JPH05121505A - 半導体装置およびその測定方法 - Google Patents
半導体装置およびその測定方法Info
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- JPH05121505A JPH05121505A JP28106491A JP28106491A JPH05121505A JP H05121505 A JPH05121505 A JP H05121505A JP 28106491 A JP28106491 A JP 28106491A JP 28106491 A JP28106491 A JP 28106491A JP H05121505 A JPH05121505 A JP H05121505A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 9
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板上で、拡散層の仕上り幅を測定可
能にするテストパターンを有する半導体装置およびその
測定方法を提供する。 【構成】 ｎ型半導体基板１１上に、ｐ型ウエル１３を
形成し、その中に、ｎ型拡散層１２を設け、ｎ型拡散層
１２の両側のｐ型ウエル１３に電極を設けることを特徴
とした構造で、ｎ型拡散層１２，ｐ型ウエル１３の抵抗
および濃度を測定した後、ｎ型拡散層１２の仕上り幅
を、半導体基板１１，ｎ型拡散層１２，ｐ型ウエル１３
に適当な電圧を印加することにより測定する。
能にするテストパターンを有する半導体装置およびその
測定方法を提供する。 【構成】 ｎ型半導体基板１１上に、ｐ型ウエル１３を
形成し、その中に、ｎ型拡散層１２を設け、ｎ型拡散層
１２の両側のｐ型ウエル１３に電極を設けることを特徴
とした構造で、ｎ型拡散層１２，ｐ型ウエル１３の抵抗
および濃度を測定した後、ｎ型拡散層１２の仕上り幅
を、半導体基板１１，ｎ型拡散層１２，ｐ型ウエル１３
に適当な電圧を印加することにより測定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体検査工程に用い
る半導体装置およびその測定方法に関する。
る半導体装置およびその測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体の微細化，高集積化によ
り、製造時における設計寸法と仕上り寸法のずれ、およ
び同じく注入量のずれなどが、半導体装置に与える影響
が大きくなってきており、拡散仕上り検査の重要性がク
ローズアップされてきている。
り、製造時における設計寸法と仕上り寸法のずれ、およ
び同じく注入量のずれなどが、半導体装置に与える影響
が大きくなってきており、拡散仕上り検査の重要性がク
ローズアップされてきている。
【０００３】以下に従来例を示す。図３（ａ）は従来の
拡散層をモニターするための半導体装置の断面図、図３
（ｂ）はその平面図である。図３において、１は半導体
基板、２は拡散層、３は電極を接続するための拡散層で
ある。
拡散層をモニターするための半導体装置の断面図、図３
（ｂ）はその平面図である。図３において、１は半導体
基板、２は拡散層、３は電極を接続するための拡散層で
ある。
【０００４】次にその使用方法を示す。電極を接続する
ための拡散層３に電圧をかけ、同時に電流を測定し、そ
れの比を補正することにより抵抗を調べていた。
ための拡散層３に電圧をかけ、同時に電流を測定し、そ
れの比を補正することにより抵抗を調べていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の構
成では、拡散層モニターのための注入量では、全体の注
入量しか把握できず、実際の寸法シフトによる注入異状
が把握できないという欠点を有していた。
成では、拡散層モニターのための注入量では、全体の注
入量しか把握できず、実際の寸法シフトによる注入異状
が把握できないという欠点を有していた。
【０００６】本発明は上記課題を解決するもので、拡散
層の仕上り幅を測定可能にするテストパターンを有する
半導体装置およびその測定方法を提供することを目的と
する。
層の仕上り幅を測定可能にするテストパターンを有する
半導体装置およびその測定方法を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、抵抗測定のためのｎ型拡散層を、ｎ型基板
上のｐ型ウエルの上に形成した構成による。
に本発明は、抵抗測定のためのｎ型拡散層を、ｎ型基板
上のｐ型ウエルの上に形成した構成による。
【０００８】
【作用】この構成により、ｎ型拡散層の抵抗値だけでな
く、ｎ型拡散層の幅も測定することができる。
く、ｎ型拡散層の幅も測定することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１０】図１（ａ），（ｂ）は本発明における半導
体装置の断面図と平面図を示している。図１において、
１１はｎ型半導体基板、１２はｎ型拡散層、１３はｐ型
ウエル、Ａ〜Ｄはｎ型拡散層１２における電極、Ｅ，Ｆ
はｐ型ウエル１３における電極、Ｇはｎ型半導体基板１
１の電極を示す。
体装置の断面図と平面図を示している。図１において、
１１はｎ型半導体基板、１２はｎ型拡散層、１３はｐ型
ウエル、Ａ〜Ｄはｎ型拡散層１２における電極、Ｅ，Ｆ
はｐ型ウエル１３における電極、Ｇはｎ型半導体基板１
１の電極を示す。
【００１１】次に図１と図２を参照し、測定方法を説明
する。図２のフローチャートでは、図１のｎ型拡散層
１２の抵抗を測定する。次に、フローチャートでは、
ｎ型拡散層１２の下部におけるｐ型ウエル１３の濃度を
調べるため、ｐ型ウエル１３の電極Ｅ，Ｆ間に１０Ｖ程
度の電圧を印加し、電極Ｅ，Ｆ間に流れる電流が電極
Ｅ，Ｆ間の電圧に依存しない状態にする。その後、フロ
ーチャートでは、ｎ型拡散層１２の電極Ａ〜Ｂと基板
１１の電極Ｇに約１０Ｖの電圧を印加し、ｐ型ウエル１
３の電極Ｅ，Ｆ間に１〜３Ｖの電圧を印加することによ
り、フローチャートおよびの結果を利用し、ｎ型拡
散層１２の幅Ｚを算出する。
する。図２のフローチャートでは、図１のｎ型拡散層
１２の抵抗を測定する。次に、フローチャートでは、
ｎ型拡散層１２の下部におけるｐ型ウエル１３の濃度を
調べるため、ｐ型ウエル１３の電極Ｅ，Ｆ間に１０Ｖ程
度の電圧を印加し、電極Ｅ，Ｆ間に流れる電流が電極
Ｅ，Ｆ間の電圧に依存しない状態にする。その後、フロ
ーチャートでは、ｎ型拡散層１２の電極Ａ〜Ｂと基板
１１の電極Ｇに約１０Ｖの電圧を印加し、ｐ型ウエル１
３の電極Ｅ，Ｆ間に１〜３Ｖの電圧を印加することによ
り、フローチャートおよびの結果を利用し、ｎ型拡
散層１２の幅Ｚを算出する。
【００１２】以上により、ｎ型拡散層１２の抵抗だけで
なく、ｎ型拡散層１２の幅も測定することが可能にな
る。
なく、ｎ型拡散層１２の幅も測定することが可能にな
る。
【００１３】なお、以上の例では、ｎ型基板１１から出
発したが、ｐ型基板におけるｎ型ウエル，ｐ型拡散層と
しても同様の効果が得られることは明らかである。
発したが、ｐ型基板におけるｎ型ウエル，ｐ型拡散層と
しても同様の効果が得られることは明らかである。
【００１４】また図２のフローチャートでは、電流−
電圧特性を調べているが、しきい値を測定しても同様の
結果となる。またフローチャート，，の順序を入
れ替えても、結果は同様になることも明らかである。
電圧特性を調べているが、しきい値を測定しても同様の
結果となる。またフローチャート，，の順序を入
れ替えても、結果は同様になることも明らかである。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、抵抗測定
のためのｎ型拡散層を、ｎ型半導体基板上のｐ型ウエル
の上に形成した構成によるので、一つの半導体装置内
で、拡散層の抵抗を測定できるだけでなく、拡散層の幅
も測定することができる半導体装置およびその測定方法
を提供できる。
のためのｎ型拡散層を、ｎ型半導体基板上のｐ型ウエル
の上に形成した構成によるので、一つの半導体装置内
で、拡散層の抵抗を測定できるだけでなく、拡散層の幅
も測定することができる半導体装置およびその測定方法
を提供できる。
【図１】 （ａ）は本発明の一実施例における半導体装置の断面図 （ｂ）は（ａ）の半導体装置の平面図
【図２】図１の半導体装置の測定方法を説明するための
フローチャート
フローチャート
【図３】（ａ）は従来の半導体装置の断面図 （ｂ）は（ａ）の半導体装置の平面図
１１ ｎ型半導体基板（一導電型の半導体基板） １２ ｎ型拡散層（一導電型の不純物領域） １３ ｐ型ウエル（反対導電型の不純物領域） Ａ〜Ｇ 電極
Claims (3)
- 【請求項１】 一導電型の半導体基板と、その半導体基
板上に形成されたその半導体基板と反対導電型の不純物
領域と、その反対導電型の不純物領域の所定部に形成さ
れた前記半導体基板と同一導電型の不純物領域と、前記
反対導電型の不純物領域上の、前記同一導電型の不純物
領域を挟んだ両側に相当する位置に形成された電極とを
少なくとも有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置における一導
電型の半導体基板とその半導体基板と同一導電型の不純
物領域との間に電圧を印加し、前記半導体基板と反対導
電型の不純物領域上に形成された２つの電極間に電圧を
印加し、その２つの電極間に流れる電流が前記２つの電
極間に印加する電圧に依存しないような条件に設定する
測定項目と、前記２つの電極間の電流がその２つの電極
間に印加する電圧に比例するように設定して印加する測
定項目とを少なくとも有することを特徴とする半導体装
置の測定方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置における一導
電型の半導体基板と同一導電型の不純物領域上に形成さ
れた２つの電極間に電圧を印加し、前記２つの電極間の
電流が流れ始める時の前記半導体基板と同一導電型の不
純物領域間に印加している電圧を測定する項目と、前記
半導体基板と同一導電型の不純物領域間に電圧を印加
し、前記２つの電極間の電流がその２つの電極間に印加
する電圧に比例するように設定して印加する測定項目と
を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の測定
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28106491A JPH05121505A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 半導体装置およびその測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28106491A JPH05121505A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 半導体装置およびその測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121505A true JPH05121505A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17633813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28106491A Pending JPH05121505A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 半導体装置およびその測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121505A (ja) |
-
1991
- 1991-10-28 JP JP28106491A patent/JPH05121505A/ja active Pending
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