JPH0510920A - 半導体イオンセンサ - Google Patents
半導体イオンセンサInfo
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- JPH0510920A JPH0510920A JP3163060A JP16306091A JPH0510920A JP H0510920 A JPH0510920 A JP H0510920A JP 3163060 A JP3163060 A JP 3163060A JP 16306091 A JP16306091 A JP 16306091A JP H0510920 A JPH0510920 A JP H0510920A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオン感応性電界効果トランジスタ（ＩＳＦ
ＥＴ）の溶液からの絶縁が完全で、容易に製造でき、微
小化、低価格化およびセンサの複合化が可能な半導体イ
オンセンサを実現する。 【構成】 半導体イオンセンサにおいて、ｐ型シリコン
基板１の表面にｎ型シリコン層２とｐ型シリコン層３を
順に積層し、表面から基板１に到達し内壁が絶縁膜で覆
われた幅の溝を形成し、この溝で囲まれたｐ型シリコン
層３にＩＳＦＥＴを形成し、そのソース・ドレイン拡散
層５を絶縁膜で囲まれたポリシリコン７，８で基板上を
延長して金属電極と結合する。
ＥＴ）の溶液からの絶縁が完全で、容易に製造でき、微
小化、低価格化およびセンサの複合化が可能な半導体イ
オンセンサを実現する。 【構成】 半導体イオンセンサにおいて、ｐ型シリコン
基板１の表面にｎ型シリコン層２とｐ型シリコン層３を
順に積層し、表面から基板１に到達し内壁が絶縁膜で覆
われた幅の溝を形成し、この溝で囲まれたｐ型シリコン
層３にＩＳＦＥＴを形成し、そのソース・ドレイン拡散
層５を絶縁膜で囲まれたポリシリコン７，８で基板上を
延長して金属電極と結合する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体イオンセンサに関
し、特に半導体の電界効果を利用するイオン感応性電界
効果トランジスタを用いた半導体イオンセンサの構造に
関する。
し、特に半導体の電界効果を利用するイオン感応性電界
効果トランジスタを用いた半導体イオンセンサの構造に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、溶液中のイオン濃度を測定する半
導体装置にイオン感応性電界効果トランジスタ（Ｉｏｎ
Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以後ＩＳＦＥＴと略称する）があ
る。これは電界効果トランジスタの一種で、たとえばシ
リコンを半導体として用いた場合、このシリコンの表面
が酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、酸化タンタル（Ｔａ2
Ｏ5 ）等の絶縁膜あるいはそれらの組合せからなるイオ
ン感応膜で覆われた構造を持ち、このＩＳＦＥＴが溶液
中に侵された際、この溶液中のイオンによってＩＳＦＥ
Ｔのイオン感応膜表面の電位が変化するという現象を利
用している。
導体装置にイオン感応性電界効果トランジスタ（Ｉｏｎ
Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以後ＩＳＦＥＴと略称する）があ
る。これは電界効果トランジスタの一種で、たとえばシ
リコンを半導体として用いた場合、このシリコンの表面
が酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、酸化タンタル（Ｔａ2
Ｏ5 ）等の絶縁膜あるいはそれらの組合せからなるイオ
ン感応膜で覆われた構造を持ち、このＩＳＦＥＴが溶液
中に侵された際、この溶液中のイオンによってＩＳＦＥ
Ｔのイオン感応膜表面の電位が変化するという現象を利
用している。
【０００３】このようなＩＳＦＥＴは、イオン選択性電
極を用いたイオンセンサに比べ、（１）トランジスタの
集積化技術を用いて製作されるので、微小なイオンセン
サを容易に大量生産でき、（２）イオン感応膜が完全な
絶縁膜でも使用でき、（３）種々の機能膜と組み合わせ
ることにより、センサの多機能化が可能で、（４）出力
インピーダンスが低く、（５）信号処理回路などの周辺
電気回路が一体化できるなどの利点を有している。
極を用いたイオンセンサに比べ、（１）トランジスタの
集積化技術を用いて製作されるので、微小なイオンセン
サを容易に大量生産でき、（２）イオン感応膜が完全な
絶縁膜でも使用でき、（３）種々の機能膜と組み合わせ
ることにより、センサの多機能化が可能で、（４）出力
インピーダンスが低く、（５）信号処理回路などの周辺
電気回路が一体化できるなどの利点を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、微小な
ＩＳＦＥＴを製作する場合、ＩＳＦＥＴを溶液から電気
的に絶縁することが不可欠であるが、従来報告されてい
る方法にはそれぞれ欠点があった。例えば、図３に示す
ように、シリコン・オン・サファイヤ（Ｓｉｌｉｃｏｎ
ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ、以下ＳＯＳと略称する）基
板１３を用い、サファイア上の島状シリコン層にＩＳＦ
ＥＴを形成するものである（秋山竜雄他：分析、Ｖｏ
ｌ．３０、ｐ．７５４、１９８１）。ＩＳＦＥＴはソー
ス・ドレインとなるｎ+ 拡散層５とチャネルとなるｐ型
シリコン領域３とゲート絶縁膜となる酸化シリコン膜８
と窒化シリコン膜９の積層膜で構成される。ｐ+ シリコ
ン領域４はチャネルストッパーである。ＳＯＳ基板を用
いた構造は溶液からの絶縁は完全で化学的にも安定であ
るという利点があるが、ＳＯＳ基板が高価であること、
シリコン中の電子の移動度が低いこと等の欠点があっ
た。また、シリコン基板の上に絶縁膜を介して設けられ
たシリコン層を用いるシリコン・オン・インシュレータ
（Ｓｉｌｉｃｏｎｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ、以下ＳＯ
Ｉと略す）構造のＩＳＦＥＴ（栗山敏秀、特開昭５８−
１９１５００号公報）も、ＳＯＳウェハー同様価格が高
いと欠点があった。
ＩＳＦＥＴを製作する場合、ＩＳＦＥＴを溶液から電気
的に絶縁することが不可欠であるが、従来報告されてい
る方法にはそれぞれ欠点があった。例えば、図３に示す
ように、シリコン・オン・サファイヤ（Ｓｉｌｉｃｏｎ
ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ、以下ＳＯＳと略称する）基
板１３を用い、サファイア上の島状シリコン層にＩＳＦ
ＥＴを形成するものである（秋山竜雄他：分析、Ｖｏ
ｌ．３０、ｐ．７５４、１９８１）。ＩＳＦＥＴはソー
ス・ドレインとなるｎ+ 拡散層５とチャネルとなるｐ型
シリコン領域３とゲート絶縁膜となる酸化シリコン膜８
と窒化シリコン膜９の積層膜で構成される。ｐ+ シリコ
ン領域４はチャネルストッパーである。ＳＯＳ基板を用
いた構造は溶液からの絶縁は完全で化学的にも安定であ
るという利点があるが、ＳＯＳ基板が高価であること、
シリコン中の電子の移動度が低いこと等の欠点があっ
た。また、シリコン基板の上に絶縁膜を介して設けられ
たシリコン層を用いるシリコン・オン・インシュレータ
（Ｓｉｌｉｃｏｎｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ、以下ＳＯ
Ｉと略す）構造のＩＳＦＥＴ（栗山敏秀、特開昭５８−
１９１５００号公報）も、ＳＯＳウェハー同様価格が高
いと欠点があった。
【０００５】また、ｐｎ接合を用いる方法が、Ｄ．Ｈａ
ｒａｍｅ他、インターナショナルエレクトロン デバイ
ス ミーティング予稿集（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏ
ｆＩＥＤＭ ８１，ｐ．４６７）、伊藤善孝、第４６回
秋季応用物理学会講演予稿集、ｐ．７７６、１９８５及
びＹ．Ｉｔｏｈ他：第３回化学センサ国際会議予稿集
（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｔｈｉｒｄ
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｅｎｓｏｒｓ、ｐ．６２、１９
９０）により報告されている。これは図４に示すよう
に、ｐ型シリコン基板１にｎ型シリコン領域２を形成
し、その中にｐ型シリコン領域３を形成して周囲の基板
とｐｎ接合で絶縁し、このｐ型シリコン領域３内にＩＳ
ＦＥＴを形成するものである。しかしこの構造では、セ
ンサに光が照射されるとｐｎ接合を電流が流れ、絶縁が
不完全になるという欠点があり、図４中に示すように遮
光のためポリシリコン１４をさらに表面に設けることが
必要であった。さらにこのｐｎ接合を用いる方法では、
横方向の絶縁分離領域が不純物の拡散のために広くなる
ため、複数のＩＳＦＥＴを集積化する場合センサの微小
化が困難になるという問題があった。
ｒａｍｅ他、インターナショナルエレクトロン デバイ
ス ミーティング予稿集（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏ
ｆＩＥＤＭ ８１，ｐ．４６７）、伊藤善孝、第４６回
秋季応用物理学会講演予稿集、ｐ．７７６、１９８５及
びＹ．Ｉｔｏｈ他：第３回化学センサ国際会議予稿集
（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｔｈｉｒｄ
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｅｎｓｏｒｓ、ｐ．６２、１９
９０）により報告されている。これは図４に示すよう
に、ｐ型シリコン基板１にｎ型シリコン領域２を形成
し、その中にｐ型シリコン領域３を形成して周囲の基板
とｐｎ接合で絶縁し、このｐ型シリコン領域３内にＩＳ
ＦＥＴを形成するものである。しかしこの構造では、セ
ンサに光が照射されるとｐｎ接合を電流が流れ、絶縁が
不完全になるという欠点があり、図４中に示すように遮
光のためポリシリコン１４をさらに表面に設けることが
必要であった。さらにこのｐｎ接合を用いる方法では、
横方向の絶縁分離領域が不純物の拡散のために広くなる
ため、複数のＩＳＦＥＴを集積化する場合センサの微小
化が困難になるという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、これらの欠点をなくし、
ＩＳＦＥＴの溶液からの絶縁が完全で容易に製造でき、
キャリアの移動度も低下せず、低価格で、しかも集積化
する際の微小化が容易な半導体イオンセンサを提供する
ことにある。
ＩＳＦＥＴの溶液からの絶縁が完全で容易に製造でき、
キャリアの移動度も低下せず、低価格で、しかも集積化
する際の微小化が容易な半導体イオンセンサを提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第１導
電型シリコン基板の表面に第２導電型シリコン層及び第
１導電型シリコン層が形成されるとともに、表面からシ
リコン基板に到達する内壁が絶縁物で覆われた溝が設け
られ、この溝で囲まれた領域内にイオン感応性電界効果
トランジスタが形成されていることを特徴とする半導体
イオンセンサを得ることができる。
電型シリコン基板の表面に第２導電型シリコン層及び第
１導電型シリコン層が形成されるとともに、表面からシ
リコン基板に到達する内壁が絶縁物で覆われた溝が設け
られ、この溝で囲まれた領域内にイオン感応性電界効果
トランジスタが形成されていることを特徴とする半導体
イオンセンサを得ることができる。
【０００８】
【作用】本発明によればＩＳＦＥＴが形成される単結晶
シリコン領域は、平面方向が内壁が絶縁物で覆われた溝
により絶縁分離され、深さ方向がｐｎｐ又はｎｐｎ構造
を持つｐｎ接合で絶縁分離されているため、溶液から完
全に絶縁される。また、この単結晶シリコンの中のキャ
リアの移動度は通常のシリコンの値を持ち、ＳＯＳウェ
ハーの場合問題になった電子の移動度の低下は起こらな
い。ＩＳＦＥＴを形成するウェハーは、単結晶シリコン
にエピタキシャル成長したものやイオン注入したものが
使用できＳＯＳウェハーに比べ低価格になる。さらに、
平面方向が内壁が絶縁膜で覆われた溝により絶縁分離さ
れているため、従来のｐｎ接合で平面方向の絶縁分離す
る場合に問題であった光の照射によるリークや広い絶縁
領域が必要であるという欠点が解決された。したがっ
て、複数のＩＳＦＥＴを集積化したりセンサを微小化す
ることも容易である。
シリコン領域は、平面方向が内壁が絶縁物で覆われた溝
により絶縁分離され、深さ方向がｐｎｐ又はｎｐｎ構造
を持つｐｎ接合で絶縁分離されているため、溶液から完
全に絶縁される。また、この単結晶シリコンの中のキャ
リアの移動度は通常のシリコンの値を持ち、ＳＯＳウェ
ハーの場合問題になった電子の移動度の低下は起こらな
い。ＩＳＦＥＴを形成するウェハーは、単結晶シリコン
にエピタキシャル成長したものやイオン注入したものが
使用できＳＯＳウェハーに比べ低価格になる。さらに、
平面方向が内壁が絶縁膜で覆われた溝により絶縁分離さ
れているため、従来のｐｎ接合で平面方向の絶縁分離す
る場合に問題であった光の照射によるリークや広い絶縁
領域が必要であるという欠点が解決された。したがっ
て、複数のＩＳＦＥＴを集積化したりセンサを微小化す
ることも容易である。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を示すｎチ
ャンネル形の半導体イオンセンサの概略平面図で、二重
破線で囲まれた領域は、内壁が絶縁膜で覆われた溝によ
って囲まれた領域であり、その中にＩＳＦＥＴ１２が形
成される。ＩＳＦＥＴのソース領域およびドレイン領域
はそれぞれ絶縁膜で覆われたポリシリコンソース電極７
およびポリシリコンドレイン電極６を介して延長され、
センサ領域から離れた位置にある金属電極１１と結合さ
れている。図２は、図１のａ−ａ’線における縦断面図
である。ｐ型シリコン基板１表面にイオン注入によりｎ
型シリコン層２２を厚さ約２μｍ形成する。その上に厚
さ約２μｍのｐ型シリコン層２３をエピタキシャル成長
する。次いで異方性性エッチングにより幅２μｍ以下の
溝を基板１に到達するように形成する。そのあと溝表面
を酸化し、ポリシリコン１０を堆積して溝を埋める。ポ
リシリコン１０は不純物ドープにしてもよいし、ノンド
ープでもよい。溝で仕切られた領域内のｐ型シリコン層
２３に従来と同じようにＩＳＦＥＴを作製する。イオン
注入でｎ+ 拡散層を形成してソース・ドレインとし、ソ
ース・ドレイン間のｐ型シリコン層表面を熱酸化して厚
さ１０００Ａの酸化シリコン膜２８を形成する。フィー
ルド領域での酸化シリコン膜８の厚さは５０００Ａとす
る。ソース・ドレインと金属電極１１を接続するためポ
リシリコンソース電極７とポリシリコンドレイン電極６
を形成する。全面に窒化シリコン膜９を厚さ１０００Ａ
堆積する。ｐ+ シリコン領域４は従来と同様のチャネル
ストッパーである。
て詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を示すｎチ
ャンネル形の半導体イオンセンサの概略平面図で、二重
破線で囲まれた領域は、内壁が絶縁膜で覆われた溝によ
って囲まれた領域であり、その中にＩＳＦＥＴ１２が形
成される。ＩＳＦＥＴのソース領域およびドレイン領域
はそれぞれ絶縁膜で覆われたポリシリコンソース電極７
およびポリシリコンドレイン電極６を介して延長され、
センサ領域から離れた位置にある金属電極１１と結合さ
れている。図２は、図１のａ−ａ’線における縦断面図
である。ｐ型シリコン基板１表面にイオン注入によりｎ
型シリコン層２２を厚さ約２μｍ形成する。その上に厚
さ約２μｍのｐ型シリコン層２３をエピタキシャル成長
する。次いで異方性性エッチングにより幅２μｍ以下の
溝を基板１に到達するように形成する。そのあと溝表面
を酸化し、ポリシリコン１０を堆積して溝を埋める。ポ
リシリコン１０は不純物ドープにしてもよいし、ノンド
ープでもよい。溝で仕切られた領域内のｐ型シリコン層
２３に従来と同じようにＩＳＦＥＴを作製する。イオン
注入でｎ+ 拡散層を形成してソース・ドレインとし、ソ
ース・ドレイン間のｐ型シリコン層表面を熱酸化して厚
さ１０００Ａの酸化シリコン膜２８を形成する。フィー
ルド領域での酸化シリコン膜８の厚さは５０００Ａとす
る。ソース・ドレインと金属電極１１を接続するためポ
リシリコンソース電極７とポリシリコンドレイン電極６
を形成する。全面に窒化シリコン膜９を厚さ１０００Ａ
堆積する。ｐ+ シリコン領域４は従来と同様のチャネル
ストッパーである。
【００１０】このようにして作製したＩＳＦＥＴは平面
方向には内壁が絶縁膜で覆われた溝により絶縁分離さ
れ、深さ方向にはｐｎ接合で絶縁分離されている。ま
た、表面は酸化シリコン膜８，２８および窒化シリコン
膜９で覆われた構造となっている。このため溶液からの
絶縁が完全で、かつ、光の照射によるリークが起こるこ
ともない。また、金属電極１１もセンサ部分から離れた
部分に設けることができるので、溶液からの絶縁が容易
である。さらに、一つのセンサに複数のＩＳＦＥＴを狭
い領域により互いに電気的に絶縁して形成することがで
き、これらのＩＳＦＥＴのセンサ部には同一の機能膜を
設けることもできるが、それぞれ別の機能膜、例えばナ
トリウムイオン感応膜、カリウムイオン感応膜などのイ
オン感応膜や酵素固定化膜を設けることにより、種々の
センサができ、それらを組み合わせることにより多機能
センサを形成することも可能である。なお本実施例では
溝の中にポリシリコン１０を埋めこんだが、すべて酸化
シリコンで埋めこんでもよい。
方向には内壁が絶縁膜で覆われた溝により絶縁分離さ
れ、深さ方向にはｐｎ接合で絶縁分離されている。ま
た、表面は酸化シリコン膜８，２８および窒化シリコン
膜９で覆われた構造となっている。このため溶液からの
絶縁が完全で、かつ、光の照射によるリークが起こるこ
ともない。また、金属電極１１もセンサ部分から離れた
部分に設けることができるので、溶液からの絶縁が容易
である。さらに、一つのセンサに複数のＩＳＦＥＴを狭
い領域により互いに電気的に絶縁して形成することがで
き、これらのＩＳＦＥＴのセンサ部には同一の機能膜を
設けることもできるが、それぞれ別の機能膜、例えばナ
トリウムイオン感応膜、カリウムイオン感応膜などのイ
オン感応膜や酵素固定化膜を設けることにより、種々の
センサができ、それらを組み合わせることにより多機能
センサを形成することも可能である。なお本実施例では
溝の中にポリシリコン１０を埋めこんだが、すべて酸化
シリコンで埋めこんでもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体イオンセンサは、ＩＳＦＥＴが平面方向は内壁に絶縁
物が設けられた溝により絶縁分離され、深さ方向はｐｎ
接合により絶縁分離され、さらに絶縁膜で表面が覆われ
ているため、溶液との電気絶縁は完全であり、光の照射
によるリークも起こらない。また、通常のシリコンを使
用しているため、キャリアの移動度の低下がなく、低価
格で製造できるという利点を有している。さらに、複数
のＩＳＦＥＴを同一チップ上に集積化することが可能
で、この場合にも各々のＩＳＦＥＴは互いに絶縁分離さ
れている。
体イオンセンサは、ＩＳＦＥＴが平面方向は内壁に絶縁
物が設けられた溝により絶縁分離され、深さ方向はｐｎ
接合により絶縁分離され、さらに絶縁膜で表面が覆われ
ているため、溶液との電気絶縁は完全であり、光の照射
によるリークも起こらない。また、通常のシリコンを使
用しているため、キャリアの移動度の低下がなく、低価
格で製造できるという利点を有している。さらに、複数
のＩＳＦＥＴを同一チップ上に集積化することが可能
で、この場合にも各々のＩＳＦＥＴは互いに絶縁分離さ
れている。
【図１】本発明による半導体イオンセンサの一実施例の
平面図である。
平面図である。
【図２】図１のセンサ部のａ−ａ’位置における断面図
である。
である。
【図３】従来の半導体イオンセンサの例で、ＳＯＳウェ
ハーを用いて作られたＩＳＦＥＴのセンサ部の位置にお
ける断面図である。
ハーを用いて作られたＩＳＦＥＴのセンサ部の位置にお
ける断面図である。
【図４】従来の半導体イオンセンサの例で、ｐｎ接合に
より絶縁分離されたＩＳＦＥＴのセンサ部の位置におけ
る断面図である。
より絶縁分離されたＩＳＦＥＴのセンサ部の位置におけ
る断面図である。
１ ｐ型シリコン基板 ２ ｎ型シリコン領域 ３ ｐ型シリコン領域 ４ ｐ+ シリコン領域 ５ ｎ+ シリコン拡散層 ６ ポリシリコンドレイン電極 ７ ポリシリコンドレイン電極 ８，２８ 酸化シリコン膜 ９ 窒化シリコン膜 １０，１４ ポリシリコン １１ 金属電極 １２ ＩＳＦＥＴ １３ サファイア ２２ ｎ型シリコン層 ２３ ｐ型シリコン層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 第１導電型シリコン基板の表面に第２導
電型シリコン層及び第１導電型シリコン層が順次形成さ
れ、表面からシリコン基板に到達し内壁が絶縁物で覆わ
れた溝が設けられ、この溝で囲まれた領域内にイオン感
応性電界効果トランジスタが形成されていることを特徴
とする半導体イオンセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3163060A JP2988020B2 (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 半導体イオンセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3163060A JP2988020B2 (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 半導体イオンセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0510920A true JPH0510920A (ja) | 1993-01-19 |
| JP2988020B2 JP2988020B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=15766416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3163060A Expired - Lifetime JP2988020B2 (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 半導体イオンセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2988020B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010511888A (ja) * | 2006-12-04 | 2010-04-15 | 韓國電子通信研究院 | バイオセンサ及びその製造方法 |
| JP2019516992A (ja) * | 2016-05-18 | 2019-06-20 | ディーエヌエーイー グループ ホールディングス リミテッド | 集積回路のためのパッケージングにおける又は関連する改善 |
-
1991
- 1991-07-03 JP JP3163060A patent/JP2988020B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010511888A (ja) * | 2006-12-04 | 2010-04-15 | 韓國電子通信研究院 | バイオセンサ及びその製造方法 |
| JP2019516992A (ja) * | 2016-05-18 | 2019-06-20 | ディーエヌエーイー グループ ホールディングス リミテッド | 集積回路のためのパッケージングにおける又は関連する改善 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2988020B2 (ja) | 1999-12-06 |
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