JPH05121167A - 電波シール装置 - Google Patents
電波シール装置Info
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- JPH05121167A JPH05121167A JP3282646A JP28264691A JPH05121167A JP H05121167 A JPH05121167 A JP H05121167A JP 3282646 A JP3282646 A JP 3282646A JP 28264691 A JP28264691 A JP 28264691A JP H05121167 A JPH05121167 A JP H05121167A
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- concave groove
- sealing device
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- wave absorber
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/76—Prevention of microwave leakage, e.g. door sealings
- H05B6/763—Microwave radiation seals for doors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Electric Ovens (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子レンジなどの高周波機器の電波を遮蔽す
る電波シール装置において、簡単で小型の電波シール装
置を提供する。 【構成】 電波が内部に供給されかつ開口部を有する導
体材の本体１と、開口部を開閉自在に覆う導体材のドア
２からなる高周波機器の電波シール装置において、本体
１とドア２とが対向する部分の少なくとも一方に凹状溝
３を設け、その凹状溝３の少なくとも１つの壁面４に複
数のスリット５を設け、凹状溝３の外側壁４の上部に内
側壁の上部の上面と平行でかつその高さより低いエッジ
７を設け、凹状溝３およびエッジ７を覆う電波吸収体６
を設けた構成とする。
る電波シール装置において、簡単で小型の電波シール装
置を提供する。 【構成】 電波が内部に供給されかつ開口部を有する導
体材の本体１と、開口部を開閉自在に覆う導体材のドア
２からなる高周波機器の電波シール装置において、本体
１とドア２とが対向する部分の少なくとも一方に凹状溝
３を設け、その凹状溝３の少なくとも１つの壁面４に複
数のスリット５を設け、凹状溝３の外側壁４の上部に内
側壁の上部の上面と平行でかつその高さより低いエッジ
７を設け、凹状溝３およびエッジ７を覆う電波吸収体６
を設けた構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波電波を遮蔽する
電波シール装置に関し、特に電子レンジのように開閉自
在のドアを有する高周波機器の電波シール装置に関す
る。
電波シール装置に関し、特に電子レンジのように開閉自
在のドアを有する高周波機器の電波シール装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の電波シール装置（たとえ
ば、米国特許第３，１８２，１６４号明細書）は図７に
示すような構成であった。以下、その構成について説明
する。
ば、米国特許第３，１８２，１６４号明細書）は図７に
示すような構成であった。以下、その構成について説明
する。
【０００３】図において、８は電子レンジの本体であ
り、この本体８の開口部９を開閉自在に覆い、取手１０
を有するドア１１が設けられている。このドア１１の周
縁部には本体８側に向いて開口した隙間部１２を有する
空洞のチョーク部１３が形成されている。このチョーク
部１３の奥行Ｌ1 は、使用される高周波の波長の実質的
に４分の１波長に設計されている。この場合、ドア１１
のチョーク部１３の幅は４分の１波長以上必要である。
すなわち、従来電子レンジで使用されている電磁波の周
波数は、２４５０ＭHzであるので４分の１波長は約３０
mmとなる。この長さのチョーク部１３と対向させるため
に、本体８の開口部９に形成した周縁部１４の厚さＬ2
は４分の１波長より大きい値となる。したがって、本体
８の開口部９の有効大きさは周縁部１４の分だけ小さく
なる。
り、この本体８の開口部９を開閉自在に覆い、取手１０
を有するドア１１が設けられている。このドア１１の周
縁部には本体８側に向いて開口した隙間部１２を有する
空洞のチョーク部１３が形成されている。このチョーク
部１３の奥行Ｌ1 は、使用される高周波の波長の実質的
に４分の１波長に設計されている。この場合、ドア１１
のチョーク部１３の幅は４分の１波長以上必要である。
すなわち、従来電子レンジで使用されている電磁波の周
波数は、２４５０ＭHzであるので４分の１波長は約３０
mmとなる。この長さのチョーク部１３と対向させるため
に、本体８の開口部９に形成した周縁部１４の厚さＬ2
は４分の１波長より大きい値となる。したがって、本体
８の開口部９の有効大きさは周縁部１４の分だけ小さく
なる。
【０００４】上述のとおり従来のチョーク部１３は４分
の１波長の深さとして高周波を減衰させるという技術思
想に基づいている。すなわち、チョーク部１３の特性イ
ンピーダンスをＺ0 、深さをＬとし、終端部を短絡した
ときにチョーク部１３の開口部でのインピーダンスＺIN
は、式（１）に示されるようになる。
の１波長の深さとして高周波を減衰させるという技術思
想に基づいている。すなわち、チョーク部１３の特性イ
ンピーダンスをＺ0 、深さをＬとし、終端部を短絡した
ときにチョーク部１３の開口部でのインピーダンスＺIN
は、式（１）に示されるようになる。
【０００５】 ＺIN＝ｊＺ0 ｔａｎ（２πＬ／λ0 ）…………（１） （λ0 は自由空間波長）チョーク方式の電波減衰手段
は、チョーク部１３の深さＬを４分の１波長に選定する
ことにより、式（２）に示すように、インピーダンスＺ
INを無限大にして達成するという原理に基づいている。
は、チョーク部１３の深さＬを４分の１波長に選定する
ことにより、式（２）に示すように、インピーダンスＺ
INを無限大にして達成するという原理に基づいている。
【０００６】 ｜ＺIN｜＝Ｚ0 ｔａｎ（π／２）＝∞…………（２） 以下、図８を用いて理論的に説明する。ここで説明の都
合上、図８のように凹状溝１５の深さ方向をＺ軸、本体
８内からドア１１の隙間を通って本体外へ向かう方向を
Ｙ軸、凹状溝１５の長手方向にＸ軸を取ることとする。
合上、図８のように凹状溝１５の深さ方向をＺ軸、本体
８内からドア１１の隙間を通って本体外へ向かう方向を
Ｙ軸、凹状溝１５の長手方向にＸ軸を取ることとする。
【０００７】チョーク方式は周知の４分の１波長インピ
ーダンス変換原理に基づくものである。すなわち、凹状
溝１５の特性インピーダンスをＺ0C、凹状溝１５の深さ
をｌ C とし本体８から凹状溝１５に至る漏波路１６の特
性インピーダンスをＺ0P、漏波路１６の長さをｌP 、使
用波長をλとしたときに、図８のように凹状溝１５の底
Ｃの短絡インピーダンスＺC は零であるので、凹状溝１
５の開口部Ｂから底Ｃを見たインピーダンスＺB は、式
（３）に示すようになる。
ーダンス変換原理に基づくものである。すなわち、凹状
溝１５の特性インピーダンスをＺ0C、凹状溝１５の深さ
をｌ C とし本体８から凹状溝１５に至る漏波路１６の特
性インピーダンスをＺ0P、漏波路１６の長さをｌP 、使
用波長をλとしたときに、図８のように凹状溝１５の底
Ｃの短絡インピーダンスＺC は零であるので、凹状溝１
５の開口部Ｂから底Ｃを見たインピーダンスＺB は、式
（３）に示すようになる。
【０００８】 ＺB ＝ｊＺ0Cｔａｎ（２πｌC ／λ）…………（３） ここで、 ｌC ＝λ／４ と選ぶことにより、 ｜ＺB ｜＝∞ と変換できる。
【０００９】この開口部ＢのインピーダンスＺB を線路
始点Ａ部でみたときのインピーダンスＺA は式（４）と
なる。
始点Ａ部でみたときのインピーダンスＺA は式（４）と
なる。
【００１０】 ＺA ＝−ｊＺ0P／ｔａｎ（２πｌP ／λ）…………（４） ここで、 ｌP ＝λ／４ と選ぶことにより ｜ＺA ｜＝０ と変換できる。
【００１１】凹状溝１５の底部Ｃでの短絡状態が４分の
１波長インピーダンス変換原理をたくみに利用すること
で線路始点に現出することにより電波シール装置として
実用化しているものである。
１波長インピーダンス変換原理をたくみに利用すること
で線路始点に現出することにより電波シール装置として
実用化しているものである。
【００１２】漏波路１６や凹状溝１５に誘電率εr の誘
電体を装荷することにより誘電体内での波長λ' は自由
空間波長λの（εr )1／２倍になり、誘電率εr 、透磁
率μ r の磁性体を装荷することにより磁性体内での波長
λ' は自由空間波長λの（ε r ×μr )1／２倍になる
が、４分の１波長（λ' ／４）インピーダンス原理を用
いることにより同様の効果を得られる。図８で説明する
と、Ｚ軸方向に凹状溝１５の深さを４分の１波長にする
とＹ軸方向への電波漏洩が抑えられるというものであ
る。また、従来、凹状溝１５の壁面にスリットを設け、
Ｘ方向の電波伝搬成分を低減する方法もあった。
電体を装荷することにより誘電体内での波長λ' は自由
空間波長λの（εr )1／２倍になり、誘電率εr 、透磁
率μ r の磁性体を装荷することにより磁性体内での波長
λ' は自由空間波長λの（ε r ×μr )1／２倍になる
が、４分の１波長（λ' ／４）インピーダンス原理を用
いることにより同様の効果を得られる。図８で説明する
と、Ｚ軸方向に凹状溝１５の深さを４分の１波長にする
とＹ軸方向への電波漏洩が抑えられるというものであ
る。また、従来、凹状溝１５の壁面にスリットを設け、
Ｘ方向の電波伝搬成分を低減する方法もあった。
【００１３】つぎに、他の従来例として図９に示すもの
がある。これは４分の１波長凹状溝１７と電波吸収体１
８を組合せた電波シール装置である。ただし、この場合
にはチョーク構造の長手方向（Ｘ方向）に伝搬する電波
は規制されておらず、電波吸収体１８で吸収されてい
る。
がある。これは４分の１波長凹状溝１７と電波吸収体１
８を組合せた電波シール装置である。ただし、この場合
にはチョーク構造の長手方向（Ｘ方向）に伝搬する電波
は規制されておらず、電波吸収体１８で吸収されてい
る。
【００１４】さらに、別の従来例（たとえば、実公昭５
６−１６０６８号公報）として、図１０に示すように凹
状溝１９を設け、凹状溝１９の外側に電波吸収体２０を
設けたものがある。これも４分の１波長を達成して電波
を減衰させ、さらに電波吸収体２０で凹状溝１９より外
部に漏れ出た電波を吸収するようになっている。
６−１６０６８号公報）として、図１０に示すように凹
状溝１９を設け、凹状溝１９の外側に電波吸収体２０を
設けたものがある。これも４分の１波長を達成して電波
を減衰させ、さらに電波吸収体２０で凹状溝１９より外
部に漏れ出た電波を吸収するようになっている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】図７の電波シール装置
では、チョーク部１３を板金でつくると複雑な折曲げや
スポット溶接が必要であり、また図９のものは、電波の
伝搬を考えるとＸ方向の成分は規制されておらず、電波
吸収体１８に吸収させて電波漏洩を抑えているので電波
吸収体１８の負荷が大きいという問題があり、また図１
０のものは凹状溝１９を設け、これも実質的に４分の１
波長を達成して電波を減衰させ、さらに、電波吸収体２
０を凹状溝１９の外部に設け、凹状溝１９から外に漏洩
する電波を吸収させて外部へ漏洩する電波を抑えてい
る。以上のように、従来は電波吸収体は４分の１波長凹
状溝で減衰させた電波のＸ方向成分またはＹ方向成分の
減衰のために用いているか、または、電波吸収体をチョ
ーク部の外に置いて凹状溝より漏洩した電波を吸収して
いるため、チョーク部の大きさには電波の４分の１波長
の空間が必要となる。たとえば、２４５０ＭHzの場合に
は、約３0.６mmとなる。また、図９、図１０に示したも
のでもチョーク部を板金でつくるために複雑な折り曲げ
やスポット溶接が必要であるという課題があった。
では、チョーク部１３を板金でつくると複雑な折曲げや
スポット溶接が必要であり、また図９のものは、電波の
伝搬を考えるとＸ方向の成分は規制されておらず、電波
吸収体１８に吸収させて電波漏洩を抑えているので電波
吸収体１８の負荷が大きいという問題があり、また図１
０のものは凹状溝１９を設け、これも実質的に４分の１
波長を達成して電波を減衰させ、さらに、電波吸収体２
０を凹状溝１９の外部に設け、凹状溝１９から外に漏洩
する電波を吸収させて外部へ漏洩する電波を抑えてい
る。以上のように、従来は電波吸収体は４分の１波長凹
状溝で減衰させた電波のＸ方向成分またはＹ方向成分の
減衰のために用いているか、または、電波吸収体をチョ
ーク部の外に置いて凹状溝より漏洩した電波を吸収して
いるため、チョーク部の大きさには電波の４分の１波長
の空間が必要となる。たとえば、２４５０ＭHzの場合に
は、約３0.６mmとなる。また、図９、図１０に示したも
のでもチョーク部を板金でつくるために複雑な折り曲げ
やスポット溶接が必要であるという課題があった。
【００１６】本発明は上記課題を解決するもので、従来
より簡単で小型の電波シール装置を提供することを目的
としている。
より簡単で小型の電波シール装置を提供することを目的
としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の電波シール装置は、本体とドアとが対向す
る部分の少なくとも一方に凹状溝を設け、その凹状溝の
少なくとも１つの壁面に複数のスリット部を設け、前記
凹状溝の外側壁面の上部に内側壁面の上部の上面と平行
でかつその高さより低いエッジ部を設け、前記凹状溝お
よびエッジ部を覆う電波吸収体を設けた構成とする。
めに本発明の電波シール装置は、本体とドアとが対向す
る部分の少なくとも一方に凹状溝を設け、その凹状溝の
少なくとも１つの壁面に複数のスリット部を設け、前記
凹状溝の外側壁面の上部に内側壁面の上部の上面と平行
でかつその高さより低いエッジ部を設け、前記凹状溝お
よびエッジ部を覆う電波吸収体を設けた構成とする。
【００１８】
【作用】本発明は上記した構成により、複雑な折り曲げ
やスポット溶接が不要となり、かつ凹状溝の長手方向に
伝搬する電波のＸ成分が伝搬しないようにでき、凹状溝
によりＹ方向の漏洩波を減衰でき、さらに、電波吸収体
の電波圧縮効果により凹状溝の深さを４分の１波長より
短くできる。
やスポット溶接が不要となり、かつ凹状溝の長手方向に
伝搬する電波のＸ成分が伝搬しないようにでき、凹状溝
によりＹ方向の漏洩波を減衰でき、さらに、電波吸収体
の電波圧縮効果により凹状溝の深さを４分の１波長より
短くできる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１から図３に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００２０】これらの図において、電子レンジの本体１
は内部に電波が供給されるもので、ドア２を開閉自在に
設け、ドア２に凹状溝３を設けている。凹状溝３の外側
壁面４にスリット部５を設けており、壁面の長手方向に
導体幅ａよりもピッチｐが大きくなるようにした壁面と
なっている。さらに、図３に示すように、凹状溝３の外
側壁の開口部にドア面と平行に開口部の内側壁の高さよ
りｌ1 だけ低くしたエッジ部７を設けてある。電波吸収
体６は、厚みｌ2 、幅ｋ1 部分で凹状溝３の開口部を閉
塞し、エッジ部７上には厚みｌ1 、幅ｋ2 だけ電波吸収
体６を延長してあり、エッジ部７を覆っており、凹状溝
３に外部から異物が侵入するのを防ぐカバーの役目もし
ている。
は内部に電波が供給されるもので、ドア２を開閉自在に
設け、ドア２に凹状溝３を設けている。凹状溝３の外側
壁面４にスリット部５を設けており、壁面の長手方向に
導体幅ａよりもピッチｐが大きくなるようにした壁面と
なっている。さらに、図３に示すように、凹状溝３の外
側壁の開口部にドア面と平行に開口部の内側壁の高さよ
りｌ1 だけ低くしたエッジ部７を設けてある。電波吸収
体６は、厚みｌ2 、幅ｋ1 部分で凹状溝３の開口部を閉
塞し、エッジ部７上には厚みｌ1 、幅ｋ2 だけ電波吸収
体６を延長してあり、エッジ部７を覆っており、凹状溝
３に外部から異物が侵入するのを防ぐカバーの役目もし
ている。
【００２１】上記構成においてエッジ部７の効果を説明
すると、（表１）に示すように、凹状溝３の外側壁にエ
ッジ部７を設ける（Ｎｏ.2、Ｎｏ.3）と無い場合（Ｎ
ｏ.1）に比べて電波漏洩値が減少していることが分か
る。
すると、（表１）に示すように、凹状溝３の外側壁にエ
ッジ部７を設ける（Ｎｏ.2、Ｎｏ.3）と無い場合（Ｎ
ｏ.1）に比べて電波漏洩値が減少していることが分か
る。
【００２２】
【表１】
【００２３】また、（表２）に示すように、凹状溝３の
外側壁にエッジ部７を設け、Ｎｏ.4、Ｎｏ.5のようにエ
ッジ部７を開口面よりｌ1だけ下げると、下げない場合
のＮｏ.3に比べて電波漏洩値が増加しており、凹状溝３
の深さｌも深くなっているが、Ｎｏ.6、Ｎｏ.7のように
エッジ部７に電波吸収体６を延長することにより電波漏
洩値が低減され、また、深さｌも深くならないですむこ
とが分かる。
外側壁にエッジ部７を設け、Ｎｏ.4、Ｎｏ.5のようにエ
ッジ部７を開口面よりｌ1だけ下げると、下げない場合
のＮｏ.3に比べて電波漏洩値が増加しており、凹状溝３
の深さｌも深くなっているが、Ｎｏ.6、Ｎｏ.7のように
エッジ部７に電波吸収体６を延長することにより電波漏
洩値が低減され、また、深さｌも深くならないですむこ
とが分かる。
【００２４】
【表２】
【００２５】電波吸収体６の厚みをｌ2 とし、電波吸収
体６の下方の深さをｌ3 とし、凹状溝３の深さをｌとす
ると、 ｌ＝ｌ2 ＋ｌ3 となる。ｌ2 を変化させたときの漏波が最小になるｌ3
を測定すると（表３）のようになった。Ｎｏ.8に比べ
て、Ｎｏ3 、Ｎｏ.9の方がトータルの凹状溝の深さｌ3
が小さくなる。
体６の下方の深さをｌ3 とし、凹状溝３の深さをｌとす
ると、 ｌ＝ｌ2 ＋ｌ3 となる。ｌ2 を変化させたときの漏波が最小になるｌ3
を測定すると（表３）のようになった。Ｎｏ.8に比べ
て、Ｎｏ3 、Ｎｏ.9の方がトータルの凹状溝の深さｌ3
が小さくなる。
【００２６】
【表３】
【００２７】ここでは、フェライトを樹脂に分散した吸
収率約８０％の電波吸収体６を用いて測定した。厚みを
変えることによってトータルの溝の深さｌが小さくてす
む。これは電波吸収体６の電波圧縮効果によるものであ
り、厚みをさらに増すとｌはもっと小さくてすむ。電波
漏洩値からεr ×μrを計算すると本来同じ値になるべ
きものが４２〜１１２とばらついている。これはエッジ
部や凹状溝の幅などの他の形状効果によるものと考えら
れる。値はばらついているがｌ2 が大きくなる程ｌが小
さくてすむ。
収率約８０％の電波吸収体６を用いて測定した。厚みを
変えることによってトータルの溝の深さｌが小さくてす
む。これは電波吸収体６の電波圧縮効果によるものであ
り、厚みをさらに増すとｌはもっと小さくてすむ。電波
漏洩値からεr ×μrを計算すると本来同じ値になるべ
きものが４２〜１１２とばらついている。これはエッジ
部や凹状溝の幅などの他の形状効果によるものと考えら
れる。値はばらついているがｌ2 が大きくなる程ｌが小
さくてすむ。
【００２８】図４は、凹状溝３の外壁にスリット部５
（２mm、１０mm）を入れ、そのピッチを変化させたとき
の漏洩値を測定した図である。ピッチ３００mmのとき
が、スリット部５がないときに相当する。スリット部５
のピッチを３０mm程度にしたときが漏洩値が最小になっ
ている。
（２mm、１０mm）を入れ、そのピッチを変化させたとき
の漏洩値を測定した図である。ピッチ３００mmのとき
が、スリット部５がないときに相当する。スリット部５
のピッチを３０mm程度にしたときが漏洩値が最小になっ
ている。
【００２９】スリット部５の効果をみるために、スリッ
ト部５の有無によって電波漏洩値がどう変化するかを比
較したのが、図５である。縦軸は漏洩値、横軸はドア２
と本体１との隙間（ギャップ）である。図５より、スリ
ット部５がある場合の方がない場合に比べて１桁前後漏
洩値が低いことが判る。
ト部５の有無によって電波漏洩値がどう変化するかを比
較したのが、図５である。縦軸は漏洩値、横軸はドア２
と本体１との隙間（ギャップ）である。図５より、スリ
ット部５がある場合の方がない場合に比べて１桁前後漏
洩値が低いことが判る。
【００３０】また、電波吸収体６の効果をみるために、
電波吸収体６の有無によって電波漏洩値がどう変化する
かを比較したのが、図６である。縦軸は漏洩値、横軸は
ドア２と本体１との隙間（ギャップ）である。図６よ
り、電波吸収体６のある場合の方がない場合に比べて１
桁前後漏洩値が低いことが判る。
電波吸収体６の有無によって電波漏洩値がどう変化する
かを比較したのが、図６である。縦軸は漏洩値、横軸は
ドア２と本体１との隙間（ギャップ）である。図６よ
り、電波吸収体６のある場合の方がない場合に比べて１
桁前後漏洩値が低いことが判る。
【００３１】以上のように、スリット部５、電波吸収体
６がないと漏波が大きいことが判る。すなわち、スリッ
ト部５と電波吸収体６は相互に影響しあって漏波を低減
する効果を有することが判る。
６がないと漏波が大きいことが判る。すなわち、スリッ
ト部５と電波吸収体６は相互に影響しあって漏波を低減
する効果を有することが判る。
【００３２】つぎに、導電性のチタン酸カリウムウィス
カーを樹脂に分散した、吸収率約５０％、誘電率約４０
の電波吸収体６を用いて測定したところ、（表４）のよ
うになった。
カーを樹脂に分散した、吸収率約５０％、誘電率約４０
の電波吸収体６を用いて測定したところ、（表４）のよ
うになった。
【００３３】
【表４】
【００３４】この電波吸収体６を凹状溝３に設置して測
定した場合にも、フェライトを樹脂に分散したものと同
様の効果が得られた。
定した場合にも、フェライトを樹脂に分散したものと同
様の効果が得られた。
【００３５】本実施例の電波シール装置は図１から図３
に示すように、従来のように板金を複雑に曲げたり、ス
ポット溶接したりすることがなく、スリットを有する板
金を折り曲げ、電波吸収体を設ける構造であるので、従
来より簡単で小型となる。
に示すように、従来のように板金を複雑に曲げたり、ス
ポット溶接したりすることがなく、スリットを有する板
金を折り曲げ、電波吸収体を設ける構造であるので、従
来より簡単で小型となる。
【００３６】なお、実施例ではドアに凹状溝とエッジ部
を設け、その両者を覆うように電波吸収体を設けたもの
について説明したが、本体の間口部を同様の構成にして
も同様の効果が得られた。
を設け、その両者を覆うように電波吸収体を設けたもの
について説明したが、本体の間口部を同様の構成にして
も同様の効果が得られた。
【００３７】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
によれば、本体とドアとが対向する部分の少なくとも一
方に凹状溝を設け、その凹状溝の少なくとも１つの壁面
に複数のスリット部を設け、前記凹状溝の外側壁面の上
部に内側壁面の上部の上面と平行でかつその高さより低
いエッジ部を設け、前記凹状溝およびエッジ部を覆う電
波吸収体を設けた構成とすることにより、複雑な折り曲
げやスポット溶接が不要となり、かつ凹状溝の長手方向
に伝搬する電波のＸ成分が伝搬しないようにでき、Ｙ方
向の漏洩波を減衰でき、さらに、電波吸収体の電波圧縮
効果により凹状溝の深さを４分の１波長より短くできる
ので、従来より簡単で小型の電波シール装置が得られ
る。
によれば、本体とドアとが対向する部分の少なくとも一
方に凹状溝を設け、その凹状溝の少なくとも１つの壁面
に複数のスリット部を設け、前記凹状溝の外側壁面の上
部に内側壁面の上部の上面と平行でかつその高さより低
いエッジ部を設け、前記凹状溝およびエッジ部を覆う電
波吸収体を設けた構成とすることにより、複雑な折り曲
げやスポット溶接が不要となり、かつ凹状溝の長手方向
に伝搬する電波のＸ成分が伝搬しないようにでき、Ｙ方
向の漏洩波を減衰でき、さらに、電波吸収体の電波圧縮
効果により凹状溝の深さを４分の１波長より短くできる
ので、従来より簡単で小型の電波シール装置が得られ
る。
【図１】本発明の一実施例の電波シール装置の要部切欠
斜視図
斜視図
【図２】同電波シール装置を備えた電子レンジの要部断
面図
面図
【図３】同電波シール装置の要部拡大断面図
【図４】同電波シール装置におけるスリットピッチに対
する電波漏洩の特性図
する電波漏洩の特性図
【図５】同電波シール装置における本体とドアとのギャ
ップに対する電波漏洩の特性図
ップに対する電波漏洩の特性図
【図６】同電波シール装置における本体とドアとのギャ
ップに対する電波吸収体がある場合とない場合の電波漏
洩の特性図
ップに対する電波吸収体がある場合とない場合の電波漏
洩の特性図
【図７】従来の電波シール装置を備えた電子レンジの要
部断面図
部断面図
【図８】同電波シール装置の要部拡大断面図
【図９】（ａ）従来の他の電波シール装置の要部断面図 （ｂ）同電波シール装置の要部斜視図
【図１０】従来の他の電波シール装置の要部断面図
１ 本体 ２ ドア ３ 凹状溝 ４ 壁面 ５ スリット部 ６ 電波吸収体 ７ エッジ部
Claims (1)
- 【請求項１】電波が内部に供給されかつ開口部を有する
導体材の本体と、前記開口部を開閉自在に覆う導体材の
ドアからなる高周波機器の電波シール装置において、前
記本体と前記ドアとが対向する部分の少なくとも一方に
凹状溝を設け、その凹状溝の少なくとも１つの壁面に複
数のスリット部を設け、前記凹状溝の外側壁面の上部に
内側壁面の上部の上面と平行でかつその高さより低いエ
ッジ部を設け、前記凹状溝およびエッジ部を覆う電波吸
収体を設けたことを特徴とする電波シール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3282646A JPH05121167A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 電波シール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3282646A JPH05121167A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 電波シール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121167A true JPH05121167A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17655230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3282646A Pending JPH05121167A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 電波シール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121167A (ja) |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP3282646A patent/JPH05121167A/ja active Pending
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