JPS62128164A - 半導体装置のリ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置のリ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS62128164A JPS62128164A JP60267304A JP26730485A JPS62128164A JP S62128164 A JPS62128164 A JP S62128164A JP 60267304 A JP60267304 A JP 60267304A JP 26730485 A JP26730485 A JP 26730485A JP S62128164 A JPS62128164 A JP S62128164A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- frame
- resin package
- semiconductor device
- suspension lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/424—Cross-sectional shapes
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂モールド型半導体装置のリードフレームに
関し、特に半導体装置の気密性や耐湿性を高めてその信
頼性を向上することのできるリードフレームに関する。
関し、特に半導体装置の気密性や耐湿性を高めてその信
頼性を向上することのできるリードフレームに関する。
従来、樹脂モールド型半導体装置に用いられるリードフ
レームは、第3図のように1枚の金属板を打ち抜き形成
した多連リードフレーム11として構成しており、各単
位は略中夫に位置する素子搭載部12と、この素子搭載
部12を周囲位置のフレーム部16に支持させるつりリ
ード13と、この素子搭載部12を包囲するように配置
した複数本の外部導出用リード14及びこれら外部導出
用リード14を連結して樹脂モールド時に樹脂が外方へ
流出するのを防止するタイバー15とで構成している。
レームは、第3図のように1枚の金属板を打ち抜き形成
した多連リードフレーム11として構成しており、各単
位は略中夫に位置する素子搭載部12と、この素子搭載
部12を周囲位置のフレーム部16に支持させるつりリ
ード13と、この素子搭載部12を包囲するように配置
した複数本の外部導出用リード14及びこれら外部導出
用リード14を連結して樹脂モールド時に樹脂が外方へ
流出するのを防止するタイバー15とで構成している。
そして、前記素子搭載部12に図外の半導体素子を取着
し、かつこの素子のポンディングパッドと外部導出リー
ド14とを金属細線で接続した上で、これらを封止する
ように樹脂モールドを行っている。更に、このモールド
後にはタイバー15を切除し、露出しているリードフレ
ームに錫や半田のメッキを行った上でつりリード13や
外部導出リード14等をフレーム部16から切り離しか
つこれを所定形状に成形して半導体装置を完成している
。
し、かつこの素子のポンディングパッドと外部導出リー
ド14とを金属細線で接続した上で、これらを封止する
ように樹脂モールドを行っている。更に、このモールド
後にはタイバー15を切除し、露出しているリードフレ
ームに錫や半田のメッキを行った上でつりリード13や
外部導出リード14等をフレーム部16から切り離しか
つこれを所定形状に成形して半導体装置を完成している
。
上述した従来の半導体装置は、素子搭載部12を支持し
ているつりリード13は第4図のように切断後もその端
面がモールド成形された樹脂パッケージ17の表面に露
呈されているため、半導体装置を実装する際の加熱工程
や動作中において半導体装置自体から発生される熱、更
につりリード13の切断時におけるストレス等が原因し
てつりリード13と樹脂パッケージ17との界面に微小
な隙間が発生され、この隙間を通して水分やイオン性不
純物、あるいは実装時におけるフラックスが半導体素子
にまで侵入し、電気的リークや半導体素子を構成するア
ルミニウムが電気化学的に腐食して断線を引き起こす等
の原因となっている。特に、従来のつりリード13は、
所要の支持強度が得られるようにその幅を比較的大きく
しているので、樹脂パッケージ17から突出される部分
のつりリード13と樹脂パッケージ17との界面面積が
大きくなっており、前記した問題が起こり易い状態にあ
る。
ているつりリード13は第4図のように切断後もその端
面がモールド成形された樹脂パッケージ17の表面に露
呈されているため、半導体装置を実装する際の加熱工程
や動作中において半導体装置自体から発生される熱、更
につりリード13の切断時におけるストレス等が原因し
てつりリード13と樹脂パッケージ17との界面に微小
な隙間が発生され、この隙間を通して水分やイオン性不
純物、あるいは実装時におけるフラックスが半導体素子
にまで侵入し、電気的リークや半導体素子を構成するア
ルミニウムが電気化学的に腐食して断線を引き起こす等
の原因となっている。特に、従来のつりリード13は、
所要の支持強度が得られるようにその幅を比較的大きく
しているので、樹脂パッケージ17から突出される部分
のつりリード13と樹脂パッケージ17との界面面積が
大きくなっており、前記した問題が起こり易い状態にあ
る。
このため、つりリード13の幅を小さくして界面面積を
低減する試みがなされているが、これでは樹脂パッケー
ジ17の形成後におけるつりリード13による樹脂パッ
ケージの支持強度が低くなり、タイバー15の切断時や
メッキ時につりリード13が切断されてしまい、樹脂パ
ッケージを支持することができなくなることがある。し
たがって、リードフレーム11に対する樹脂パッケージ
17の相対位置にずれが生じ、その後における外部導出
リード14等の切断工程において切断用金型とパッケー
ジとが干渉し、樹脂パッケージ17にクラックが生じた
り金型の破損を引き起こす等の問題が発生することにな
る。
低減する試みがなされているが、これでは樹脂パッケー
ジ17の形成後におけるつりリード13による樹脂パッ
ケージの支持強度が低くなり、タイバー15の切断時や
メッキ時につりリード13が切断されてしまい、樹脂パ
ッケージを支持することができなくなることがある。し
たがって、リードフレーム11に対する樹脂パッケージ
17の相対位置にずれが生じ、その後における外部導出
リード14等の切断工程において切断用金型とパッケー
ジとが干渉し、樹脂パッケージ17にクラックが生じた
り金型の破損を引き起こす等の問題が発生することにな
る。
本発明の半導体装置のリードフレームは、つりリードと
樹脂パッケージとの界面を通しての水分等の侵入を防止
するとともに、樹脂パッケージの支持強度を向上させて
リード切断時における種々の不具合を解消し、樹脂モー
ルド型半導体装置の信頬性の向上を図るものである。
樹脂パッケージとの界面を通しての水分等の侵入を防止
するとともに、樹脂パッケージの支持強度を向上させて
リード切断時における種々の不具合を解消し、樹脂モー
ルド型半導体装置の信頬性の向上を図るものである。
本発明の半導体装置のリードフレームは、素子搭載部を
直接支持するつりリードの少なくともフレーム部と樹脂
パッケージ外側面との間に相当する部位の断面を小さく
形成するとともに、このつりリードに隣接する位置には
樹脂バ、ッケージに達する長さの補助つりリードをフレ
ーム部に突設した構成としている。
直接支持するつりリードの少なくともフレーム部と樹脂
パッケージ外側面との間に相当する部位の断面を小さく
形成するとともに、このつりリードに隣接する位置には
樹脂バ、ッケージに達する長さの補助つりリードをフレ
ーム部に突設した構成としている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の1実施例の平面図、第2図はそのリー
ドフレームを用いて形成した半導体装置の正面図である
。
ドフレームを用いて形成した半導体装置の正面図である
。
図示のようにリードフレーム1は1枚の金属板を打ち抜
き形成した多連リードフレームとして構成しており、各
単位は略中夫に位置する素子搭載部2と、この素子搭載
部2を周囲に配置したフレーム部6に支持させるつりリ
ード3と、この素子搭載部2を包囲するように配置した
複数本の外部導出用リード4及びこれら外部導出用リー
ド4を連結して樹脂モールド時に樹脂が外方へ流出する
のを防止するタイバー5を備えている。
き形成した多連リードフレームとして構成しており、各
単位は略中夫に位置する素子搭載部2と、この素子搭載
部2を周囲に配置したフレーム部6に支持させるつりリ
ード3と、この素子搭載部2を包囲するように配置した
複数本の外部導出用リード4及びこれら外部導出用リー
ド4を連結して樹脂モールド時に樹脂が外方へ流出する
のを防止するタイバー5を備えている。
そして、前記つりリード3はフレーム部6から素子搭載
部2に向かう所要の長さに亘る部位3aの幅を小さくし
てその断面積を低減しており、またこのつりリード3に
隣接する位置にはフレーム部6から素子搭載部2に向か
って突出形成した補助つりリード8を形成している。前
記つりリード3の幅を小さくする長さ部位3aは後工程
で形成される樹脂パッケージ7の外側部とフレーム部6
との間よりも長い範囲に設定しており、また前記補助つ
りリード8は少なくともその先端が樹脂パッケージ7内
に達するまでの長さに設定している。
部2に向かう所要の長さに亘る部位3aの幅を小さくし
てその断面積を低減しており、またこのつりリード3に
隣接する位置にはフレーム部6から素子搭載部2に向か
って突出形成した補助つりリード8を形成している。前
記つりリード3の幅を小さくする長さ部位3aは後工程
で形成される樹脂パッケージ7の外側部とフレーム部6
との間よりも長い範囲に設定しており、また前記補助つ
りリード8は少なくともその先端が樹脂パッケージ7内
に達するまでの長さに設定している。
更に、この補助つりリード8は、その幅をなるべく大き
くなるように設定しており、かつ本実施例では保持つり
リード8の先端部8aを鉤状に曲げ、樹脂パッケージ7
内での接触面積の増大を図っている。
くなるように設定しており、かつ本実施例では保持つり
リード8の先端部8aを鉤状に曲げ、樹脂パッケージ7
内での接触面積の増大を図っている。
このリードフレーム1によれば、素子搭載部2に半導体
素子を搭載しかつ所要の配線を行った後に樹脂モーノル
ドを行って素子搭載部2を含む領域を封止する樹脂パッ
ケージ7を形成し、更にタイバー5や外部導出用リード
4等の切断を行えば、第2図に示す樹脂モールド型の半
導体装置を完成できる。このとき、補助つりリード8の
先端部8aが樹脂パッケージ7内にモールドされること
は言うまでもない。
素子を搭載しかつ所要の配線を行った後に樹脂モーノル
ドを行って素子搭載部2を含む領域を封止する樹脂パッ
ケージ7を形成し、更にタイバー5や外部導出用リード
4等の切断を行えば、第2図に示す樹脂モールド型の半
導体装置を完成できる。このとき、補助つりリード8の
先端部8aが樹脂パッケージ7内にモールドされること
は言うまでもない。
このように構成された半導体装置では、素子搭載部2に
繋がるつりリード3はその断面積を小さく形成している
ので、樹脂パッケージ7との界面は従来に比較して低減
されることになり、つりリード切断時のストレスを低減
できる。また、つりリード3にストレスが加えられたよ
うな場合でも水分やイオン性不純物がつりリード3と樹
脂パッケージ7との間の界面を通して樹脂パッケージ7
内、特に素子搭載部2にまで侵入することを抑制でき、
内部の半導体素子における腐食等を防止できる。
繋がるつりリード3はその断面積を小さく形成している
ので、樹脂パッケージ7との界面は従来に比較して低減
されることになり、つりリード切断時のストレスを低減
できる。また、つりリード3にストレスが加えられたよ
うな場合でも水分やイオン性不純物がつりリード3と樹
脂パッケージ7との間の界面を通して樹脂パッケージ7
内、特に素子搭載部2にまで侵入することを抑制でき、
内部の半導体素子における腐食等を防止できる。
また、つりリード3の一部3aを細く形成していても、
補助つりリード8を用いて樹脂パッケージ7を支持して
いるので、リードフレームの切断工程においてつりリー
ド3が欠損された場合にも補助つりリード8で樹脂パッ
ケージ7の支持を確保でき、樹脂パッケージ7の相対移
動を防止してこれと金型との干渉を防止し、パッケージ
の破損や金型の損傷等を防止できる。
補助つりリード8を用いて樹脂パッケージ7を支持して
いるので、リードフレームの切断工程においてつりリー
ド3が欠損された場合にも補助つりリード8で樹脂パッ
ケージ7の支持を確保でき、樹脂パッケージ7の相対移
動を防止してこれと金型との干渉を防止し、パッケージ
の破損や金型の損傷等を防止できる。
なお、本実施例ではつりリード3の一部3aの断面積を
低減するために幅寸法を小さくした場合を示したが、こ
の部分をハーフエツチングしてその厚さを低減すること
により断面積の低減を行うようにしてもよい。また、ス
ペース的に余裕があれば補助つりリードは夫々2本以上
設けることも可能である。
低減するために幅寸法を小さくした場合を示したが、こ
の部分をハーフエツチングしてその厚さを低減すること
により断面積の低減を行うようにしてもよい。また、ス
ペース的に余裕があれば補助つりリードは夫々2本以上
設けることも可能である。
以上説明したように本発明は、素子搭載部を直接支持す
るつりリードの一部の断面を小さく形成するとともに、
このつりリードに隣接する位置において補助つりリード
をフレームに突設しているので、つりリードと樹脂パッ
ケージとの界面を通しての水分等の侵入による半導体素
子の腐食やリーク等の事故を防止することができ、また
樹脂パッケージの支持を強固なものにして切断時におけ
る金型等との干渉を防止して樹脂パッケージの損傷等を
防止することができる。
るつりリードの一部の断面を小さく形成するとともに、
このつりリードに隣接する位置において補助つりリード
をフレームに突設しているので、つりリードと樹脂パッ
ケージとの界面を通しての水分等の侵入による半導体素
子の腐食やリーク等の事故を防止することができ、また
樹脂パッケージの支持を強固なものにして切断時におけ
る金型等との干渉を防止して樹脂パッケージの損傷等を
防止することができる。
第1図は本発明のリードフレームの平面図、第2図は樹
脂モールド後の半導体装置の正面図、第3図は従来のリ
ードフレームの平面図、第4図はその樹脂モールド後の
正面図である。 1.11・・・リードフレーム、2,12・・・素子搭
載部、3,13・・・つりリード、3a・・・部位(幅
を小さくした部分)、4.14・・・外部導出リード、
5゜15・・・タイバー、6.16・・・フレーム部、
7.17・・・樹脂パッケージ、8・・・補助つりリー
ド。 第1図
脂モールド後の半導体装置の正面図、第3図は従来のリ
ードフレームの平面図、第4図はその樹脂モールド後の
正面図である。 1.11・・・リードフレーム、2,12・・・素子搭
載部、3,13・・・つりリード、3a・・・部位(幅
を小さくした部分)、4.14・・・外部導出リード、
5゜15・・・タイバー、6.16・・・フレーム部、
7.17・・・樹脂パッケージ、8・・・補助つりリー
ド。 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、素子搭載部をつりリードを用いてフレーム部に支持
させ、かつこの素子搭載部を含む領域を樹脂パッケージ
で封止してなる半導体装置のリードフレームにおいて、
前記つりリードは少なくともフレーム部と樹脂パッケー
ジ外側部との間に相当する部位の断面を小さく形成する
とともに、このつりリードに隣接する位置にはその先端
が樹脂パッケージに達する長さの補助つりリードを前記
フレーム部に突設したことを特徴とする半導体装置のリ
ードフレーム。 2、つりリードはフレーム部と樹脂パッケージの外側部
との間の部位の幅寸法を他よりも小さくしてなる特許請
求の範囲第1項記載の半導体装置のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267304A JPS62128164A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267304A JPS62128164A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128164A true JPS62128164A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17442967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60267304A Pending JPS62128164A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128164A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03105959A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-02 | Nec Corp | 半導体装置用リードフレーム |
| US6531760B1 (en) * | 1988-09-20 | 2003-03-11 | Gen Murakami | Semiconductor device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS505329U (ja) * | 1973-05-16 | 1975-01-21 | ||
| JPS5943559A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS605549A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-12 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP60267304A patent/JPS62128164A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS505329U (ja) * | 1973-05-16 | 1975-01-21 | ||
| JPS5943559A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS605549A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-12 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531760B1 (en) * | 1988-09-20 | 2003-03-11 | Gen Murakami | Semiconductor device |
| US6720208B2 (en) | 1988-09-20 | 2004-04-13 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device |
| US6919622B2 (en) | 1988-09-20 | 2005-07-19 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
| JPH03105959A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-02 | Nec Corp | 半導体装置用リードフレーム |
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