JPH049954A - 湿式現像方法 - Google Patents
湿式現像方法Info
- Publication number
- JPH049954A JPH049954A JP2112932A JP11293290A JPH049954A JP H049954 A JPH049954 A JP H049954A JP 2112932 A JP2112932 A JP 2112932A JP 11293290 A JP11293290 A JP 11293290A JP H049954 A JPH049954 A JP H049954A
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- JP
- Japan
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- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光ディスクの製作等に利用する湿式現像方法に
関する。
関する。
（従来の技術）
光ディスクの製作にもＩＣ製作技術が応用されており、
ポジ形レジスト膜に湿式現像方法にてグループやビット
を形成する方法もその１つである。
ポジ形レジスト膜に湿式現像方法にてグループやビット
を形成する方法もその１つである。
即ち、従来の湿式現像法は光感応基を含むレジスト膜に
所定パターンでレーザ光を照射し、露光部分をアルカリ
溶液（現像液）に溶解させて除去するようにしているが
、この方法では非露光部分も無視しえないほど溶解し、
所謂膜減りにより現像パターンのテーパが助長される。
所定パターンでレーザ光を照射し、露光部分をアルカリ
溶液（現像液）に溶解させて除去するようにしているが
、この方法では非露光部分も無視しえないほど溶解し、
所謂膜減りにより現像パターンのテーパが助長される。
そこで特開昭５９−８４４２６号公報に開示されるレジ
ストのアルカリ処理方法がしられている。
ストのアルカリ処理方法がしられている。
この方法は、第３図（Ａ）に示すようにガラス板等の基
板１００上にレジスト膜１０１を形成し、次いで第３図
（Ｂ）に示すように露光前のレジスト膜１０１表面を強
アルカリ液１０２に晒し、この後水洗いして乾燥せしめ
、更に第３図（Ｃ）に示すように露光を行なった後に第
３図（Ｄ）に示すように再び強アルカリ液１０２に晒し
第３図（Ｅ）に示す現像パターン１０３を形成する方法
であり、露光前のレジスト膜表面を強アルカリ液に晒す
ことで非露光部分の膜減りを少なくし、現像パターンの
テーパを防止しようというものである。
板１００上にレジスト膜１０１を形成し、次いで第３図
（Ｂ）に示すように露光前のレジスト膜１０１表面を強
アルカリ液１０２に晒し、この後水洗いして乾燥せしめ
、更に第３図（Ｃ）に示すように露光を行なった後に第
３図（Ｄ）に示すように再び強アルカリ液１０２に晒し
第３図（Ｅ）に示す現像パターン１０３を形成する方法
であり、露光前のレジスト膜表面を強アルカリ液に晒す
ことで非露光部分の膜減りを少なくし、現像パターンの
テーパを防止しようというものである。
（発明が解決しようとする課題）
上述したアルカリ処理方法にあっては、レジスト膜表面
を強アルカリに晒した後に純水でリンスし、この純水を
窒素ガスのブローやスピンナーにて飛散せしめるように
しているが、完全に飛散せしめることができず部分的に
残ってしまう。そして、水分が残った部分はシミとなっ
て露光時にドロップアウトとなったり、水分が残ってい
る部分は屈折率が変り光がレジスト膜まで入り込めず第
４図に示すようにビット形状が崩れてしまう。
を強アルカリに晒した後に純水でリンスし、この純水を
窒素ガスのブローやスピンナーにて飛散せしめるように
しているが、完全に飛散せしめることができず部分的に
残ってしまう。そして、水分が残った部分はシミとなっ
て露光時にドロップアウトとなったり、水分が残ってい
る部分は屈折率が変り光がレジスト膜まで入り込めず第
４図に示すようにビット形状が崩れてしまう。
これを解消すべくリンスに用いた水を完全に乾燥せしめ
るには、ソフトベークを行なうか自然乾燥しなければな
らず、前者にあっては工程数が増し、後者にあっては時
間がかかる。
るには、ソフトベークを行なうか自然乾燥しなければな
らず、前者にあっては工程数が増し、後者にあっては時
間がかかる。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決すべく本発明は、ガラス円盤等の基板上
に形成したポジ形フォトレジスト膜に所定パターンの露
光を行ない、この後、第１及び第２の現像液を用いて連
続的に２段階の現像を行なうようにした。
に形成したポジ形フォトレジスト膜に所定パターンの露
光を行ない、この後、第１及び第２の現像液を用いて連
続的に２段階の現像を行なうようにした。
（作用）
第１の現像液に露光後のレジスト膜表面を接触せしめる
と、第１の現像液は低濃度のため、露光部分の表面は若
干溶解するが非露光部分の表面では光感応基を含んだ化
合物が縮合して形状荒れや膜減りを起こしにくいアゾ化
合物を生じる。この状態で高濃度の第２の現像液で露光
部分を溶解して除去する。
と、第１の現像液は低濃度のため、露光部分の表面は若
干溶解するが非露光部分の表面では光感応基を含んだ化
合物が縮合して形状荒れや膜減りを起こしにくいアゾ化
合物を生じる。この状態で高濃度の第２の現像液で露光
部分を溶解して除去する。
（実施例）
以下に本発明の実施例を添付図面に基いて説明する。
第１図は本発明方法を工程順に説明した図であり、本発
明にあっては先ず第１図（Ａ）に示すようにガラス円盤
等の基板１上にスピンナー等を用いてポジ形レジスト液
を均一に塗布しこれを乾燥せしめてレジスト膜２とする
。ここでレジストはノボラック系樹脂を主成分とし、光
感応基としてＯ−ナフトキノンジアジＦ基を含んでいる
。
明にあっては先ず第１図（Ａ）に示すようにガラス円盤
等の基板１上にスピンナー等を用いてポジ形レジスト液
を均一に塗布しこれを乾燥せしめてレジスト膜２とする
。ここでレジストはノボラック系樹脂を主成分とし、光
感応基としてＯ−ナフトキノンジアジＦ基を含んでいる
。
次いで、第１図（Ｂ）に示すようにレジスト膜２に光変
調されたレーザ光３をスパイラル状又は同心円状に照射
する。すると、レジスト膜２のうち露光した部分２ａは
アルカリ溶液（現像液）に可溶なカルボン酸になる。
調されたレーザ光３をスパイラル状又は同心円状に照射
する。すると、レジスト膜２のうち露光した部分２ａは
アルカリ溶液（現像液）に可溶なカルボン酸になる。
この後、第１図（Ｃ）に示すようにレジス）・膜２表面
に第１の現像液４を接触せしめる。だい１の現像液とし
ては０３％の無機アルカリ水溶液（例えばＮａＯＨ水溶
液）を用いる。そして、現像時間は前記露光部分２ａの
表面が若干溶解する程度とし、具体的には約６０秒とす
る。また非露光部分２ｂについては光感応基を含んだ化
合物が縮合してアゾ化合物を生成する。
に第１の現像液４を接触せしめる。だい１の現像液とし
ては０３％の無機アルカリ水溶液（例えばＮａＯＨ水溶
液）を用いる。そして、現像時間は前記露光部分２ａの
表面が若干溶解する程度とし、具体的には約６０秒とす
る。また非露光部分２ｂについては光感応基を含んだ化
合物が縮合してアゾ化合物を生成する。
この後、レジスト膜２の表面を純水でリンスし第１図（
Ｄ）に示すように第２の現像液５を接触せしめる。第２
の現像液５としては前記第１の現像液と同様の無機アル
カリ水溶液を用い、その濃度を１０％程度とし、第１の
現像液よりも高濃度とする。そして、現像時間は前記露
光部分２ａが完全に溶解するまでとし、具体的には約４
０秒とする。
Ｄ）に示すように第２の現像液５を接触せしめる。第２
の現像液５としては前記第１の現像液と同様の無機アル
カリ水溶液を用い、その濃度を１０％程度とし、第１の
現像液よりも高濃度とする。そして、現像時間は前記露
光部分２ａが完全に溶解するまでとし、具体的には約４
０秒とする。
この後、レジスト膜２の表面を純水でリンスすることで
、第１図（Ｅ）に示すようにピット６或いはグループが
所定パターンで形成される。
、第１図（Ｅ）に示すようにピット６或いはグループが
所定パターンで形成される。
（効果）
第２図は現像時間（秒）と膜減り量（μｍ）の関係を示
すグラフであり、このグラフがらも明らかなように本発
明によれば、ガラス円盤等に形成したポジ形フォトレジ
スト膜に所定パターンの露光を行ない、この後、低濃度
の第１の現像液によって非露光部分の表面を変質せしめ
、次いて高濃度の第２の現像液を用いて露光部分を溶解
せしめるようにしたので、非露光部分の膜減りを防止し
つつ効率的に現像を行なえる。
すグラフであり、このグラフがらも明らかなように本発
明によれば、ガラス円盤等に形成したポジ形フォトレジ
スト膜に所定パターンの露光を行ない、この後、低濃度
の第１の現像液によって非露光部分の表面を変質せしめ
、次いて高濃度の第２の現像液を用いて露光部分を溶解
せしめるようにしたので、非露光部分の膜減りを防止し
つつ効率的に現像を行なえる。
第１図（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明方法を工程順に示した
図、第２図は現像時間（秒）と膜減り量（μｍ）の関係
を示すグラフ、第３図（Ａ）乃至（Ｅ）は従来方法を工
程順に示した図、第４図は従来法によって形成したビッ
トの拡大図である。 １・・・基板、２・・・レジスト膜、２ａ・・・露光部
分、２ｂ・・・非露光部分、３・・・レーザ光、４・・
・第１の現像液、 ５・・・第２の現像液。 特 許 出 願 人 日本ビクター株式会社 第 図 ５！、像時間（ルＶ） 第２図 第３図 第４図
図、第２図は現像時間（秒）と膜減り量（μｍ）の関係
を示すグラフ、第３図（Ａ）乃至（Ｅ）は従来方法を工
程順に示した図、第４図は従来法によって形成したビッ
トの拡大図である。 １・・・基板、２・・・レジスト膜、２ａ・・・露光部
分、２ｂ・・・非露光部分、３・・・レーザ光、４・・
・第１の現像液、 ５・・・第２の現像液。 特 許 出 願 人 日本ビクター株式会社 第 図 ５！、像時間（ルＶ） 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- ガラス円盤等の基板上にポジ形フォトレジスト膜を形
成し、このフォトレジスト膜に所定パターンの露光を行
ない、次いで露光した部分の表面が若干溶解する程度ま
でフォトレジスト膜表面を第１の現像液に接触せしめ、
この後フォトレジスト膜表面を水洗いし、更に第２の現
像液でフォトレジスト膜の露光した部分を溶解するよう
にしたことを特徴とする湿式現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112932A JPH049954A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 湿式現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112932A JPH049954A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 湿式現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH049954A true JPH049954A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14599100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2112932A Pending JPH049954A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 湿式現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH049954A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018481B2 (en) | 2002-01-28 | 2006-03-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate treating method, substrate-processing apparatus, developing method, method of manufacturing a semiconductor device, and method of cleaning a developing solution nozzle |
| JP2007328276A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 光走査装置 |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2112932A patent/JPH049954A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018481B2 (en) | 2002-01-28 | 2006-03-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate treating method, substrate-processing apparatus, developing method, method of manufacturing a semiconductor device, and method of cleaning a developing solution nozzle |
| US7669608B2 (en) | 2002-01-28 | 2010-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate treating method, substrate-processing apparatus, developing method, method of manufacturing a semiconductor device, and method of cleaning a developing solution nozzle |
| JP2007328276A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 光走査装置 |
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