JPH05109928A - 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH05109928A JPH05109928A JP3264656A JP26465691A JPH05109928A JP H05109928 A JPH05109928 A JP H05109928A JP 3264656 A JP3264656 A JP 3264656A JP 26465691 A JP26465691 A JP 26465691A JP H05109928 A JPH05109928 A JP H05109928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead
- inner lead
- semiconductor device
- sealed semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】アウターリードの曲げ加工により応力が発生し
ていても、この応力の影響を低減することによって封止
樹脂とインナーリードとの界面に微小な隙間が発生して
しまうことを抑制できるようにするとともに、該隙間が
インナーリード端部のステッチ部まで到達しないように
してその周辺への水分の侵入を有効に防止して当該装置
の信頼性を大きく高めることができるようにする。 【構成】インナーリード４の所要部分に凹部１２、また
は凸部１３、あるいはこれらの複合部が形成してあり、
そのインナーリード１３を半導体素子１と共に樹脂３で
封止し、該インナーリード４の所要部分を界面１０に近
い樹脂内部１１に位置させる。
ていても、この応力の影響を低減することによって封止
樹脂とインナーリードとの界面に微小な隙間が発生して
しまうことを抑制できるようにするとともに、該隙間が
インナーリード端部のステッチ部まで到達しないように
してその周辺への水分の侵入を有効に防止して当該装置
の信頼性を大きく高めることができるようにする。 【構成】インナーリード４の所要部分に凹部１２、また
は凸部１３、あるいはこれらの複合部が形成してあり、
そのインナーリード１３を半導体素子１と共に樹脂３で
封止し、該インナーリード４の所要部分を界面１０に近
い樹脂内部１１に位置させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に使用されるリードフレームおよびそれを用いた樹脂封
止型半導体装置に関する。
に使用されるリードフレームおよびそれを用いた樹脂封
止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の樹脂封止型半導体装置と
しては図４に示すような断面構造のものがある。
しては図４に示すような断面構造のものがある。
【０００３】図において、１は半導体素子、２は、半導
体素子１を搭載するためのリードフレームのダイパッ
ド、３は内部を密封するための封止樹脂、４はリードフ
レームのインナーリード、５はリードフレームのアウタ
ーリード、６は、半導体素子１上のアルミパッド電極
部、７は、インナーリード４端部のステッチ部、８は、
アルミパッド電極部６とステッチ部７とを電気的に接続
するための金属細線、９はアウターリード５の根元部、
１０は封止樹脂３とインナーリード４との界面である。
体素子１を搭載するためのリードフレームのダイパッ
ド、３は内部を密封するための封止樹脂、４はリードフ
レームのインナーリード、５はリードフレームのアウタ
ーリード、６は、半導体素子１上のアルミパッド電極
部、７は、インナーリード４端部のステッチ部、８は、
アルミパッド電極部６とステッチ部７とを電気的に接続
するための金属細線、９はアウターリード５の根元部、
１０は封止樹脂３とインナーリード４との界面である。
【０００４】上記構成の装置の組み立てを説明すると、
リードフレームのダイパッド２上に半導体素子１を搭載
するとともに、半導体素子１上の多数のアルミパッド電
極部６と、それに対応するリードフレームの各インナー
リード４上のステッチ部７とを金属細線８でそれぞれ接
続する。この状態で、これらをモールド金型内に投入し
て型締めをしてから樹脂を注入して図４のように封止樹
脂３をモールド成形する。この封止樹脂３が硬化してか
ら、半田メッキをリードフレームのアウターリード５の
表面に施すとともに、リード成形金型でアウターリード
５端部をあらかじめ定められた図示の形状に曲げ加工す
ることで図４の装置の製造が完了する。
リードフレームのダイパッド２上に半導体素子１を搭載
するとともに、半導体素子１上の多数のアルミパッド電
極部６と、それに対応するリードフレームの各インナー
リード４上のステッチ部７とを金属細線８でそれぞれ接
続する。この状態で、これらをモールド金型内に投入し
て型締めをしてから樹脂を注入して図４のように封止樹
脂３をモールド成形する。この封止樹脂３が硬化してか
ら、半田メッキをリードフレームのアウターリード５の
表面に施すとともに、リード成形金型でアウターリード
５端部をあらかじめ定められた図示の形状に曲げ加工す
ることで図４の装置の製造が完了する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の従来装置に
おいては、アウターリード曲げ加工用リード成形金型の
構造が、アウターリード５の根元部９の上面と下面とを
クランプしないで曲げ加工する構造であるから、アウタ
ーリード５の曲げ加工によって封止樹脂３とインナーリ
ード４との界面１０には応力が発生した状態となってお
り、その応力によって、該界面１０には微小な隙間（図
示していない）が発生し易く、この隙間がインナーリー
ド４端部のステッチ部７に接続の金属細線８にまで到達
してしまった場合には、金属細線８周辺に水分が外部か
ら侵入し、それによって装置の電気特性不良が発生して
しまい、当該装置の信頼性が大きく低下するという問題
があった。
おいては、アウターリード曲げ加工用リード成形金型の
構造が、アウターリード５の根元部９の上面と下面とを
クランプしないで曲げ加工する構造であるから、アウタ
ーリード５の曲げ加工によって封止樹脂３とインナーリ
ード４との界面１０には応力が発生した状態となってお
り、その応力によって、該界面１０には微小な隙間（図
示していない）が発生し易く、この隙間がインナーリー
ド４端部のステッチ部７に接続の金属細線８にまで到達
してしまった場合には、金属細線８周辺に水分が外部か
ら侵入し、それによって装置の電気特性不良が発生して
しまい、当該装置の信頼性が大きく低下するという問題
があった。
【０００６】したがって、本発明においては、アウター
リードの曲げ加工により応力が発生していても、この応
力の影響を低減することによって封止樹脂とインナーリ
ードとの界面に微小な隙間が発生してしまうことを抑制
できるようにするとともに、該隙間がインナーリード端
部のステッチ部まで到達しないようにしてその周辺への
水分の侵入を有効に防止して当該装置の信頼性を大きく
高めることができるようにすることを目的としている。
リードの曲げ加工により応力が発生していても、この応
力の影響を低減することによって封止樹脂とインナーリ
ードとの界面に微小な隙間が発生してしまうことを抑制
できるようにするとともに、該隙間がインナーリード端
部のステッチ部まで到達しないようにしてその周辺への
水分の侵入を有効に防止して当該装置の信頼性を大きく
高めることができるようにすることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のリードフレームにおいては、インナ
ーリードの所要部分に凹部、または凸部、あるいはこれ
らの複合部が形成されてあり、また、本発明の樹脂封止
型半導体装置においては、このようなリードフレームに
おけるインナーリードの前記所要部分が封止樹脂とイン
ナーリードとの界面に近い樹脂内部に位置されてある。
るために、本発明のリードフレームにおいては、インナ
ーリードの所要部分に凹部、または凸部、あるいはこれ
らの複合部が形成されてあり、また、本発明の樹脂封止
型半導体装置においては、このようなリードフレームに
おけるインナーリードの前記所要部分が封止樹脂とイン
ナーリードとの界面に近い樹脂内部に位置されてある。
【０００８】
【作用】封止樹脂とインナーリードとは、該インナーリ
ードの凹部などで密着性が向上する結果、その凹部など
が前記界面に近い樹脂内部に位置させると、アウターリ
ードを曲げ加工することによってアウターリード根元部
に発生している応力の影響は低減して該界面に微小な隙
間が発生することが抑制される。
ードの凹部などで密着性が向上する結果、その凹部など
が前記界面に近い樹脂内部に位置させると、アウターリ
ードを曲げ加工することによってアウターリード根元部
に発生している応力の影響は低減して該界面に微小な隙
間が発生することが抑制される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１０】図１は、本発明の実施例に係るリードフレ
ームを用いた樹脂封止型半導体装置の要部断面図であ
り、従来例に図４と対応する部分には同一の符号を付
し、その同一の符号に係る部分についての詳しい説明は
省略する。
ームを用いた樹脂封止型半導体装置の要部断面図であ
り、従来例に図４と対応する部分には同一の符号を付
し、その同一の符号に係る部分についての詳しい説明は
省略する。
【００１１】本実施例では、封止樹脂３とインナーリー
ド４との密着性を向上させるように、封止樹脂３とイン
ナーリード４との界面１０に近い樹脂内部１１に位置す
るインナーリード４部分の上面と下面とに凹部１２が形
成されてある。
ド４との密着性を向上させるように、封止樹脂３とイン
ナーリード４との界面１０に近い樹脂内部１１に位置す
るインナーリード４部分の上面と下面とに凹部１２が形
成されてある。
【００１２】リードフレームのインナーリード４部分を
このような構造とすることによって、アウターリード曲
げ加工用のリード成形金型がアウターリード５の根元部
９の上面と下面とをクランプすることなく成形するよう
な構造になっていても、インナーリード４部分の凹部１
２が界面１０近くの内部封止樹脂１１とインナーリード
４との密着性を向上させているから、アウターリード５
の曲げ加工によって生じる応力の影響は大きく低減する
ことになる。したがって、内部封止樹脂１１とのインナ
ーリード４との界面１０には隙間が発生することが抑制
されるから、従来のようにその隙間がインナーリード４
端部のステッチ部７にまで到達して水分がそこまで侵入
して装置の電気的特性の不良を招くようなことがなくな
り、装置の信頼性が大きく向上する。
このような構造とすることによって、アウターリード曲
げ加工用のリード成形金型がアウターリード５の根元部
９の上面と下面とをクランプすることなく成形するよう
な構造になっていても、インナーリード４部分の凹部１
２が界面１０近くの内部封止樹脂１１とインナーリード
４との密着性を向上させているから、アウターリード５
の曲げ加工によって生じる応力の影響は大きく低減する
ことになる。したがって、内部封止樹脂１１とのインナ
ーリード４との界面１０には隙間が発生することが抑制
されるから、従来のようにその隙間がインナーリード４
端部のステッチ部７にまで到達して水分がそこまで侵入
して装置の電気的特性の不良を招くようなことがなくな
り、装置の信頼性が大きく向上する。
【００１３】なお、このような凹部１２ではなく図２の
ように凸部１３としたり、あるいは図３のように凹部１
２と凸部１３との複合部形状のものとしてもよい。
ように凸部１３としたり、あるいは図３のように凹部１
２と凸部１３との複合部形状のものとしてもよい。
【００１４】なお、これら凹部１２、凸部１３、および
これらの複合部は、打ち抜き金型による機械加工による
とか、あるいはマスクを用いた化学処理によって、形成
することができる。また、図３では凹部１２が上側、凸
部１３が下側であったが、この逆であってもよい。さら
に、凹部１２とか凸部１３の個数は１つであっても、複
数であってもよい。
これらの複合部は、打ち抜き金型による機械加工による
とか、あるいはマスクを用いた化学処理によって、形成
することができる。また、図３では凹部１２が上側、凸
部１３が下側であったが、この逆であってもよい。さら
に、凹部１２とか凸部１３の個数は１つであっても、複
数であってもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明のリードフレームに
おいては、インナーリードの所要部分に凹部、または凸
部、あるいはこれらの複合部が形成されてあるから、こ
のインナーリードの所要部分を樹脂で封止した場合は、
そのインナーリードと封止樹脂との密着性は大きく向上
することになる。そして、このようなリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置においては、該リードフレ
ームのアウターリードをそれの上面と下面とをクランプ
することなく金型で曲げ加工し、それによってアウター
リードの根元部と封止樹脂とインナーリードとの界面と
応力がかかっていても、その応力の影響は低減されるこ
とになり、その結果、封止樹脂とインナーリードとの界
面に微小な隙間が発生することが抑制されるようなり、
従来のようにその隙間がインナーリード端部のステッチ
部まで到達してしまってその周辺への水分が侵入するよ
うなことがなくなり、当該装置の信頼性を大きく高めら
れることになる。
おいては、インナーリードの所要部分に凹部、または凸
部、あるいはこれらの複合部が形成されてあるから、こ
のインナーリードの所要部分を樹脂で封止した場合は、
そのインナーリードと封止樹脂との密着性は大きく向上
することになる。そして、このようなリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置においては、該リードフレ
ームのアウターリードをそれの上面と下面とをクランプ
することなく金型で曲げ加工し、それによってアウター
リードの根元部と封止樹脂とインナーリードとの界面と
応力がかかっていても、その応力の影響は低減されるこ
とになり、その結果、封止樹脂とインナーリードとの界
面に微小な隙間が発生することが抑制されるようなり、
従来のようにその隙間がインナーリード端部のステッチ
部まで到達してしまってその周辺への水分が侵入するよ
うなことがなくなり、当該装置の信頼性を大きく高めら
れることになる。
【図１】本発明の実施例に係る樹脂封止型半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の他の実施例に係る樹脂封止型半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図３】本発明のさらに他の実施例に係る樹脂封止型半
導体装置の断面図である。
導体装置の断面図である。
【図４】従来例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
ある。
１ 半導体素子 ２ ダイパッド ３ 封止樹脂 ４ インナーリード ５ アウターリード ９ アウターリード根元部 １０ 封止樹脂とインナーリードとの界面 １１ 内部樹脂 １２ 凹部 １３ 凸部
Claims (2)
- 【請求項１】 インナーリードの所要部分に凹部、また
は凸部、あるいはこれらの複合部が形成されてあること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１のリードフレームのインナーリ
ードが半導体素子と共に樹脂封止されてあって、該イン
ナーリードの前記所要部分が封止樹脂とインナーリード
との界面に近い樹脂内部に位置されてあることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3264656A JPH05109928A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3264656A JPH05109928A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109928A true JPH05109928A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17406386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3264656A Pending JPH05109928A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109928A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5545921A (en) * | 1994-11-04 | 1996-08-13 | International Business Machines, Corporation | Personalized area leadframe coining or half etching for reduced mechanical stress at device edge |
| US5777380A (en) * | 1995-03-17 | 1998-07-07 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads |
| US5973388A (en) * | 1998-01-26 | 1999-10-26 | Motorola, Inc. | Leadframe, method of manufacturing a leadframe, and method of packaging an electronic component utilizing the leadframe |
| US6483178B1 (en) * | 2000-07-14 | 2002-11-19 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Semiconductor device package structure |
| US7102216B1 (en) * | 2001-08-17 | 2006-09-05 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making |
| US10243107B2 (en) | 2016-09-28 | 2019-03-26 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing thereof |
-
1991
- 1991-10-14 JP JP3264656A patent/JPH05109928A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5545921A (en) * | 1994-11-04 | 1996-08-13 | International Business Machines, Corporation | Personalized area leadframe coining or half etching for reduced mechanical stress at device edge |
| US5777380A (en) * | 1995-03-17 | 1998-07-07 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads |
| US5973388A (en) * | 1998-01-26 | 1999-10-26 | Motorola, Inc. | Leadframe, method of manufacturing a leadframe, and method of packaging an electronic component utilizing the leadframe |
| US6483178B1 (en) * | 2000-07-14 | 2002-11-19 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Semiconductor device package structure |
| US7102216B1 (en) * | 2001-08-17 | 2006-09-05 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making |
| US10243107B2 (en) | 2016-09-28 | 2019-03-26 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing thereof |
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