JPH0499897A - 水平搬送型メッキ装置 - Google Patents
水平搬送型メッキ装置Info
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- JPH0499897A JPH0499897A JP2215638A JP21563890A JPH0499897A JP H0499897 A JPH0499897 A JP H0499897A JP 2215638 A JP2215638 A JP 2215638A JP 21563890 A JP21563890 A JP 21563890A JP H0499897 A JPH0499897 A JP H0499897A
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/008—Current shielding devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/002—Cell separation, e.g. membranes, diaphragms
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/04—Removal of gases or vapours ; Gas or pressure control
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing of the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、不溶解性電極を用いた水平搬送型のメッキ装
置に関する。
置に関する。
[従来の技術]
例えば、プリント基板の如き平板形状のメッキ対象物に
メッキ処理を施す場合、メッキ対象物をクレーン等に縮
量保持させてメッキ槽へ間歇的に搬送する間歇搬送型と
、メッキ対象物を水平搬送手段によってメッキ槽内を連
続的に搬送する水平搬送型とがある。前者はバッチ処理
方式で、後者は連続処理方式となる。一方、使用される
陽極構造からは溶解性電極型と不溶解性電極型とに区分
される。
メッキ処理を施す場合、メッキ対象物をクレーン等に縮
量保持させてメッキ槽へ間歇的に搬送する間歇搬送型と
、メッキ対象物を水平搬送手段によってメッキ槽内を連
続的に搬送する水平搬送型とがある。前者はバッチ処理
方式で、後者は連続処理方式となる。一方、使用される
陽極構造からは溶解性電極型と不溶解性電極型とに区分
される。
ここに、間歇搬送型を説明すると、第5図に示すメッキ
装置は溶解性電極型て、1はメッキ槽5は搬送桿6に支
持されたプリント基板(メッキ対象物)、21′、21
′は給電バンカー2,2に支持された陽極である。この
陽極21′はメツシュ状筒体に銅または銅合金のボール
、チップ等を収納させたものとされている。
装置は溶解性電極型て、1はメッキ槽5は搬送桿6に支
持されたプリント基板(メッキ対象物)、21′、21
′は給電バンカー2,2に支持された陽極である。この
陽極21′はメツシュ状筒体に銅または銅合金のボール
、チップ等を収納させたものとされている。
ところが、かかるメッキ装置では、陽@(銅ボール等)
21′が溶解性であるために、メッキ液中の銅イオン濃
度の維持・管理が煩わしいのみならす陽極自体の補給交
換作業に多大な労力と時間を費やす等の欠点がある6さ
らに、陽極消耗による極間距離の変化によるメッキ膜厚
め不均一化を防止するために極間距離1を大きくしなけ
ればならないので装置大型や建浴量が増大となる問題が
ある。
21′が溶解性であるために、メッキ液中の銅イオン濃
度の維持・管理が煩わしいのみならす陽極自体の補給交
換作業に多大な労力と時間を費やす等の欠点がある6さ
らに、陽極消耗による極間距離の変化によるメッキ膜厚
め不均一化を防止するために極間距離1を大きくしなけ
ればならないので装置大型や建浴量が増大となる問題が
ある。
この問題点を解消するには、陽極として不溶解性陽極を
用いかつ別個の銅溶解槽で生成した銅イオンをメッキ槽
に補給することが考えられているしかし、この不溶解性
陽極の場合、溶解性陽極に比べ平衡電位が高くなるので
添加剤(例えば、ポリエーテル類や有機硫黄・化合物等
)の陽分極による酸化分解が助長され易い。したがって
、各種添加剤の消費量が多くなりメッキ処理コストが高
くなるという不溶解性陽極導入による固有的問題点が派
生する。
用いかつ別個の銅溶解槽で生成した銅イオンをメッキ槽
に補給することが考えられているしかし、この不溶解性
陽極の場合、溶解性陽極に比べ平衡電位が高くなるので
添加剤(例えば、ポリエーテル類や有機硫黄・化合物等
)の陽分極による酸化分解が助長され易い。したがって
、各種添加剤の消費量が多くなりメッキ処理コストが高
くなるという不溶解性陽極導入による固有的問題点が派
生する。
ここに、添加剤の分解を防止して添加剤の長期に亘る安
定使用とメッキ液管理の容易化を図るものとして、陽!
(21)とメッキ対象物(5)とを隔膜で隔離すること
が提案(例えば、特開平1297884号)されている
。
定使用とメッキ液管理の容易化を図るものとして、陽!
(21)とメッキ対象物(5)とを隔膜で隔離すること
が提案(例えば、特開平1297884号)されている
。
すなわち、第6図に示す如く、陽極21を不溶解性平板
電極から形成するとともに、陽極21とメッキ対象物5
との間に隔膜31を介装させる不溶解性電極型とすると
、添加剤を含有するメッキ液の大部分が陽@21に接触
することがないから、添加剤の分解や高価な試薬の使用
を軽減できる。
電極から形成するとともに、陽極21とメッキ対象物5
との間に隔膜31を介装させる不溶解性電極型とすると
、添加剤を含有するメッキ液の大部分が陽@21に接触
することがないから、添加剤の分解や高価な試薬の使用
を軽減できる。
しかし、この不溶解性電極型としても、隔膜31の変形
・破損の虞れが強く、隔膜31の点検作業、交換作業が
難しいという実際運用上の問題がある。ここに、本出願
人は、第4図に示す如く不溶解性電極21と隔膜31と
を液密性本体ゲース11に格納するとともに隔膜31を
リブ体41で外側から覆った一体型を先に提案している
。なお、第4図中、15はスペーサで、Sは電極21の
収容空間つまり密閉空間である。これによれば、隔M3
1の保護が万全となり、点検作業が迅速かつ容易に行な
え、また、複数格子42が形成する起立面42aの分離
作用によって電流分布を均一化できる。
・破損の虞れが強く、隔膜31の点検作業、交換作業が
難しいという実際運用上の問題がある。ここに、本出願
人は、第4図に示す如く不溶解性電極21と隔膜31と
を液密性本体ゲース11に格納するとともに隔膜31を
リブ体41で外側から覆った一体型を先に提案している
。なお、第4図中、15はスペーサで、Sは電極21の
収容空間つまり密閉空間である。これによれば、隔M3
1の保護が万全となり、点検作業が迅速かつ容易に行な
え、また、複数格子42が形成する起立面42aの分離
作用によって電流分布を均一化できる。
このような各間歇搬送型によるバッチ処理方式からすれ
ば、第5図に示した溶解性陽極21′をメッキ槽1の上
下に配設し、あるいは第6図に示した不溶解性陽極21
と隔膜31とをメッキ槽1の上下に配設し、その中間に
例えばコンベア等でメッキ対象物5を水平搬送させる連
続処理方式とすることが、生産性向上、装置小型化等々
において一段と優れたものになること明白である。
ば、第5図に示した溶解性陽極21′をメッキ槽1の上
下に配設し、あるいは第6図に示した不溶解性陽極21
と隔膜31とをメッキ槽1の上下に配設し、その中間に
例えばコンベア等でメッキ対象物5を水平搬送させる連
続処理方式とすることが、生産性向上、装置小型化等々
において一段と優れたものになること明白である。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、現実としては水平搬送型の連続処理方式
は普及していないのが事情である。
は普及していないのが事情である。
なぜならば、第5図に示す溶解性陽l#A21’を上下
配設した場合には、上記バッチ処理方式において説明し
た陽極消耗による極間距離の変化によっで生ずるメッキ
膜厚の不均−化、陽極自体の交換作業等が、−段と劣悪
化乃至困難となるからである。一方、第6図に示す不溶
解性陽極21を上下配設した場合には、隔膜31の点検
・交換作業が一層煩雑かつ困難となるからである。
配設した場合には、上記バッチ処理方式において説明し
た陽極消耗による極間距離の変化によっで生ずるメッキ
膜厚の不均−化、陽極自体の交換作業等が、−段と劣悪
化乃至困難となるからである。一方、第6図に示す不溶
解性陽極21を上下配設した場合には、隔膜31の点検
・交換作業が一層煩雑かつ困難となるからである。
ここに、出願人は先に提案した上記一体型の隔膜電極構
造(11,21,31,41)を採用して連続処理方式
を試作研究した。しかし、この方法では、隔膜31の保
護が完全となり、また、隔膜31等の点検・交換作業等
は容易となったが、不溶解性陽極21から発生するガス
が本体ケース11と隔膜31とか形成する密閉空間S内
に残留するためメッキ膜厚のバラツキか激しくなるばか
りか、円滑な通電を続行させることができず所望のメッ
キ処理かできないという新たな問題か生じた。特に、ス
ルーホールを有する平板形状のプリント基板に銅メッキ
を施す場合等にあっては、実用性に欠けるといわさ゛る
を得ない結果となっているに こに、本発明の目的は、完全なガス抜きが行なえる不溶
解性電極構造を導入することにより、均−なメッキ膜を
円滑かつ高能率に形成できる生産性の高い水平搬送型メ
ッキ装置を提供することにある。
造(11,21,31,41)を採用して連続処理方式
を試作研究した。しかし、この方法では、隔膜31の保
護が完全となり、また、隔膜31等の点検・交換作業等
は容易となったが、不溶解性陽極21から発生するガス
が本体ケース11と隔膜31とか形成する密閉空間S内
に残留するためメッキ膜厚のバラツキか激しくなるばか
りか、円滑な通電を続行させることができず所望のメッ
キ処理かできないという新たな問題か生じた。特に、ス
ルーホールを有する平板形状のプリント基板に銅メッキ
を施す場合等にあっては、実用性に欠けるといわさ゛る
を得ない結果となっているに こに、本発明の目的は、完全なガス抜きが行なえる不溶
解性電極構造を導入することにより、均−なメッキ膜を
円滑かつ高能率に形成できる生産性の高い水平搬送型メ
ッキ装置を提供することにある。
1課題を解決するための手段]
本発明は、メッキ槽内に上側電極と下側電極とを対向配
設し、両電極間に平板形状のメッキ対象物を水平状態で
搬’rM しつつメッキする水平搬送型メッキ装置にお
いて、前記上側電極と下側電極とを対向面側が隔膜で覆
われた密閉空間内に不溶解性平板電極を配設した隔膜電
極構造から形成し、上側電極を形成する隔膜電極構造の
不溶解性平板電極に両面を貫通する複数の小孔を設ける
とともに該密閉空間の上部側にガス抜き孔を設け、かつ
下側電極を形成する隔膜電極構造の隔膜をメッキ槽底面
に対して傾斜配設するとともに密閉空間の隔膜が立上が
った側にガス抜き孔を設けたことを特徴とする。
設し、両電極間に平板形状のメッキ対象物を水平状態で
搬’rM しつつメッキする水平搬送型メッキ装置にお
いて、前記上側電極と下側電極とを対向面側が隔膜で覆
われた密閉空間内に不溶解性平板電極を配設した隔膜電
極構造から形成し、上側電極を形成する隔膜電極構造の
不溶解性平板電極に両面を貫通する複数の小孔を設ける
とともに該密閉空間の上部側にガス抜き孔を設け、かつ
下側電極を形成する隔膜電極構造の隔膜をメッキ槽底面
に対して傾斜配設するとともに密閉空間の隔膜が立上が
った側にガス抜き孔を設けたことを特徴とする。
本発明によれば、隔膜電極構造とされた上llI!I電
極と下側電極との間に、平板形状のメッキ対象物を水平
搬送すればメッキ対象物の上下面にメッキ膜を能率良く
形成することかできる。
極と下側電極との間に、平板形状のメッキ対象物を水平
搬送すればメッキ対象物の上下面にメッキ膜を能率良く
形成することかできる。
この際、上側電極の下面から発生したガスは、不溶解性
平板@極の小孔を通りその上面側に逃げガス抜き孔から
隔膜電giJa造の外へ排出される、とともに下側電橋
の上面から発生したガスは隔膜の傾斜面に沿って上昇移
動しその立上り部分に設けたガス抜き孔から隔膜電極構
造の外へ排出される。
平板@極の小孔を通りその上面側に逃げガス抜き孔から
隔膜電giJa造の外へ排出される、とともに下側電橋
の上面から発生したガスは隔膜の傾斜面に沿って上昇移
動しその立上り部分に設けたガス抜き孔から隔膜電極構
造の外へ排出される。
よって、各不溶解性平板電極とメッキ対象物との間には
ガスが停滞しないから円滑な通電が保障され、メッキ対
象物の両面に均一で高品質のメッキ処理を能率良く形成
することができる。
ガスが停滞しないから円滑な通電が保障され、メッキ対
象物の両面に均一で高品質のメッキ処理を能率良く形成
することができる。
しかも、上・下電極は一体型の隔膜電極構造とされてい
るので、高価な添加剤等の労費かなくかつ隔膜等の点検
作業も容易かつ迅速に行なえる。
るので、高価な添加剤等の労費かなくかつ隔膜等の点検
作業も容易かつ迅速に行なえる。
[作 用]
[実施例]
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
本メッキ装置は、第1図、第2図に示す如く、メッキ槽
1内に上側電極と下側電極とを対向配設し、両電極間に
平板形状のメッキ対象物5(この実施例てはスルーホー
ルを有するプリント基板)をコンベア等水平搬送手段の
挟持部材100.100で挟持しつつ、第1図でX方向
に、水平搬送する構成とされ、画電極はそれぞれ隔膜電
極構造から形成されかつガス抜き手段を設けた構成とさ
れている。
1内に上側電極と下側電極とを対向配設し、両電極間に
平板形状のメッキ対象物5(この実施例てはスルーホー
ルを有するプリント基板)をコンベア等水平搬送手段の
挟持部材100.100で挟持しつつ、第1図でX方向
に、水平搬送する構成とされ、画電極はそれぞれ隔膜電
極構造から形成されかつガス抜き手段を設けた構成とさ
れている。
ここに、隔膜電極構造とは、隔膜31で覆われた密閉空
間S内に不溶解性平板電極(陽極)21を配設した構成
である。すなわち、本体ゲース11に不溶解性平板型#
121と隔M3Iとをスペーサ15を介して一定の隙間
に保持しっつポル1〜等で一体に固定し、密閉空間S内
に不溶解性平板型fli21を収容した構造である。し
たがって、添加剤を含むメッキ液の大部分が不溶解性平
板電極(陽極)21に直接接触することがないので、添
加削の分解を防止できる、とともに陽極21と隔膜31
とを一体的にメッキ槽1外へ取出しできるから、それら
点検作業が容易で迅速に行なえる。
間S内に不溶解性平板電極(陽極)21を配設した構成
である。すなわち、本体ゲース11に不溶解性平板型#
121と隔M3Iとをスペーサ15を介して一定の隙間
に保持しっつポル1〜等で一体に固定し、密閉空間S内
に不溶解性平板型fli21を収容した構造である。し
たがって、添加剤を含むメッキ液の大部分が不溶解性平
板電極(陽極)21に直接接触することがないので、添
加削の分解を防止できる、とともに陽極21と隔膜31
とを一体的にメッキ槽1外へ取出しできるから、それら
点検作業が容易で迅速に行なえる。
しかも、隔膜31は、基本的に第4図に示したと同様な
リブ体41て外側がら覆われているので、隔膜31の変
形・破損が生ぜず、また、格子(42)の起立面(42
a)によって電流分布を均一とでき、さらに、本体ケー
ス11.リブ体41等の剛性によって全体の機械的強度
を強められるので、@極21自体を薄型とでき経済的で
ある。
リブ体41て外側がら覆われているので、隔膜31の変
形・破損が生ぜず、また、格子(42)の起立面(42
a)によって電流分布を均一とでき、さらに、本体ケー
ス11.リブ体41等の剛性によって全体の機械的強度
を強められるので、@極21自体を薄型とでき経済的で
ある。
そして、上側電極たる隔Il!電極横遣には、第1図、
第3図に示す如く、陽極21の両側に貫通ずる複数の小
孔22が設けられており、かつ密閉空間Sの上部側にガ
ス抜き孔12が設けられている。
第3図に示す如く、陽極21の両側に貫通ずる複数の小
孔22が設けられており、かつ密閉空間Sの上部側にガ
ス抜き孔12が設けられている。
このガス抜き孔12は、この実施例の場合、短管13で
メッキ液外に案内されている。
メッキ液外に案内されている。
したがって、メッキ対象物5に対向する側つまり陽極2
1の下面から発生したガスは、小孔22を通りガス抜き
孔12から外部へ排出される。この際、陽極21の下面
側には、第3図に示す如く、小孔22に向けた凹部25
が設けられているので、ガス捕集効果を助長でき円滑な
ガス抜きが行なわれる。よって、密閉空間S内にガスが
溜まらないので、メッキ対象物5の上面およびスルーホ
ールに円滑に均一メッキ処理を方枳すことができる。
1の下面から発生したガスは、小孔22を通りガス抜き
孔12から外部へ排出される。この際、陽極21の下面
側には、第3図に示す如く、小孔22に向けた凹部25
が設けられているので、ガス捕集効果を助長でき円滑な
ガス抜きが行なわれる。よって、密閉空間S内にガスが
溜まらないので、メッキ対象物5の上面およびスルーホ
ールに円滑に均一メッキ処理を方枳すことができる。
一方、下側電極たる隔膜電極構造は、第1図に示す如く
、スペーサ15に段差を設は隔膜31をメッキ対象物5
の搬送方向Xに向けてメッキ槽1の底面に対して立上る
ように傾斜配設している。
、スペーサ15に段差を設は隔膜31をメッキ対象物5
の搬送方向Xに向けてメッキ槽1の底面に対して立上る
ように傾斜配設している。
また、密閉空間Sの下流(第1図で右側)にはガス抜さ
孔16が設けられ、排管17で外部へ案内されている。
孔16が設けられ、排管17で外部へ案内されている。
したがって、陽極21の上面から発生したガスは、密閉
空間S内で隔膜31の内面に沿って上昇し、ガス抜き孔
16から外部へ排出される。よって、この場合にも密閉
空間S内にガスが停滞しないから、メッキ対象物5の下
面およびスルーホールに円滑で均一なメッキ処理を施す
ことができる。
空間S内で隔膜31の内面に沿って上昇し、ガス抜き孔
16から外部へ排出される。よって、この場合にも密閉
空間S内にガスが停滞しないから、メッキ対象物5の下
面およびスルーホールに円滑で均一なメッキ処理を施す
ことができる。
かかる構成のメッキ装置では、平板形状のメッキ対象物
5を上下電極(21,21,)間に水平搬1 】 送すれば、メッキ対象物5の上下面に均一で良質のメッ
キ処理を連続して行なえる。
5を上下電極(21,21,)間に水平搬1 】 送すれば、メッキ対象物5の上下面に均一で良質のメッ
キ処理を連続して行なえる。
しかして、この実施例によれば、上側電極と下側電極と
を一体型の隔膜電極構造から形成しがっ両隔膜電8ii
構造にガス抜き手段<2.2.12>、(31’、16
)を設けた構成とされているので、両者間にメッキ対象
物5を水平搬送すれば、不溶解性電極(@極)採用によ
る小型化等はもとより添加剤の分解防止の利点を全て享
受しながら、高品質メッキ処理を高能率かつ円滑に連続
して行なえ生産性を飛躍的に向上できる。
を一体型の隔膜電極構造から形成しがっ両隔膜電8ii
構造にガス抜き手段<2.2.12>、(31’、16
)を設けた構成とされているので、両者間にメッキ対象
物5を水平搬送すれば、不溶解性電極(@極)採用によ
る小型化等はもとより添加剤の分解防止の利点を全て享
受しながら、高品質メッキ処理を高能率かつ円滑に連続
して行なえ生産性を飛躍的に向上できる。
また、各隔膜電極構造が本体ゲース11と不溶解性平板
型#121と隔JIR31とリブ体41とを一体的に組
立てた構成とされているので、隔膜31の万全な保全と
隔膜31等の点検作業の迅速かつ容易化とが達成され、
小型・軽量で取扱簡単なものである。よって、この点か
らも実用性ある水平搬送型メッキ装置の普及拡大が図れ
る。
型#121と隔JIR31とリブ体41とを一体的に組
立てた構成とされているので、隔膜31の万全な保全と
隔膜31等の点検作業の迅速かつ容易化とが達成され、
小型・軽量で取扱簡単なものである。よって、この点か
らも実用性ある水平搬送型メッキ装置の普及拡大が図れ
る。
また、隔膜電極構造全体が構造簡単かつ小型・軽量であ
るから、搬入・搬出作業が簡単で、メッキ槽1内への取
付固定構造も簡素化できる。また、収容空間Sが狭小で
あるから添加剤等の初期的分解量を最小限に止められ経
済的である。
るから、搬入・搬出作業が簡単で、メッキ槽1内への取
付固定構造も簡素化できる。また、収容空間Sが狭小で
あるから添加剤等の初期的分解量を最小限に止められ経
済的である。
また、各構成要素11,21.31.41はボルト等の
緊締弛緩によって分解・組立できるから、不溶解性電極
21や隔膜31の交換作業を迅速かつ容易に行なえ、し
かも、全体を一人で搬出して行なえるから能率的である
。
緊締弛緩によって分解・組立できるから、不溶解性電極
21や隔膜31の交換作業を迅速かつ容易に行なえ、し
かも、全体を一人で搬出して行なえるから能率的である
。
また、上側電極の場合には不溶解性陽極21に設ける小
孔22の数を適宜とすることにより、下側電極の場合に
は隔膜31の傾斜角度を適宜とすることにより、ガス抜
き効果を必要十分に確保することかできるから、メッキ
対象物5の大きさやその搬送速度に即応させることかで
き適用性か広い。しかも、構造簡単であるから安定した
ガス抜きを保障でき、この点からも一段と均一で良質の
メッキ膜を形成できる。
孔22の数を適宜とすることにより、下側電極の場合に
は隔膜31の傾斜角度を適宜とすることにより、ガス抜
き効果を必要十分に確保することかできるから、メッキ
対象物5の大きさやその搬送速度に即応させることかで
き適用性か広い。しかも、構造簡単であるから安定した
ガス抜きを保障でき、この点からも一段と均一で良質の
メッキ膜を形成できる。
さらに、リブ体41は格子状とされているので、不溶解
性電lfA構造全体の機械的強度を高められ、その軽量
化と不溶解性電極21自体の薄型化が図れ、コスト低減
ができる。
性電lfA構造全体の機械的強度を高められ、その軽量
化と不溶解性電極21自体の薄型化が図れ、コスト低減
ができる。
さらにまた、リブ体41の各格子(42)はメッキ対象
eJ5に直角な起立面(42a)を形成するので、電流
刈込みを防止でき均一メッキ膜を形成することに有利で
ある。
eJ5に直角な起立面(42a)を形成するので、電流
刈込みを防止でき均一メッキ膜を形成することに有利で
ある。
さらにまた、不溶解性電極21は平板形状とされ、その
大きさも自由に選択できるから、特に、大型のプリント
基板に均一メッキするに好適である。
大きさも自由に選択できるから、特に、大型のプリント
基板に均一メッキするに好適である。
[発明の効果]
本発明によれは、上側電極と下側電極とを不溶解性平板
電極、隔膜等を一体的に組立てた隔膜電極構造としかつ
上側電極には小孔を設け、下側電極の隔膜を傾斜配設し
たガス抜き手段を設けた構成であるから、両電極間の極
間距離の狭小、装置小型化や高価な添加剤の節約等の利
益を全て享受しながら、メッキ対象物を水平搬送するだ
けで均一で高品質のメッキ処理を連続して行なえ生産性
を飛躍的に向上させることができる、とともに隔膜等の
点検作業を迅速かつ容易に行なえる取扱容易で、隔膜の
保護の万全を確約できる実用的水平搬送型メッキ装置を
提供することができる。
電極、隔膜等を一体的に組立てた隔膜電極構造としかつ
上側電極には小孔を設け、下側電極の隔膜を傾斜配設し
たガス抜き手段を設けた構成であるから、両電極間の極
間距離の狭小、装置小型化や高価な添加剤の節約等の利
益を全て享受しながら、メッキ対象物を水平搬送するだ
けで均一で高品質のメッキ処理を連続して行なえ生産性
を飛躍的に向上させることができる、とともに隔膜等の
点検作業を迅速かつ容易に行なえる取扱容易で、隔膜の
保護の万全を確約できる実用的水平搬送型メッキ装置を
提供することができる。
第1図は本発明の一実施例を示ず側断面図、第2図は第
1図の矢視線■−Hに基づく正面図、第3図は上側の不
溶解性電極の一部を拡大した断面図、第4図は一体型の
不溶解性隔WA電極構造の基本構成を説明するだめの外
観斜視図、第5図、第6図は従来のバッチ処理方式のメ
ッキ装置を示す図であって第5図は溶解性電極を用いた
場合および第6図は不溶解性電極を用いた場合である。 ■・・・メッキ槽、 5・・・メッキ対象物、 11・・・本体ケース、 12・・・ガス抜き孔、 13・・・短管、 15・・・スペーサ、 16・・・ガス抜き孔、 21・・・不溶解性平板@極 (上側電極、下側電極)、 22・・・小孔、 31・・・隔膜、 41・・・リブ体、 42・・・格子、 100・・・水平搬送手段の挟持部材。
1図の矢視線■−Hに基づく正面図、第3図は上側の不
溶解性電極の一部を拡大した断面図、第4図は一体型の
不溶解性隔WA電極構造の基本構成を説明するだめの外
観斜視図、第5図、第6図は従来のバッチ処理方式のメ
ッキ装置を示す図であって第5図は溶解性電極を用いた
場合および第6図は不溶解性電極を用いた場合である。 ■・・・メッキ槽、 5・・・メッキ対象物、 11・・・本体ケース、 12・・・ガス抜き孔、 13・・・短管、 15・・・スペーサ、 16・・・ガス抜き孔、 21・・・不溶解性平板@極 (上側電極、下側電極)、 22・・・小孔、 31・・・隔膜、 41・・・リブ体、 42・・・格子、 100・・・水平搬送手段の挟持部材。
Claims (1)
- (1)メッキ槽内に上側電極と下側電極とを対向配設し
、両電極間に平板形状のメッキ対象物を水平状態で搬送
しつつメッキする水平搬送型メッキ装置において、 前記上側電極と下側電極とを対向面側が隔膜で覆われた
密閉空間内に不溶解性平板電極を配設した隔膜電極構造
から形成し、 上側電極を形成する隔膜電極構造の不溶解性平板電極に
両面を貫通する複数の小孔を設けるとともに該密閉空間
の上部側にガス抜き孔を設け、かつ下側電極を形成する
隔膜電極構造の隔膜をメッキ槽底面に対して傾斜配設す
るとともに密閉空間の隔膜が立上がった側にガス抜き孔
を設けたことを特徴とする水平搬送型メッキ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2215638A JPH086198B2 (ja) | 1990-08-15 | 1990-08-15 | 水平搬送型メッキ装置 |
| US07/740,509 US5102521A (en) | 1990-08-15 | 1991-08-05 | Horizontal carrying tape electroplating apparatus |
| DE69113723T DE69113723T2 (de) | 1990-08-15 | 1991-08-15 | Elektroplattierungsvorrichtung der Horizontaltransportart. |
| EP91307532A EP0471577B1 (en) | 1990-08-15 | 1991-08-15 | Horizontal carrying type electroplating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2215638A JPH086198B2 (ja) | 1990-08-15 | 1990-08-15 | 水平搬送型メッキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499897A true JPH0499897A (ja) | 1992-03-31 |
| JPH086198B2 JPH086198B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=16675721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2215638A Expired - Lifetime JPH086198B2 (ja) | 1990-08-15 | 1990-08-15 | 水平搬送型メッキ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5102521A (ja) |
| EP (1) | EP0471577B1 (ja) |
| JP (1) | JPH086198B2 (ja) |
| DE (1) | DE69113723T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013082996A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-05-09 | Almex Pe Inc | 連続メッキ装置 |
| JP2014105339A (ja) * | 2012-11-24 | 2014-06-09 | Marunaka Kogyo Kk | 水平搬送式電解メッキ装置 |
| JP7016995B1 (ja) * | 2021-06-17 | 2022-02-07 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき方法 |
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| EP1029954A4 (en) * | 1998-09-08 | 2006-07-12 | Ebara Corp | DEVICE FOR PLACING SUBSTRATES |
| US6113759A (en) * | 1998-12-18 | 2000-09-05 | International Business Machines Corporation | Anode design for semiconductor deposition having novel electrical contact assembly |
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| EP1712660A1 (de) | 2005-04-12 | 2006-10-18 | Enthone Inc. | Unlösliche Anode |
| DE102005051632B4 (de) | 2005-10-28 | 2009-02-19 | Enthone Inc., West Haven | Verfahren zum Beizen von nicht leitenden Substratoberflächen und zur Metallisierung von Kunststoffoberflächen |
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| US9017528B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-04-28 | Tel Nexx, Inc. | Electro chemical deposition and replenishment apparatus |
| US9303329B2 (en) | 2013-11-11 | 2016-04-05 | Tel Nexx, Inc. | Electrochemical deposition apparatus with remote catholyte fluid management |
| CN116695226A (zh) * | 2022-02-24 | 2023-09-05 | 昆山东威科技股份有限公司 | 一种排气泡机构、阳极盒及水平电镀设备 |
| CN115094500B (zh) * | 2022-06-16 | 2024-01-23 | 昆山沪利微电有限公司 | 一种水平电镀铜的装置及方法 |
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| DE3864526D1 (de) * | 1987-01-26 | 1991-10-10 | Siemens Ag | Galvanisierungseinrichtung fuer plattenfoermige werkstuecke, insbesondere leiterplatten. |
| JPH0679922B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1994-10-12 | 松下冷機株式会社 | 厨芥収納庫 |
| US4871435A (en) * | 1988-10-14 | 1989-10-03 | Charles Denofrio | Electroplating apparatus |
-
1990
- 1990-08-15 JP JP2215638A patent/JPH086198B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-08-05 US US07/740,509 patent/US5102521A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-15 DE DE69113723T patent/DE69113723T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-15 EP EP91307532A patent/EP0471577B1/en not_active Expired - Lifetime
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| WO2022264354A1 (ja) * | 2021-06-17 | 2022-12-22 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5102521A (en) | 1992-04-07 |
| EP0471577A1 (en) | 1992-02-19 |
| EP0471577B1 (en) | 1995-10-11 |
| JPH086198B2 (ja) | 1996-01-24 |
| DE69113723T2 (de) | 1996-04-04 |
| DE69113723D1 (de) | 1995-11-16 |
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