JPH05120501A - Icカード及びicカード製造方法 - Google Patents
Icカード及びicカード製造方法Info
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- JPH05120501A JPH05120501A JP3277703A JP27770391A JPH05120501A JP H05120501 A JPH05120501 A JP H05120501A JP 3277703 A JP3277703 A JP 3277703A JP 27770391 A JP27770391 A JP 27770391A JP H05120501 A JPH05120501 A JP H05120501A
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- card
- processing program
- data
- processing
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 処理プログラム格納領域をフラッシュEEP
ROMで構成することで必要に応じICカード内の処理
プログラムのデータを書き換えることができる様にな
る。また、書き換えのための専用モードを設けることに
より、特別なシーケンスでのみ処理プログラムの書き換
えが行える様にする。また、フラッシュEEPROMを
搭載したICカードを用いて市場での利用状態で処理プ
ログラムの書き換えを行うシステムを実現するととも
に、ICカード製造完了後、処理プログラムを書き込む
ICカードの製造方法を実現する。 【効果】 必要に応じ処理プログラムの書き換えができ
利便性が向上するとともに、安全性も高められる。ま
た、ICカードの少量多品種化や短納期生産にも対応で
きる。
ROMで構成することで必要に応じICカード内の処理
プログラムのデータを書き換えることができる様にな
る。また、書き換えのための専用モードを設けることに
より、特別なシーケンスでのみ処理プログラムの書き換
えが行える様にする。また、フラッシュEEPROMを
搭載したICカードを用いて市場での利用状態で処理プ
ログラムの書き換えを行うシステムを実現するととも
に、ICカード製造完了後、処理プログラムを書き込む
ICカードの製造方法を実現する。 【効果】 必要に応じ処理プログラムの書き換えができ
利便性が向上するとともに、安全性も高められる。ま
た、ICカードの少量多品種化や短納期生産にも対応で
きる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、処理プログラムを内
蔵し外部とデータの送受信を行い内部でデータ処理を行
なうICカードに関するものである。
蔵し外部とデータの送受信を行い内部でデータ処理を行
なうICカードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図8は従来のICカードの機能ブロック
図であり、図において1はICカード、2はCPU、3
はマスクROM、4はRAM、5は入出力制御回路、6
はEEPROM、7はバス、8はI/O端子である。図
9はICカードの製造フローチャート図であり、図にお
いて9はIC製造工程、10はモジュール製造工程、1
1はカード製造工程である。
図であり、図において1はICカード、2はCPU、3
はマスクROM、4はRAM、5は入出力制御回路、6
はEEPROM、7はバス、8はI/O端子である。図
9はICカードの製造フローチャート図であり、図にお
いて9はIC製造工程、10はモジュール製造工程、1
1はカード製造工程である。
【0003】次に動作について説明する。まずICカー
ドの基本動作を説明する。図8においてICカード1は
外部との接続端子としてVcc、GND、リセット、ク
ロック、I/Oの5つの端子を持っており、外部とのデ
ータの授受はI/O端子8を介してシリアルで行ってい
る。外部から入力されたシリアルデータは入出力制御回
路5でシリアル/パラレル変換され、バス7を介してC
PU2へ取り込まれる。CPU2はマスクROM3に格
納されている処理プログラムに従いデータ処理を行い、
一時的に記憶の必要なデータはRAM4へ格納し、また
処理結果等、常時格納が必要なデータはデータメモリと
してのEEPROM6へ格納される。また外部へ出力す
るデータは入出力制御回路5でパラレル/シリアル変換
を行いI/O端子8を介してシリアルで外部へ転送され
る。次にICカードの製造フローについて図9を用いて
説明する。ICカードの製造は、まずICカードに内蔵
されるICの製造工程9が行なわれ、次にそのICを用
いたICカード用モジュールの製造10が行なわれ、そ
して最後にカードの製造11が行なわれてICカードが
製造される。以上のようにして製造されるICカードに
おいて、そのICカードの処理機能を決定するマスクR
OM3への処理プログラムの書き込みは、IC製造工程
9に於いて処理プログラムのデータをマスクにパターニ
ングを行いICのウエハプロセスの1つの工程としてチ
ップ上に写真製版を行い形成される。
ドの基本動作を説明する。図8においてICカード1は
外部との接続端子としてVcc、GND、リセット、ク
ロック、I/Oの5つの端子を持っており、外部とのデ
ータの授受はI/O端子8を介してシリアルで行ってい
る。外部から入力されたシリアルデータは入出力制御回
路5でシリアル/パラレル変換され、バス7を介してC
PU2へ取り込まれる。CPU2はマスクROM3に格
納されている処理プログラムに従いデータ処理を行い、
一時的に記憶の必要なデータはRAM4へ格納し、また
処理結果等、常時格納が必要なデータはデータメモリと
してのEEPROM6へ格納される。また外部へ出力す
るデータは入出力制御回路5でパラレル/シリアル変換
を行いI/O端子8を介してシリアルで外部へ転送され
る。次にICカードの製造フローについて図9を用いて
説明する。ICカードの製造は、まずICカードに内蔵
されるICの製造工程9が行なわれ、次にそのICを用
いたICカード用モジュールの製造10が行なわれ、そ
して最後にカードの製造11が行なわれてICカードが
製造される。以上のようにして製造されるICカードに
おいて、そのICカードの処理機能を決定するマスクR
OM3への処理プログラムの書き込みは、IC製造工程
9に於いて処理プログラムのデータをマスクにパターニ
ングを行いICのウエハプロセスの1つの工程としてチ
ップ上に写真製版を行い形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のICカードは以
上のように、そのカードの処理機能を決定する処理プロ
グラムをIC製造工程においてマスクROM領域に写真
製版によって形成する様に構成されているので、客先対
応で作成される処理プログラムに対しては、処理プログ
ラムが作成されるたびに、IC製造工程より行なわなけ
ればならずカード製作まで非常に時間がかかるという問
題点があった。また処理プログラムにミス等が発生した
場合や市場で流通しているICカードの処理プログラム
の機能追加等が発生した場合でも、マスクROM領域に
処理プログラムを内蔵する方式であれば、ICカードの
製造完了後、処理プログラムの改定や追加ができないた
め、ICの製造から行う必要があるという問題もあっ
た。また別の面からは、ICの製造は基本的には24枚
ウエハが1ロットという単位で製造され、一度に大量に
製造される同一処理プログラムのIC製造には適してい
るが極端に少ない数量のICカードの製作、たとえばI
Cカード本格導入前に行なわれる処理プログラムのフィ
ールドテスト用ICカードなどに対しては、時間の面か
らも対応がとりにくいという問題点があった。
上のように、そのカードの処理機能を決定する処理プロ
グラムをIC製造工程においてマスクROM領域に写真
製版によって形成する様に構成されているので、客先対
応で作成される処理プログラムに対しては、処理プログ
ラムが作成されるたびに、IC製造工程より行なわなけ
ればならずカード製作まで非常に時間がかかるという問
題点があった。また処理プログラムにミス等が発生した
場合や市場で流通しているICカードの処理プログラム
の機能追加等が発生した場合でも、マスクROM領域に
処理プログラムを内蔵する方式であれば、ICカードの
製造完了後、処理プログラムの改定や追加ができないた
め、ICの製造から行う必要があるという問題もあっ
た。また別の面からは、ICの製造は基本的には24枚
ウエハが1ロットという単位で製造され、一度に大量に
製造される同一処理プログラムのIC製造には適してい
るが極端に少ない数量のICカードの製作、たとえばI
Cカード本格導入前に行なわれる処理プログラムのフィ
ールドテスト用ICカードなどに対しては、時間の面か
らも対応がとりにくいという問題点があった。
【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ICカード製造後処理プログラ
ムを書き込めるとともに、また、一度書き込んだ処理プ
ログラムの改定及び追加ができることを目的としてお
り、さらにこのICカードの製造方法を提供することを
目的とする。
ためになされたもので、ICカード製造後処理プログラ
ムを書き込めるとともに、また、一度書き込んだ処理プ
ログラムの改定及び追加ができることを目的としてお
り、さらにこのICカードの製造方法を提供することを
目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】第1の発明に係るICカ
ードは、処理プログラムを格納する領域をフラッシュE
EPROM等の書き換え可能な不揮発性メモリで構成し
たものである。そして、処理プログラム格納領域をフラ
ッシュEEPROMで構成する場合、そのフラッシュE
EPROM領域へのデータの書き込みを通常の処理モー
ドとは別に専用モードを設けて行うようにすることが望
ましい。さらに、処理プログラム格納領域をフラッシュ
EEPROMで構成し、フラッシュEEPROMへの専
用の書き込みモードを備えるとともにICカード外部よ
り高電圧を印加することによってフラッシュEEPRO
Mへのデータ書き込みモードへ入るようにしてもよい。
さらに、処理プログラム格納領域及びデータメモリ領域
の一部をフラッシュEEPROMで構成し、処理プログ
ラム領域のみ専用モードでデータの書き込み、消去を行
い、データメモリ領域としてのフラッシュEEPROM
で構成された領域へは通常の処理モードでデータの書き
込みを行うことができるようにしてもよい。以上のよう
に、処理プログラム格納領域をフラッシュEEPROM
等の書き換え可能な不揮発性メモリで構成したICカー
ドを用いると、市場での利用状態に於いて処理プログラ
ムの改定や追加等を行えるようになる。
ードは、処理プログラムを格納する領域をフラッシュE
EPROM等の書き換え可能な不揮発性メモリで構成し
たものである。そして、処理プログラム格納領域をフラ
ッシュEEPROMで構成する場合、そのフラッシュE
EPROM領域へのデータの書き込みを通常の処理モー
ドとは別に専用モードを設けて行うようにすることが望
ましい。さらに、処理プログラム格納領域をフラッシュ
EEPROMで構成し、フラッシュEEPROMへの専
用の書き込みモードを備えるとともにICカード外部よ
り高電圧を印加することによってフラッシュEEPRO
Mへのデータ書き込みモードへ入るようにしてもよい。
さらに、処理プログラム格納領域及びデータメモリ領域
の一部をフラッシュEEPROMで構成し、処理プログ
ラム領域のみ専用モードでデータの書き込み、消去を行
い、データメモリ領域としてのフラッシュEEPROM
で構成された領域へは通常の処理モードでデータの書き
込みを行うことができるようにしてもよい。以上のよう
に、処理プログラム格納領域をフラッシュEEPROM
等の書き換え可能な不揮発性メモリで構成したICカー
ドを用いると、市場での利用状態に於いて処理プログラ
ムの改定や追加等を行えるようになる。
【0007】第2の発明に係るICカードの製造方法
は、カード用モジュール及びカードの製造完了後、処理
プログラムをICカード内部のフラッシュEEPROM
等の書き換え可能な不揮発性メモリ領域に書き込むよう
にしたものである。
は、カード用モジュール及びカードの製造完了後、処理
プログラムをICカード内部のフラッシュEEPROM
等の書き換え可能な不揮発性メモリ領域に書き込むよう
にしたものである。
【0008】
【作用】第1の発明におけるICカードは、処理プログ
ラム格納領域にフラッシュEEPROM(書き換え可能
な不揮発性メモリ)を搭載したことにより、ICカード
製造後においても、処理プログラムの書き込みや消去等
を行うことができるようになる。
ラム格納領域にフラッシュEEPROM(書き換え可能
な不揮発性メモリ)を搭載したことにより、ICカード
製造後においても、処理プログラムの書き込みや消去等
を行うことができるようになる。
【0009】第2の発明におけるICカードの製造方法
は、処理プログラム領域をフラッシュEEPROM(書
き換え可能な不揮発性メモリ)で構成することにより、
ICカードの製造時にICカード製造完了後、処理プロ
グラムのデータ書き込みを行うことができるようにな
る。
は、処理プログラム領域をフラッシュEEPROM(書
き換え可能な不揮発性メモリ)で構成することにより、
ICカードの製造時にICカード製造完了後、処理プロ
グラムのデータ書き込みを行うことができるようにな
る。
【0010】
実施例1.以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1は第1の発明によるICカードの機能ブロッ
ク図であり、図において1はICカード、2はCPU、
4はRAM、5は入出力制御回路、6はEEPROM、
7はRAM、8はI/O端子、12はフラッシュEEP
ROMである。
する。図1は第1の発明によるICカードの機能ブロッ
ク図であり、図において1はICカード、2はCPU、
4はRAM、5は入出力制御回路、6はEEPROM、
7はRAM、8はI/O端子、12はフラッシュEEP
ROMである。
【0011】次に動作について説明する。図1は第1の
発明によるICカードの機能ブロック図であり、ICカ
ードの処理動作については従来のICカードと同じ動作
を行う。但し処理プログラム格納領域をマスクROMか
らフラッシュEEPROMへ換えたことにより処理プロ
グラムをICカードの状態で改定や追加を行うことがで
き、I/O端子8を介して処理プログラムをシリアルで
入力し、CPU2へフラッシュEEPROMへの書き込
みコマンドを実行すると、入力された処理プログラムが
フラッシュEEPROM12へ書き込まれる。
発明によるICカードの機能ブロック図であり、ICカ
ードの処理動作については従来のICカードと同じ動作
を行う。但し処理プログラム格納領域をマスクROMか
らフラッシュEEPROMへ換えたことにより処理プロ
グラムをICカードの状態で改定や追加を行うことがで
き、I/O端子8を介して処理プログラムをシリアルで
入力し、CPU2へフラッシュEEPROMへの書き込
みコマンドを実行すると、入力された処理プログラムが
フラッシュEEPROM12へ書き込まれる。
【0012】以上、この実施例では、データ処理を行う
ためのCPUとデータを一時記憶するRAM、処理結果
等のデータを格納するためのデータメモリとしてのEE
PROMと外部とのデータの入出力を行うI/O端子と
処理プログラムを格納する領域を備えたICカードに於
いて、処理プログラムを格納する領域をフラッシュEE
PROMで構成したことを特徴とするICカードを説明
した。
ためのCPUとデータを一時記憶するRAM、処理結果
等のデータを格納するためのデータメモリとしてのEE
PROMと外部とのデータの入出力を行うI/O端子と
処理プログラムを格納する領域を備えたICカードに於
いて、処理プログラムを格納する領域をフラッシュEE
PROMで構成したことを特徴とするICカードを説明
した。
【0013】実施例2.図2はこの発明によるICカー
ドの処理フロー図であり、図において13は処理モード
選択、14は通常の処理モード、15はフラッシュEE
PROMへの書き込みモードである。ICカードの機能
ブロック図は、実施例1と同じであり、実施例1におい
ては、外部よりデータを入力し、フラッシュEEPRO
Mへの書き込みコマンドをCPU2で実行するとフラッ
シュEEPROMへのデータの書き込みを実行したが、
この実施例では第3者等による処理プログラムの改ざん
を防止するため、フラッシュEEPROMへのデータの
書き込みを通常の処理モードとは別に書き込み専用モー
ドを設ける。図2において、まずICカードに電源等が
投入され処理が開始されると始めに、通常の処理モード
14を行うか、フラッシュEEPROMへのデータ書き
込みモード15を行うかのモード選択シーケンス13に
入る。ここでたとえば外部より一定時間内にI/O端子
8を介して暗唱番号を入力すると、その暗唱番号を確認
しOKであれば、書き込みモード15へ移行し、確認が
NGであるか或いは一定時間内に暗唱番号が入力されな
ければ無条件で通常の処理モードへ移行する。
ドの処理フロー図であり、図において13は処理モード
選択、14は通常の処理モード、15はフラッシュEE
PROMへの書き込みモードである。ICカードの機能
ブロック図は、実施例1と同じであり、実施例1におい
ては、外部よりデータを入力し、フラッシュEEPRO
Mへの書き込みコマンドをCPU2で実行するとフラッ
シュEEPROMへのデータの書き込みを実行したが、
この実施例では第3者等による処理プログラムの改ざん
を防止するため、フラッシュEEPROMへのデータの
書き込みを通常の処理モードとは別に書き込み専用モー
ドを設ける。図2において、まずICカードに電源等が
投入され処理が開始されると始めに、通常の処理モード
14を行うか、フラッシュEEPROMへのデータ書き
込みモード15を行うかのモード選択シーケンス13に
入る。ここでたとえば外部より一定時間内にI/O端子
8を介して暗唱番号を入力すると、その暗唱番号を確認
しOKであれば、書き込みモード15へ移行し、確認が
NGであるか或いは一定時間内に暗唱番号が入力されな
ければ無条件で通常の処理モードへ移行する。
【0014】以上、この実施例では、処理プログラム格
納領域としてのフラッシュEEPROMを搭載したIC
カードに於いて、フラッシュEEPROMへのデータの
書き込みのみを専用モードで行うことを特徴とするIC
カードを説明した。このように、実施例2によれば、処
理プログラム領域としてのフラッシュEEPROMへの
データの書き込みに専用モードを設けたもので第3者等
による処理プログラムの改ざん等を防止することがで
き、利便性と共に、安全性の高いICカードを得ること
ができる。
納領域としてのフラッシュEEPROMを搭載したIC
カードに於いて、フラッシュEEPROMへのデータの
書き込みのみを専用モードで行うことを特徴とするIC
カードを説明した。このように、実施例2によれば、処
理プログラム領域としてのフラッシュEEPROMへの
データの書き込みに専用モードを設けたもので第3者等
による処理プログラムの改ざん等を防止することがで
き、利便性と共に、安全性の高いICカードを得ること
ができる。
【0015】実施例3.図3はこの発明によるICカー
ドの機能ブロック図であり、図において16は外部より
印加する高電圧用のVpp端子である。図4はこの発明
によるICカードの処理フロー図であり、図において1
7はVpp印加確認である。実施例3は、実施例2によ
るICカードにおいて、更にフラッシュEEPROMへ
のデータの書き込み時にフラッシュEEPROM12が
必要とする高電圧を外部から印加する方式である。通常
ICカード表面にはISO規格で決められたVpp端子
が設けられているが、今ではICカード内部に昇圧回路
を内蔵しているものが一般的でVpp端子は利用されて
いない。この端子を用いてフラッシュEEPROMへデ
ータを書き込む時は外部よりVpp端子16を介して高
電圧を印加することによりデータの書き換えが行えるよ
うになる。処理フローにおいては、書き込みモード確認
後13、Vppが印加されているかを更に確認17し、
Vppが印加されていれば、書き込みモード15へ移行
し、印加されていなければ、処理モード14へ移行す
る。このVppを印加することにより通常のリーダライ
タ(データ読みとり書き込み器)R/W等では、Vpp
を使用していないため誤って書き込みモードへ入った場
合でも、データの誤書き込みが行なわれない。そのため
書き換えを行う場合は専用のR/Wでないと行えないこ
とになる。
ドの機能ブロック図であり、図において16は外部より
印加する高電圧用のVpp端子である。図4はこの発明
によるICカードの処理フロー図であり、図において1
7はVpp印加確認である。実施例3は、実施例2によ
るICカードにおいて、更にフラッシュEEPROMへ
のデータの書き込み時にフラッシュEEPROM12が
必要とする高電圧を外部から印加する方式である。通常
ICカード表面にはISO規格で決められたVpp端子
が設けられているが、今ではICカード内部に昇圧回路
を内蔵しているものが一般的でVpp端子は利用されて
いない。この端子を用いてフラッシュEEPROMへデ
ータを書き込む時は外部よりVpp端子16を介して高
電圧を印加することによりデータの書き換えが行えるよ
うになる。処理フローにおいては、書き込みモード確認
後13、Vppが印加されているかを更に確認17し、
Vppが印加されていれば、書き込みモード15へ移行
し、印加されていなければ、処理モード14へ移行す
る。このVppを印加することにより通常のリーダライ
タ(データ読みとり書き込み器)R/W等では、Vpp
を使用していないため誤って書き込みモードへ入った場
合でも、データの誤書き込みが行なわれない。そのため
書き換えを行う場合は専用のR/Wでないと行えないこ
とになる。
【0016】以上、この実施例では、処理プログラム格
納領域として、フラッシュEEPROMを搭載し、フラ
ッシュEEPROMへの専用の書き込みモードを備えた
ICカードに於いて、外部より高電圧を印加することに
よって専用モードへ入ることを特徴とするICカードを
説明した。このように、実施例3によれば、処理プログ
ラム領域をフラッシュEEPROMで構成しデータの書
き込みを専用モードで行い、また専用モード実行時には
外部より高電圧を印加する様にしたので、通常のR/W
では高電圧を印加できず書き込みのための専用R/Wが
必要となるため専用モードへ入るための暗唱番号を第3
者に知られた場合や、誤って専用モードに入った場合で
も、内蔵されている処理プログラムが書き換わる可能性
が非常に少なく、利便性と共に、非常に安全性の高いI
Cカードを得ることができる。
納領域として、フラッシュEEPROMを搭載し、フラ
ッシュEEPROMへの専用の書き込みモードを備えた
ICカードに於いて、外部より高電圧を印加することに
よって専用モードへ入ることを特徴とするICカードを
説明した。このように、実施例3によれば、処理プログ
ラム領域をフラッシュEEPROMで構成しデータの書
き込みを専用モードで行い、また専用モード実行時には
外部より高電圧を印加する様にしたので、通常のR/W
では高電圧を印加できず書き込みのための専用R/Wが
必要となるため専用モードへ入るための暗唱番号を第3
者に知られた場合や、誤って専用モードに入った場合で
も、内蔵されている処理プログラムが書き換わる可能性
が非常に少なく、利便性と共に、非常に安全性の高いI
Cカードを得ることができる。
【0017】実施例4.図5はこの発明によるICカー
ドの機能ブロック図であり、図において12´は通常の
処理モードでデータの書き込みができるフラッシュEE
PROMである。通常のICカードではデータメモリ領
域はバイト単位でデータの書き換えが可能なEEPRO
Mを搭載しているが、通常のEEPROMではICの面
積を多く必要とするが面積的に有利なフラッシュEEP
ROM12´を搭載し、データの追加書き込みと一括消
去機能で対応可能な処理に対しては、フラッシュEEP
ROM12´でデータメモリ領域を構成する。処理プロ
グラムは先の発明と同じくフラッシュEEPROM12
の領域へ専用の書き込みモードでデータの書き込みを行
い、通常の処理で発生した処理結果等の格納データは必
要に応じ、通常の処理モードでEEPROM6へ格納す
るか、フラッシュEEPROM12´へ格納するかを選
択的に行う。
ドの機能ブロック図であり、図において12´は通常の
処理モードでデータの書き込みができるフラッシュEE
PROMである。通常のICカードではデータメモリ領
域はバイト単位でデータの書き換えが可能なEEPRO
Mを搭載しているが、通常のEEPROMではICの面
積を多く必要とするが面積的に有利なフラッシュEEP
ROM12´を搭載し、データの追加書き込みと一括消
去機能で対応可能な処理に対しては、フラッシュEEP
ROM12´でデータメモリ領域を構成する。処理プロ
グラムは先の発明と同じくフラッシュEEPROM12
の領域へ専用の書き込みモードでデータの書き込みを行
い、通常の処理で発生した処理結果等の格納データは必
要に応じ、通常の処理モードでEEPROM6へ格納す
るか、フラッシュEEPROM12´へ格納するかを選
択的に行う。
【0018】なお、上記この実施例では、処理プログラ
ム領域のフラッシュEEPROMへは専用モード書き込
みを行い、データメモリ領域のフラッシュEEPROM
へは通常の処理モードで書き込みを行う方式を示した
が、この専用モード書き込みを行う際に外部よりVpp
端子を介して高電圧を印加してもよい。またデータメモ
リ領域をEEPROMとフラッシュEEPROMの両方
を設けるものを示したが、データメモリ領域を全てフラ
ッシュEEPROMで構成してもよい。
ム領域のフラッシュEEPROMへは専用モード書き込
みを行い、データメモリ領域のフラッシュEEPROM
へは通常の処理モードで書き込みを行う方式を示した
が、この専用モード書き込みを行う際に外部よりVpp
端子を介して高電圧を印加してもよい。またデータメモ
リ領域をEEPROMとフラッシュEEPROMの両方
を設けるものを示したが、データメモリ領域を全てフラ
ッシュEEPROMで構成してもよい。
【0019】以上、この実施例では、処理プログラム領
域及びデータメモリ領域にもフラッシュEEPROMを
搭載し、処理プログラム領域としてのフラッシュEEP
ROMへの書き込みのみ専用モードで書き込みを行い、
データメモリ領域としてのフラッシュEEPROMへの
書き込みは、通常の処理モードでデータの書き込みを行
うことを特徴とするICカードを説明した。すなわち、
処理プログラム格納領域及びデータメモリ領域も一部を
フラッシュEEPROMで構成し、処理プログラム領域
のみ専用モードでデータの書き込みを行い、データメモ
リ領域は通常の処理モードでデータの書き込みを行うよ
うにするものである。このように、この実施例4によれ
ば処理プログラム領域及びデータメモリ領域の一部をフ
ラッシュEEPROMで構成し、処理プログラム領域は
専用モードでデータメモリ領域は通常の処理モードでデ
ータの書き込みを行うようにしたので、データメモリ領
域を全てEEPROMで構成したICカードに比べ、内
蔵するICの大きさを小さくできるとともに、利便性及
び安全性の高いICカードを得ることができる。
域及びデータメモリ領域にもフラッシュEEPROMを
搭載し、処理プログラム領域としてのフラッシュEEP
ROMへの書き込みのみ専用モードで書き込みを行い、
データメモリ領域としてのフラッシュEEPROMへの
書き込みは、通常の処理モードでデータの書き込みを行
うことを特徴とするICカードを説明した。すなわち、
処理プログラム格納領域及びデータメモリ領域も一部を
フラッシュEEPROMで構成し、処理プログラム領域
のみ専用モードでデータの書き込みを行い、データメモ
リ領域は通常の処理モードでデータの書き込みを行うよ
うにするものである。このように、この実施例4によれ
ば処理プログラム領域及びデータメモリ領域の一部をフ
ラッシュEEPROMで構成し、処理プログラム領域は
専用モードでデータメモリ領域は通常の処理モードでデ
ータの書き込みを行うようにしたので、データメモリ領
域を全てEEPROMで構成したICカードに比べ、内
蔵するICの大きさを小さくできるとともに、利便性及
び安全性の高いICカードを得ることができる。
【0020】実施例5.図6はこの発明によるICカー
ドシステムの処理フロー図であり、図において18は機
能追加確認、19は処理プログラム書き換え、20は通
常のカード処理である。従来のICカードでは、処理プ
ログラム格納領域がマスクROMで構成されていたため
IC製造後、処理プログラムの改定や追加を行うことが
できず、市場で一度流通した後、機能追加等の必要が発
生した場合新規で新しいICカードを製造する必要があ
ったが、処理プログラム領域をフラッシュEEPROM
で構成することにより、市場において処理プログラムの
改定や追加を行うことができる。その処理フローを図6
を用いて説明する。まず市場においてICカードがリー
ダライタ(R/W)に挿入されると、R/Wは、挿入さ
れたICカードの処理プログラムを変更する必要がある
かどうかをICカードを管理しているICカード発行会
社のホストコンピュータに確認を行う18。その際、処
理プログラムの変更が必要であれば、処理プログラムの
書き換え19を行い、通常の処理を行う20。処理プロ
グラムの変更が不要であれば通常のカード処理20を行
う。
ドシステムの処理フロー図であり、図において18は機
能追加確認、19は処理プログラム書き換え、20は通
常のカード処理である。従来のICカードでは、処理プ
ログラム格納領域がマスクROMで構成されていたため
IC製造後、処理プログラムの改定や追加を行うことが
できず、市場で一度流通した後、機能追加等の必要が発
生した場合新規で新しいICカードを製造する必要があ
ったが、処理プログラム領域をフラッシュEEPROM
で構成することにより、市場において処理プログラムの
改定や追加を行うことができる。その処理フローを図6
を用いて説明する。まず市場においてICカードがリー
ダライタ(R/W)に挿入されると、R/Wは、挿入さ
れたICカードの処理プログラムを変更する必要がある
かどうかをICカードを管理しているICカード発行会
社のホストコンピュータに確認を行う18。その際、処
理プログラムの変更が必要であれば、処理プログラムの
書き換え19を行い、通常の処理を行う20。処理プロ
グラムの変更が不要であれば通常のカード処理20を行
う。
【0021】以上、この実施例では、処理プログラム領
域にフラッシュEEPROMを搭載したICカードを用
い、市場での流通での流通状態に於いて処理プログラム
のアップデートや追加等を行うことを特徴とするICカ
ードシステムを説明した。すなわち、処理プログラム領
域をフラッシュEEPROMで構成したICカードを市
場で用いることにより、通常の利用時にICカード内の
処理プログラムの改定や追加を行えるようになる。この
ように、実施例5によれば、処理プログラム領域をフラ
ッシュEEPROMで構成したICカードを用い、市場
での利用状態において内蔵している処理プログラムの書
き換えを行うようにしたので、利便性が高く、カードの
多機能化の進む現代において、機能追加等による高価な
ICカードの再発行を行う必要がなく、またタイムリー
にデータの書き換えが行えるICカードシステムを得る
ことができる。
域にフラッシュEEPROMを搭載したICカードを用
い、市場での流通での流通状態に於いて処理プログラム
のアップデートや追加等を行うことを特徴とするICカ
ードシステムを説明した。すなわち、処理プログラム領
域をフラッシュEEPROMで構成したICカードを市
場で用いることにより、通常の利用時にICカード内の
処理プログラムの改定や追加を行えるようになる。この
ように、実施例5によれば、処理プログラム領域をフラ
ッシュEEPROMで構成したICカードを用い、市場
での利用状態において内蔵している処理プログラムの書
き換えを行うようにしたので、利便性が高く、カードの
多機能化の進む現代において、機能追加等による高価な
ICカードの再発行を行う必要がなく、またタイムリー
にデータの書き換えが行えるICカードシステムを得る
ことができる。
【0022】実施例6.図7は第2の発明によるICカ
ードの製造フロー図であり、図において9はIC製造工
程、10はモジュール製造工程、11はカード製造工
程、21は処理プログラム書き込み工程である。従来の
ICカードでは、IC製造工程において、処理プログラ
ムの決定がされていたがフラッシュEEPROMで処理
プログラム領域を構成することにより、ICカードに内
蔵する処理プログラムに関係なく、まずIC製造9を行
う。そしてまた処理プログラムに関係なくモジュール製
造10、カード製造11を行う。そして最後に処理プロ
グラムの書き込み21を行う。
ードの製造フロー図であり、図において9はIC製造工
程、10はモジュール製造工程、11はカード製造工
程、21は処理プログラム書き込み工程である。従来の
ICカードでは、IC製造工程において、処理プログラ
ムの決定がされていたがフラッシュEEPROMで処理
プログラム領域を構成することにより、ICカードに内
蔵する処理プログラムに関係なく、まずIC製造9を行
う。そしてまた処理プログラムに関係なくモジュール製
造10、カード製造11を行う。そして最後に処理プロ
グラムの書き込み21を行う。
【0023】この実施例では、カード製造工程後、処理
プログラムの書き込みを行う方式を示したが、モジュー
ル製造工程後処理プログラムの書き込みを行ってもよ
く、また、IC製造工程後に行ってもよい。
プログラムの書き込みを行う方式を示したが、モジュー
ル製造工程後処理プログラムの書き込みを行ってもよ
く、また、IC製造工程後に行ってもよい。
【0024】以上、この実施例では、ICカード製造工
程において、カード用モジュール及びカードアセンブリ
完了後、処理プログラムをICカード内部のフラッシュ
EEPROM領域に書込んでICカードを製造すること
を特徴とするICカードの製造方法を説明した。
程において、カード用モジュール及びカードアセンブリ
完了後、処理プログラムをICカード内部のフラッシュ
EEPROM領域に書込んでICカードを製造すること
を特徴とするICカードの製造方法を説明した。
【0025】
【発明の効果】以上のように、第1の発明によれば、処
理プログラム格納領域をフラッシュEEPROM等の書
き換え可能な不揮発性メモリで構成したので、必要に応
じてICカード内の処理プログラムのデータを改定、追
加等でき利便性の高いICカードを得ることができる。
理プログラム格納領域をフラッシュEEPROM等の書
き換え可能な不揮発性メモリで構成したので、必要に応
じてICカード内の処理プログラムのデータを改定、追
加等でき利便性の高いICカードを得ることができる。
【0026】第2の発明によれば、処理プログラム領域
をフラッシュEEPROMで構成しICカード製作完了
後等に、内蔵する処理プログラムの書き込みを行うよう
にしたので内蔵する処理プログラムに関係なくICカー
ドの作り置きができるとともに、ICカードの少量多品
種化に対応できるとともに、短納期化も実現できる。ま
た、処理プログラム開発時における開発支援カードとし
ても利用できるなど今までのICカードでは対応できな
いICカードの開発環境が実現できる。
をフラッシュEEPROMで構成しICカード製作完了
後等に、内蔵する処理プログラムの書き込みを行うよう
にしたので内蔵する処理プログラムに関係なくICカー
ドの作り置きができるとともに、ICカードの少量多品
種化に対応できるとともに、短納期化も実現できる。ま
た、処理プログラム開発時における開発支援カードとし
ても利用できるなど今までのICカードでは対応できな
いICカードの開発環境が実現できる。
【図1】第1の発明による実施例1のICカードの機能
ブロック図である。
ブロック図である。
【図2】第1の発明による実施例2のICカードの処理
フロー図である。
フロー図である。
【図3】第1の発明による実施例3のICカードの機能
ブロック図である。
ブロック図である。
【図4】第1の発明による実施例3のICカードの処理
フロー図である。
フロー図である。
【図5】第1の発明による実施例4のICカードの機能
ブロック図である。
ブロック図である。
【図6】第1の発明による実施例5のICカードシステ
ムの処理フロー図である。
ムの処理フロー図である。
【図7】第2の発明による実施例6のICカードの製造
フロー図である。
フロー図である。
【図8】従来のICカードの機能ブロック図である。
【図9】従来のICカードの製造フロー図である。
1 ICカード 2 CPU 3 マスクROM 4 RAM 5 入出力制御回路 6 EEPROM 7 バス 8 I/O端子 9 IC製造工程 10 モジュール製造工程 11 カード製造工程 12 フラッシュEEPROM 13 書き込みモード確認 14 処理モード 15 書き込みモード 16 Vpp端子 17 Vpp印加確認 18 機能追加確認 19 処理プログラム書き換え 20 処理 21 処理プログラム書き込み
Claims (2)
- 【請求項1】 以下の要素を有するICカード (a)データ処理を行うための処理手段、 (b)データを記憶するデータ記憶部 (c)データの入出力を行なう入出力部、 (d)処理手段、データ記憶部、入出力部を制御する処
理プログラムを格納する書き換え可能な不揮発性メモリ
を用いたプログラム記憶部。 - 【請求項2】 以下の工程を有するICカード製造方法 (a)ICを製造するIC製造工程、(b)書き換え可
能な不揮発性メモリモジュールを含む、ICカードを構
成するモジュールを製造するモジュール製造工程、
(c)上記IC及び各モジュールを組み立てるカード製
造工程、(d)ICカードが動作するための処理プログ
ラムを不揮発性メモリモジュールに記憶させる処理プロ
グラム書き込み工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3277703A JPH05120501A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | Icカード及びicカード製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3277703A JPH05120501A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | Icカード及びicカード製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05120501A true JPH05120501A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17587140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3277703A Pending JPH05120501A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | Icカード及びicカード製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05120501A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5559731A (en) * | 1994-12-15 | 1996-09-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | IC card |
| EP0722608A4 (en) * | 1993-09-10 | 1996-12-18 | Intel Corp | SEQUENTIAL PROGRAMMING OF A FLASH EEPROM MEMORY |
| EP1024453A1 (en) * | 1993-07-23 | 2000-08-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | External storage device |
| JP2001118042A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Hitachi Ltd | カード監視方法 |
| EP0875852A3 (de) * | 1997-04-30 | 2002-03-27 | Infineon Technologies AG | Chipkarte mit Mikrocontrollerschaltung |
| WO2003103058A1 (en) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ic card |
| JP2004103197A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Elan Microelectronics Corp | オンシステムプログラマブル非揮発性メモリ及びオフシステムプログラマブル非揮発性メモリを具えたチップ及びその形成方法とプログラム方法 |
| KR100900627B1 (ko) * | 2002-02-28 | 2009-06-02 | 파나소닉 주식회사 | 메모리카드 |
| JP2011034369A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Denso Corp | 電子制御装置 |
-
1991
- 1991-10-24 JP JP3277703A patent/JPH05120501A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1024453A1 (en) * | 1993-07-23 | 2000-08-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | External storage device |
| US6141210A (en) * | 1993-07-23 | 2000-10-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | External storage device |
| US6147861A (en) * | 1993-07-23 | 2000-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | External storage device unit |
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| KR100695702B1 (ko) * | 2002-05-31 | 2007-03-15 | 샤프 가부시키가이샤 | Ic 카드 |
| CN100380683C (zh) * | 2002-05-31 | 2008-04-09 | 夏普株式会社 | 集成电路卡 |
| JP2004103197A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Elan Microelectronics Corp | オンシステムプログラマブル非揮発性メモリ及びオフシステムプログラマブル非揮発性メモリを具えたチップ及びその形成方法とプログラム方法 |
| JP2011034369A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Denso Corp | 電子制御装置 |
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