JPH05120624A

JPH05120624A - 磁気ヘツド

Info

Publication number: JPH05120624A
Application number: JP3308477A
Authority: JP
Inventors: Hiroki Yamada; 太起山田; Mitsuru Horiuchi; 満堀内; Yoshito Kobayashi; 善人小林; Masayuki Arakawa; 雅行荒川
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1991-10-28
Filing date: 1991-10-28
Publication date: 1993-05-18
Anticipated expiration: 2016-10-02
Also published as: JP3214716B2

Abstract

(57)【要約】【構成】フェライトコアのギャップ部にコアよりもＢ
s の高い軟磁性薄膜を有するＭＩＧ型磁気ヘッドにおい
て、軟磁性薄膜がＦｅ、Ａｌ、Ｓｉを主成分とし、軟磁
性薄膜のＢs がギャップ側よりもコア側のほうが低い。【効果】コア側のＢs を低くすることにより擬似ギャ
ップを防止し、ギャップ側のＢs を高くすることにより
書き込み能力を維持する。また、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｉ系合
金は耐熱性が高いので作業温度の高いガラスが使え、高
信頼性が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コアよりも飽和磁束密
度の高い軟磁性薄膜をギャップ部に有するメタル・イン
・ギャップ型の磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報化社会の進展に伴ない、磁気
記録装置にも大容量化の要請が強く、磁気記録技術はよ
り一層の高記録密度化が重要な課題となっている。この
課題に対処するため、媒体においては高保磁力（Ｈc ）
化、低ノイズ化等の技術が開発されている。

【０００３】一方、磁気ヘッドにおいては、従来、フェ
ライトを磁気コアとしたものが主流であったが、近年、
フェライト磁気ヘッドのギャップにセンダストやＣｏ系
アモルファス材等の金属軟磁性薄膜を形成した、いわゆ
るＭＩＧ（メタル・イン・ギャップ）型磁気ヘッドが登
場した。フェライトの飽和磁束密度（Ｂs ）は約５００
０G 程度であるため、従来のフェライトヘッドで記録可
能な媒体のＨc は、８００〜９００ Oe 程度が限界とな
っていた。従って、媒体のＨc の増加に応じて磁気ヘッ
ドの記録能力も高める必要があり、その手段として、従
来のフェライトヘッドのギャップにセンダスト等の高Ｂ
s 金属からなる軟磁性薄膜を形成したＭＩＧ型磁気ヘッ
ドが開発され、実用化されたのである。

【０００４】ＭＩＧ型磁気ヘッドは、ギャップに形成さ
れた軟磁性薄膜から強力な磁束を媒体に印加できるた
め、高Ｈc 媒体にも記録が可能であり、例えばＢs が約
１０kGのセンダストを軟磁性薄膜として用いた場合、Ｈ
c が約１３００ Oe 程度までの媒体に記録ができるよう
になった。また、Ｂs が約１５kGのスーパーセンダスト
や、Ｆｅ−Ｍｅ（Ｍｅは、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｔａ等）−Ｎ系
薄膜を用いた場合、Ｈcが約１６００Oe 程度までの媒体
に記録可能となった。

【０００５】しかし、ＭＩＧ型磁気ヘッドでは、コアと
軟磁性薄膜との境界が擬似ギャップとなり、副パルスと
呼ばれる偽信号を生じることがある。擬似ギャップ効果
の原因としては、例えば、フェライトコアと軟磁性薄膜
の界面が、金属や酸化物の酸化、還元等により劣化する
ためであるとか、軟磁性薄膜中の特性成分（例えばセン
ダスト膜ではＡｌ、Ｓｉ）が界面に拡散していくことに
より非磁性層が形成されるためであるとか、軟磁性薄膜
成膜時に生じる初期劣化層のためであるとか、様々な議
論がなされている。

【０００６】ディジタル記録では、副パルスの存在によ
りいわゆるビットシフトが生じて波形に時間軸方向のズ
レが生じるため、記録波長を短くすることができなくな
る。また、アナログ記録では、副パルスの存在により、
周波数特性曲線に周期的なうねりが生じてしまう。

【０００７】このような擬似ギャップ効果を低減するた
めに、センダスト薄膜とフェライトコアとの間にＮｉ−
Ｆｅ（パーマロイ）薄膜を下地膜として設ける試みがな
されている。しかし、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜に６００℃以上の
熱処理を施すと、Ｎｉがセンダスト中に拡散し、透磁率
が著しく低下してしまう（日本応用磁気学会誌13,277-2
80(1989)）。このため、Ｎｉ−Ｆｅ下地膜を用いる場合
は、溶着温度が６００℃以上となるガラスを使用できな
い。

【０００８】溶着温度が６００℃未満のいわゆる低融点
ガラスとするためには、鉛やアルカリ金属などを多量に
添加する必要があるため、耐湿性等の耐環境性が不十分
となり、また、機械的強度も低くなる。従って、従来、
溶着ガラスとして用いられているガラスは、耐環境性が
低く、機械的強度も劣る。このため、擬似ギャップ効果
低減と信頼性および製造歩留り向上とを共に実現するこ
とはできなかった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情からなされたものであり、擬似ギャップ効果が少な
く、しかも、信頼性および製造歩留りの高いＭＩＧ型磁
気ヘッドを提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（７）の本発明により達成される。

【００１１】（１）それぞれフェライトから構成される
一対のコアを有し、少なくとも一方のコアとギャップと
の間に、前記コアより飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜を
有する磁気ヘッドであって、前記軟磁性薄膜が、Ｆｅ、
ＡｌおよびＳｉを主成分とし、前記軟磁性薄膜の飽和磁
束密度が、前記ギャップ近傍よりも前記コア近傍のほう
が低いことを特徴とする磁気ヘッド。

【００１２】（２）前記軟磁性薄膜の飽和磁束密度
が、前記ギャップに接している側から前記コアに接して
いる側にかけて漸減している上記（１）に記載の磁気ヘ
ッド。

【００１３】（３）前記軟磁性薄膜の組成が、Ａｌ：３〜７重量％、Ｓｉ：５〜１２重量％、残部：Ｆｅである上記（２）に記載の磁気ヘッド。

【００１４】（４）前記軟磁性薄膜が飽和磁束密度の
異なる少なくとも２層の薄膜から構成される上記（１）
に記載の磁気ヘッド。

【００１５】（５）前記軟磁性薄膜が、Ａｌ：３〜７重量％、Ｓｉ：５〜１２重量％、残部：Ｆｅの組成を有するコア側薄膜と、Ａｌ：３〜７重量％、Ｓｉ：３〜８重量％、Ｎｉ：１〜５重量％、残部：Ｆｅの組成を有するギャップ側薄膜とを有する上記（４）に
記載の磁気ヘッド。

【００１６】（６）前記軟磁性薄膜と前記コアとの間
に、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、ＶおよびＮｂの少な
くとも１種から構成される下地膜を有する上記（１）な
いし（５）のいずれかに記載の磁気ヘッド。

【００１７】（７）作業温度Ｔｗが３００〜８５０℃
の溶着ガラスにより前記一対のコアが溶着一体化されて
いる上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の磁気ヘ
ッド。

【００１８】

【作用】本発明の磁気ヘッドは、コアとギャップとの間
にコアよりもＢs の高い軟磁性薄膜を有するＭＩＧ型磁
気ヘッドである。本発明では、前記軟磁性薄膜のコア近
傍のＢs をギャップ近傍のＢs よりも小さく構成する。
このようにフェライトコアと軟磁性薄膜との境界でのＢ
s の段差を小さくすることにより、擬似ギャップ効果を
著しく低減できる。そして、ギャップ近傍の軟磁性薄膜
は従来と同等のＢs を有するため、高い書き込み能力は
変わらない。

【００１９】しかも、前記軟磁性薄膜は、Ｆｅ、Ａｌお
よびＳｉを主成分とするセンダスト系合金や、Ｆｅ、Ａ
ｌ、ＳｉおよびＮｉを主成分とするスーパーセンダスト
系合金であるため、耐熱性が高く、ガラス溶着の際に６
００℃以上の温度で熱処理した場合でも磁気特性の劣化
がない。このため、耐環境性が良好で強度の高い溶着ガ
ラスが使え、信頼性が高く製造歩留りの高い磁気ヘッド
が実現する。

【００２０】また、前記下地膜を設ければ、前記軟磁性
薄膜と前記コアとの接着性が向上する。特に、下地膜を
Ｃｒで構成した場合、擬似ギャップ効果をさらに低減す
ることが可能である。

【００２１】ところで、特開昭６１−３４７０７号公報
には、フェライトコアを用いたＭＩＧ型磁気ヘッドが記
載されている。この磁気ヘッドのギャップ部は、多結晶
質磁性合金、非晶質磁性合金、フェライトコアの順に連
結して磁気回路を構成しており、多結晶質磁性合金、非
晶質磁性合金、フェライトの順で飽和磁束密度が低くな
っている。しかし、この磁気ヘッドは非晶質磁性合金を
使っているため耐熱性が低く、溶着温度の高いガラスを
使うことができない。

【００２２】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成を、添付の図
面に基づいて詳細に説明する。図１および図２にそれぞ
れ示される本発明の磁気ヘッドは、第１コア１および第
２コア２の一対のコアを有し、両コアはギャップ５を介
して溶着ガラス３により一体化されており、第２コア２
とギャップ５との間に、各コアよりＢsの大きい軟磁性
薄膜４を有する。なお、通常、第１コア１に巻線が巻回
される。

【００２３】軟磁性薄膜４は、Ｆｅ、ＡｌおよびＳｉを
主成分とする組成を有し、ギャップ５近傍よりも第２コ
ア２近傍のほうがＢs が小さくなるように構成される。
Ｂsをこのような分布とするためには、ギャップ５に接
している側から第２コア２に接している側にかけて軟磁
性薄膜４のＢs が漸減するように構成してもよく、ある
いはＢs の異なる少なくとも２層の薄膜から軟磁性薄膜
４を構成してもよい。

【００２４】図１に示される磁気ヘッドは、Ｂs が漸減
する構成の軟磁性薄膜４を有している。このようなＢs
分布を有する軟磁性薄膜４は、構成元素の含有比率を連
続的に変化させることにより形成することができる。こ
の場合、軟磁性薄膜４の全体組成は、Ａｌ：３〜７重量％、Ｓｉ：５〜１２重量％、残部：Ｆｅであることが好ましい。そして、第２コア２側からギャ
ップ５側にかけてＳｉおよびＡｌの含有比率が漸減する
ように組成分布を設けることにより、ギャップ５側から
第２コア２側にかけてＢs が漸減する構成とすることが
できる。具体的には、第２コア２近傍におけるＡｌおよ
びＳｉの含有比率はＡｌ：７〜９重量％、Ｓｉ：１０〜１５重量％程度とすることが好ましく、ギャップ５近傍におけるＡ
ｌおよびＳｉの含有比率はＡｌ：１〜４重量％、Ｓｉ：３〜８重量％程度とすることが好ましい。

【００２５】このような範囲から組成を適宜選択するこ
とにより、第２コア２近傍において８０００〜１１００
０G 程度、ギャップ５近傍において１２０００〜１５０
００G 程度のＢs を得ることができる。

【００２６】図２に示される磁気ヘッドは、Ｂs の異な
る２層の薄膜から構成される軟磁性薄膜４を有する。軟
磁性薄膜４は、第２コア２側のコア側薄膜４１と、ギャ
ップ５側のギャップ側薄膜４２とから構成されており、
コア側薄膜４１のほうがギャップ側薄膜４２よりもＢs
が低い。この構成では、コア側薄膜およびギャップ側薄
膜をそれぞれセンダスト系の合金で構成し、各薄膜の組
成を上記した組成連続変化膜のコア近傍組成およびギャ
ップ近傍組成としてもよいが、好ましくは、コア側薄膜
をセンダスト合金系の組成とし、ギャップ側薄膜をスー
パーセンダスト合金系の組成とすることが好ましい。具
体的には、コア側薄膜の組成はＡｌ：３〜７重量％、Ｓｉ：５〜１２重量％、残部：Ｆｅであることが好ましく、ギャップ側薄膜の組成はＡｌ：３〜７重量％、Ｓｉ：３〜８重量％、Ｎｉ：１〜５重量％、残部：Ｆｅであることが好ましい。各薄膜の組成をこのような範囲
から適宜選択することにより、コア側薄膜では８０００
〜１１０００G 程度、ギャップ側薄膜では１２０００〜
１５０００G 程度のＢs を得ることができる。

【００２７】なお、軟磁性薄膜４をＢs の異なる複数の
薄膜から構成する場合、最もコアに近い薄膜を上記した
コア側薄膜とし、最もギャップに近い薄膜を上記したギ
ャップ側薄膜とする。そして、両薄膜の間に存在する薄
膜のＢsは、コア側薄膜よりも高くギャップ側薄膜より
も低いことが好ましい。

【００２８】なお、フェライト製コアのＢs は３０００
〜６０００G 程度である。

【００２９】軟磁性薄膜４は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌおよび
Ｎｉの他、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｇａ、Ｒｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｓｎ等を全体の
１原子％以下含有していてもよく、これらのうちでは、
軟磁気特性が向上することからＡｕが含有されることが
好ましい。

【００３０】軟磁性薄膜４の膜厚は、好ましくは０．２
〜１０μm 、より好ましくは０．５〜５μm である。膜
厚が前記範囲未満であると、体積が不足して飽和し易く
なり、強力な磁界を印加するという機能が不十分とな
る。また、膜厚が前記範囲を超えると、特に単層膜の場
合、渦電流損失が大きくなり、高周波特性が不十分とな
る。図２に示されるように、軟磁性薄膜４が複数の薄膜
から構成される場合、各薄膜の厚さの比率は特に限定さ
れないが、通常、最も厚い薄膜が最も薄い薄膜の３倍以
下、特に１．５倍以下となるようにすることが好まし
い。

【００３１】本発明では、軟磁性薄膜４と第２コア２と
の間に、下地膜６を設けることが好ましい。下地膜６
は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、ＶおよびＮｂの少な
くとも１種から構成されることが好ましい。これらのう
ちでは、Ｃｒが特に好ましい。下地膜６をＣｒで構成す
ることにより、擬似ギャップ効果をさらに低減すること
ができる。なお、下地膜６は、上記元素を含む合金、例
えばＣｒ−Ｓｉ合金等で構成されてもよい。

【００３２】下地膜６の厚さは、通常、０．００１〜
０．１μm 、特に０．００２〜０．０５μm とすること
が好ましい。厚さが前記範囲未満であると下地膜として
の効果が不十分であり、前記範囲を超えると軟磁性薄膜
の体積を十分に大きくできなくなる。

【００３３】なお、図示例では、軟磁性薄膜４は第２コ
ア２とギャップ５との間に設けられているが、第１コア
１とギャップ５との間に設けられてもよい。また、必要
に応じて両方のコアに軟磁性薄膜を設けてもよい。その
場合、下地膜も両方のコアに設けることが好ましい。

【００３４】本発明において、各コアはフェライトから
構成される。用いるフェライトに特に制限はないが、Ｍ
ｎ−ＺｎフェライトまたはＮｉ−Ｚｎフェライトを目的
に応じて選択することが好ましい。Ｍｎ−Ｚｎフェライ
トとしては、Ｆｅ₂ Ｏ₃ ５０〜６０モル％程度、ＺｎＯ
８〜２５モル％程度、残部が実質的にＭｎＯのものが
好ましい。また、Ｎｉ−Ｚｎフェライトは特に高周波領
域において優れた特性を示すものであり、好ましい組成
としては、Ｆｅ₂ Ｏ₃ が３０〜６０モル％、ＮｉＯが１
５〜５０モル％、ＺｎＯが５〜４０モル％程度のもので
ある。

【００３５】各コアの直流でのＢs は、好ましくは３０
００〜６０００G とする。Ｂs が前記範囲未満である
と、オーバーライト特性が低下する他、このようなＢs
の組成では、キュリー温度が低くなるため熱的安定性が
低下してしまう。前記範囲を超えると、磁歪が増加して
磁気ヘッドとしての特性が悪化したり、着磁し易くな
る。

【００３６】各コアの直流での初透磁率μ_i は１，００
０以上、Ｈc は０．３ Oe 以下であることが好ましい。

【００３７】また、各コアのギャップ対向面は、鏡面研
磨等により平滑化し、軟磁性薄膜４や下地膜６等が形成
され易いようにすることが好ましい。

【００３８】ギャップ５は、非磁性材質から構成され
る。ギャップ５には、接着強度を高めるため接着ガラス
を用いることが好ましく、例えば、特願平１−７１５０
６号等に示されるガラスが好適である。また、ギャップ
５は接着ガラスのみで構成されていてもよいが、ギャッ
プ形成速度やギャップ強度を高めるため、図示のように
ギャップ５１とギャップ５３との２層で構成されること
が好ましい。この場合、ギャップ５１にはＳｉＯ₂ を用
い、ギャップ５３には接着ガラスを用いることが好まし
い。なお、溶着ガラス３がギャップ両サイドに流れ込む
タイプの磁気ヘッドの場合は、ギャップ５を酸化ケイ素
のみで構成してもよい。ギャップ５の形成方法には特に
制限はないが、スパッタ法を用いることが好ましい。ギ
ャップ長は、通常０．２〜２．０μm 程度である。

【００３９】本発明の磁気ヘッドは、通常、以下のよう
にして製造される。軟磁性薄膜４および下地膜６は、ス
パッタや蒸着等の気相成膜法により形成することが好ま
しいが、液相めっきにより形成してもよい。コア側から
ギャップ側にかけて組成が連続的に変化する構成とする
場合には、蒸着法を用いることが好ましい。この場合、
蒸気圧の違いにより、当初はＡｌおよびＳｉが蒸発しや
すくこれらの比率の高い低Ｂs 膜が形成される。そし
て、次第にＡｌおよびＳｉの蒸発量が少なくなり、Ｆｅ
の比率の高い高Ｂs 膜に変化していく。ＡｌおよびＳｉ
の量と加熱パワーとを適当に選択することにより、任意
のＢs とその変化パターンとを実現することができる。

【００４０】コアの接合は、通常、ギャップ５３の接着
ガラスにより熱圧着すると同時に溶着ガラス３を流し込
むことにより行なう。用いる溶着ガラス３の作業温度Ｔ
ｗは３００〜８５０℃、特に６００〜７００℃程度であ
ることが好ましく、この場合、ガラス溶着時の保持温度
は３００〜８５０℃、特に６００〜７００℃程度とな
る。なお、作業温度Ｔｗとは、周知のようにガラスの粘
度が１０⁴ poise となる温度である。

【００４１】また、コンポジット型の浮上型磁気ヘッド
とする場合には、図１や図２に示される構成の磁気ヘッ
ドを、２次溶着工程においてガラスによりスライダと接
着する。

【００４２】本発明の磁気ヘッドでは、軟磁性薄膜４の
耐熱性が良好であるため、このようなＴｗのガラスを用
いて溶着しても軟磁性薄膜４のＨc が上昇せず、良好な
軟磁性が保持される。このため、鉛やアルカリ金属など
の含有量が少ない溶着ガラスを用いることができるの
で、耐環境性が良好で機械的強度も高い磁気ヘッドが実
現する。

【００４３】軟磁性薄膜には軟磁気特性向上のために熱
処理が施されることが好ましいが、上記した溶着時の加
熱を熱処理として利用できるので、工数の減少が可能で
ある。

【００４４】本発明の磁気ヘッドは、いわゆるラミネー
トタイプやバルクタイプ等のトンネルイレーズ型、ある
いはイレーズヘッドを有しないリードライト型などのオ
ーバーライト記録を行なうフロッピーヘッド、モノリシ
ックタイプやコンポジットタイプの浮上型の計算機用ヘ
ッド、回転型のＶＴＲ用ヘッドやＲ−ＤＡＴ用ヘッドな
どの各種磁気ヘッドとして用いられる。

【００４５】なお、本発明は、ＭＩＧ型磁気ヘッドの１
種である、いわゆるエンハンスト・デュアル・ギャップ
・レングス（ＥＤＧ）型の磁気ヘッドに適用することが
できる。その場合、ギャップを挟んで前記軟磁性薄膜と
対向するコアに、コアよりもＢs の低い軟磁性薄膜を設
ける。すなわち、図１に示される構成では、第１コア１
とギャップ５との間に、コアを構成するフェライトより
もＢs の低い軟磁性薄膜を設ける。

【００４６】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００４７】図１に示される構成の磁気ヘッドサンプル
を作製した。各磁気ヘッドサンプルの軟磁性薄膜の組成
を下記表１に示す。

【００４８】軟磁性薄膜４はスパッタ法により形成し、
厚さは２μm とした。ただし、サンプルNo. ５では蒸着
法により形成し、蒸着する元素の蒸気圧の違いを利用し
て組成が連続的に変化する構成の膜とした。

【００４９】下地膜６は厚さ０．０１μm のＣｒ膜であ
り、スパッタ法により形成した。

【００５０】各コアの材質はＭｎ−Ｚｎフェライト（Ｂ
_s ＝５kG、μ_i ＝３０００、Ｈc ＝８A/m ）とした。

【００５１】ギャップ５１にはＳｉＯ₂ を用い、スパッ
タ法により形成し、その膜厚は０．３μm とした。ギャ
ップ５３には、作業温度Ｔｗが８００℃の接着ガラスを
用いた。なお、ギャップ５３はスパッタ法により形成
し、その膜厚は０．１μm とした。

【００５２】溶着ガラス３の組成は、重量比でＳｉＯ₂ ：２７．０、Ｂ₂ Ｏ₃ ：２．０、ＰｂＯ：５９．０、Ａｌ₂ Ｏ₃ ：２．０、ＺｎＯ：４．０、Ｎａ₂ Ｏ：６．０であり、作業温度Ｔｗは６９０℃であった。そして、７
００℃にて１時間溶着を行なった。そして、各磁気ヘッ
ドサンプルをスライダと一体化し、コンポジットタイプ
の浮上型磁気ヘッドとした。

【００５３】溶着後の各軟磁性薄膜のＢs を表１に示
す。Ｂs はＶＳＭで測定した。

【００５４】組成およびＢs は、結晶化ガラス基板上に
磁気ヘッド作製の際と同条件で軟磁性薄膜を形成し、ガ
ラス溶着の際の熱処理と同条件の熱処理を施したものに
ついて測定されたものである。なお、組成はＳＩＭＳで
測定した。組成が連続的に変化するサンプルNo. ５で
は、コア側表面の組成とギャップ側表面の組成とを示し
た。また、サンプルNo. ５におけるコア側Ｂs およびギ
ャップ側Ｂs は、コア側組成を有する単層膜およびギャ
ップ側組成を有する単層膜を形成してそれぞれ測定し
た。

【００５５】これらの磁気ヘッドにより、３．５インチ
のハードディスク（Ｈc １５００ Oe 、３６００rpm ）
に記録を行なった。サンプルNo. ２および６の周波数特
性曲線を、それぞれ図３および図４に示す。また、各サ
ンプルの周波数特性曲線のうねりの幅を、表１に示す。
なお、この場合のうねりの幅とは、２MHz 付近における
出力の山部と谷部の差である。

【００５６】また、No. １〜３の比較サンプルおよびN
o. ５〜６の本発明サンプルについて、オーバーライト
特性と飽和特性とを測定した。オーバーライト特性（Ｏ
／Ｗ特性）については、サンプルNo. １〜３（比較例）
のものを図５の（ａ）に、サンプルNo. ５および６（実
施例）のものを図５の（ｂ）に示し、飽和特性について
は、サンプルNo. １〜３（比較例）のものを図６の
（ａ）に、サンプルNo. ５および６（実施例）のものを
図６の（ｂ）に示す。なお、オーバーライト特性とは、
１．２５MHz の１ｆ信号を記録し、次いでこの上から
２．５MHz の２ｆ信号を重ね書きしたときの、２ｆ信号
の出力に対する１ｆ信号の出力である。

【００５７】

【表１】

【００５８】以上の結果から、本発明の効果が明らかで
ある。すなわち、図３、図４および表１から明らかなよ
うに、本発明のサンプルでは、擬似ギャップ効果に起因
する周波数特性曲線のうねりが著しく小さい。また、図
５および図６から明らかなように、本発明のサンプル
は、比較サンプルNo. ２および３の良好なオーバーライ
ト特性および飽和特性を損なわずに、擬似ギャップ効果
が抑えられていることがわかる。

【００５９】また、本発明サンプルは、作業温度Ｔｗが
５５０℃以下である従来の溶着ガラスを用いた磁気ヘッ
ドに比べ、歩留りが１０％以上向上した。

【００６０】なお、サンプルNo. ４では、コア側のＦｅ
−Ｎｉ（パーマロイ）膜のＨc が熱処理により５ Oe ま
で増加し、軟磁性膜としての使用に耐えなかった。

【００６１】下地膜としてＭｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖお
よびＮｂを用いた場合でも、ほぼ同等の結果が得られた
が、周波数特性のうねりはＣｒ下地膜の場合が最も小さ
かった。

【００６２】

【発明の効果】本発明では、ＭＩＧ型磁気ヘッドにおい
て、軟磁性薄膜のＢsをコア側で低くギャップ側で高く
構成するため、ＭＩＧ型磁気ヘッドの効果を保持しなが
ら擬似ギャップ効果を著しく低減できる。

【００６３】また、本発明では、軟磁性薄膜をセンダス
ト系合金やスーパーセンダスト系合金で構成するため、
軟磁性薄膜の耐熱性が高く、磁気ヘッド製造の際のガラ
ス溶着時の保持温度を６００℃以上と高くできる。この
ため、耐環境性が良好で機械的強度の高い溶着ガラスが
使え、信頼性が高く製造歩留りの高い磁気ヘッドが実現
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッドの１例を示す部分断面図で
ある。

【図２】本発明の磁気ヘッドの１例を示す部分断面図で
ある。

【図３】従来の磁気ヘッドの周波数特性を表わすグラフ
である。

【図４】本発明の磁気ヘッドの周波数特性を表わすグラ
フである。

【図５】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ従来の磁気ヘ
ッドおよび本発明の磁気ヘッドのオーバーライト特性を
表わすグラフである

【図６】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ従来の磁気ヘ
ッドおよび本発明の磁気ヘッドの飽和特性を表わすグラ
フである。

【符号の説明】

１第１コア２第２コア３溶着ガラス４軟磁性薄膜４１コア側薄膜４２ギャップ側薄膜５，５１，５３ギャップ６下地膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者荒川雅行東京都中央区日本橋一丁目13番１号テイーデイーケイ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】それぞれフェライトから構成される一対
のコアを有し、少なくとも一方のコアとギャップとの間
に、前記コアより飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜を有す
る磁気ヘッドであって、前記軟磁性薄膜が、Ｆｅ、ＡｌおよびＳｉを主成分と
し、前記軟磁性薄膜の飽和磁束密度が、前記ギャップ近傍よ
りも前記コア近傍のほうが低いことを特徴とする磁気ヘ
ッド。
【請求項２】前記軟磁性薄膜の飽和磁束密度が、前記
ギャップに接している側から前記コアに接している側に
かけて漸減している請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】前記軟磁性薄膜の組成が、Ａｌ：３〜７重量％、Ｓｉ：５〜１２重量％、残部：Ｆｅである請求項２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】前記軟磁性薄膜が飽和磁束密度の異なる
少なくとも２層の薄膜から構成される請求項１に記載の
磁気ヘッド。
【請求項５】前記軟磁性薄膜が、Ａｌ：３〜７重量％、Ｓｉ：５〜１２重量％、残部：Ｆｅの組成を有するコア側薄膜と、Ａｌ：３〜７重量％、Ｓｉ：３〜８重量％、Ｎｉ：１〜５重量％、残部：Ｆｅの組成を有するギャップ側薄膜とを有する請求項４に記
載の磁気ヘッド。
【請求項６】前記軟磁性薄膜と前記コアとの間に、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、ＶおよびＮｂの少なくとも
１種から構成される下地膜を有する請求項１ないし５の
いずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項７】作業温度Ｔｗが３００〜８５０℃の溶着
ガラスにより前記一対のコアが溶着一体化されている請
求項１ないし６のいずれかに記載の磁気ヘッド。