JPH0495243A - 光ディスク原盤の作成装置 - Google Patents
光ディスク原盤の作成装置Info
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- JPH0495243A JPH0495243A JP2211042A JP21104290A JPH0495243A JP H0495243 A JPH0495243 A JP H0495243A JP 2211042 A JP2211042 A JP 2211042A JP 21104290 A JP21104290 A JP 21104290A JP H0495243 A JPH0495243 A JP H0495243A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光ディスク原盤の作成装置に関すも従来の技術
光ディスク原盤は 表面を研磨したガラス等の基板にフ
ォトレジストを塗布し これを記録すべき情報信号によ
り強度変調したレーザー光を用いて感光させ、その感光
度に対応した信号ピットを形成して作成すも 情報信号の転送レートを高めるた取 二つの信号を同時
に記録し 再生することが行われていも二つの信号を同
時に記録するために レーザー装置を二台用いる力＼
若しくζよ −台のレーザー装置から出た光をハーフミ
ラ−で二つに分ける必要があム ニ台のレーザー装置を
用いると、二つのレーザー光の安定性に問題が生じたり
、維持管理に手間がかかるなどの問題があるの六 −台
のレーザー装置から出た光をハーフミラ−で二つに分け
る方法が用いられも 第３図はそのような従来の光ディ
スク原盤の作成装置の構成を、レーザー光の照射構成を
主にして示したものである。
ォトレジストを塗布し これを記録すべき情報信号によ
り強度変調したレーザー光を用いて感光させ、その感光
度に対応した信号ピットを形成して作成すも 情報信号の転送レートを高めるた取 二つの信号を同時
に記録し 再生することが行われていも二つの信号を同
時に記録するために レーザー装置を二台用いる力＼
若しくζよ −台のレーザー装置から出た光をハーフミ
ラ−で二つに分ける必要があム ニ台のレーザー装置を
用いると、二つのレーザー光の安定性に問題が生じたり
、維持管理に手間がかかるなどの問題があるの六 −台
のレーザー装置から出た光をハーフミラ−で二つに分け
る方法が用いられも 第３図はそのような従来の光ディ
スク原盤の作成装置の構成を、レーザー光の照射構成を
主にして示したものである。
第３図において、フォトレジストを塗布した基板１ ｔ
−１スピンドル２によって回転駆動されるとともへ −
軸移動台３によって基板１の半径方向に移送されも 記
録用レーザー装置４の発する記録用レーザー光は ミラ
ー５を経てハーフミラ−２１で二つに分けられた徴 そ
れぞれ電気光学効果等を利用した強度変調器８、８ａに
よって記録すべき信号に応じて強度変調を受ζす、互い
に焦点距離の異なる二枚のレンズを焦点を共有するよう
に配置したビームエキスパンダー９、９ａによってビー
ム径を拡大された抵 一方はミラーｌＯを経て偏光ビー
ムスプリッタ−１２で反射され もう一方はミラー１１
を経て１／２波長板２０で偏波面を９０度回転し 偏光
ビームスプリッタ−１２を透過すも 偏光ビームスプリ
ッタ−１２で両方の光を合成した抵 ダイクロイックミ
ラー１３、ミラー１４を経て、 レンズアクチュエータ
ー１５によって基板１に絞り込まれて照射されも制御用
レーザー装置１６による制御用レーザー光は焦点制御用
であり、偏光ビームスプリッタ−１７、１／４波長板１
８、ダイクロイックミラー１３、 ミラー１４を経て、
レンズアクチュエーター１５によって絞り込まれて基
板ｌに照射されもこの制御用レーザー光の基板ｌからの
反射光（戴ミラー１４、ダイクロイックミラー１３、１
／４波長板１８を経て偏光ビームスプリッタ−１７によ
って入射光と分けられて、焦点位置検出用受光素子１９
に導かれも 受光素子１９によって得られた信号を基に
してレンズアクチュエーター１１の駆動がなされ 記録
用レーザー光が基板１に常に焦点が合っているよう焦点
制御が行われも発明が解決しようとする課題 基盤に照射されるレーザー光の強度は レーザー光が二
つに分けられて以降透過若しくは反射するミラー等の光
学部品の特性に影響されもこのた八 基盤に照射される
レーザー強度をそれぞれのレーザー光で等しくするため
にζよ 光学部品の特性に応じてレーザー光を二つに分
ける際の強度比を調整する必要があａ しかし 従来例の光ディスク原盤の作成装置で（よ レ
ーザー光をハーフミラ−で二つの光に分けているたべ
それぞれのレーザー光の強度比はハーフミラ−を交換し
なければ変えることができなかっｔら また ハーフミラ−を交換すると、ハーフミラ−からレ
ンズアクチュエーターまでの光学部品を再び調整する必
要が生じも また ハーフミラ−の反射と透過の割合を
微妙に変化させることは困難であも 本発明ζ友 上記の欠点を排除した光ディスク原盤の作
成装置の供給を目的としたものであも課題を解決するた
めの手段 本発明は上記の目的を、記録用レーザー光の偏光状態を
変化させる手段と偏光ビームスプリッタ−を有し 前記
偏光ビームスプリッタ−で記録用レーザー光を二つに分
けることにより達成すも作用 本発明の装置で＆友 記録用レーザー光の偏光状態を変
化させて偏光ビームスプリッタ−の透過光量と反射光量
の割合を変化させることができもまた 記録用レーザー
光の偏光状態を変化させてＬ 偏光ビームスプリッタ−
からレンズアクチュエーターまでの光学部品を再び調整
する必要は生じなしも このた八 二つの記録レーザー光の光ディスク原盤での
強度を容易に調整することができ、また等しくすること
もできも 実施例 以下本発明を実施例によって詳細に説明する。
−１スピンドル２によって回転駆動されるとともへ −
軸移動台３によって基板１の半径方向に移送されも 記
録用レーザー装置４の発する記録用レーザー光は ミラ
ー５を経てハーフミラ−２１で二つに分けられた徴 そ
れぞれ電気光学効果等を利用した強度変調器８、８ａに
よって記録すべき信号に応じて強度変調を受ζす、互い
に焦点距離の異なる二枚のレンズを焦点を共有するよう
に配置したビームエキスパンダー９、９ａによってビー
ム径を拡大された抵 一方はミラーｌＯを経て偏光ビー
ムスプリッタ−１２で反射され もう一方はミラー１１
を経て１／２波長板２０で偏波面を９０度回転し 偏光
ビームスプリッタ−１２を透過すも 偏光ビームスプリ
ッタ−１２で両方の光を合成した抵 ダイクロイックミ
ラー１３、ミラー１４を経て、 レンズアクチュエータ
ー１５によって基板１に絞り込まれて照射されも制御用
レーザー装置１６による制御用レーザー光は焦点制御用
であり、偏光ビームスプリッタ−１７、１／４波長板１
８、ダイクロイックミラー１３、 ミラー１４を経て、
レンズアクチュエーター１５によって絞り込まれて基
板ｌに照射されもこの制御用レーザー光の基板ｌからの
反射光（戴ミラー１４、ダイクロイックミラー１３、１
／４波長板１８を経て偏光ビームスプリッタ−１７によ
って入射光と分けられて、焦点位置検出用受光素子１９
に導かれも 受光素子１９によって得られた信号を基に
してレンズアクチュエーター１１の駆動がなされ 記録
用レーザー光が基板１に常に焦点が合っているよう焦点
制御が行われも発明が解決しようとする課題 基盤に照射されるレーザー光の強度は レーザー光が二
つに分けられて以降透過若しくは反射するミラー等の光
学部品の特性に影響されもこのた八 基盤に照射される
レーザー強度をそれぞれのレーザー光で等しくするため
にζよ 光学部品の特性に応じてレーザー光を二つに分
ける際の強度比を調整する必要があａ しかし 従来例の光ディスク原盤の作成装置で（よ レ
ーザー光をハーフミラ−で二つの光に分けているたべ
それぞれのレーザー光の強度比はハーフミラ−を交換し
なければ変えることができなかっｔら また ハーフミラ−を交換すると、ハーフミラ−からレ
ンズアクチュエーターまでの光学部品を再び調整する必
要が生じも また ハーフミラ−の反射と透過の割合を
微妙に変化させることは困難であも 本発明ζ友 上記の欠点を排除した光ディスク原盤の作
成装置の供給を目的としたものであも課題を解決するた
めの手段 本発明は上記の目的を、記録用レーザー光の偏光状態を
変化させる手段と偏光ビームスプリッタ−を有し 前記
偏光ビームスプリッタ−で記録用レーザー光を二つに分
けることにより達成すも作用 本発明の装置で＆友 記録用レーザー光の偏光状態を変
化させて偏光ビームスプリッタ−の透過光量と反射光量
の割合を変化させることができもまた 記録用レーザー
光の偏光状態を変化させてＬ 偏光ビームスプリッタ−
からレンズアクチュエーターまでの光学部品を再び調整
する必要は生じなしも このた八 二つの記録レーザー光の光ディスク原盤での
強度を容易に調整することができ、また等しくすること
もできも 実施例 以下本発明を実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の光ディスク原盤作成装
置の構成図であム 記録用レーザー光の偏光状態を変化
させる手段として、記録用レーザー装置と偏光ビームス
プリッタ−との間に波長板を設けていも 同図（ｂ）Ｃ
Ｌ 基板１、 ミラー１４の近傍の正面図であム フォトレジストを塗布した基板１ζ友 スピンドル２に
よって回転駆動されるととも＆へ 一軸移動台３によっ
て基板ｌの半径方向に移送される。
置の構成図であム 記録用レーザー光の偏光状態を変化
させる手段として、記録用レーザー装置と偏光ビームス
プリッタ−との間に波長板を設けていも 同図（ｂ）Ｃ
Ｌ 基板１、 ミラー１４の近傍の正面図であム フォトレジストを塗布した基板１ζ友 スピンドル２に
よって回転駆動されるととも＆へ 一軸移動台３によっ
て基板ｌの半径方向に移送される。
記録用レーザー装置４の発する直線偏光した記録用レー
ザー光４Ｌ ミラー５を経て波長板６によって偏光状
態が変換され 偏光ビームスプリッタ−（以下ＰＢＳと
略記する）７によってＳ偏光成分は反射されＰ偏光成分
は透過されることにより二つの記録用レーザー光に分け
られも ＰＢＳ ７によって反射されたレーザービームは強度変
調器８によって記録すべき信号に応じて強度変調を受１
す、ビームエクスパンダ−９によってビーム径を拡大さ
れた＆ ＰＢＳ１２により反射され４ ＰＢＳ７を
透過したレーザービームはミラー１１を経て強度変調器
８ａによって記録すべき信号に応じて強度変調を受１す
、ビームエクスパンダー９ａによってビーム径を拡大さ
れた徽ＰＢＳ１２を透過すム 偏波面の９０度異なる二つのレーザービーム（よＰＢＳ
１２によって反射もしくは透過されることによって合成
されも 合成された記録用レーザー光（よ ダイクロイ
ックミラー１３、 ミラー１４を経て、 レンズアクチ
ュエーター１５によって基板１に絞り込まれも 一般番ζ ある面（ここではＰＢＳの反射面）の法線と
入射光の光軸とのなす面（入射面）に対して偏光方向が
平行な光をＰ偏光 入射面に対して偏光方向が垂直な光
をＳ偏光と称している。偏光状態として沫 直線偏光・
円偏光・楕円偏光があり、直線偏光の場合の偏波面の向
きゃ、楕円偏光の場合の楕円率を含んでいも 制御用レーザー装置を用いた焦点制御系は 第３図と同
じであん 焦点位置検出用受光素子１９８よ 例えばナ
イフェツジ法ではレンズと、 レンズの焦点面との間の
ナイフェツジと二分割した光検出器を念仏 非点収差法
では円筒レンズと四分割した光検出器を含ａ 本発明の
説明では このような焦点制御が可能な光検出器を一括
して焦点位置検出用受光素子として称していも 記録用レーザー装置としては 例えばアルゴンレーザー
が用いられる力交 クリプトンレーザー・エキシマレー
ザ−等フォトレジストが感度を有する波長を発生させる
レーザー装置であれば良１．％制御用レーザー装置とし
てζよ 例えばヘリウムネオンレーザ−が用いられる戟
半導体レーザー等フォトレジストが感度を有さない波
長を発生させるレーザー装置であれば良（〜 波長板としては 例えば用いる波長に応じて厚みを決め
た水晶の板が用いられも 水晶の結晶軸（２軸）と入射光の偏波面との角度や水晶
板の厚さや入射光の波長によって、直線偏光がそのまま
透過されたり、円偏光に変換されたり、楕円偏光に変換
されたり、また 偏波面が９０度回転した直線偏光に変
換されたりすもＰ偏光またはＳ偏光の場合にζ友 ＰＢ
Ｓによって１００％透過したり、 １００％反射したり
す４円偏光に変換された場合４１ Ｐ偏光成分とＳ偏
光成分の強さが等しいのｎ ＰＢＳ７によって同じ強
さの二つの光に分けられも 楕円偏光に変換された場合４１ Ｐ偏光成分とＳ偏光
成分の強さが異なるのｎ ＰＢＳ７によって強さの異
なった二つの光に分けられも つまり、水晶の結晶軸（２軸）と入射光の偏波面との角
度を変えることによって、分けられた二つのビームの強
度比を変化させることができム波長板として１７２波長
板を用いると、二つのレーザービームの強度比を０：１
００から１００：０まで任意の割合に変化させることが
できａ本実施例で（友 波長板６を入射光の光軸に対し
て回転させることにより二つのレーザービームの強度比
を変化させも このた敷 二つのレーザービームの強度比を容易に変化
させることができも また 二つのレーザービームの強
度比を変化させてもレーザー光の光軸を変えないので、
ＰＢＳ７からレンズアクチュエーター１５までの光学部
品を調整しなおす必要も生じな（一 基板に二つの情報信号を記録する場合、二つの情報信号
の信号品質を等しくする必要があム このた数 記録用
レーザー光の強度を基板上で等しくする必要があも しかＬ ＰＢＳ７からＰＢＳ１２までの光学部品の特
性のばらつき！、ＰＢＳ１２からレンズアクチュエータ
ー１５までの光学部品の入射光の偏波面による特性の違
いなどによって、同じ強さの二つのビームに分けても基
板上に照射されるときの強度は異なってしまうことが多
（を 本実施例で（よ 波長板を調整するだけで二つのビーム
の強度比を変えられるので、基板上の記録用レーザー光
の強度を精確に等しくすることができも また 必要に
応じて任意の強度比にすることもできも 次に 本発明の第２の実施例について第２図を用いて説
明すも 本実施例においては 記録用レーザー光の偏光
状態を変化させる手段として、記録用レーザー装置をレ
ーザー光の光軸を中心として回転可能にして設けられて
いも 第２図に於ては 直線偏光したレーザー光を発する記録
用レーザー装置がレーザー光の光軸を中心として回転可
能となした戊 並びに波長板が設けられていない点以外
は 第１図と同じであるので、図の詳細な説明は省略す
も 記録用レーザー装置から発せられた記録用レーザー光の
偏波面は 記録用レーザー装置を回転させることによっ
て回転Ｌ ＰＢＳに対してＰ偏光からＳ偏光まで変化
させることができも記録用レーザー光の偏波面が紙面に
平行つまりＰ偏光の場合ｉ、ｔ、ＰＢＳ７で１００％透
過する。
ザー光４Ｌ ミラー５を経て波長板６によって偏光状
態が変換され 偏光ビームスプリッタ−（以下ＰＢＳと
略記する）７によってＳ偏光成分は反射されＰ偏光成分
は透過されることにより二つの記録用レーザー光に分け
られも ＰＢＳ ７によって反射されたレーザービームは強度変
調器８によって記録すべき信号に応じて強度変調を受１
す、ビームエクスパンダ−９によってビーム径を拡大さ
れた＆ ＰＢＳ１２により反射され４ ＰＢＳ７を
透過したレーザービームはミラー１１を経て強度変調器
８ａによって記録すべき信号に応じて強度変調を受１す
、ビームエクスパンダー９ａによってビーム径を拡大さ
れた徽ＰＢＳ１２を透過すム 偏波面の９０度異なる二つのレーザービーム（よＰＢＳ
１２によって反射もしくは透過されることによって合成
されも 合成された記録用レーザー光（よ ダイクロイ
ックミラー１３、 ミラー１４を経て、 レンズアクチ
ュエーター１５によって基板１に絞り込まれも 一般番ζ ある面（ここではＰＢＳの反射面）の法線と
入射光の光軸とのなす面（入射面）に対して偏光方向が
平行な光をＰ偏光 入射面に対して偏光方向が垂直な光
をＳ偏光と称している。偏光状態として沫 直線偏光・
円偏光・楕円偏光があり、直線偏光の場合の偏波面の向
きゃ、楕円偏光の場合の楕円率を含んでいも 制御用レーザー装置を用いた焦点制御系は 第３図と同
じであん 焦点位置検出用受光素子１９８よ 例えばナ
イフェツジ法ではレンズと、 レンズの焦点面との間の
ナイフェツジと二分割した光検出器を念仏 非点収差法
では円筒レンズと四分割した光検出器を含ａ 本発明の
説明では このような焦点制御が可能な光検出器を一括
して焦点位置検出用受光素子として称していも 記録用レーザー装置としては 例えばアルゴンレーザー
が用いられる力交 クリプトンレーザー・エキシマレー
ザ−等フォトレジストが感度を有する波長を発生させる
レーザー装置であれば良１．％制御用レーザー装置とし
てζよ 例えばヘリウムネオンレーザ−が用いられる戟
半導体レーザー等フォトレジストが感度を有さない波
長を発生させるレーザー装置であれば良（〜 波長板としては 例えば用いる波長に応じて厚みを決め
た水晶の板が用いられも 水晶の結晶軸（２軸）と入射光の偏波面との角度や水晶
板の厚さや入射光の波長によって、直線偏光がそのまま
透過されたり、円偏光に変換されたり、楕円偏光に変換
されたり、また 偏波面が９０度回転した直線偏光に変
換されたりすもＰ偏光またはＳ偏光の場合にζ友 ＰＢ
Ｓによって１００％透過したり、 １００％反射したり
す４円偏光に変換された場合４１ Ｐ偏光成分とＳ偏
光成分の強さが等しいのｎ ＰＢＳ７によって同じ強
さの二つの光に分けられも 楕円偏光に変換された場合４１ Ｐ偏光成分とＳ偏光
成分の強さが異なるのｎ ＰＢＳ７によって強さの異
なった二つの光に分けられも つまり、水晶の結晶軸（２軸）と入射光の偏波面との角
度を変えることによって、分けられた二つのビームの強
度比を変化させることができム波長板として１７２波長
板を用いると、二つのレーザービームの強度比を０：１
００から１００：０まで任意の割合に変化させることが
できａ本実施例で（友 波長板６を入射光の光軸に対し
て回転させることにより二つのレーザービームの強度比
を変化させも このた敷 二つのレーザービームの強度比を容易に変化
させることができも また 二つのレーザービームの強
度比を変化させてもレーザー光の光軸を変えないので、
ＰＢＳ７からレンズアクチュエーター１５までの光学部
品を調整しなおす必要も生じな（一 基板に二つの情報信号を記録する場合、二つの情報信号
の信号品質を等しくする必要があム このた数 記録用
レーザー光の強度を基板上で等しくする必要があも しかＬ ＰＢＳ７からＰＢＳ１２までの光学部品の特
性のばらつき！、ＰＢＳ１２からレンズアクチュエータ
ー１５までの光学部品の入射光の偏波面による特性の違
いなどによって、同じ強さの二つのビームに分けても基
板上に照射されるときの強度は異なってしまうことが多
（を 本実施例で（よ 波長板を調整するだけで二つのビーム
の強度比を変えられるので、基板上の記録用レーザー光
の強度を精確に等しくすることができも また 必要に
応じて任意の強度比にすることもできも 次に 本発明の第２の実施例について第２図を用いて説
明すも 本実施例においては 記録用レーザー光の偏光
状態を変化させる手段として、記録用レーザー装置をレ
ーザー光の光軸を中心として回転可能にして設けられて
いも 第２図に於ては 直線偏光したレーザー光を発する記録
用レーザー装置がレーザー光の光軸を中心として回転可
能となした戊 並びに波長板が設けられていない点以外
は 第１図と同じであるので、図の詳細な説明は省略す
も 記録用レーザー装置から発せられた記録用レーザー光の
偏波面は 記録用レーザー装置を回転させることによっ
て回転Ｌ ＰＢＳに対してＰ偏光からＳ偏光まで変化
させることができも記録用レーザー光の偏波面が紙面に
平行つまりＰ偏光の場合ｉ、ｔ、ＰＢＳ７で１００％透
過する。
記録用レーザー光の偏波面が紙面に垂直つまりＳ偏光の
場合１；１．、ＰＢＳ７で１００％反射すも記録用レー
ザー光の偏波面が紙面に対して傾いている場合＆上 偏
波面の傾きの度合に応じてＰＢＳ７の透過と反射の割合
が変化すも このように 記録用レーザー装置をレーザー光の光軸を
中心として回転させることによって、ＰＢＳ７で分けら
れる二つのレーザービームの強度比を容易に変化させる
ことができも また 二つのレーザービームの強度比を変化させてもレ
ーザー光の光軸を変えないの玄 ＰＢＳ７からレンズア
クチュエーター１５までの光学部品を調整しなおす必要
も生じな（〜 本実施例において杖 記録用レーザー装置をレーザー光
の光軸を中心として回転させるだけで二つのビームの強
度比を変えられるの六 基板上の記録用レーザー光の強
度を精確に等しくすることができも また 必要に応じ
て任意の強度比にすることもできも 予め基板上に溝が形成された基板に情報信号を記録する
場合は 溝に沿って信号を記録する必要がある力（ミラ
ー１４をトラッキングミラーに変え 焦点制御系にトラ
ッキング制御系を付加すれば記録できも トラッキング制御系ζよ 例えばプッシュプル法ではレ
ンズと二分割した光検出器を含へ 光検出器によって得
られた信号を基にしてトラッキングミラーの角度を変え
溝に常にトラッキングがかかつているようにトラッキン
グ制御が行われもトラッキング制御系を有する場合でｋ
本発明の光ディスク原盤の作成装置は基板上の記録用
レーザー光の強度を精確に等しくすることＬ 必要に応
じて任意の強度比にすることもできも発明の効果 本発明の装置Ｃヨ 記録用レーザー光の偏光状態を変
化させる手段と偏光ビームスプリッタ−を有し 前記偏
光ビームスプリッタ−で記録用レーザ−光を二つに分け
ることにより、記録用レーザー光の偏光状態を変化させ
て偏光ビームスプリ・ツタ−の透過光量と反射光量の割
合を変化させることができも また 記録用レーザー光の偏光状態を変化させて舷 偏
光ビームスプリッタ−からレンズアクチュエーターまで
の光学部品を再び調整する必要は生じなｔ〜 このた数
二つの記録レーザー光の光ディスク原盤での強度を容
易に等しくすることができ、保守が容易で信頼性の高い
光ディスク原盤の作成装置が得られも
場合１；１．、ＰＢＳ７で１００％反射すも記録用レー
ザー光の偏波面が紙面に対して傾いている場合＆上 偏
波面の傾きの度合に応じてＰＢＳ７の透過と反射の割合
が変化すも このように 記録用レーザー装置をレーザー光の光軸を
中心として回転させることによって、ＰＢＳ７で分けら
れる二つのレーザービームの強度比を容易に変化させる
ことができも また 二つのレーザービームの強度比を変化させてもレ
ーザー光の光軸を変えないの玄 ＰＢＳ７からレンズア
クチュエーター１５までの光学部品を調整しなおす必要
も生じな（〜 本実施例において杖 記録用レーザー装置をレーザー光
の光軸を中心として回転させるだけで二つのビームの強
度比を変えられるの六 基板上の記録用レーザー光の強
度を精確に等しくすることができも また 必要に応じ
て任意の強度比にすることもできも 予め基板上に溝が形成された基板に情報信号を記録する
場合は 溝に沿って信号を記録する必要がある力（ミラ
ー１４をトラッキングミラーに変え 焦点制御系にトラ
ッキング制御系を付加すれば記録できも トラッキング制御系ζよ 例えばプッシュプル法ではレ
ンズと二分割した光検出器を含へ 光検出器によって得
られた信号を基にしてトラッキングミラーの角度を変え
溝に常にトラッキングがかかつているようにトラッキン
グ制御が行われもトラッキング制御系を有する場合でｋ
本発明の光ディスク原盤の作成装置は基板上の記録用
レーザー光の強度を精確に等しくすることＬ 必要に応
じて任意の強度比にすることもできも発明の効果 本発明の装置Ｃヨ 記録用レーザー光の偏光状態を変
化させる手段と偏光ビームスプリッタ−を有し 前記偏
光ビームスプリッタ−で記録用レーザ−光を二つに分け
ることにより、記録用レーザー光の偏光状態を変化させ
て偏光ビームスプリ・ツタ−の透過光量と反射光量の割
合を変化させることができも また 記録用レーザー光の偏光状態を変化させて舷 偏
光ビームスプリッタ−からレンズアクチュエーターまで
の光学部品を再び調整する必要は生じなｔ〜 このた数
二つの記録レーザー光の光ディスク原盤での強度を容
易に等しくすることができ、保守が容易で信頼性の高い
光ディスク原盤の作成装置が得られも
第１医 第２図は本発明の光ディスク原盤の作成装置の
第１、第２の実施例の構成図 第３図は光ディスク原盤
の作成装置の従来例の構成図であム ト・・基Ｋ ４・・・記録用レーザ装置 ６・・・波長
板７・・・偏光ビームスプリッタ−０ 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 図 （ａ−） （ｂ） Ｓミラ
第１、第２の実施例の構成図 第３図は光ディスク原盤
の作成装置の従来例の構成図であム ト・・基Ｋ ４・・・記録用レーザ装置 ６・・・波長
板７・・・偏光ビームスプリッタ−０ 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 図 （ａ−） （ｂ） Ｓミラ
Claims (5)
- （１）フォトレジストを塗布した光ディスク基板に記録
信号により強度変調したレーザー光を照射する工程を有
する、記録信号を記録した光ディスク原盤の作成装置で
あって、記録用レーザー光の偏光状態を変化させる手段
と偏光ビームスプリッターを有し、前記偏光ビームスプ
リッターで記録用レーザー光を二つに分けることを特徴
とする光ディスク原盤の作成装置。 - （２）フォトレジストを塗布した光ディスク基板に記録
信号により強度変調したレーザー光を照射する工程を有
する、記録信号を記録した光ディスク原盤の作成装置で
あって、直線偏光したレーザー光を波長板を用いて偏光
状態を変化させた後偏光ビームスプリッターで偏波面が
９０度異なる二つの記録レーザー光に分けることを特徴
とする光ディスク原盤の作成装置 - （３）波長板として１／２波長板を用いることを特徴と
する請求項（２）記載の光ディスク原盤の作成装置 - （４）波長板を調整し楕円偏光の楕円度を変えて偏光ビ
ームスプリッターの透過光量と反射光量の割合を変化さ
せることにより、二つの記録レーザー光の光ディスク原
盤上での強度を等しくなすことを特徴とする請求項（２
）もしくは（３）記載の光ディスク原盤の作成装置 - （５）フォトレジストを塗布した光ディスク基板に、記
録信号により強度変調したレーザー光を照射する工程を
有する、記録信号を記録した光ディスク原盤の作成装置
であって、直線偏光した記録用レーザー光を発生させる
レーザー装置を記録用レーザー光の光軸を中心として回
転可能にし、前記記録用レーザー光を偏光ビームスプリ
ッターで偏波面が９０度異なる二つの記録用レーザー光
に分けることを特徴とする光ディスク原盤の作成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211042A JPH0495243A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 光ディスク原盤の作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211042A JPH0495243A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 光ディスク原盤の作成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0495243A true JPH0495243A (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16599415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2211042A Pending JPH0495243A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 光ディスク原盤の作成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0495243A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2019333A1 (en) * | 2007-07-25 | 2009-01-28 | Singulus Mastering B.V. | Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03122844A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Nec Corp | 光ディスク原盤露光方法 |
-
1990
- 1990-08-08 JP JP2211042A patent/JPH0495243A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03122844A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Nec Corp | 光ディスク原盤露光方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2019333A1 (en) * | 2007-07-25 | 2009-01-28 | Singulus Mastering B.V. | Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing |
| WO2009013028A1 (en) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Singulus Mastering B. V. | Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing |
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