JPH0455855A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH0455855A JPH0455855A JP2167220A JP16722090A JPH0455855A JP H0455855 A JPH0455855 A JP H0455855A JP 2167220 A JP2167220 A JP 2167220A JP 16722090 A JP16722090 A JP 16722090A JP H0455855 A JPH0455855 A JP H0455855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- isolated
- pressure water
- photomask
- dry plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体集積回路の製造に用いられるフォトマス
クに関するものである。
クに関するものである。
従来の技術
従来から、ウェハ上にパターンを転写するためのフォト
マスクとして、ハードマスクが広く用いられている。
マスクとして、ハードマスクが広く用いられている。
以下、ハードマスクについて述べる。
ハードマスクは石英や低膨張ガラス等の基板上に形成さ
れた、クロムなどの金属や金属酸化物あるいはモリブデ
ンシリサイドなどの金属化合物を遮光膜として用い、こ
の遮光膜の所定部以外を除去することによりパターンを
形成したものである。
れた、クロムなどの金属や金属酸化物あるいはモリブデ
ンシリサイドなどの金属化合物を遮光膜として用い、こ
の遮光膜の所定部以外を除去することによりパターンを
形成したものである。
パターン形成されたフォトマスクやステッパー用のレキ
クルは外観、パターン欠陥、素子寸法およびパターン重
ね合せ精度など多数の項目について検査を行ない、パタ
ーン欠陥については必要により修正を行った後合格した
ものだけが使用可能となる。使用前には検査時等に付着
したパーティクルを洗浄により除去し、必要によりペリ
クルカバーを装着して使用する。
クルは外観、パターン欠陥、素子寸法およびパターン重
ね合せ精度など多数の項目について検査を行ない、パタ
ーン欠陥については必要により修正を行った後合格した
ものだけが使用可能となる。使用前には検査時等に付着
したパーティクルを洗浄により除去し、必要によりペリ
クルカバーを装着して使用する。
洗浄は酸あるいは有機溶剤等の溶液による洗浄、スポン
ジやブラシ等によるスクラブ洗浄、高圧水による洗浄等
を組み合せて行なわれる。このうち、高圧水による洗浄
は洗浄能力が高いため、最終段階の洗浄として最もよく
用いられている。
ジやブラシ等によるスクラブ洗浄、高圧水による洗浄等
を組み合せて行なわれる。このうち、高圧水による洗浄
は洗浄能力が高いため、最終段階の洗浄として最もよく
用いられている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、高圧水による洗浄を多数回繰り返して行
なうと乾板中央部のパターンが損傷を受けるという問題
が発生している。このパターン損傷は、通常、乾板中央
部でのみ発生し、損傷するパターンの形状は孤立パター
ンと呼ばれる外周部へつながっていないパターンに限ら
れる。さらに孤立パターンの周辺にパターンのない領域
がある場合に限られる。
なうと乾板中央部のパターンが損傷を受けるという問題
が発生している。このパターン損傷は、通常、乾板中央
部でのみ発生し、損傷するパターンの形状は孤立パター
ンと呼ばれる外周部へつながっていないパターンに限ら
れる。さらに孤立パターンの周辺にパターンのない領域
がある場合に限られる。
パターン損傷の一例を第２図に示す。第２図において１
は孤立パターン２はパターン損傷部を示す。このような
パターン損傷は、高圧水とガラス基板との間にまさつ電
気が生じ、その電荷により孤立パターン１が帯電し、そ
の結果パターンのエツチングが起きるために発生するも
のである。
は孤立パターン２はパターン損傷部を示す。このような
パターン損傷は、高圧水とガラス基板との間にまさつ電
気が生じ、その電荷により孤立パターン１が帯電し、そ
の結果パターンのエツチングが起きるために発生するも
のである。
パターン損傷部２を防止するために、洗浄水圧を下げた
り、洗浄水の比抵抗を下げる等の対策が実施されている
が洗浄能力を落とさずにパターン損傷を防止することは
容易ではない。
り、洗浄水の比抵抗を下げる等の対策が実施されている
が洗浄能力を落とさずにパターン損傷を防止することは
容易ではない。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、パターン
損傷の発生しないフォトマスクのパターンを提供するも
のである。
損傷の発生しないフォトマスクのパターンを提供するも
のである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明のフォトマスクはマ
スク乾板中央部の孤立パターンと外周部のパターンとを
接続するパターンを設けている。
スク乾板中央部の孤立パターンと外周部のパターンとを
接続するパターンを設けている。
作用
このフォトマスクでは、高圧水による洗浄により、高圧
水とガラス基板との間にまさつ電気が生じても、その電
荷は孤立パターンに帯電することはなく、外周部に接続
されたパターンを通して移動するため、孤立パターンが
エツチングされることはない。
水とガラス基板との間にまさつ電気が生じても、その電
荷は孤立パターンに帯電することはなく、外周部に接続
されたパターンを通して移動するため、孤立パターンが
エツチングされることはない。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例におけるフォトマスクのパタ
ーンを示すものである。第１図において、３はフォトマ
スクの外形、４は外周部のパターン、５はマスク乾板中
央部の孤立パターン、６は外周部パターン４と孤立パタ
ーン５を接続したパターンであり、アライナ−の解像度
よりも細いパターンである。
ーンを示すものである。第１図において、３はフォトマ
スクの外形、４は外周部のパターン、５はマスク乾板中
央部の孤立パターン、６は外周部パターン４と孤立パタ
ーン５を接続したパターンであり、アライナ−の解像度
よりも細いパターンである。
このように、乾板中央部の孤立パターン５と外周部ツバ
ターン４を接続することにより、高圧水による洗浄時に
高圧水とガラス基板との間のまさっにより発生した電荷
は孤立パターン５から外周部に拡散するため、孤立パタ
ーン５の帯電によるエツチングを防止することができる
。
ターン４を接続することにより、高圧水による洗浄時に
高圧水とガラス基板との間のまさっにより発生した電荷
は孤立パターン５から外周部に拡散するため、孤立パタ
ーン５の帯電によるエツチングを防止することができる
。
また、孤立パターン５と外周部パターン４を接続したパ
ターン６はアライナ−の解像度よりも幅が狭いため、ウ
ェハに転写されることはなく、デバイスには何の影響も
与えない。
ターン６はアライナ−の解像度よりも幅が狭いため、ウ
ェハに転写されることはなく、デバイスには何の影響も
与えない。
なお、本実施例では外周部と接続したパターン６が遮光
膜よりなるフォトマスクを示したが、パターンが透明部
よりなるフォトマスクの場合もマスク乾板の周辺部は遮
光膜部よりなるため、本実施例と同様に乾板中央部の孤
立パターンと周辺部を接続することができる。
膜よりなるフォトマスクを示したが、パターンが透明部
よりなるフォトマスクの場合もマスク乾板の周辺部は遮
光膜部よりなるため、本実施例と同様に乾板中央部の孤
立パターンと周辺部を接続することができる。
発明の効果
本発明は、マスク乾板上に金属または金属化合物からな
る遮光膜によりパターンを形成したフォトマスクにおい
て、マスク乾板中央部の孤立パターンと外周部のパター
ンを接続するパターンを設けて、高圧水による洗浄時に
高圧水とガラス基板との間のまさつにより発生した電荷
を拡散させることにより孤立パターンが損傷されること
を防止するフォトマスクを実現できるものである。
る遮光膜によりパターンを形成したフォトマスクにおい
て、マスク乾板中央部の孤立パターンと外周部のパター
ンを接続するパターンを設けて、高圧水による洗浄時に
高圧水とガラス基板との間のまさつにより発生した電荷
を拡散させることにより孤立パターンが損傷されること
を防止するフォトマスクを実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例におけるフォトマスクのパタ
ーン平面図、第２図は高圧水洗浄によるパターン損傷の
一例を示す要部パターン図である。 ３・・・・・・フォトマスク、４・・・・・・外周部パ
ターン、５・・・・・・孤立パターン、６・・・・・・
外周部と接続したパターン。
ーン平面図、第２図は高圧水洗浄によるパターン損傷の
一例を示す要部パターン図である。 ３・・・・・・フォトマスク、４・・・・・・外周部パ
ターン、５・・・・・・孤立パターン、６・・・・・・
外周部と接続したパターン。
Claims (1)
- フォトマスクと、前記フォトマスク上に形成された遮
光膜と、前記遮光膜で前記フォトマスク中央部の孤立パ
ターンと外周部のパターンを接続するアライナーの解像
度以下のパターン幅を持つパターンを設けたことを特徴
とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167220A JPH0455855A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167220A JPH0455855A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0455855A true JPH0455855A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15845668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2167220A Pending JPH0455855A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0455855A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853855A (en) * | 1995-08-10 | 1998-12-29 | Nemoto; Takeshi | Bellows |
| KR100425459B1 (ko) * | 2001-08-23 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 광마스크와 그의 제조 방법 및 광마스크 결함 감지/수리방법 |
| KR20160121418A (ko) | 2015-04-10 | 2016-10-19 | 가부시기가이샤 디스코 | 벨로스의 제조 방법 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2167220A patent/JPH0455855A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853855A (en) * | 1995-08-10 | 1998-12-29 | Nemoto; Takeshi | Bellows |
| KR100425459B1 (ko) * | 2001-08-23 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 광마스크와 그의 제조 방법 및 광마스크 결함 감지/수리방법 |
| KR20160121418A (ko) | 2015-04-10 | 2016-10-19 | 가부시기가이샤 디스코 | 벨로스의 제조 방법 |
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