上記の事情に鑑み、高熱伝導性と着色の相反関
係にある2つの特性を同時に具備するAtN焼結体につ
いて鋭意検討を行なった結果、以下の3点を見出した。
化に対して有効であること。
および周期律表IVB、VB、VIB族元素の化合物を
それぞれ特定組成量添加して焼成すると、得られるAt
N焼結体は、常温での熱伝導率が100W/m・K以上
270W/m −K以下の高い値を示し、同時にその焼
結体が着色を呈すること。
化物である希土類アルミニウム酸化物と、周期律表IV
B、VB、VIB族元素の化合物とを焼結体中に所定の
組成量含有させるとともに、特定量の炭素が含まれてい
る場合には、常温の熱伝導率が100W/m・K以上2
70W/m −K以下の高い値を示し、同時にその焼結
体が着色を呈すること。
組成とは、AtNを100重量部、炭素を0.005重
量部以上0,5重量部以下、硼素化合物を硼素単体に換
算して1重量部以下、希土類アルミニウム酸化物を希土
類元素単体に換算して0.01重量部以上15重量部以
下、および周期律表IVB、VB、VIB族元素を含む
化合物からなる群より選ばれた少なくとも1種をその元
素単体に換算して0.01重量部以上15重量部以下含
有することである。ここで、周期律表rVBVB族元素
、Ti、Zr、)4fをいう。周期律表VB族元素とは
、VSNbSTaをいう。周期律表■B族元素とは、C
r、Mo、Wをいう。
Er、Yb5Luを挙げることができる。希土類アルミ
ニウム酸化物は、添加した希土類元素酸化物と、ALN
中に不純物として存在するアルミニウム酸化物との化学
反応により生成され、焼結体中に存在するものである。
、耐薬品性を初めとする信頼性に優れた焼結体を得るた
めには、5cSYSLa、Ceのいずれかの希土類元素
を添加することが好ましい。
ニウム100重量部に対して、0.005重量部以上0
.5重量部以下の範囲内に限定される。この範囲の下限
値より少ない炭素含有量であると、高い熱伝導率を有す
る焼結体を得ることができなくなるからである。逆に、
この範囲の上限値を超えた炭素含有量であると、炭素が
焼成時において希土類アルミニウム酸化物の液相を還元
するため、液相を介した物質の移動が阻害され、結果的
に緻密な焼結体を得ることができないためである。
せ、同時に周期律表IVB、VB、VIB族元素化合物
粒子を微細に分散させることにより、熱伝導性に優れか
つ着色を呈するALN焼結体が得られることが判明した
。この効果は、AtN結晶粒の平均粒径が1.0μm以
上のときに顕著であり、2〜15μmの範囲内にあると
きに一層顕著である。AtN結晶粒の平均粒径が15μ
mを越えるようになると、熱伝導性の向上があまりなく
、着色の低下が生じる。また、周期律表■B1VB、V
IB族元素化合物粒子の平均粒径に対するALN結晶粒
径の比(AtN粒子/周期律表IVB、VB、VIB族
元素化合物粒子)が小さいと、熱伝導性に劣り、着色も
不十分であるため、2.0以上であることが好ましい。
ミニウム焼結体の製造方法によれば、まず、100重量
部の窒化アルミニウムに、炭素を0.01重量部以上5
重量部以下、酸化硼素を硼素単体に換算して1重量部以
下、希土類元素酸化物を希土類元素単体に換算して0.
01重量部以上15重量部以下、および周期律表rVB
、VB。
選ばれた少なくとも1種をその元素単体に換算して0.
01重量部以上15重量部以下添加することにより混合
物が得られる。この混合物を所定の形状に成形して成形
体を得る。この成形体を、窒素を10体積%以上含有す
る非酸化性の雰囲気中において1500℃以上2100
℃以下の温度で焼成する。
原料粉末中の酸素量や焼成条件等も含めて総合的に決定
される。100重量部の窒化アルミニウムに対して炭素
を0.01重量部以上5重量部以下としたのは、上述の
理由と同様である。なお、添加炭素量の下限を0.01
重量部とするのは、最終的に得られる窒化アルミニウム
焼結体中に存在する炭素量を0.005重量部以上にす
るためである。
ークス、グラファイト粉末、ダイヤモンド粉末等を挙げ
ることができる。また、窒化アルミニウム未焼結体中に
均一に分散させること等を目的として、特定粒度、特定
比表面積、特定PH。
い。特に、200m2/g以上のBET値を有する微粉
のカーボンブラックを用いることは効果的である。ここ
で、BET値とは、吸着法によって測定された比表面積
の1つの値をいう。
は、焼結体の緻密化速度が遅く、経済性の低下を招くた
めである。また、焼成温度が2100℃を超えると、窒
化アルミニウムの分解・蒸発が顕著になるため緻密な焼
結体を得ることが困難になるからである。希土類アルミ
ニウム酸化物は、希土類元素酸化物と酸化アルミニウム
との反応により生成する。この希土類アルミニウム酸化
物の液相を介した物質移動により、AtNの粒成長が進
行する。そのため、この液相の発生温度、すなわち希土
類アルミニウム酸化物の融点が2100℃以上であると
、AINが分解・蒸発することにより、緻密な焼結体を
得ることは困難である。
化のメカニズムは以下のように考えられる。従来の方法
のように、周期律表4B、VB。
場合、希土類アルミニウム酸化物の液相の窒化アルミニ
ウム粒子に対する濡れ性が悪い。また、周期律表IVH
SVB、VIB族元素の化合物は、AtN粒子に対して
濡れ性が悪いため、焼結体の粒界部分に存在し、焼結体
の着色化に寄与する。それと同時に、その一部は酸素を
伴ってAtN粒子内に固溶する。さらに、これらの元素
化合物が酸素を伴ってAtN粒子内に固溶し、かつ希土
類アルミニウム酸化物の液相に対するAtN粒子の濡れ
性か悪い場合には、AtN粒子から酸素を希土類アルミ
ニウム酸化物の液相にトラップすることは困難である。
粒子内に固溶し、AIの酸窒化物(AI(v3+’/a
) 0a−x Nx ) 、スピネル(AI903N7
)、α−A1203等を生成し、たとえ焼結体が緻密で
あっても熱伝導率を大幅に低下させることが知られてい
る。
溶する際に伴われて同時にAtN粒子に固溶される酸素
を還元し、系外に除去する役割を炭素が有することが本
願発明者達によって明らかとなった。さらに驚くことに
、周期律表rVB、VB。
相の濡れ性が損われず、酸素のトラップが十分に行なわ
れるため、高熱伝導性の焼結体が得られる。これと同時
に、焼結体中に炭素が存在すると、その炭素は、焼結体
中を透過する可視光線を散乱し、焼結体の着色化に対し
ても有効である。
を添加することによってこの着色化の効果が失われるこ
とがないので、高熱伝導性でかつ着色の焼結体が得られ
るものと考えられる。
化のメカニズムは、以下のとおりである。
B、VIB族元素の化合物と反応し、周期律表IVB、
VB、VIB族元素の硼化物や硼酸化物等を生成する。
硼酸化物のバンドギャップは小さく、可視光領域にて光
吸収を起こす。そのため、これらの物質がAIN焼結体
中に存在すると、得られる焼結体は着色を呈するものと
考えられる。
は加水分解等により酸化硼素を生じさせる化合物、たと
えば硼酸やトリエトキシボロン等の硼酸エステルを用い
ることができる。いずれを用いても、その添加効果に変
わりはない。さらに、その化合物の粒径が小さいほどA
IN焼結体の着色化に対して有効である。特に、0.0
5〜1μm程度の粒径を有するものが好ましく使用され
る。
れより多いと焼成時に酸化硼素の揮発が顕著となり、焼
結体の緻密化を阻害し、熱伝導率の低下を招くためであ
る。
、酸化物、炭化物、窒化物のほか、焼成により上記化合
物を生じさせる化合物、たとえば周期律表IVB、VB
、VIB族元素の硝酸塩、蓚酸塩等の無機化合物やアル
コキシド等の有機金属化合物を用いてもその効果に変わ
りはない。さらにその化合物の粒径は小さいほど着色化
に対して有効である。特に0.05〜1μm程度の粒径
を有するものが好ましく使用される。この化合物の粒径
は、使用されるAtN粉末の粒径の20倍程度までであ
れば問題なく使用され得る。
アルミニウム焼結体の製造方法によれば、まず、100
重量部の窒化アルミニウムに、炭素を遊離する化合物を
遊離炭素量に換算して0.01重量部以上5重量部以下
、酸化硼素を硼素単体に換算して1重量部以下、希土類
元素酸化物を希土類元素単体に換算して0.01重量部
以上15重量部以下、および周期律表IVB、VB、V
IB族元素の酸化物、炭化物、窒化物からなる群より選
ばれた少なくとも1種をその元素単体に換算して0.0
1重量部以上15重量部以下添加して混合物を得る。こ
の混合物を所定の形状に成形し、成形体を得る。この成
形体を非酸化性の雰囲気中において150℃以上150
0℃以下の温度で加熱して炭素を遊離させる。その後、
その成形体を、窒素を10体積%以上含有する非酸化性
雰囲気中において1500℃以上2100℃以下の温度
で焼成する。
化合物を初めとする有機化合物やスチレン樹脂、アクリ
ル樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂を初めとする高
分子化合物等を挙げることができる。本発明においては
、ポリアクリルニトリル、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルブチラール、ポリエチレンテレフタレート、グル
コース、フルクトースおよびサッカロースのいずれか1
種もしくはその混合物を用いるのが好ましい。
中に炭素を含有させるのに対して、炭素を遊離する化合
物を含有させる点にその特徴がある。この第2の製造方
法によれば、未焼結体中に均一に分散させる炭素を遊離
する化合物を適宜選択することにより、得られる焼結体
中の炭素の分布を均一にし、焼結体の組成、色調等のむ
らを少なくすることができる。
色窒化アルミニウム焼結体の第3の製造方法によれば、
100重量部の窒化アルミニウムに、酸化硼素を硼素単
体に換算して1重量部以下、希土類元素酸化物を希土類
元素単体に換算して0゜01重量部以上15重量部以下
、および周期律表IVB、VB、VIB族元素の酸化物
、炭化物、窒化物からなる群より選ばれた少なくとも1
種をその元素単体に換算して0.01重量部以上、15
重量部以下添加して混合物を得る。この混合物を所定の
形状に成形し、成形体を得る。この成形体を、炭化水素
ガスを10体積%以上90体積%以下含み、かつ窒素を
10体積%以上含む非酸化性の雰囲気中において150
0℃以上2100℃以下の温度で焼成する。
目的で導入されるものである。そのため、炭素を含む還
元性ガスであればその効果に変わりはないが、本発明で
はメタンガス、エチレンガス、アセチレンガス、プロパ
ンガス、ブタンガスのいずれかを用いるのが好ましい。
その成形体に炭素もしくは炭素を遊離する化合物を添加
することにより、周期律表IVB。
溶する際に伴なう酸素を炭素との面相反応により系外に
除去する。これに対し、この第3の製造方法においては
、周期律表IVB、VB、VIB族元素の化合物の一部
がAtN粒子内に固溶する際に伴う酸素を炭化水素ガス
との気相反応により系外に除去することにその特徴があ
る。これらの炭化水素ガスは、炭素や化合物より遊離し
た炭素に比べて反応性が高く、周期律表IVB、VB、
VIB族元素の化合物の一部がAtN粒子内に固溶する
際に伴う酸素を効率良く短時間に還元し、系外に除去す
る。このため、比較的短い焼成パターンを用いた場合に
おいても、高い熱伝導率を有する着色窒化アルミニウム
焼結体を得ることができる。
炭素を遊離する化合物の分散状態によっては、焼結体の
組成、色調等にむらが生じる場合があるのに対し、この
第3の製造方法によればそのむらが生じる場合が極めて
少ない。
重量部以上15重量部以下添加して、得られる窒化アル
ミニウム焼結体中に希土類アルミニウム酸化物を希土類
元素単体に換算して同一範囲内で含有させるのは、以下
の理由による。この範囲の下限値より少ないと、複合酸
化物としての希土類アルミニウム酸化物の液相の絶対量
が不十分であるため、緻密な焼結体を得ることができな
いためである。逆にこの範囲の上限値より多いと、過剰
な液相が焼結体表面にしみ出すため、得られる焼結体の
色調が斑点状等の不安定なものとなるなどの問題が生じ
るからである。
、窒化物からなる群より選ばれた少なくとも1種を希土
類元素単体に換算して0.01重量部以上15重量部以
下添加し、得られる窒化アルミニウム焼結体中に同一範
囲内でその元素を含む化合物を含有させるのは以下の理
由による。この範囲の下限値より少ないと、得られる焼
結体の着色が不十分であるからである。逆に、この範囲
の上限値より多いと、複合酸化物としての希土類アルミ
ニウム酸化物の液相にこれらの元素の化合物が溶は込み
、AtN粒子に対する濡れ性を著しく阻害するため緻密
な焼結体を得ることができないからである。
化アルミニウムに添加するだけで十分であるが、未焼結
体の成形性を向上させるため、PVA5PVB、PMM
Aを初めとするアクリル樹脂、パラフィン等の公知のバ
インダを用いることも可能である。また、機械加工性等
の緒特性の向上のために、六方晶BNをAtN100重
量部に対し、最大50重量部含んでもよい。
おいて所定の組成からなる混合物を成形する工程は、ド
クターブレード法、プレス成形法、CIP (Cold
1sostatic pressing)成形法
等のいずれの成形方法を採用してもよい。
ム焼結体は、従来より問題のあった熱伝導性と着色とに
ついて相反する要求を同時に解決したものである。この
窒化アルミニウム焼結体からなる基板の上にICチップ
を搭載すると、ICチップの発熱による温度上昇と外部
からの紫外線の透過を抑制することができる。その結果
、ICの誤動作を低減させることができる。なお、基板
の形態としては、従来より広く知られているDIP(D
ual−in−1ine package)、LCC
(leadless chip carr i e
r) 、フラットパッケージ、PGA (p in
grid array)、サークワットパッケージ
、ハイブリッドパッケージ、マザーボード等を用いるこ
とができる。これらのいずれの形態においても基板の高
熱伝導性かつ着色という特性が損われることはない。さ
らに、これらの形態で基板材料として本発明の窒化アル
ミニウム焼結体を用いる場合、タングステン等により構
成される導体層やガラスにより構成される封着層、ある
いは薄膜回路を備えるのが一般的である。この発明の窒
化アルミニウム焼結体を用いて基板を構成しても、導体
層、封着層、薄膜回路のもたらす効果が損われることは
ない。
ET値が500m2/gのカーボンブラック1重量部、
B2O3を硼素単体に換算して0゜5重量部、酸化イツ
トリウムをイツトリウム単体に換算して1重量部、酸化
チタンをチタン単体に換算して1重量部添加した。この
粉末に結合剤と可塑剤と解膠剤と溶剤と湿潤剤と静電防
止剤とを加えた後、ボールミルによって混合した。可塑
剤としては、ジブチルフタレート(D、B、P、’)、
ベンジルブチルフタレート(B、B、P、)の混合物が
用いられた。解膠剤としてはメンヘンデン魚油を用いた
。溶剤とてはトリクロロエチレン、エチルアルコール、
メチルエチルケトンの混合物が用いられた。湿潤剤とし
ては、モノオレイン酸グリセリンが用いられた。このよ
うにしてスラリーが作製された。このスラリーを脱泡し
、さらにドクターブレード法によりAtNのグリーンシ
ートを作製した。
において3時間焼成することにより、黒色を呈する焼結
体を得た。
法により測定を行なったところ、その熱伝導率は155
W/m・Kであった。
ウム含有量、チタン含有量を測定したところ、それぞれ
AtN100重量部に対して0゜03重量部、0.36
重量部、0.89重量部、0.83重量部であった。こ
のようにして得られた窒化アルミニウム焼結体を第1表
および第2表において試料番号1の試料とした。
クターブレード法によって成形体を作製し、1500〜
2100℃の範囲内の温度で焼成した。このようにして
得られた各焼結体の色調、熱伝導率、焼結体中の炭素含
有量、硼素含有量、イツトリウム含有量、周期律表TV
B、VB、VIB族元素の含有量(添加物含有量)は第
2表に示されている。
粒子の平均粒径を測定するため、AtN焼結体破面を走
査型電子顕微鏡にて観察を行った。
、その比(AtN粒子/Ti化合物粒子)は18であっ
た。
様の方法でドクターブレード法によって成形体を作製し
た後、1500〜2100℃の範囲内の温度で焼成した
。
体中の炭素含有量、硼素含有量、イツトリウム含有量、
周期律表IVB、VB、VIB族元素の含有量(添加物
含有量)は、第4表に示されている。
離する化合物としてポリビニルアルコールを所定量、B
2O3を硼素単体に換算して0゜5重量部、酸化イツト
リウムをイツトリウム単体に換算して1重量部、酸化チ
タンをチタン単体に換算して1重量部添加した。この粉
末に、結合剤、可塑剤、溶剤、湿潤剤をボールミルによ
り混合した。結合剤としては、エチレンビニルアセテー
ト(EVA)とポリプロピレン(P P)の混合物が用
いられた。可塑剤としては、ジブチルフタレー) (D
、 B、 P、 )ベンジルブチルフタレート(B
、 B、 P、 )の混合物が用いられた。溶剤と
してはブチルアルコールが用いられた。このようにして
得られたスラリーをスプレードライ乾燥により造粒した
後、1ton/cm2圧力下においてプレス成形した。
度で2時間熱処理することにより炭素を遊離させた。こ
のときの遊離炭素量は、AlN100重量部に対して0
.86重量部であった。その後、この成形体を窒素雰囲
気中において2000℃の温度で5時間焼成することに
より、黒色を呈する焼結体が得られた。
おける熱伝導率、焼結体中の炭素含有量、硼素含有量、
イツトリウム含有量、チタン含有量を測定した。その結
果、熱伝導率は16 QW/m・Kであり、各成分の含
有量は、それぞれAtN100重量部に対して0.03
重量部、0.43重量部、0.87重量部、0.86重
量部であった。このようにして得られた窒化アルミニウ
ムの焼結体は、第5表、第6表および第7表において試
料番号35として示されている。
、プレス成形法によって成形体を作製した。各成形体を
、第6表に示される条件に従って熱処理を行ない、炭素
を遊離させた。熱処理後のAtN100重量部に対する
炭素量は第6表に示されている。このように熱処理され
た各成形体は1500〜2100℃の範囲内の温度で焼
成された。
結体中の炭素含有量、硼素含有量、イツトリウ含有量、
周期律表IVB、VB、VIB族元素の含有量(添加物
含有量)は第7表に示されている。
トリウムをイツトリウム単体に換算して1重量部、酸化
チタンをチタン単体に換算して1重量部添加した。この
粉末に解膠剤としてオクタジエンを加えた後、メチルイ
ソブチルケトン中においてボールミルを用いて混合した
。このようにして得られたスラリーを230℃の温度に
おいて乾燥し、CIP成形法を用いて成形体を作製した
。
部がアンモニアガスである非酸化性雰囲気中において温
度1800℃で1時間焼成した。これにより黒色を呈す
る焼結体が得られた。
おける熱伝導率、焼結体中の炭素含有量、硼素含有量、
イツトリウム含有量、チタン含有量が測定された。その
結果、熱伝導率は155W/m・Kであり、各成分の含
有量は、それぞれAtN100重量部に対して0.02
重量部、0.36重量部、0.83重量部、0.87重
量部てあった。この窒化アルミニウム焼結体は、第8表
、第9表および第10表において試料番号59の試料と
して示されている。
い、CIP成形法によって成形体を作製した。各成形体
を第9表に示される組成を有する非酸化性雰囲気中にお
いて1500〜2100℃の範囲内の温度で焼成した。
結体中の炭素含有量、硼素含有量、イツトリウム含有量
、周期律表IVB、VB、VIB族元素の含有量(添加
物含有量)は第10表に示されている。
を20重量部、BET値が250m2/gのカーボンブ
ラックを1重量部、酸化スカンジウムをスカンジウムに
換算して1重量部、酸化チタンをチタン単体に換算して
1重量部添加した。
ボールミルにより混合した。結合剤とじては、エチレン
ビニルアセテート(EVA)とポリプロピレン(P P
)の混合物が用いられた。可塑剤としては、ジブチルフ
タレート(D、B、P、 )とベンジルブチルフタレー
ト(B、B、P、)の混合物が用いられた。溶剤として
はブチルアルコールが用いられた。このようにして得ら
れたスラリーをスプレードライ乾燥により造粒した後、
1ton/cm2の圧力でプレス成形した。この成形体
を窒素雰囲気中において1900℃の温度で2時間焼成
した。これにより黒色を呈する焼結体が得られた。
おける熱伝導率、焼結体中の炭素含有量、硼素含有量、
スカンジウム含有量、チタン含有量を測定した。その結
果、熱伝導率は130W/m・Kであり、各成分の含有
量はそれぞれ、AtN100重量部に対して0.03重
量部、0.38重量部、0.83重量部、0.82重量
部であった。この窒化アルミニウム焼結体は、第11表
および第12表において試料番号86の試料とじて示さ
れている。
む化合物としてルチル型結晶を有する酸化チタンを用い
、第11表に示される組成に従って配合を行ない、プレ
ス成形法によって成形体を作製した。各成形体を150
0〜2100℃の範囲内の温度で焼成した。
結体中の炭素含有量、硼素含有量、希土類元素含有量、
チタン含有量は第12表に示されている。
て酸化タングステンを用い、第13表に示される組成に
従って配合を行ない、実施例1と同様のドクターブレー
ド法によって成形体を作製した。
した。
結体中の炭素含有量、硼素含有量、希土類元素含有量、
タングステン含有量は第14表に示されている。
て酸化タングステンを用い、第15表に示される組成に
従って配合を行ない、実施例1と同様のドクターブレー
ド法によって成形体を作製した。
した。
体中の炭素含有量、硼素含有量、希土類元素含有量、タ
ングステン含有量は第16表に示されている。
率と色調とを比較すると、本発明に従った試料において
は100W/m・K以上の熱伝導率を示し、かつ灰色ま
たは黒色の着色を呈したのに対し、比較例の試料におい
ては、黒色の着色を呈したものでは100W/m・K未
満の熱伝導率を示し、100W/m−Kを超える熱伝導
率を示したものは白色または斑点状の着色しか得られな
かった。
れた熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体を得るこ
とができる。この発明の窒化アルミニウム焼結体は、I
Cパッケージ材料や基板材料等の電子材料として有用で
あり、この工業的価値は高いものである。
方法3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪市中央区北浜四丁目5番33号名 称
(213)住友電気工業株式会社想者 用上哲部 4、代理人 住 所 大阪市北区南森町2丁目1番29号 住友銀行
南森町ビル6、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 7、補正の内容 (1) 明細書第18頁第1行の「酸化硼素の添加量が
1重量部以下である」を「酸化硼素の添加量が硼素単体
換算で1重量部以下である」に補正する。
Claims (8)
- (1)窒化アルミニウムを100重量部、炭素を0.0
05重量部以上0.5重量部以下、硼素化合物を硼素単
体に換算して1重量部以下、希土類アルミニウム酸化物
を希土類元素単体に換算して0.01重量部以上15重
量部以下、および周期律表IVB、VB、VIB族元素を含
む化合物からなる群より選ばれた少なくとも1種をその
元素単体に換算して0.01重量部以上15重量部以下
、含み、その熱伝導率が常温において100W/m・K
以上270W/m・K以下である、高熱伝導性着色窒化
アルミニウム焼結体。 - (2)前記希土類元素は、スカンジウム、イットリウム
、ランタンおよびセリウムのいずれかである、請求項1
に記載の高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体。 - (3)窒化アルミニウム焼結体破面において、窒化アル
ミニウム結晶粒の平均粒径が2〜15μmであり、かつ
周期律表IVB、VB、VIB族元素化合物粒子の平均粒径
に対する比が2.0以上である、請求項1に記載の高熱
伝導性着色窒化アルミニウム焼結体。 - (4)100重量部の窒化アルミニウムに、炭素を0.
01重量部以上5重量部以下、酸化硼素を硼素単体に換
算して1重量部以下、希土類元素酸化物を希土類元素単
体に換算して0.01重量部以上15重量部以下、およ
び周期律表IVB、VB、VIB族元素の酸化物、炭化物、
窒化物からなる群より選ばれた少なくとも1種をその元
素単体に換算して0.01重量部以上15重量部以下、
添加し、混合物を得る工程と、 前記混合物を所定の形状に成形し、成形体を得る工程と
、 前記成形体を、窒素を10体積%以上含有する非酸化性
の雰囲気中において1500℃以上2100℃以下の温
度で焼成する工程とを備えた、高熱伝導性着色窒化アル
ミニウム焼結体の製造方法。 - (5)100重量部の窒化アルミニウムに、炭素を遊離
する化合物を遊離炭素量に換算して0.01重量部以上
5重量部以下、酸化硼素を硼素単体に換算して1重量部
以下、希土類元素酸化物を希土類元素単体に換算して0
.01重量部以上15重量部以下、および周期律表IVB
、VB、VIB族元素の酸化物、炭化物、窒化物からなる
群より選ばれた少なくとも1種をその元素単体に換算し
て0.01重量部以上15重量部以下、添加し、混合物
を得る工程と、 前記混合物を所定の形状に成形し、成形体を得る工程と
、 前記成形体を非酸化性の雰囲気中において150℃以上
1500℃以下の温度で炭素を遊離させる工程と、 前記成形体を、窒素を10体積%以上含有する非酸化性
の雰囲気において1500℃以上2100℃以下の温度
で焼成する工程とを備えた、高熱伝導性着色窒化アルミ
ニウム焼結体の製造方法。 - (6)前記炭素を遊離する化合物は、ポリアクリルニト
リル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、
ポリエチレンテレフタレート、グルコース、フルクトー
スおよびサッカロースからなる群より選ばれた少なくと
も1種である、請求項4に記載の高熱伝導性着色窒化ア
ルミニウム焼結体の製造方法。 - (7)100重量部の窒化アルミニウムに、酸化硼素を
硼素単体に換算して1重量部以下、希土類元素酸化物を
希土類元素単体に換算して0.01重量部以上15重量
部以下、および周期律表IVB、VB、VIB族元素の酸化
物、炭化物、窒化物からなる群より選ばれた少なくとも
1種をその元素単体に換算して0.01重量部以上15
重量部以下、添加し、混合物を得る工程と、 前記混合物を所定の形状に成形し、成形体を得る工程と
、 前記成形体を、炭化水素ガスを10体積%以上90体積
%以下含み、かつ窒素を10体積%以上含む非酸化性の
雰囲気中において1500℃以上2100℃以下の温度
で焼成する工程とを備えた、高熱伝導性着色窒化アルミ
ニウム焼結体の製造方法。 - (8)前記炭化水素ガスは、メタンガス、エチレンガス
、アセチレンガス、プロパンガスおよびブタンガスのい
ずれかである、請求項6に記載の高熱伝導性着色窒化ア
ルミニウム焼結体の製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2210022A JP2943275B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| TW080105652A TW235291B (ja) | 1990-08-07 | 1991-07-22 | |
| EP91112922A EP0470501B1 (en) | 1990-08-07 | 1991-07-31 | Thermal conductive colored aluminum nitride sintered body and method of preparing the same |
| US07/738,461 US5147832A (en) | 1990-08-07 | 1991-07-31 | Thermal conductive colored aluminum nitride sintered body and method of preparing the same |
| SG1996005746A SG43219A1 (en) | 1990-08-07 | 1991-07-31 | Thermal conductive colored aluminum nitride sintered body and method of preparing the same |
| DE69118613T DE69118613T2 (de) | 1990-08-07 | 1991-07-31 | Wärmeleitender gefärbter Aluminiumnitrid-Sinterkörper und Verfahren zu seiner Herstellung |
| KR1019910013553A KR940001660B1 (ko) | 1990-08-07 | 1991-08-06 | 고열전도성 착색 질화 알루미늄 소결체 및 그 제조방법 |
| CA002048498A CA2048498C (en) | 1990-08-07 | 1991-08-06 | Thermal conductive colored aluminum nitride sintered body and method of preparing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2210022A JP2943275B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492867A true JPH0492867A (ja) | 1992-03-25 |
| JP2943275B2 JP2943275B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=16582526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2210022A Expired - Lifetime JP2943275B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5147832A (ja) |
| EP (1) | EP0470501B1 (ja) |
| JP (1) | JP2943275B2 (ja) |
| KR (1) | KR940001660B1 (ja) |
| CA (1) | CA2048498C (ja) |
| DE (1) | DE69118613T2 (ja) |
| SG (1) | SG43219A1 (ja) |
| TW (1) | TW235291B (ja) |
Cited By (1)
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Families Citing this family (18)
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| JP2567491B2 (ja) * | 1990-04-17 | 1996-12-25 | 住友電気工業株式会社 | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
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1990
- 1990-08-07 JP JP2210022A patent/JP2943275B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-07-22 TW TW080105652A patent/TW235291B/zh not_active IP Right Cessation
- 1991-07-31 DE DE69118613T patent/DE69118613T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-31 US US07/738,461 patent/US5147832A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-31 SG SG1996005746A patent/SG43219A1/en unknown
- 1991-07-31 EP EP91112922A patent/EP0470501B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-06 KR KR1019910013553A patent/KR940001660B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-06 CA CA002048498A patent/CA2048498C/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69118613D1 (de) | 1996-05-15 |
| JP2943275B2 (ja) | 1999-08-30 |
| SG43219A1 (en) | 1997-10-17 |
| KR940001660B1 (ko) | 1994-02-28 |
| CA2048498A1 (en) | 1992-02-08 |
| DE69118613T2 (de) | 1996-11-21 |
| KR920004311A (ko) | 1992-03-27 |
| US5147832A (en) | 1992-09-15 |
| EP0470501A3 (en) | 1992-09-02 |
| EP0470501B1 (en) | 1996-04-10 |
| TW235291B (ja) | 1994-12-01 |
| EP0470501A2 (en) | 1992-02-12 |
| CA2048498C (en) | 1995-12-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080625 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090625 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090625 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110625 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110625 Year of fee payment: 12 |