JPH05121569A - 配線形成方法 - Google Patents
配線形成方法Info
- Publication number
- JPH05121569A JPH05121569A JP28127391A JP28127391A JPH05121569A JP H05121569 A JPH05121569 A JP H05121569A JP 28127391 A JP28127391 A JP 28127391A JP 28127391 A JP28127391 A JP 28127391A JP H05121569 A JPH05121569 A JP H05121569A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- film
- interlayer insulating
- contact hole
- silicon oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【構成】 第１の配線２を形成し、ＮＳＧ膜３，ＳＯＧ
膜４，ＮＳＧ膜５を順に堆積する。次に、コンタクトホ
ールを形成後、プラズマＣＶＤ法を用いてシリコン酸化
膜７を形成し、エッチバックにより、コンタクトホール
側面部のシリコン酸化膜を除き、除去する。次に、第２
の配線材料８を堆積し、パターニング後、第２の配線９
を形成する。 【効果】 配線が、ＳＯＧ膜と接触しないため、腐食が
生じることがなく、また、層間絶縁膜の平坦性が保たれ
ているため、エッチング残りによる配線のショート等が
生じにくくなる。
膜４，ＮＳＧ膜５を順に堆積する。次に、コンタクトホ
ールを形成後、プラズマＣＶＤ法を用いてシリコン酸化
膜７を形成し、エッチバックにより、コンタクトホール
側面部のシリコン酸化膜を除き、除去する。次に、第２
の配線材料８を堆積し、パターニング後、第２の配線９
を形成する。 【効果】 配線が、ＳＯＧ膜と接触しないため、腐食が
生じることがなく、また、層間絶縁膜の平坦性が保たれ
ているため、エッチング残りによる配線のショート等が
生じにくくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層構造を有する配線
形成法に関するものである。
形成法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、層間絶縁膜には平坦性に優れ
ているため、ＳＯＧ膜が広く用いられている。ＳＯＧ膜
は、有機溶剤に溶けたガラス溶液をスピンコート法を用
いて塗布し、加熱処理して形成されたシリコン酸化膜で
ある。
ているため、ＳＯＧ膜が広く用いられている。ＳＯＧ膜
は、有機溶剤に溶けたガラス溶液をスピンコート法を用
いて塗布し、加熱処理して形成されたシリコン酸化膜で
ある。
【０００３】図２は従来の層間絶縁膜にＳＯＧ膜を用い
た配線形成工程を示し、図３は他の従来の層間絶縁膜に
ＳＯＧ膜を用いた配線形成工程を示す。図２及び図３に
おいて、１はシリコン基板，２は第１の配線，３は第１
のＮＳＧ膜，４はＳＯＧ膜，５は第２のＮＳＧ膜，６は
レジストパターン，８は第２の配線材料，９は第２の配
線，１０はエッチング残りを示す。
た配線形成工程を示し、図３は他の従来の層間絶縁膜に
ＳＯＧ膜を用いた配線形成工程を示す。図２及び図３に
おいて、１はシリコン基板，２は第１の配線，３は第１
のＮＳＧ膜，４はＳＯＧ膜，５は第２のＮＳＧ膜，６は
レジストパターン，８は第２の配線材料，９は第２の配
線，１０はエッチング残りを示す。
【０００４】次に、図２に基づいて、従来の配線の形成
方法について説明する。
方法について説明する。
【０００５】まず、シリコン基板１上に第１の配線２を
形成した後、ＣＶＤ法を用いてＮＳＧ膜３を前記シリコ
ン基板１及び第１の配線２上に膜厚１０００〜２０００
Å形成し（図２（ａ））、該ＮＳＧ膜３上にスピンコー
ト法を用いてＳＯＧ膜４を膜厚約４０００Å形成し、加
熱処理する（図２（ｂ））。
形成した後、ＣＶＤ法を用いてＮＳＧ膜３を前記シリコ
ン基板１及び第１の配線２上に膜厚１０００〜２０００
Å形成し（図２（ａ））、該ＮＳＧ膜３上にスピンコー
ト法を用いてＳＯＧ膜４を膜厚約４０００Å形成し、加
熱処理する（図２（ｂ））。
【０００６】次に、第１の配線２上部のＳＯＧ膜４を完
全に除去するまでエッチバックを行い（図２（Ｃ））、
ＣＶＤ法を用いて第２のＮＳＧ膜５を膜厚１０００〜２
０００Å形成し（図２（ｄ））、該第２のＮＳＧ膜５上
にレジストを塗布後、フォトマスクパターンを露光して
レジストパターン６を形成し（図２（ｅ））、コンタク
トホールを形成する（図２（ｆ））。
全に除去するまでエッチバックを行い（図２（Ｃ））、
ＣＶＤ法を用いて第２のＮＳＧ膜５を膜厚１０００〜２
０００Å形成し（図２（ｄ））、該第２のＮＳＧ膜５上
にレジストを塗布後、フォトマスクパターンを露光して
レジストパターン６を形成し（図２（ｅ））、コンタク
トホールを形成する（図２（ｆ））。
【０００７】次に、第２の配線材料８としてＡｌをスパ
ッタ法で堆積した後（図２（ｇ））、該第２の配線材料
８上にレジストパターン７を形成し（図２（ｈ））、第
２の配線９を形成する（図２（ｉ））。
ッタ法で堆積した後（図２（ｇ））、該第２の配線材料
８上にレジストパターン７を形成し（図２（ｈ））、第
２の配線９を形成する（図２（ｉ））。
【０００８】次に、図３に基づいて、他の従来の配線形
成方法を説明する。
成方法を説明する。
【０００９】まず、上記と同様の工程を経て、ＳＯＧ膜
４を形成し、加熱処理する（図３（ａ）及び（ｂ））。
次に、第１の配線２上にＳＯＧ膜４が残るようにエッチ
バックを行い（図３（ｃ））、以下、上記と同様の工程
を経て、第２の配線９を形成する（図３（ｄ））乃至
（ｇ））。
４を形成し、加熱処理する（図３（ａ）及び（ｂ））。
次に、第１の配線２上にＳＯＧ膜４が残るようにエッチ
バックを行い（図３（ｃ））、以下、上記と同様の工程
を経て、第２の配線９を形成する（図３（ｄ））乃至
（ｇ））。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記に示した様に、エ
ッチバックにより第１の配線２上のＳＯＧ膜を完全に除
去する場合、エッチバック過多により、層間絶縁膜の平
坦性を損ね、図２（ｉ）に示すように、メタルのエッチ
ング残り１０が生じ、第２の配線パターンのショートを
引き起こす等の問題がある。また、図３に示すように、
ＳＯＧ膜４形成後、不十分なエッチバックを行った場合
（図３（ｄ））、第２の配線９が前記ＳＯＧ膜４と接触
するため（図３（ｇ））、該ＳＯＧ膜４に含まれる有機
物により、第２の配線９が腐食し、デバイスの信頼性に
悪影響を及ぼし、極端な場合、コンタクトホール抵抗自
体が大きくなるとうい問題がある。
ッチバックにより第１の配線２上のＳＯＧ膜を完全に除
去する場合、エッチバック過多により、層間絶縁膜の平
坦性を損ね、図２（ｉ）に示すように、メタルのエッチ
ング残り１０が生じ、第２の配線パターンのショートを
引き起こす等の問題がある。また、図３に示すように、
ＳＯＧ膜４形成後、不十分なエッチバックを行った場合
（図３（ｄ））、第２の配線９が前記ＳＯＧ膜４と接触
するため（図３（ｇ））、該ＳＯＧ膜４に含まれる有機
物により、第２の配線９が腐食し、デバイスの信頼性に
悪影響を及ぼし、極端な場合、コンタクトホール抵抗自
体が大きくなるとうい問題がある。
【００１１】本発明は、層間絶縁膜の平坦性を保持しつ
つ、ＳＯＧ膜と配線とが接触しないような配線形成方法
を提供することを目的とする。
つ、ＳＯＧ膜と配線とが接触しないような配線形成方法
を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の配線形成方法
は、有機物を含む層間絶縁膜を備えた多層構造を有する
配線形成方法において、第１の配線を形成し前記層間絶
縁膜形成後、前記第１の配線とのコンタクトホールを形
成する工程と、前記層間絶縁膜上面及び前記コンタクト
ホール内面にシリコン酸化膜を形成した後、エッチバッ
クにより前記層間絶縁膜上面及び前記コンタクトホール
底面のシリコン酸化膜を除去する工程と、配線材料を前
記層間絶縁膜及び前記コンタクトホールに堆積し、パタ
ーニング後、第２の配線を形成する工程とを有すること
を特徴とするものである。
は、有機物を含む層間絶縁膜を備えた多層構造を有する
配線形成方法において、第１の配線を形成し前記層間絶
縁膜形成後、前記第１の配線とのコンタクトホールを形
成する工程と、前記層間絶縁膜上面及び前記コンタクト
ホール内面にシリコン酸化膜を形成した後、エッチバッ
クにより前記層間絶縁膜上面及び前記コンタクトホール
底面のシリコン酸化膜を除去する工程と、配線材料を前
記層間絶縁膜及び前記コンタクトホールに堆積し、パタ
ーニング後、第２の配線を形成する工程とを有すること
を特徴とするものである。
【００１３】
【作用】本発明を用いることにより、コンタクト部がＳ
ＯＧ膜と配線との間にシリコン酸化膜を有する構造にな
る。
ＯＧ膜と配線との間にシリコン酸化膜を有する構造にな
る。
【００１４】
【実施例】以下、一実施例を用いて、本発明を詳細に説
明する。
明する。
【００１５】図１は、本発明の一実施例の配線形成工程
を示す。図１において、１はシリコン基板、２は第１の
配線、３は第１のＮＳＧ膜、４はＳＯＧ膜、５は第２の
ＮＳＧ膜、６はレジストパターン、７はシリコン酸化
膜、８は第２の配線材料、９は第２の配線を示す。本発
明は、層間絶縁膜であるＳＯＧ膜と配線との間にシリコ
ン酸化膜を設けたことを特徴とする。
を示す。図１において、１はシリコン基板、２は第１の
配線、３は第１のＮＳＧ膜、４はＳＯＧ膜、５は第２の
ＮＳＧ膜、６はレジストパターン、７はシリコン酸化
膜、８は第２の配線材料、９は第２の配線を示す。本発
明は、層間絶縁膜であるＳＯＧ膜と配線との間にシリコ
ン酸化膜を設けたことを特徴とする。
【００１６】次に、本発明の一実施例の配線形成工程に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１７】まず、シリコン基板１上に第１の配線２を
形成した後、ＣＶＤ法を用いて第１のＮＳＧ膜３を前記
シリコン基板１及び第１の配線２上に膜厚１０００〜２
０００Å形成し（図１（ａ））、該ＮＳＧ膜３上にスピ
ンコート法を用いてＳＯＧ膜４（例えば東京応化製Ｔｙ
ｐｅ７）を膜厚約４０００Å形成し、加熱処理する（図
１（ｂ））。
形成した後、ＣＶＤ法を用いて第１のＮＳＧ膜３を前記
シリコン基板１及び第１の配線２上に膜厚１０００〜２
０００Å形成し（図１（ａ））、該ＮＳＧ膜３上にスピ
ンコート法を用いてＳＯＧ膜４（例えば東京応化製Ｔｙ
ｐｅ７）を膜厚約４０００Å形成し、加熱処理する（図
１（ｂ））。
【００１８】次に、ＳＯＧ膜４上にＣＶＤ法を用いて第
２のＮＳＧ膜５を膜厚１０００〜２０００Å形成し（図
１（ｃ））、該第２のＮＳＧ膜５上にレジストを塗布し
た後、フォトマスクパターンを露光して、レジストパタ
ーン６を形成後（図１（ｄ））、コンタクトホールを形
成する（図１（ｅ））。
２のＮＳＧ膜５を膜厚１０００〜２０００Å形成し（図
１（ｃ））、該第２のＮＳＧ膜５上にレジストを塗布し
た後、フォトマスクパターンを露光して、レジストパタ
ーン６を形成後（図１（ｄ））、コンタクトホールを形
成する（図１（ｅ））。
【００１９】次に、シリコン酸化膜７を例えば、パター
ン段差に対する被覆性の良いプラズマＣＶＤ法を用いて
形成し（図１（ｆ））、ＲＩＥ法によりエッチバックを
行い、コンタクトホールの側面部のシリコン酸化膜７以
外のシリコン酸化膜を除去する（図１（ｇ））。
ン段差に対する被覆性の良いプラズマＣＶＤ法を用いて
形成し（図１（ｆ））、ＲＩＥ法によりエッチバックを
行い、コンタクトホールの側面部のシリコン酸化膜７以
外のシリコン酸化膜を除去する（図１（ｇ））。
【００２０】次に、第２の配線材料８としてＡｌをスパ
ッタ法で堆積した後（図１（ｈ））、該第２の配線材料
８上にレジストパターン７を形成し（図１（ｉ））、第
２の配線９を形成する（図１（ｊ））。
ッタ法で堆積した後（図１（ｈ））、該第２の配線材料
８上にレジストパターン７を形成し（図１（ｉ））、第
２の配線９を形成する（図１（ｊ））。
【００２１】
【発明の効果】以上、詳細に説明した様に、本発明の配
線形成方法を用いることにより、層間絶縁膜であるＳＯ
Ｇ膜が平坦性に優れているため、配線パターンのショー
ト等は発生しない。また、ＳＯＧ膜はプラズマＣＶＤ法
等により形成されたシリコン酸化膜により完全に覆われ
ているため、直接の配線との接触がなく、配線の腐食等
がなく、デバイスの信頼性が担保される。
線形成方法を用いることにより、層間絶縁膜であるＳＯ
Ｇ膜が平坦性に優れているため、配線パターンのショー
ト等は発生しない。また、ＳＯＧ膜はプラズマＣＶＤ法
等により形成されたシリコン酸化膜により完全に覆われ
ているため、直接の配線との接触がなく、配線の腐食等
がなく、デバイスの信頼性が担保される。
【図１】本発明の一実施例の配線形成工程図である。
【図２】従来の配線形成工程図である。
【図３】他の従来の配線形成工程図である。
１ シリコン基板 ２ 第１の配線 ３ 第１のＮＳＧ膜 ４ ＳＯＧ膜 ５ 第２のＮＳＧ膜 ６ レジストパターン ７ シリコン酸化膜 ８ 第２の配線材料 ９ 第２の配線 １０ エッチング残り
Claims (1)
- 【請求項１】 有機物を含む層間絶縁膜を備えた多層構
造を有する配線形成方法において、 第１の配線を形成し、前記層間絶縁膜形成後、前記第１
の配線とのコンタクトホールを形成する工程と、 前記層間絶縁膜上面及び前記コンタクトホール内面にシ
リコン酸化膜を形成した後、エッチバックにより前記層
間絶縁膜上面及び前記コンタクトホール底面のシリコン
酸化膜を除去する工程と、 配線材料を前記層間絶縁膜及び前記コンタクトホールに
堆積し、パターニング後、第２の配線を形成する工程と
を有することを特徴とする配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28127391A JPH05121569A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28127391A JPH05121569A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121569A true JPH05121569A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17636777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28127391A Pending JPH05121569A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121569A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7015143B2 (en) | 2002-06-04 | 2006-03-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Structure including multiple wire-layers and methods for forming the same |
-
1991
- 1991-10-28 JP JP28127391A patent/JPH05121569A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7015143B2 (en) | 2002-06-04 | 2006-03-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Structure including multiple wire-layers and methods for forming the same |
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