JPH0499192A - 樹脂成形型磁石へのＮｉめっき方法とＮｉめっき浴 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、リング状や円板状のゴム磁石あるいはプラ
スチック磁石と称される樹脂成形型磁石、特に種々形状
からなるＲ−Ｆｅ−Ｂ系樹脂成形型磁石へのＮｉめっき
方法に係り、従来不可能であった樹脂成形型磁石表面へ
のＮｉめつきを、硫酸ニッケル等の６成分からなる特定
のめつき浴により、強固に被着できるのみならず、樹脂
成形型磁石の耐食性に加え、圧壊強度、耐衝撃性等の機
械的強度を著しく向上させることが可能な樹脂成形型磁
石へのＮｉめっき方法とＮｉめっき浴に関する。

従来の技術 一般にゴム磁石あるいはプラスチック磁石とよばれる樹
脂成形型磁石（以下ボンド磁石という）には、長らくフ
ェライト系磁性材が使用され、磁性・耕耘とゴム、各種
樹脂などの有機物バインダー等を混線して機械的に成形
するため、焼結フェライト磁石と比較して、焼結エネル
ギーが不要で寸法精度がよく二次加工も不要なことから
、小型化、軽量化、薄肉製品、複雑形状製品に最適であ
るとされていた。

今日では、磁石を使用した各種用途の製品には、小型化
、軽量化とともに高性能化が求められており、等方性ボ
ンド磁石から異方性ボンド磁石へ、前記フェライト系ボ
ンド磁石からより高磁力の希土類系ボンド磁石へと高性
能化が図られている。

希土類系ボンド磁石には、Ｓｍ−Ｃｏ系磁性材とＲ−Ｆ
ｅ−Ｂ系磁性材を用いるものが知られ、特に、焼結磁石
では最大エネルギー積が５０ＭＧＯｅ以上の高磁気特性
を発揮するＲ−Ｆｅ−Ｂ系磁性材を用いるＲ−Ｆｅ−Ｂ
系ボンド磁石が注目されている。

このＲ−Ｆｅ−Ｂ基磁性耕耘は、所要のＲ−Ｆｅ−Ｂ系
合金を溶解し鋳造後に粉砕する溶解・粉砕法（特開昭６
０−６３３０４号、特開昭６０−１１９０７０１号）、
Ｃａ還元にて直接粉末を得る直接還元拡散法（特開昭５
９−２１９４０４号、特開昭６０−７７９４３号）、所
要のＲ−Ｆｅ−Ｂ系合金を溶解しジェットキャスターで
リボン箔を得てこれを粉砕・焼鈍する急冷合金法等の各
種製法で得ることができる。

いずれの製法で得られた磁性材粉を用いても、Ｒ−Ｆｅ
−Ｂ系ボンド磁石は、その組成に極めて酸化しやすい成
分相及びＦｅを多量にを含むため錆びやすい問題があり
、表面に種々組成からなる樹脂層を電着塗装、スプレー
法、浸漬法、含浸法等で被着していた（例えば、特開平
１−１６６５１９号、特開平１−２４５５０４号）。ま
た、樹脂成形前の磁性材粉に予め有機金属化合物による
表面処理を行い耐酸化性を図ったＲ＝Ｆｅ−Ｂ系ボンド
磁石（特開平１−１０５５０４号）も提案されている。

発明が解決しようとする課題 Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石は、フェライト系ボンド磁石
と比較して著しく高性能であるため、適用機器の小型化
、軽量化に最適であり、例えば情報機器のディスク位置
センサ、スピンドルモーターＶＴＲカメラ用のシリンダ
モーター、キャプスタンモーター等の各種精密小型機器
用のモーターに適用すれば、より薄肉のリング状磁石、
あるいは複雑形状の極小磁石とすることができる。

すなわち、ブラシレスモータ、ステンビングモータ等の
モータｍｍすング状Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石の場合、
厚みが０．５〜３ｍｍ程度の薄肉にでき、適用機器の小
型化、軽量化に寄与する。

Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石に施されていた耐食性樹脂被
膜は、いずれの組成からなるものも被着強度が比較的低
く、苛酷な使用環境での発錆を防止するためには膜厚み
を厚くしたり、多層膜とする必要があった。

従来、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石はその耐食性を向上させ
るため表面にＮｉめっきされており、このＮｉめっきは
苛酷な使用環境でも発錆がみられず、すぐれた耐食性を
示していた。この焼結磁石へのＮｉめっき方法は電解め
っき法あるいは無電解めっき法が用いられていた。

かかるＲ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石のＮｉめっきをボンド磁
石へ適用することが考えられるが、例えば代表的なワッ
ト浴では浴温か３０℃以上でかつ浴ｐＨが低いため、杢
糸ボンド磁石が溶解してめっきが不可能であり、薄肉リ
ング状製品などは直ちに破壊されてしまい、たとえ角ブ
ロック状の製品に辛うじてめっきできたとしても浴組成
に塩化物を多量に含むために、直ちに内部から発錆して
破壊される。

この発明は、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石のかかる現状に
鑑み、耐食性を向上させたＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石を
得るため、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石へのＮｉめっき方
法の提供を目的としている。

課題を解決するための手段 この発明は、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石ですぐれた耐食性
を示すＮｉめっきを杢糸ボンド磁石に施すべく、Ｎｉめ
っき浴組成を検討した結果、めっき前に表面活性化処理
し、新規な浴組成とＮｉめっき方法にて電気めっきする
ことにより、容易にかつ極めて高い被着強度でＮｉめっ
き層を形成でき、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石の表面にＮ
ｉめっきを強固に被着したことにより、実施例に示す如
く、耐食性の向上は勿論のこと、圧壊強度、抗折力、耐
衝撃性等の機械的強度が２倍以上、士数倍も向上し、高
耐食性、高強度ボンド磁石が得られることを知見したも
のである。

すなわち、この発明は、 Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系などの樹脂成形型磁石を、フッ素化合物
０．０５〜５ｗｔ％と界面活性剤を含む水溶液に浸漬す
る表面活性化処理後、 硫酸ニッケル、硫酸ナトリウム、硫酸マグネシウム、ク
エン酸アンモニウムまたはクエン酸ナトリウム、硫酸コ
バルト、ホウ酸の６成分からなり、浴ｐＨが５．４〜６
．８のＮｉめっき浴を用い、陽極板にＳあるいはさらに
Ｃｏ成分を含有するニッケルチップを使用して所要電流
を流して電気Ｎｉめっきし、 樹脂成形型磁石の表面にＮｉめっきを成膜することを特
徴とするＲ−Ｆｅ−Ｂ系などの樹脂成形型磁石へのＮｉ
めっき方法である。

また、この発明は、 めっき浴の含有主成分が、硫酸ニッケル、硫酸ナトリウ
ム、硫酸マグネシウム、クエン酸アンモニウムまたはク
エン酸ナトリウム、硫酸コバルト、ホウ酸からなり、浴
ｐＨが５．４〜６．８であることを特徴とする樹脂成形
型磁石用のＮｉめっき浴である。

また、この発明は、上記各構成において、硫酸ニッケル
（成分記号Ａ）が１００ｇ／ｌ〜１５０ｇ／ｌの場合に
、硫酸ナトリウム（成分記号Ｂ）、硫酸マグネシウム（
成分記号Ｃ）との量比間に、Ａ＝Ｂ＋Ｃなる関係を有す
ることを特徴とするＲ−Ｆｅ−Ｂ系樹脂成形型磁石用の
Ｎｉめっき浴である。

作用 この発明は、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石、特に強度の低
い薄肉リング状あるいは薄板状ボンド磁石の耐食性の向
上を目的に表面処理について種々検討した結果、従来は
溶損もしくは発錆により金属めっきが不可能であったＲ
−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石に、特定のＮｉめっき浴を用い
ることにより、溶損、発錆させることなく金属Ｎｉめっ
きを強固にかつ所要厚みに被着できることを知見し、こ
の発明を完成したものである。

この発明のＮｉめっき方法は、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁
石以外のすべてのボンド磁石に適用可能である。

Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石の表面にＮｉめっきを設ける
には、例えば、洗浄→表面活性化処理→電気Ｎｉめっき
→洗浄→封孔処理→洗浄の工程で行う。

以下、工程ごとに説明する。

表面活性化処理 表面活性化処理は、当該Ｎｉめっき工程でめっき浴とと
もに最も重要であり、この活性化処理されないボンド磁
石にはＮｉめっきが成膜され難い状態になり、たとえ成
膜しても膜の密着度は著しく低い。

水洗などの洗浄後、酸性フッ化アンモン０．５〜２ｗｔ
％、あるいあはフッ酸、フッ素化合物０．０５〜５ｗｔ
％、さらに界面活性剤を適量、例えばインヒビター剤０
．０１〜０．１ｗｔ％を含む水溶液に、１〜２分浸漬し
て、表面活性化処理する。

Ｎｉめっき浴 発明者らは、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石が塩化物を含む
水溶液によって腐食が進行するため、Ｎｉめっき浴液に
塩素イオンを含まない浴が必要であり、また、水素イオ
ンの影響を受けやすいため、浴ｐＨを５．４〜６．８の
領域でＮｉめっき処理を行なう必要があることを知見し
、下記の６成分を含むＮｉめつき浴を見出した。

硫酸ニッケル（以下組成記号Ａ） 硫酸ナトリウム（以下組成記号Ｂ） 硫酸マグネシウム（以下組成記号Ｃ） クエン酸アンモニウムまたはクエン酸ナトリウム（以下
組成記号Ｄ） 硫酸コバルト（以下組成記号Ｅ） ホウ酸（以下組成記号Ｆ） この発明のＮｉめっき浴は、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石
の組成に応じて、上記成分の組成比を適宜選定するが、
Ａ成分（硫酸ニッケル）を１００ｇ／ｌ〜１５０ｇ／ｌ
として、Ｂ成分（硫酸ナトリウム）、Ｃ成分（硫酸マグ
ネシウム）との間に、Ａ＝Ｂ＋Ｃという関係があり、Ｂ
＋Ｃの比率を可変することによって、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボ
ンド磁石へのＮｉめっきに、後述する新規な機能を与え
ることができる。

Ａ＝Ｂ＋Ｃという関係において、Ｂ成分がＣ成分より少
ない場合には、めっき膜質が微細化して軟質なピンホー
ルの少ないＮｉめっき膜を設けることができ、また、Ｃ
成分が増すことによって、めっきの生成速度が一定電流
値では遅くなりめっき処理時間としては長くなる。

逆にＢ成分がＣ成分より多い場合には、めっき脱粒が粗
大化しピンホールの発生確率が高くなるが、めっきの付
き廻り性、すなわちが密着性が向上する。従って、Ｎｉ
膜厚を厚くしてピンホールを消すことができる。

特にＡ＝Ｂ＋Ｃという関係において、Ｂ、　Ｃの組成比
はＢ：Ｃ＝３〜７：７〜３の範囲がボンド磁石の場合に
は好ましい。

Ｄ成分は、Ａ成分の２０〜２５％が最適な組成範囲であ
り、このＤ成分の１／３〜１／２量のＦ成分が建浴時の
添加量として適当である。Ｅ成分はＡ成分の１〜５％量
が密着性を向上させる効果を示すため好ましい。

ｐＨ調整はアンモニア水又は水酸化ナトリウム水溶液に
て行い、ｐＨ５，４〜６．８範囲で使用し、常温状態の
浴温か好ましい。

例えば、めっき層に光沢をおよび平滑性与えるためにサ
ッカリンを添加するなど、磁石用途に応じて、めっき浴
に公知の各種光沢剤、レベリング添加剤を適宜加えるこ
とができる。

この発明のめっき浴において、各成分を選定した理由は
以下のとおりである。

硫酸ニッケル 一般の湿式Ｎｉめっき浴成分の基本的Ｎｉ含有成分であ
り、硫酸ニッケル単成分の水１００ｇに対して１０℃で
３２．０ｇ、　３０℃で４２．５ｇの溶解度を有してい
る。それゆえ本めっき浴の６成分を溶解した場合、とく
にＡ＝Ｂ＋ＣにおいてのＡ〜１５０ｇ／ｌの基盤となる
ものであり、また一般に入手し易く、取扱いが容易であ
る。

硫酸ナトリウム 本Ｎｉめつき浴のｐＨを５．４〜６．８に安定させる主
な緩衝液成分であると共に浴中の陰イオンの輸率を高め
る効果を有する。硫酸ナトリウム０．０２Ｎ浴液の陰イ
オン輸率は０．６１０であり、これは同濃度のＮａＣ１
Ｏ，６０４とほぼ近いものであり、この発明のＮｉめっ
きの浴電導性を向上させてＮｉ成膜の速度を早くし、付
廻り性が向上する。

硫酸マグネシウム 本成分は浴の電導性は硫酸ナトリウムと同等の電導性を
向上させる効果を有するが、陰極に集まるＭｇイオンが
Ｎｉの電着を抑制する作用を有しており、これによって
細粒のＮｉ膜を生ずる。又、バレルめっき等の局部過電
流に対してＮｉ電着を制御することから、所謂コゲ防止
となり、Ｎｉめっき膜の成膜速度は遅くなるが、ピンホ
ール、応力の少ないＮｉめっき膜質を生成する効果を有
している。

従って、前記Ａ＝Ｂ＋Ｃの関係を定めた。

クエン酸アンモニウムまたはクエン酸ナトリウムクエン
酸塩はｐＨ６，０〜中性の範囲において強力な緩衝作用
を有しており、浴の安定性を高めると共に有機酸による
陽極Ｎｉの不動態化を防止する効果を有してることがら
選定し、その適量を定めた。

硫酸コバルト 本成分はＮｉと同族元素であり、この発明のＮｉめっき
浴では被めっき物においてもＣｏ成分が含有される場合
があり、これらの相互作用によってＮｉめっき中に介在
し、めっきの密着性が向上することを見出したため、適
量添加することを定めた。

ホウ酸 一般のＮｉめっきにおいても添加するものであり、適量
の添加によってｐＨを安定させ、陽極の不動態化を防止
する。ホウ酸はｐＨ値が高くなった場合、陽極で分解し
ｐＨを下げる効果があり、前述の緩衝液とのバランスを
とるために添加する。

めっき方法 この発明において、Ｎｉめっきは上述しためっき浴を用
い、陽極板にＳあるいはさらにＣｏ成分を含有するニッ
ケルチップを使用して所要電流を流し、電気Ｎｉめっき
するが、上記Ｎｉめっき浴のＮｉ成分の溶は出しを安定
させるためは、電極にＳを含有するエスランドニッケル
チップを使用することが望ましい。

従って、この発明によるＮｉめっき層には、電極からの
Ｓ成分が０．０２〜０．５ｗｔ％含有され、あるいはさ
らにＮｉめっき浴成分及びｌ又はボンド磁石組成からの
Ｃｏ成分が０．０５〜５ｗｔ％含有される。

また、ボンド磁石は用途に応じて種々形状に成形される
が、例えば第２図ａの如きリング状、同図すの如き薄板
状、同図Ｃの如き円板状が代表的なものであり、めっき
浴槽には、ボンド磁石形状に応じて種々浴槽を使用する
ことができ、特にリング状ボンド磁石の場合、バレルめ
っき処理が望ましい。

また、リング状ボンド磁石の場合、内外周面に被着する
Ｎｉめっき層厚みに大きな差が生じると、各周面の被膜
による応力にてひび、割れを招来するため、Ｎｉめっき
層を所要厚みに制御する必要があり、後述する回転めっ
き処理が望ましい。

回転めっき処理は、第３図に示す如く、外周に電極（１
）を所要間隔で配置したシャフト（２）をリング状ボン
ド磁石（３）内に挿通させて回転させるとともに、電極
シュー（４）にて常にシャフト（２）の下側に回ってき
た電極（１）が陽極となるように通電することにより、
リング状ボンド磁石（３）内の陽極側の電極（１）が溶
出して磁石内周面に積極的にＮｉめっきを設けることが
できる。

封孔処理 また、この発明によるＮｉめっき処理に続いて封孔処理
するのもよい。封孔処理はＮｉめっき後に水洗し、有機
系防錆剤処理や珪酸塩などの無機系防錆剤処理にて行う
。例えば、実施例に示す如く、アミン系防錆液と界面活
性剤を含む水溶液に２〜３分間浸漬して、ピンホールを
封着するとよい。

この封孔処理後に水洗、超音波洗浄などの適宜洗浄方法
を施すとよい。

ボンド磁石表面は粗面であるため、Ｎｉめっき厚みは２
ｐｍ以上必要であり、望ましくは５ｐｍ以上である。例
えば、リング状ボンド磁石で肉厚み１〜２ｍｍの場合、
内周面に５〜７０ｐｍ厚み、外周面に１０〜１１００ｐ
厚みのＮｉめっきを設けることができる。

この発明において、さらに、耐食性を向上させたり、装
飾性を向上させる目的で、Ｎｉめっき層の上に、光沢Ｎ
ｉ、　Ａｕ、　Ａｇ、　ＣｕＳＳｎ、　Ｚｎ、　Ｃｒな
どのめっき層を、１層以上設けた多層めっき構成とする
ことができ、上記封孔処理を省略することもできる。

ボンド磁石 この発明の対象となるボンド磁石は、所要組成、性状の
フェライト系、希土類−コバルト系、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ基磁
性耕耘を有機高分子を主体とするバインダーと、カップ
リング材等の助剤とを加熱混練し、所要形状に射出成形
、あるいは圧延、圧縮成形して所要形状となす方法によ
り得られる。

この発明によるＮｉめっき方法とそのめっき浴は、磁性
材粉はいずれの製法で得られたものでも、いずれの組成
に配合したものでも、またいずれの方法で樹脂成形され
たボンド磁石にも適用可能である。

この発明によるＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石にもちいるＲ
−Ｆｅ−Ｂ基磁性耕耘は、所要のＲ−Ｆｅ−Ｂ系合金を
溶解し鋳造後に粉砕する溶解・粉砕法、Ｃａ還元にて直
接粉末を得る直接還元拡散法、所要のＲ−Ｆｅ−Ｂ系合
金を溶解しジェットキャスターでリボン箔を得てこれを
粉砕・焼鈍する急冷合金法、所要のＲ−Ｆｅ−Ｂ系合金
を溶解し、これをガスアトマイズで粉末化して熱処理す
るガスアトマイズ法、所要原料金属を粉末化したのち、
メカニカルアロイングにて微粉末化して熱処理するメカ
ニカルアロイ法等の各種製法で得ることができる。

例えば、溶解・粉砕法、直接還元拡散法で得られる組成
として、 Ｒ（但しＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種、好
ましくはＮｄ、　Ｐｒ等の軽希土類を主体として、ある
いはＮｄ、　Ｐｒ等との混合物を用いる）８原子％〜３
０原子％、Ｂ２２原子〜２８原子％、Ｆｅ　６５原子％
〜８４原子％（Ｆｅの一部をＦｅの５０％以下のＣｏ、
　Ｆｅの８．０％以下のＮｉのうち少なくとも１種で置
換したものを含む）を主成分とし、主相が正方品で、実
質的に単結晶ないし数個の結晶粒からなる平均粒度０．
３〜８０ｐｍの微粉末が好ましい。

また、急冷合金法で得られる組成として、Ｒ８〜３０原
子％、Ｆｅ４２〜９０原子％、Ｂ２〜２８原子％、Ｃｏ
　１５原子％以下が好ましい。

ポンド磁石の製造に用いられるバインダーには公知の各
種成形方法に応じて種々のものが採用され、流動性が大
きく加工の容易なもの、熱硬化性、熱可塑性等の諸機能
を有した有機高分子化合物が利用され、１〜１５ｗｔ％
の割合で混練され、射出成形には、６ＰＡ、　１２ＰＡ
、６ＰＡ、　ＰＰＳ、　ＰＢＴ、　ＥＶＡ等、押出成形
、カレンダーロール、圧延成形には、ＰＶＣ，ＮＢＲ，
ＣＰＥ、　ＮＲ、ハイパロン等、圧縮成形には、エポキ
シ樹脂、ＤＡＰ、フェノール樹脂等、また、必要に応じ
て、はんだなどの公知の金属バインダーも用いられてい
る。

さらに、成形を容易にする滑剤や樹脂と無機フィラーの
結合剤、シラン系、チタン系等のカップリング剤など助
材が用いられているが、この発明によるＮｉめっき方法
とそのめっき浴は、上記バインダーとともに助材にいか
なるものを用いても適用できる。

実施例 実施例１ 実施例１−１ Ｎｄ　１２原子％、Ｆｅ　７７原子％、Ｂ６６原子、Ｃ
ｏ５原子％の組成となるように配合したＲ−Ｆｅ−Ｂ−
Ｃｏ系合金を溶解し、３５ｍ１秒の周速度でメルトスピ
ンさせて２０ｐｍ厚み程度のリボン箔を得てこれを微粉
砕しさらに焼鈍熱処理（６００℃×１時間）し、０．５
１１ｍ以下の微細結晶粒を有するポンド磁石用磁性材粉
末を製造した。

得られた磁性材粉末に、バインダーとしてエポキシ樹脂
、２ｗｔ％、助材としてシランカップリング剤、０．５
ｗｔ％を混合、混練、乾燥し、圧縮成形方法にて、φ８
ｘΦ６ｘ４ｍｍ、φ１２．５ｘΦ１０Ｘ３．５ｍｍ。

中２２×Φ２０ｘ５ｍｍのリング状ポンド磁石を作成し
た。

下記の従来ワット浴を用いて、各寸法のリング状ボンド
磁石を１００個ずつＮｉめつきを行ったところ、従来ワ
ット浴を用いたものは全数に形状くずれ、割れなどが発
生して損壊し、めっき不能であった。

ワット浴　　　　硫酸ニッケル３００ｇ／ｌ、塩化ニッ
ケル６０ｇ／ｌ、 ホウ酸３０ｇ／ｌ めっき条件　　　浴温５０℃、浴ｐＨ４，８、バレルめ
っき時間２時間、 陰極電流密度　ＩＡ／ｄｍ２ 実施例１−２ 次に下記表面活性化処理液並びにＮｉめっき浴を用いて
、水洗→表面活性化処理→電気Ｎｉめっき→水洗→封孔
処理→水洗→温風乾燥のこの発明による工程でＮｉめっ
きを行った。

表面活性化処理液　酸性フッ化アンモン０．５ｗｔ％＋
インヒビ−ター剤０．２ｖ％水 溶液、浸漬１〜２分 Ｎｉめっき浴　組成　硫酸ニッケル１００ｇ／ｌ、硫酸
ナトリウム５０ｇ／ｌ 硫酸マグネシウム５０ｇ／ｌ、 クエン酸アンモニウム２５ｇ／ｌ 硫酸コバルト２ｇ／ｌ、 ホウ酸１２ｇ１ｌ 浴温２０℃、ｐＨ６，６ めっき条件　　　　バレルめっき処理、極電流密度　Ｉ
Ａ／ｄｍ２、 めっき時間、３．５時開 封孔処理　　　　　アミン系水溶液防錆液、浸漬２〜３
分 成膜されたＮｉめっき層の成分分析を行った、その結果
を第４図のスペクトルアナライザーのグラフに示すよう
にＳ、　Ｃｏ、　Ｆｅの含有が認められる。

得られたＮｉめっき付リング状ポンド磁石のうち、Φ２
２×Φ２０ｘ５ｍｍ寸法のもの１００個に下記耐食性試
験を施し、Ｎｉめっき層の耐食性と密着性を調べた。な
お、Ｎｉめっき層厚みは、内周面：１５〜２５ｐｍ、外
周面：４０〜５０ｐｍであった。試験結果を第１表に示
す。

比較のため、Ｎｉめっきを設ける以外は同様に製造し、
表面に３０±５ｐｍのエポキシ樹脂を電着塗装にて成膜
した従来のリング状ボンド磁石にも同一試験を行った。

実施例１−３ さらに得られたＮｉめっき付リング状ボンド磁石のうち
、φ８Ｘφ６ｘ４ｍｍ、Φ１２．５ｘΦ１０ｘ３．５ｍ
ｍ寸法のもの各１００個に、圧壊試験と落下試験を行っ
た。

圧壊試験は第２図ａに示す如く、平坦面に載置したリン
グ状ボンド磁石の上端面に均等に荷重を掛は破損する試
験（ＪＩＳ　Ｋ６９１１）を行い、そカ結果をｋｇ／ｍ
ｍ２（１００個の平均値）で示す。落下試験は１ｍ高さ
から磁石を落下させて損傷状態で評価した。

比較のため、Ｎｉめっきを設ける以外は同様に製造し、
表面処理をしないもの、ならびに表面に３０±５ｐｍの
エポキシ樹脂を電着塗装にて成膜した従来のリング状ボ
ンド磁石にも同一試験を行った。試験結果を第２表に示
す。

以下余白 実施例２ 出発原料として、純度９９．９％の電解鉄、Ｂ１９．４
％を含有し残部はＦｅ及びＡＩ、　Ｓｉ、　Ｃ等の不純
物からなるフェロボロン合金、純度９９．７％以上のＮ
ｄ及びＤｙを使用し、これらをＡｒ雰囲気で高周波溶解
し、その後水冷銅鋳型に鋳造し、１４Ｎｄ−１，５Ｄｙ
−７，５Ｂ−７７Ｆｅ（ａｔ％）なる組成で正方晶を主
相とするデンドライト組織の鋳塊を得た。

その後、水素吸蔵粉砕法により３５メツシユ以下に粗粉
砕し、次にボールミルにより微粉砕し、平均粒度２．７
ｐｍの微粉末を得た。

この微粉末を金型に装入し、１０　ｋＯｅの磁界中で配
向しながら１．５υｃｍ２の圧力で加圧し、その後で水
素吸蔵粉砕法で解砕し粒度１１００ｐ〜５００ｐｍにし
た。

得られた粉末を、１０Ｔｏｒｒ、　ン気流中、１０６０
℃、１時間の条件で加熱し、その後Ａｒ中で６００”Ｃ
１１時間の時効処理を施し、水素吸蔵粉砕法で粉末を劣
化させることなく再度粒度１１００ｐ〜５００ｐｍの集
合粉末に解砕した。

その後、集合粉末を金型に装入し１０　ｋｏｅの磁界中
で配向し、２．Ｏｔ／ｃｍ２の圧力で成形し、その後静
水圧プレスにて、８０Ｘ１０ｘ４ｍｍ寸法の第２図すに
示す如き薄板場の成型体を作製した。該成型体をジメタ
アグリエートエステルを主成分とする合成樹脂を含浸さ
せ、１００℃、１時間の加熱硬化して板状ボンド磁石を
得た。

次に下記表面活性化処理液並びにＮｉめっき浴を用いて
、水洗→表面活性化処理→電気Ｎｉめっき→水洗→封孔
処理→水洗→温風乾燥のこの発明による工程でＮｉめっ
きを行った。

表面活性化処理液　酸性フン化アンモン０．５ｗｔ％＋
インヒビ−ター剤０．２Ｖ％水 溶液、浸漬１〜２分 Ｎｉめっき浴　組成　硫酸ニッケル１２０ｇ／７、硫酸
ナトリウム５５ｇ／ｌ 硫酸マグネシウム６５ｇ／ｌ、 クエン酸アンモニウム３０ｇ／ｌ 硫酸コバルト２ｇ／ｌ、 ホウ酸１５ｇｅｔ 浴温２０℃、ｐＨ６，６ めっき条件　　　　バレルめっき処理、極電流密度　Ｉ
Ａ／ｄｍ”、 めっき時間、３．５時間 封孔処理　　　　　アミン系水溶液防錆液、浸漬２〜３
分 得られたＮｉめっき付板状ボンド磁石の磁気特性を測定
したところ、（ＢＨ）ｍａｘ　＝　１９．２ＭＧＯｅ、
ｉＨｃ　＝１３．８ｋＯｅ、　Ｂｒ＝８．９ｋＧであっ
た。

比較のため、Ｎｉめっきを設ける以外は同様に製造し、
表面に４０±５ｐｍのエポキシ樹脂を成膜して磁気特性
を測定したところ、５％程度の低下がみられた。

また、ＪＩＳ　Ｋ６９１１に準拠した薄板の曲げ試験を
行ったところ、 表面処理なしのとき、０．５〜２ｋｇ／ｍｍ２、上記樹
脂塗装製品のとき、１〜２．３ｋｇ／ｍｍ２、Ｎｉめっ
き製品のとき、３〜７ｋｇ／ｍｍ２の結果を得た。

実施例３ 実施例１−１で得られた中２２ｘΦ２０ｘ５ｍｍのリン
グ状ボンド磁石に、実施例１−２と同様の工程でＮｉめ
っきを行い、めっき時間を０．５〜６時間と変化させた
場合のＮｉめっき時間と膜厚、圧壊強度との関係を測定
し、その結果を第１図に示す。

第１図に示すＮｉめっき膜厚は、Ｏ印はリング状ボンド
磁石の外周面、Δ印はリング状ボンド磁石の内周面を示
す。

実施例４ 平均粒度１．５ｐｍのＮｄ２Ｏ３粉末、Ｐｒ２Ｏ３粉末
、Ｉ）ｙ２ｏａ粉末、平均粒度１５．８ｐｍを有しＢ５
６．４％のフェロボロン粉末、平均粒度９．８ｐｍの鉄
粉、平均粒度１１．２ｐｍのコバルト粉、平均粒度１０
ｍｅｓｈの金属Ｃａ粒を還元に要する化学論必要量の２
．７倍量の粉体を、Ｖ型混合器を使用しＡｒガス雰囲気
中で混合した。

ついで、上記の混合粉末をＡｒガス流気雰囲気中で昇温
し、還元拡散反応を促進させたのち、室温まで炉冷した
。

得られた還元反応生成物を水に投入し、反応副生成物の
ＣａＯをＨ２Ｏと反応させてＣａ（ＯＨ）２となし、水
酸化カルシウム懸濁液にリーチングした。

得られたスラリー状合金粉末をメタノールで数回洗浄し
、さらに真空乾燥して、１９Ｎｄ−３Ｐｒ−５Ｄｙ−Ｉ
Ｂ−１５Ｃｏ−５７Ｆｅ（ｗｔ％）なる組成のボンド磁
石用合金粉末を得た。

得られた磁性材粉末に、バインダーとしてナイロン１２
．１０ｗｔ％、助材としてシランカップリング剤、１ｗ
ｔ％を混合、混練し、射出成形方法にて、中２２×Φ２
０ｘ５ｍｍのリング状ボンド磁石を作成した。

次に下記表面活性化処理液並びにＮｉめっき浴を用いて
、水洗→表面活性化処理→電気Ｎｉめっき→水洗→封孔
処理→水洗→温風乾燥のこの発明による工程でＮｉめっ
きを行った。

表面活性化処理液　酸性フッ化アンモン０．５ｗｔ％十
インヒビ−ター剤０．２ｖ％水 溶液、浸漬１〜２分 Ｎｉめっき浴　組成　硫酸ニッケル１３０ｇ／ｌ、硫酸
ナトリウム４５ｇ／ｌ 硫酸マグネシウム８５ｇ／ｌ、 クエン酸アンモニウム３０ｇ／ｌ 硫酸コバルト３．８ｇ／ｌ、 ホウ酸１５ｇ／ｌ 浴温２０℃、ｐＨ６，４ めっき条件　　　　バレルめっき処理、極電流密度　Ｉ
Ａ／ｄｍ２、 めっき時間、 １．５時間、３．５時間 封孔処理　　　　　アミン系水溶液防錆液、浸漬２〜３
分 得られたＮｉめっき付リング状ボンド磁石のＮｉめっき
時間（１，５時間、３．５時間）と、膜厚、圧壊強度と
の関係を測定し、その結果を実施例３の結果とともに、
目印にて第１図に示す。

発明の効果 この発明によるＮｉめっき方法は、めっき前に表面活性
化処理したのち、新規な浴組成と特定のニッケルチップ
にて電気めっきすることにより、従来不可能であったＲ
−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石の表面へのＮｉめっき層を容易
にがっ極めて高い被着強度で形成でき、このＮｉめっき
を強固に被着したことにより、実施例に示す如く、耐食
性の向上は勿論のこと、圧壊強度、抗折力、耐衝撃性等
の機械的強度が２倍以上、士数倍も向上し、高耐食性、
高強度ボンド磁石が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はＮｉめっき時間とＢｒ、膜厚、圧壊強度との関
係を示すグラフである。 第２図ａ、ｂ、ｃはボンド磁石の一例を示す斜視説明図
である。 第３図はこの発明によるめっき方法を示すボンド磁石の
斜視説明図である。 第４図はこの発明によるボンド磁石のＮｉめっき層の成
分分析を行った結果を示すスペクトルアナライザーのグ
ラフである。 １・・・電極、２・・・シャフト、 ３・・・リング状ボンド磁石、４・・・電極シュー第１
図 めっき時間（Ｈｒ） 第２図 （ｂ） （Ｃ） 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 樹脂成形型磁石を、フッ素化合物０．０５〜５ｗｔ％と
   界面活性剤を含む水溶液に浸漬する表面活性化処理後、 硫酸ニッケル、硫酸ナトリウム、硫酸マグネシウム、ク
   エン酸アンモニウムまたはクエン酸ナトリウム、硫酸コ
   バルト、ホウ酸の６成分からなり、浴ｐＨが５．４〜６
   ．８のＮｉめっき浴を用い、陽極板にＳあるいはさらに
   Ｃｏ成分を含有するニッケルチップを使用して所要電流
   を流して電気Ｎｉめっきし、 樹脂成形型磁石の表面にＮｉめっきを成膜することを特
   徴とする樹脂成形型磁石へのＮｉめっき方法。 ２ 樹脂成形型磁石がＲ−Ｆｅ−Ｂ系樹脂成形型磁石である
   ことを特徴とする請求項１記載の樹脂成形型磁石へのＮ
   ｉめっき方法。 ３ ニッケルチップがＳを含有しているエスランドニッケル
   チップであることを特徴とする請求項１または２記載の
   樹脂成形型磁石へのＮｉめっき方法。 ４ めっき浴の含有主成分が、硫酸ニッケル、硫酸ナトリウ
   ム、硫酸マグネシウム、クエン酸アンモニウムまたはク
   エン酸ナトリウム、硫酸コバルト、ホウ酸からなり、浴
   ｐＨが５．４〜６．８であることを特徴とする樹脂成形
   型磁石用のＮｉめっき浴。 ５ 硫酸ニッケル（成分記号Ａ）が１００ｇ／ｌ〜１５０ｇ
   ／ｌの場合に、硫酸ナトリウム（成分記号Ｂ）、硫酸マ
   グネシウム（成分記号Ｃ）との量比間に、Ａ＝Ｂ＋Ｃな
   る関係を有することを特徴とするＲ−Ｆｅ−Ｂ系樹脂成
   形型磁石用のＮｉめっき浴。