JPH049376B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH049376B2 JPH049376B2 JP57037771A JP3777182A JPH049376B2 JP H049376 B2 JPH049376 B2 JP H049376B2 JP 57037771 A JP57037771 A JP 57037771A JP 3777182 A JP3777182 A JP 3777182A JP H049376 B2 JPH049376 B2 JP H049376B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor substrate
- etching
- mounting table
- mesa
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基体の腐食方法に関する。
高耐圧、大容量の半導体装置では、半導体基体
をメサ構造に加工して、特性の向上をはかつてい
る。従来、この種のメサ型半導体装置を製造する
過程でのメサエツチングは、予め、残すべき領域
の表面を二酸化シリコン膜や耐酸性ワツクスで被
覆したのち、その半導体基板を弗酸、硝酸、醋酸
の混液に浸漬し、同液を撹拌しながら、前記半導
体基板の露出面を食刻する方法によつて行われて
いた。しかしながら、この方法によつても、食刻
の深さは、前記混液の組成、温度、処理時間ある
いは撹拌の仕方などにより、かなりのばらつきが
見られる。とりわけ、大口径の半導体基板に多数
の単位素子を造り込み、これを碁盤割りに配した
細溝で区切つてメサエツチングを行う場合には、
その細溝の形状、寸法も加味すると、同細溝の深
さを一律に制御するのは甚だむつかしく、そのば
らつぎが半導体素子の特性のばらつきとなつて現
われ、耐圧、リーク電流特性の低下にもつながつ
てくる。
をメサ構造に加工して、特性の向上をはかつてい
る。従来、この種のメサ型半導体装置を製造する
過程でのメサエツチングは、予め、残すべき領域
の表面を二酸化シリコン膜や耐酸性ワツクスで被
覆したのち、その半導体基板を弗酸、硝酸、醋酸
の混液に浸漬し、同液を撹拌しながら、前記半導
体基板の露出面を食刻する方法によつて行われて
いた。しかしながら、この方法によつても、食刻
の深さは、前記混液の組成、温度、処理時間ある
いは撹拌の仕方などにより、かなりのばらつきが
見られる。とりわけ、大口径の半導体基板に多数
の単位素子を造り込み、これを碁盤割りに配した
細溝で区切つてメサエツチングを行う場合には、
その細溝の形状、寸法も加味すると、同細溝の深
さを一律に制御するのは甚だむつかしく、そのば
らつぎが半導体素子の特性のばらつきとなつて現
われ、耐圧、リーク電流特性の低下にもつながつ
てくる。
本発明は、上述のような半導体のエツチングに
おける問題点を解消する方法を提供するものであ
る。すなわち、本発明は、半導体載置台を偏中心
軸で左および右に交互に回動させるとともに、同
載置台を上下動させながら、この載置台上に支持
した上記半導体を腐食処理することを特徴とする
半導体の腐食方法であり、この方法によれば、従
来のように腐食液を撹拌機で撹拌しながらエツチ
ング処理するより、はるかに均一処理ができ、高
効率であることが確認された。
おける問題点を解消する方法を提供するものであ
る。すなわち、本発明は、半導体載置台を偏中心
軸で左および右に交互に回動させるとともに、同
載置台を上下動させながら、この載置台上に支持
した上記半導体を腐食処理することを特徴とする
半導体の腐食方法であり、この方法によれば、従
来のように腐食液を撹拌機で撹拌しながらエツチ
ング処理するより、はるかに均一処理ができ、高
効率であることが確認された。
以下、本発明を実施例により詳しくのべる。
第１図は実施例方法に用いた半導体エツチング
治具の概略図であり、半導体基板１をその腐食処
理面２が下向きになるように載置台３で支持して
置き、半導体基板１を同エツチング治具４内に多
段に配置したものである。この治具４はその中央
部、すなわち、円盤形半導体基板１の円中心部よ
り外れた位置に軸心をもつ回転軸体５を有してお
り、この軸体５を回動させることによつて、これ
に載置された前記半導体基板１もそお軸のまわり
を左右自在に回転する。したがつて、前記半導体
基板１は偏心して回動する。経験によると、この
偏心の程度は前記半導体基板１の直径を1/3〜1/4
等分した位置に回転軸が置かれるようにすると好
適であつた。
治具の概略図であり、半導体基板１をその腐食処
理面２が下向きになるように載置台３で支持して
置き、半導体基板１を同エツチング治具４内に多
段に配置したものである。この治具４はその中央
部、すなわち、円盤形半導体基板１の円中心部よ
り外れた位置に軸心をもつ回転軸体５を有してお
り、この軸体５を回動させることによつて、これ
に載置された前記半導体基板１もそお軸のまわり
を左右自在に回転する。したがつて、前記半導体
基板１は偏心して回動する。経験によると、この
偏心の程度は前記半導体基板１の直径を1/3〜1/4
等分した位置に回転軸が置かれるようにすると好
適であつた。
さらに、この治具４は前記回転軸体５を摺動さ
せることによつて、上下動も自在になるように形
成する。これによつて、前記回転軸体５を、外部
のモータ、カムなどの駆動機構と組合わせるか、
あるいは手動で、前記半導体基板１を左および右
に交互に回動させながら、併せて、上下動させる
ことができる。
せることによつて、上下動も自在になるように形
成する。これによつて、前記回転軸体５を、外部
のモータ、カムなどの駆動機構と組合わせるか、
あるいは手動で、前記半導体基板１を左および右
に交互に回動させながら、併せて、上下動させる
ことができる。
第２図は、前記エツチング治具を用いて半導体
のメサエツチを行つた際の管理分布図であり、メ
サエツチの深さ100μmを目標値としたときのばら
つきは、この実施例特性Ａが従来例特性Ｂにより
改善されていることが確認された。
のメサエツチを行つた際の管理分布図であり、メ
サエツチの深さ100μmを目標値としたときのばら
つきは、この実施例特性Ａが従来例特性Ｂにより
改善されていることが確認された。
以上に詳述したように、この発明の方法によれ
ば次のような作用効果が期待される。第１に、半
導体基板の被エツチ面を下面にして、同半導体基
板に左右交互の回転運動を上下運動とを同時に与
えることで、エツチング時の反応と同時に発生す
る気泡を確実に取り除き、その撹拌の効果が顕著
であり、これにより、メサエツチの深さのばらつ
きが減少する。第２に、半導体載置台を半導体基
板の中心より若干偏心させた位置を回転中心とし
て回転させることにより、腐食液の撹拌による液
流が複雑性を増して、離泡の効果が上がり、均一
エツチング作用の増進がはかられる。これらの作
用効果により、本発明によれば、メサ型半導体装
置の特性向上、たとえば、耐圧向上、リーク電流
の減少となり、製造歩留りの向上など、大きな利
点を有し、工業的利用価値大である。
ば次のような作用効果が期待される。第１に、半
導体基板の被エツチ面を下面にして、同半導体基
板に左右交互の回転運動を上下運動とを同時に与
えることで、エツチング時の反応と同時に発生す
る気泡を確実に取り除き、その撹拌の効果が顕著
であり、これにより、メサエツチの深さのばらつ
きが減少する。第２に、半導体載置台を半導体基
板の中心より若干偏心させた位置を回転中心とし
て回転させることにより、腐食液の撹拌による液
流が複雑性を増して、離泡の効果が上がり、均一
エツチング作用の増進がはかられる。これらの作
用効果により、本発明によれば、メサ型半導体装
置の特性向上、たとえば、耐圧向上、リーク電流
の減少となり、製造歩留りの向上など、大きな利
点を有し、工業的利用価値大である。
第１図は本発明の実施に用いる半導体エツチン
グ治具の要部概略図、第２図は本発明の実施効果
を示す特性図である。 １……半導体基板、２……半導体の腐食処理
面、３……載置台、４……エツチング治具、５…
…回転軸体。
グ治具の要部概略図、第２図は本発明の実施効果
を示す特性図である。 １……半導体基板、２……半導体の腐食処理
面、３……載置台、４……エツチング治具、５…
…回転軸体。
Claims (1)
- １ 半導体載置台を偏中心軸で左および右に交互
に回動させることにより、前記載置台を回転及び
上下動させながら、前記載置台上に支持した前記
半導体を腐食処理することを特徴とする半導体基
体の腐食方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037771A JPS58154234A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 半導体基体の腐食方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037771A JPS58154234A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 半導体基体の腐食方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154234A JPS58154234A (ja) | 1983-09-13 |
| JPH049376B2 true JPH049376B2 (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=12506727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57037771A Granted JPS58154234A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 半導体基体の腐食方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154234A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69106260T2 (de) * | 1990-07-31 | 1995-08-10 | Sharp Kk | Papierzufuhrvorrichtung. |
| JP2721059B2 (ja) * | 1991-11-06 | 1998-03-04 | 富士通テン株式会社 | テープ再生装置及びその方法 |
| JP4818133B2 (ja) | 2007-01-17 | 2011-11-16 | ニスカ株式会社 | 印刷装置 |
-
1982
- 1982-03-09 JP JP57037771A patent/JPS58154234A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58154234A (ja) | 1983-09-13 |
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