JPH05120121A - 番地変換機能付記憶装置 - Google Patents

番地変換機能付記憶装置

Info

Publication number
JPH05120121A
JPH05120121A JP3308395A JP30839591A JPH05120121A JP H05120121 A JPH05120121 A JP H05120121A JP 3308395 A JP3308395 A JP 3308395A JP 30839591 A JP30839591 A JP 30839591A JP H05120121 A JPH05120121 A JP H05120121A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
column
row
unit
temporary
position number
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3308395A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuteru Yukishimo
充輝 雪下
Takeshi Oguro
毅 大黒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP3308395A priority Critical patent/JPH05120121A/ja
Publication of JPH05120121A publication Critical patent/JPH05120121A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 M行N列の情報記憶部をもつ記憶装置におい
て、記憶部の内容を変更せずに、任意の行又は列の入れ
かわった記憶素子の選択を可能にする。 【構成】 仮行列番号生成部2は、入力された番地信号
iに従って仮行番号m′と仮列番号n′を生成する。列
対応変換部3は、列対応変換規則により仮列番号n′を
実列番号nに変換する。行対応変換部4は、行対応変換
規則により仮行番号m′を実行番号mに変換する。この
結果、情報記憶部5においては、入力された番地信号i
で示されるm′行n′列の記憶素子にかわって、m行n
列の記憶素子が選択される。行及び列対応変換規則は、
制御部1からあらかじめ行対応変換部4と列対応変換部
3に与えておく。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、記憶素子を2次元に配
置して情報を記憶する記憶装置に係り、特に、二次元情
報の記憶位置を変えることなく、その任意の行と行、任
意の列と列を入れ替えたことと同等の効果を得る番地変
換機能付記憶装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】2次元に配列された情報の行/列の入れ
替え処理は、画像処理において比較的単純な処理によっ
て効果の大きい暗号化の分野等で有用である。従来、こ
の種の情報の行/列の入れ替え処理は、一般にCPU
(中央演算処理部)と汎用のメモリを用いてソフトウエ
アによって行っていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、画
像処理等において、大量のデータについて行/列の入れ
替え処理をする必要がある場合、処理時間が増大し、さ
らにCPUの負担も増加する問題があった。
【0004】本発明の目的は、2次元に配列された情報
群を、該情報の記憶位置を変えることなく、即ち、記憶
部の内部を変更することなく、その任意の行と行、任意
の列と列を入れ替えたのと同等の効果を得る番地変換機
能付記憶装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、M行N列の情報記憶部を持ち、M×N個
の連続した情報位置番地をとる記憶装置に、与えられた
情報位置番地信号から、前記記憶部の仮行位置番号と仮
列位置番号を生成する仮行列番号生成部と、前記仮行位
置番号を行対応変換規則により前記記憶部の実行位置番
号に変換する行対応変換部と、前記仮列位置番号を列対
応変換規則により前記記憶部の実列位置番号に変換する
列対応変換部とを設けたことを特徴とする。
【0006】
【作用】本発明では、与えられた情報位置番地信号iに
従って仮行位置番号m′と仮列位置番号n′を生成した
後、仮行位置番号m′を実行位置番号mに変換し、仮列
位置番号n′を実列位置番号n′に変換する。これによ
り、与えられた情報位置番地信号iで示されるm′行
n′列位置の記憶素子にかわって、m行n列位置の記憶
素子を選択することができ、記憶部の内部を変更せず
に、行又は列の入れかわった任意の情報位置番地の記憶
素子に情報の読み書きが可能になる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面により
説明する。
【0008】図1は本発明の番地変換機能付記憶装置の
一実施例の全体ブロック図を示したもので、1は全体の
制御部、2は仮行列番号生成部、3は列対応変換部、4
は行対応変換部、5はM行N列の情報記憶部、10は制
御入力部、11は情報入出力部である。
【0009】制御入力部10に入力された行/列変換規
則情報は、信号線21を介して制御部1に送られ、該制
御部1から、行対応変換規則は信号線24を介して行対
応変換部4へ送られ、列対応変換規則は信号線23を介
して列対応変換部3へ送られる。
【0010】制御入力部10に入力された情報位置番地
信号(番地コード)iは、信号線22を介して仮行列番
号生成部2へ送られ、該番地コードに対応した仮行位置
番号m′と仮列位置番号n′にデコードされる。この仮
行位置番号m′は信号線28を介して行対応変換部4へ
送られ、仮列位置番号n′は信号線26を介して列対応
変換部3へ送られる。
【0011】行対応変換部4へ送られた仮行位置番号
m′は行対応変換規則により実行位置番号mに変換さ
れ、信号線29を介して情報記憶部5に送られる。列対
応変換部3に送られた仮列位置番号n′は、列対応変換
規則により実列位置番号nに変換され、信号線27を介
して情報記憶部5に送られる。この結果、情報記憶部5
においては、実行位置番号mと実列位置番号nで示され
た記憶素子が選択(アクセス)される。
【0012】制御入力部10に入力された書込み/読出
し制御信号は信号線21を介して制御部1に送られ、該
制御部1から信号線25を介して情報入出力部11に送
られる。情報入出力部11では、書込み制御信号を受け
取ると、書込み情報を信号線31を介して情報記憶部5
に送る。この情報は、情報記憶部5において実行位置番
号mと実列位置番号nで示された記憶素子に書き込まれ
る。また、情報入出力部11では、読出し制御信号を受
け取ると、情報記憶部5において実行位置番号mと実列
位置番号nで示された記憶素子から読出された情報を信
号線30を介して受け取る。
【0013】図2に、仮行列番号生成部2、列対応変換
部3及び行対応変換部4により、入力された情報位置番
地信号iから実行位置番号mと実列位置番号nを生成す
る処理の流れを示す。ここでは、M=N=4とし、情報
記憶部5は4行4列で構成されるとする。また、行/列
対応変換部3,4は4×4のマトリックス・スイッチに
より構成され、行/列対応変換規則によりあらかじめ所
望のスイッチがオンされているとする。図2中、黒丸が
オン状態のスイッチを示す。
【0014】情報位置番地信号iは4ビットの2進数
で、4行4列の情報記憶部5のすべての番地を表すこと
が出来る。以下では、i=6(2進数で0110)とし
て説明する。
【0015】仮行列番号生成部2では、入力された情報
位置番地信号(番地コード)iの上位2ビット(0
2)をデコードして仮列位置番号n′(第1列)を、
下位2ビット(102)をデコードして仮行位置番号
m′(第2行)を生成する。仮列位置番号n′(第1
列)は4×4のマトリックス・スイッチにより構成され
た列対応変換部3に入力され、実列位置番号n(第1
列)に変換される(例では、変換前と変換後の列位置は
同じである)。同様に、仮行位置番号m′(第2行)は
行対応変換部4で実列位置番号m(第1行)に変換され
る。この実行位置番号m(第1行)と実列位置番号n
(第1列)により、情報記憶部5の1行1列位置の記憶
素子51が選択される。なお、入力された情報位置番地
信号i=6(2進数で0110)について変換処理を施
こさないと、情報記憶部5の2行1列位置の記憶素子5
2が選択されることになる。
【0016】
【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明の
番地変換機能付記憶装置では、2次元に配列された情報
群を該情報の記憶位置を変えることなく、その任意の行
と行、任意の列と列を入れ替えたのと同等の効果を得る
ことが可能となり、画像処理等において、大量の画像情
報の行/列の入れ替え処理が短時間に行える利点があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の番地変換機能付記憶装置の一実施例の
ブロック図である。
【図2】入力された情報位置番地信号から記憶部の実行
/列番号の生成する処理の具体例を示す図である。
【符号の説明】
1 制御部 2 仮行列番号生成部 3 列対応変換部 4 行対応変換部 5 情報記憶部 10 制御入力部 11 情報入出力部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の記憶素子がM行N列の2次元に配
    置されてなる情報記憶部と、 与えられた情報位置番地信号から、前記記憶部の仮行位
    置番号と仮列位置番号を生成する仮行列番号生成部と、 前記仮行位置番号を行対応変換規則により前記記憶部の
    実行位置番号に変換する行対応変換部と、 前記仮列位置番号を列対応変換規則により前記記憶部の
    実列位置番号に変換する列対応変換部と、 を具備していることを特徴とする番地変換機能付記憶装
    置。
JP3308395A 1991-10-28 1991-10-28 番地変換機能付記憶装置 Pending JPH05120121A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3308395A JPH05120121A (ja) 1991-10-28 1991-10-28 番地変換機能付記憶装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3308395A JPH05120121A (ja) 1991-10-28 1991-10-28 番地変換機能付記憶装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05120121A true JPH05120121A (ja) 1993-05-18

Family

ID=17980550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3308395A Pending JPH05120121A (ja) 1991-10-28 1991-10-28 番地変換機能付記憶装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05120121A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7907473B2 (en) 2007-07-23 2011-03-15 Renesas Electronics Corporation Semiconductor memory device and data storage method including address conversion circuit to convert coordinate information of data into one-dimensional information to amplifier

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7907473B2 (en) 2007-07-23 2011-03-15 Renesas Electronics Corporation Semiconductor memory device and data storage method including address conversion circuit to convert coordinate information of data into one-dimensional information to amplifier

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6235679B2 (ja)
US4447882A (en) Method and apparatus for reducing graphic patterns
JPS58116583A (ja) デ−タ言語の二次元アレイを記憶し、列と行を並列にアクセスする記憶装置およびデジタルデ−タ語を記憶および検索する方法
JPH023515B2 (ja)
US4800535A (en) Interleaved memory addressing system and method using a parity signal
JPH058835B2 (ja)
JPS6312297B2 (ja)
JPH07104815B2 (ja) メモリ
JPH07121693A (ja) 画像処理装置
JPH05120121A (ja) 番地変換機能付記憶装置
JP3151788B2 (ja) 矩形原画像の回転方法
JPH0248912B2 (ja)
JPS5821272B2 (ja) モジパタ−ンハツセイソウチ
JPH11306343A (ja) 2次元データ回転処理装置
JPH04237099A (ja) 画面表示素子
JP3291070B2 (ja) データ転置装置
JPH0581940B2 (ja)
JPH028336B2 (ja)
JPS62133575A (ja) メモリ装置
JP2824976B2 (ja) 2次元配列データ回転装置
JP2548286B2 (ja) イメージデータ処理装置
JPH0563959A (ja) 画像処理方法および装置
JPS6125192B2 (ja)
SU562811A1 (ru) Устройство дл обмена информацией
JPH0554132A (ja) 画像回転用メモリ装置