JPH0499281A - Ｃｖｄ膜形成装置及びクリーニング方法 - Google Patents
Ｃｖｄ膜形成装置及びクリーニング方法Info
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- JPH0499281A JPH0499281A JP21080490A JP21080490A JPH0499281A JP H0499281 A JPH0499281 A JP H0499281A JP 21080490 A JP21080490 A JP 21080490A JP 21080490 A JP21080490 A JP 21080490A JP H0499281 A JPH0499281 A JP H0499281A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＣＶＤ膜Ｊ［ニ成装置及びそのプラズマクリ
ーニング方ン去に関するものである。
ーニング方ン去に関するものである。
従来のＣＶＤ装置のクリーニング方法は、プラズマＣＶ
Ｄ法による酸化シリコン膜の製造方法を例にとると、第
３図に示すように表面を絶縁した電極３２及び３３を平
１１に配置し、一定温度に保たれた真空容器３４内にＣ
ＶＤ膜を堆積する基板３７等を搬送し、容器内を真空に
引いた後、モノシランと亜酸化窒素を流す。ガスの流量
と圧力が所定値に達した後、前記電極に高周波（ＲＦ）
を印加し、一定時間保持し酸化シリコン膜を気相成長し
た後、高周波（ＲＦ）を停止する。容器内のガスを真空
引きすることよって排出した後、真空容器を大気圧に戻
し、基板３７を搬出する。
Ｄ法による酸化シリコン膜の製造方法を例にとると、第
３図に示すように表面を絶縁した電極３２及び３３を平
１１に配置し、一定温度に保たれた真空容器３４内にＣ
ＶＤ膜を堆積する基板３７等を搬送し、容器内を真空に
引いた後、モノシランと亜酸化窒素を流す。ガスの流量
と圧力が所定値に達した後、前記電極に高周波（ＲＦ）
を印加し、一定時間保持し酸化シリコン膜を気相成長し
た後、高周波（ＲＦ）を停止する。容器内のガスを真空
引きすることよって排出した後、真空容器を大気圧に戻
し、基板３７を搬出する。
基板を搬出した後、ＣＦａ等のフロン系のガスとＯｅと
の混合ガスを流し、ＲＦを印加することによって真空容
器内に形成された金分な酸化シリコン膜を除去するいわ
ゆるプラズマクリーニングを行なっていた。
の混合ガスを流し、ＲＦを印加することによって真空容
器内に形成された金分な酸化シリコン膜を除去するいわ
ゆるプラズマクリーニングを行なっていた。
しかしながら、従来技術では短時間で真空容器内のクリ
ーニングするためにＲＦの出力やクリーニングガスの流
量を太きくしなければならず、このため、電極に与える
ダメージが大きく表面の絶縁層の破壊により電極の寿命
を極端に低下させ、この結果、ＣＶＤ膜の形成時の異常
放電や膜厚均一性、成長速度が悪影響を与えていた。ま
た、クリーニングに最適な電極の位置がＣＶＤ膜の形成
時と違うために十分なりリーニング効果が得られていな
かった。
ーニングするためにＲＦの出力やクリーニングガスの流
量を太きくしなければならず、このため、電極に与える
ダメージが大きく表面の絶縁層の破壊により電極の寿命
を極端に低下させ、この結果、ＣＶＤ膜の形成時の異常
放電や膜厚均一性、成長速度が悪影響を与えていた。ま
た、クリーニングに最適な電極の位置がＣＶＤ膜の形成
時と違うために十分なりリーニング効果が得られていな
かった。
しかるに本発明は、かかる課題を解決するものであり、
その目的とするところは、電極の寿命が長く、且つ安定
なＣＶ Ｄ Ｆ４を形成できるＣＶＤ膜形成装置とクリ
ーニング方法を提供することである。
その目的とするところは、電極の寿命が長く、且つ安定
なＣＶ Ｄ Ｆ４を形成できるＣＶＤ膜形成装置とクリ
ーニング方法を提供することである。
本発明によるＣＶＤ膜形成装置は、
１）平行平板式の対向する２つの電極の他に第３のプラ
ズマクリーニング用の電極を持つ２）その第３の電極が
第１または、第２の電極よりも大きい ３）第３の電極が移動可能である ことを特徴とする。
ズマクリーニング用の電極を持つ２）その第３の電極が
第１または、第２の電極よりも大きい ３）第３の電極が移動可能である ことを特徴とする。
また、本発明によるＣ Ｖ Ｄ Ｉｌ’Ａ形成装置のク
リーング方法は、 ４）第３の電極を用いている事を特徴とする。
リーング方法は、 ４）第３の電極を用いている事を特徴とする。
以下本発明の実施例を、第１図に基づいて詳細に説明す
る。ここでは、枚葉式のＣＶＤ膜形成装置を例にとって
いるため、円盤状の２枚の電極の他に、移動できるリン
グ状のクリーニング用電棲を設けている。
る。ここでは、枚葉式のＣＶＤ膜形成装置を例にとって
いるため、円盤状の２枚の電極の他に、移動できるリン
グ状のクリーニング用電棲を設けている。
まず、トランジスタや抵抗等の半導体素子及びアルミニ
ウム配線の形成された半導体基板１７を約４００℃に保
ち、絶縁された上部電極１２下部電極１３が平行に配置
された真空容器１４内に搬送する。この容器内を−・旦
真空に引いた後、モノシランガス約１１００３ＣＣ，酸
化窒素ガス約１５００３ＣＣＭ、圧力を約５Ｔｏｒｒの
条件下で、電極１２．１３に周波数１．３．５６ＭＨｚ
で５００Ｗの高周波（ＲＦ）を印加し、酸化シリコン膜
の形成を行なう、基板を搬出した後、クリーニング用の
［Ｍ１９を所定の位置に移動し、ＣＦａｌｏｏＳＣＣＭ
、Ｏｔ２００ＳＣＣＭ、圧力２Ｔ。
ウム配線の形成された半導体基板１７を約４００℃に保
ち、絶縁された上部電極１２下部電極１３が平行に配置
された真空容器１４内に搬送する。この容器内を−・旦
真空に引いた後、モノシランガス約１１００３ＣＣ，酸
化窒素ガス約１５００３ＣＣＭ、圧力を約５Ｔｏｒｒの
条件下で、電極１２．１３に周波数１．３．５６ＭＨｚ
で５００Ｗの高周波（ＲＦ）を印加し、酸化シリコン膜
の形成を行なう、基板を搬出した後、クリーニング用の
［Ｍ１９を所定の位置に移動し、ＣＦａｌｏｏＳＣＣＭ
、Ｏｔ２００ＳＣＣＭ、圧力２Ｔ。
ｒｒ、の条件下で、クリーニング用の電極１９と上！ｗ
ＩＪｉｌ ２ｆｆｉ’Ｈ：ＪｉｔｌＪ波数１３． ５６
ＭＨｚ）７００Ｗの高周波（ＲＦ）を印加し、真空容器
内に形成された余分な酸化シリコン膜の除去を行なう。
ＩＪｉｌ ２ｆｆｉ’Ｈ：ＪｉｔｌＪ波数１３． ５６
ＭＨｚ）７００Ｗの高周波（ＲＦ）を印加し、真空容器
内に形成された余分な酸化シリコン膜の除去を行なう。
クリーニング用ｆｌＩ４？１９を設けたことによってＣ
ＶＤＭ形成用のｆｆ：Ｍ１３へのＲＦ印加によるダメー
ジが激減し、従来成膜回数３０００回程度０交換の必要
だった電極が１００００回程度０連続使用が可能となっ
た。また、ＣＶ Ｄ Ｍ形成時の成長速度や面内均一性
が安定した。
ＶＤＭ形成用のｆｆ：Ｍ１３へのＲＦ印加によるダメー
ジが激減し、従来成膜回数３０００回程度０交換の必要
だった電極が１００００回程度０連続使用が可能となっ
た。また、ＣＶ Ｄ Ｍ形成時の成長速度や面内均一性
が安定した。
ここでは、半導体プロセス用の枚葉式のＣＶＤ膜形成＆
！ｔＷｉのため、円盤式の２枚の［極の他に、円盤より
大きなリング状のクリーニング用１ｉＥ極を設けている
。クリーニング用電極は移動式の方がＭ適なりリーニン
グ条件でクリーニングできるが、移動できなくても７ｔ
［に与えるダメージが軽減できる。
！ｔＷｉのため、円盤式の２枚の［極の他に、円盤より
大きなリング状のクリーニング用１ｉＥ極を設けている
。クリーニング用電極は移動式の方がＭ適なりリーニン
グ条件でクリーニングできるが、移動できなくても７ｔ
［に与えるダメージが軽減できる。
また、ここでは、モノシラン−亜酸化窒素系の酸化シリ
コン膜について説明したが、ＴＥ０１−酸素系の酸化シ
リコン１１先 およびモノシラン−アンモニア系の窒
化シリコン膜等のＣＶＤ膜のクリーニングにも同様の結
果が得られた。クリーニングガスについてもＣＦ ｓ
／ ０２の他Ｃ２Ｆｇ１０２．ＮＦ嘗／ ０２＋ Ｎ
Ｆ ２／ Ｎ ｔｏといったガスでも同様に適用可能
である６ 〔発明の効果〕 以上の如く本発明によれば、ＣＶＤ膜形成用の電極とは
別にクリーニング用の電極を設けたことによってＣＶＤ
膜形成用の電極へのダメージを軽減でき、長期間安定し
たＣＶＤ膜を供給することが可能となる。
コン膜について説明したが、ＴＥ０１−酸素系の酸化シ
リコン１１先 およびモノシラン−アンモニア系の窒
化シリコン膜等のＣＶＤ膜のクリーニングにも同様の結
果が得られた。クリーニングガスについてもＣＦ ｓ
／ ０２の他Ｃ２Ｆｇ１０２．ＮＦ嘗／ ０２＋ Ｎ
Ｆ ２／ Ｎ ｔｏといったガスでも同様に適用可能
である６ 〔発明の効果〕 以上の如く本発明によれば、ＣＶＤ膜形成用の電極とは
別にクリーニング用の電極を設けたことによってＣＶＤ
膜形成用の電極へのダメージを軽減でき、長期間安定し
たＣＶＤ膜を供給することが可能となる。
第１図、第２図は、本発明の一実施例にＣＶＤ膜形膜形
成装機略断面図及び、投射図である。 第３図は、従来のＣＶ Ｄ Ｎ＠形成装置の概略断面図
である。 １１．３１・・・ＲＦ発振器 １２．３２・・・−［４部電極 １３．２３ ３３・・・下部電極 １４．２４．３４・・・真空容器 １５．３５・・・ガス入口 １６．３６・・・ガス出口 １７・・・基板 １８・・・絶縁物 １９．２９・・・クリーニング用電極 以 上
成装機略断面図及び、投射図である。 第３図は、従来のＣＶ Ｄ Ｎ＠形成装置の概略断面図
である。 １１．３１・・・ＲＦ発振器 １２．３２・・・−［４部電極 １３．２３ ３３・・・下部電極 １４．２４．３４・・・真空容器 １５．３５・・・ガス入口 １６．３６・・・ガス出口 １７・・・基板 １８・・・絶縁物 １９．２９・・・クリーニング用電極 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）平行平板式の対向する２つの電極の他に第３のプラ
ズマクリーニング用の電極を持つことを特徴とするＣＶ
Ｄ膜形成装置。 ２）請求項１に記載する第３の電極が第１または、第２
の電極よりも大きいことを特徴とするＣＶＤ膜形成装置
。 ３）請求項１あるいは請求項２に記載する第３の電極が
移動可能なことを特徴とするＣＶＤ膜形成装置。 ４）請求項１、請求項２あるいは請求項３に記載する第
３の電極を用いたクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21080490A JPH0499281A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | Ｃｖｄ膜形成装置及びクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21080490A JPH0499281A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | Ｃｖｄ膜形成装置及びクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499281A true JPH0499281A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16595411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21080490A Pending JPH0499281A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | Ｃｖｄ膜形成装置及びクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499281A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011013458A1 (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置、その使用方法およびプラズマ処理装置のクリーニング方法 |
-
1990
- 1990-08-09 JP JP21080490A patent/JPH0499281A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011013458A1 (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置、その使用方法およびプラズマ処理装置のクリーニング方法 |
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