JPH0512648A - 磁気デイスク - Google Patents
磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPH0512648A JPH0512648A JP3201192A JP20119291A JPH0512648A JP H0512648 A JPH0512648 A JP H0512648A JP 3201192 A JP3201192 A JP 3201192A JP 20119291 A JP20119291 A JP 20119291A JP H0512648 A JPH0512648 A JP H0512648A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- magnetic disk
- recording track
- recess
- track width
- Prior art date
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- Withdrawn
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
- G11B5/825—Disk carriers flexible discs
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ドロツプアウトの発生がなく、耐久性に優れ
た信頼性の高い磁気デイスクを提供する。 【構成】 磁性層の記録トラツク１６上に不連続で、か
つ磁気ヘツド装置との接触点からの平均深さが０．０１
〜０．５μｍの範囲に規制された凹部３１を形成する。
またこの凹部３１の記録トラツク幅方向のトータル長さ
（Ｔｃ＝ｃ１＋ｃ２）は、記録トラツク幅方向の長さｂ
の５０％以下に規制されていることを特徴とする。
た信頼性の高い磁気デイスクを提供する。 【構成】 磁性層の記録トラツク１６上に不連続で、か
つ磁気ヘツド装置との接触点からの平均深さが０．０１
〜０．５μｍの範囲に規制された凹部３１を形成する。
またこの凹部３１の記録トラツク幅方向のトータル長さ
（Ｔｃ＝ｃ１＋ｃ２）は、記録トラツク幅方向の長さｂ
の５０％以下に規制されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フレキシブル磁気デイ
スクあるいはハード磁気デイスクなどの磁気デイスクに
係り、特に磁性層の耐久性を改善した磁気デイスクに関
するものでる。
スクあるいはハード磁気デイスクなどの磁気デイスクに
係り、特に磁性層の耐久性を改善した磁気デイスクに関
するものでる。
【０００２】
【従来の技術】フレキシブル磁気デイスクは、合成樹脂
フイルムからなる非磁性基体上に磁性層を形成したもの
から主に構成されている。このような磁気記録媒体にお
いて磁性層の耐久性を向上するため、磁性層中のバイン
ダー、フイラーならびに潤滑剤などの最適化を図つてい
た。
フイルムからなる非磁性基体上に磁性層を形成したもの
から主に構成されている。このような磁気記録媒体にお
いて磁性層の耐久性を向上するため、磁性層中のバイン
ダー、フイラーならびに潤滑剤などの最適化を図つてい
た。
【０００３】しかし、磁気ヘツド装置との接触による僅
かな磁性層表面の変化が磁気デイスクと磁気ヘツド装置
の吸着を起こさせ、これが起動トルクの増大の原因にな
る。この吸着の現象は、特に磁性層の表面粗さＲａ
（０．０８ｍｍカツトオフ）が０．０１μｍ以下の磁気
デイスクにおいて起こり易い傾向にある。すなわち、磁
性層の表面粗さを可及的に小さくするのは、磁気ヘツド
装置とのスペーシングロスを少なくするためであるが、
磁性層中に添加されている（磁気デイスクの走行中には
磁性層の表面に滲み出る）潤滑剤の影響で、磁気デイス
クが磁気ヘツド装置にはりついた状態となり、そのため
に磁気デイスクの起動トルクが増大する。
かな磁性層表面の変化が磁気デイスクと磁気ヘツド装置
の吸着を起こさせ、これが起動トルクの増大の原因にな
る。この吸着の現象は、特に磁性層の表面粗さＲａ
（０．０８ｍｍカツトオフ）が０．０１μｍ以下の磁気
デイスクにおいて起こり易い傾向にある。すなわち、磁
性層の表面粗さを可及的に小さくするのは、磁気ヘツド
装置とのスペーシングロスを少なくするためであるが、
磁性層中に添加されている（磁気デイスクの走行中には
磁性層の表面に滲み出る）潤滑剤の影響で、磁気デイス
クが磁気ヘツド装置にはりついた状態となり、そのため
に磁気デイスクの起動トルクが増大する。
【０００４】図２０は磁性層の表面粗さＲａと起動トル
クとの関係を示す図、図２１は起動トルク測定装置の斜
視図である。図２０において、図中の５１はデイスクド
ライブ装置、５２はモータ、５３は円盤、５４は起動ト
ルクを測定する磁気デイスクカートリツジ、５５は糸で
ある。なお、磁気デイスクの起動トルクＴは、下式によ
つて求めた。 Ｔ＝Ｆ・ｒ Ｆ：糸５５の張力 ｒ：円盤５３の半径
クとの関係を示す図、図２１は起動トルク測定装置の斜
視図である。図２０において、図中の５１はデイスクド
ライブ装置、５２はモータ、５３は円盤、５４は起動ト
ルクを測定する磁気デイスクカートリツジ、５５は糸で
ある。なお、磁気デイスクの起動トルクＴは、下式によ
つて求めた。 Ｔ＝Ｆ・ｒ Ｆ：糸５５の張力 ｒ：円盤５３の半径
【０００５】図２０に示すように、磁気デイスクの表面
粗さとそれの起動トルクとは相関関係があり、表面粗さ
が小さくなると起動トルクが急激に増加し、またトルク
のバラツキ範囲（図中において線分で示している範囲）
も大きくなつている。このように起動トルクが大きくな
るということは、駆動モータの消費電力が大となるばか
りでなく、磁気デイスクの走行状態が不安定になり、記
録、再生特性に悪影響をおよぼし、動作信頼性の点で問
題となる。
粗さとそれの起動トルクとは相関関係があり、表面粗さ
が小さくなると起動トルクが急激に増加し、またトルク
のバラツキ範囲（図中において線分で示している範囲）
も大きくなつている。このように起動トルクが大きくな
るということは、駆動モータの消費電力が大となるばか
りでなく、磁気デイスクの走行状態が不安定になり、記
録、再生特性に悪影響をおよぼし、動作信頼性の点で問
題となる。
【０００６】一方、磁気デイスクに含有させる潤滑剤の
量を少なくすれば、磁気ヘツドに対する吸着（粘着）を
抑制して磁気デイスクの起動トルクを小さくすることが
できるが、そうすれば潤滑剤の減少分だけ磁気デイスク
の耐久性が悪くなるため、得策ではない。
量を少なくすれば、磁気ヘツドに対する吸着（粘着）を
抑制して磁気デイスクの起動トルクを小さくすることが
できるが、そうすれば潤滑剤の減少分だけ磁気デイスク
の耐久性が悪くなるため、得策ではない。
【０００７】また従来の磁気デイスクは、前述のように
その表面が平滑でかつ磁気ヘツド装置のヘツド面に相当
する全面がそのヘツド面に密着していた。そのため、磁
気ヘツド装置との摺接によつて磨耗粉が発生した場合
に、その磨耗粉が磁気デイスクとヘツド面との密着界面
に存在し、その磨耗粉によつてさらに磁気デイスクの磨
耗が助長される。それによつて磁気デイスクの耐久性が
低下するばかりでなく、磨耗粉の量が多くなるとエラー
発生の要因にもなるなどの欠点を有している。
その表面が平滑でかつ磁気ヘツド装置のヘツド面に相当
する全面がそのヘツド面に密着していた。そのため、磁
気ヘツド装置との摺接によつて磨耗粉が発生した場合
に、その磨耗粉が磁気デイスクとヘツド面との密着界面
に存在し、その磨耗粉によつてさらに磁気デイスクの磨
耗が助長される。それによつて磁気デイスクの耐久性が
低下するばかりでなく、磨耗粉の量が多くなるとエラー
発生の要因にもなるなどの欠点を有している。
【０００８】本発明の目的は、このような従来技術の欠
点を解消し、耐久性に優れ、しかもエラーの発生率の非
常に低い、信頼性の高い磁気デイスクを提供することに
ある。
点を解消し、耐久性に優れ、しかもエラーの発生率の非
常に低い、信頼性の高い磁気デイスクを提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、例えばフレキシブルなベースフイルムな
どからなる非磁性体からなる基体と、その基体の表面に
形成された磁性層を有する磁気デイスクにおいて、前記
磁性層の記録トラツク上に不連続でかつ磁気ヘツド装置
との接触部からの平均深さが０．０１〜０．５μｍの範
囲に規制された凹部を多数設けるとともに、その凹部の
記録トラツク幅方向のトータル長さが記録トラツク幅方
向の長さの５０％以下に規制されていることを特徴とす
るものである。
め、本発明は、例えばフレキシブルなベースフイルムな
どからなる非磁性体からなる基体と、その基体の表面に
形成された磁性層を有する磁気デイスクにおいて、前記
磁性層の記録トラツク上に不連続でかつ磁気ヘツド装置
との接触部からの平均深さが０．０１〜０．５μｍの範
囲に規制された凹部を多数設けるとともに、その凹部の
記録トラツク幅方向のトータル長さが記録トラツク幅方
向の長さの５０％以下に規制されていることを特徴とす
るものである。
【００１０】前記目的を達成するためさらに本発明は、
非磁性体からなる基体と、その基体の表面に形成された
磁性層を有する磁気デイスクにおいて、前記磁性層の記
録トラツク上に不連続でかつ磁気ヘツド装置との接触部
からの平均深さが当該磁気デイスクに記録する信号の最
短波長の１／８０〜１／８の範囲であり、かつ、その凹
部の記録トラツク幅方向のトータル長さが記録トラツク
幅方向の長さの５０％以下に規制されていることを特徴
とするものである。とを特徴とするものである。
非磁性体からなる基体と、その基体の表面に形成された
磁性層を有する磁気デイスクにおいて、前記磁性層の記
録トラツク上に不連続でかつ磁気ヘツド装置との接触部
からの平均深さが当該磁気デイスクに記録する信号の最
短波長の１／８０〜１／８の範囲であり、かつ、その凹
部の記録トラツク幅方向のトータル長さが記録トラツク
幅方向の長さの５０％以下に規制されていることを特徴
とするものである。とを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】本発明は前述したように、磁性層の記録トラツ
ク上に不連続でかつ磁気ヘツド装置との接触部からの平
均深さが０．０１〜０．５μｍの範囲に規制された凹部
を多数設けるとともに、その凹部の記録トラツク幅方向
のトータル長さを記録トラツク幅方向の長さの５０％以
下に規制することにより、ドロツプアウトの発生を抑制
しながら、磁気ヘツド装置との接触抵抗（摩擦抵抗）を
小さくするとともに、その凹部を磨耗粉などの塵埃類の
捕集用として利用する。
ク上に不連続でかつ磁気ヘツド装置との接触部からの平
均深さが０．０１〜０．５μｍの範囲に規制された凹部
を多数設けるとともに、その凹部の記録トラツク幅方向
のトータル長さを記録トラツク幅方向の長さの５０％以
下に規制することにより、ドロツプアウトの発生を抑制
しながら、磁気ヘツド装置との接触抵抗（摩擦抵抗）を
小さくするとともに、その凹部を磨耗粉などの塵埃類の
捕集用として利用する。
【００１２】信号記録時の磁気ヘツドからの磁界は、磁
気ヘツドからλ／４（λ：記録波長）の距離まで磁性層
へ侵入する。したがつて、λ／４より深い凹部を形成す
ると、磁気ヘツドからの磁界が磁性層まで到達せず、そ
のために出力が著しく低下する。本発明においては凹部
の平均深さを記録波長の１／８０〜１／８に規制し、さ
らに記録トラツク幅方向の長さを記録トラツク幅の長さ
の５０％以下に規制することにより、再生出力の低下を
実用上問題のない程度に抑制し、さらにドロツプアウト
の発生を抑えながら、磁気ヘツドとの接触抵抗を小さく
するとともに、凹部を磨耗粉などの塵埃類の捕集用とし
て利用する。それにより磁性層とヘツド面との間での塵
埃類の悪影響が大幅に軽減でき、耐久性に優れた信頼性
の高い磁気デイスクを提供することができる。
気ヘツドからλ／４（λ：記録波長）の距離まで磁性層
へ侵入する。したがつて、λ／４より深い凹部を形成す
ると、磁気ヘツドからの磁界が磁性層まで到達せず、そ
のために出力が著しく低下する。本発明においては凹部
の平均深さを記録波長の１／８０〜１／８に規制し、さ
らに記録トラツク幅方向の長さを記録トラツク幅の長さ
の５０％以下に規制することにより、再生出力の低下を
実用上問題のない程度に抑制し、さらにドロツプアウト
の発生を抑えながら、磁気ヘツドとの接触抵抗を小さく
するとともに、凹部を磨耗粉などの塵埃類の捕集用とし
て利用する。それにより磁性層とヘツド面との間での塵
埃類の悪影響が大幅に軽減でき、耐久性に優れた信頼性
の高い磁気デイスクを提供することができる。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例を図面とともに説明す
る。図１は実施例に係る磁気デイスクカートリツジの一
部を分解した斜視図、図２は磁気シートの拡大断面図、
図３は磁気デイスクの平面図、図４はクリーニングシー
トの拡大断面図、図５はこの磁気デイスクカートリツジ
の使用状態を示す磁気ヘツド挿入口付近の拡大断面図、
図６はこの磁気デイスクカートリツジの弾性片付近の拡
大断面図である。
る。図１は実施例に係る磁気デイスクカートリツジの一
部を分解した斜視図、図２は磁気シートの拡大断面図、
図３は磁気デイスクの平面図、図４はクリーニングシー
トの拡大断面図、図５はこの磁気デイスクカートリツジ
の使用状態を示す磁気ヘツド挿入口付近の拡大断面図、
図６はこの磁気デイスクカートリツジの弾性片付近の拡
大断面図である。
【００１４】図１に示すように磁気デイスクカートリツ
ジは、カートリツジケース１と、その中に回転自在に収
納されたフレキシブルな磁気デイスク２と、カートリツ
ジケース１に摺動可能に支持されたシヤツタ３とから主
に構成されている。
ジは、カートリツジケース１と、その中に回転自在に収
納されたフレキシブルな磁気デイスク２と、カートリツ
ジケース１に摺動可能に支持されたシヤツタ３とから主
に構成されている。
【００１５】カートリツジケース１は、上ケース１ａと
下ケース１ｂとから構成され、これらは例えばＡＢＳ樹
脂などの硬質合成樹脂で射出成形されている。下ケース
１ｂのほぼ中央には、回転駆動軸挿入用の開口４が形成
され、その近に長方形のヘツド挿入口５が形成され、上
ケース１ａにも同様にヘツド挿入口５が設けられている
（図５参照）。上ケース１ａならびに下ケース１ｂの前
面付近には、図１に示すように、前記シヤツタ３の摺動
範囲を規制するために少し低くなつた凹部６がそれぞれ
形成され、この凹部６の中間位置に前記ヘツド挿入口５
が設けられている。
下ケース１ｂとから構成され、これらは例えばＡＢＳ樹
脂などの硬質合成樹脂で射出成形されている。下ケース
１ｂのほぼ中央には、回転駆動軸挿入用の開口４が形成
され、その近に長方形のヘツド挿入口５が形成され、上
ケース１ａにも同様にヘツド挿入口５が設けられている
（図５参照）。上ケース１ａならびに下ケース１ｂの前
面付近には、図１に示すように、前記シヤツタ３の摺動
範囲を規制するために少し低くなつた凹部６がそれぞれ
形成され、この凹部６の中間位置に前記ヘツド挿入口５
が設けられている。
【００１６】図５ならびに図６に示しているように、上
ケース１ａならびに下ケース１ｂの内面には、クリーニ
ングシート７が例えば超音波溶着などの手段によつて貼
着されている。このクリーニングシート７は図４に示す
ように、磁気デイスク２と接触するデイスク側不織布層
７ａと、カートリツジケース１と接触するケース側不織
布層７ｂと、そのデイスク側不織布層７ａとケース側不
織布層７ｂとを連結するための中間不織布層７ｃとから
構成されている。
ケース１ａならびに下ケース１ｂの内面には、クリーニ
ングシート７が例えば超音波溶着などの手段によつて貼
着されている。このクリーニングシート７は図４に示す
ように、磁気デイスク２と接触するデイスク側不織布層
７ａと、カートリツジケース１と接触するケース側不織
布層７ｂと、そのデイスク側不織布層７ａとケース側不
織布層７ｂとを連結するための中間不織布層７ｃとから
構成されている。
【００１７】前記デイスク側不織布層７ａならびにケー
ス側不織布層７ｂは、ともにレイヨン繊維単独で構成さ
れており、表裏の区別がないようにできている。前記中
間不織布層７ｃは、レイヨン繊維と熱可塑性繊維の混合
層から構成されている。その熱可塑性繊維としては、例
えばポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニ
ル、アクリル繊維などが使用される。その他、アクリル
繊維またはポリエステル繊維の単独、またはこれら、あ
るいはレイヨン繊維などとの混紡からなる不織布を前記
不織布層７ａ，７ｂとして使用することができる。
ス側不織布層７ｂは、ともにレイヨン繊維単独で構成さ
れており、表裏の区別がないようにできている。前記中
間不織布層７ｃは、レイヨン繊維と熱可塑性繊維の混合
層から構成されている。その熱可塑性繊維としては、例
えばポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニ
ル、アクリル繊維などが使用される。その他、アクリル
繊維またはポリエステル繊維の単独、またはこれら、あ
るいはレイヨン繊維などとの混紡からなる不織布を前記
不織布層７ａ，７ｂとして使用することができる。
【００１８】磁気デイスクカートリツジの使用状態では
図５に示すように、磁気的な読み書きを行うヘツドコア
と、そのヘツドコアが安定に磁気デイスクと接触するた
めのスライダを含む第１の磁気ヘツド装置８ａと、この
磁気ヘツド装置８ａと同様にヘツドコアとスライダを有
する第２の磁気ヘツド装置８ｂがヘツド挿入口５、５か
らそれぞれ挿入され、両方の磁気ヘツド装置８ａ，８ｂ
によつて磁気デイスク２が狭持された状態で回転して両
磁気ヘツド装置８ａ，８ｂによつて信号の書込み、読出
しが行われる。なお、本発明で使用される磁気ヘツド装
置としては、必ずしも前述のスライダは必要とせず、ヘ
ツドコアを所定形状に保持したものだけであつてもよ
い。
図５に示すように、磁気的な読み書きを行うヘツドコア
と、そのヘツドコアが安定に磁気デイスクと接触するた
めのスライダを含む第１の磁気ヘツド装置８ａと、この
磁気ヘツド装置８ａと同様にヘツドコアとスライダを有
する第２の磁気ヘツド装置８ｂがヘツド挿入口５、５か
らそれぞれ挿入され、両方の磁気ヘツド装置８ａ，８ｂ
によつて磁気デイスク２が狭持された状態で回転して両
磁気ヘツド装置８ａ，８ｂによつて信号の書込み、読出
しが行われる。なお、本発明で使用される磁気ヘツド装
置としては、必ずしも前述のスライダは必要とせず、ヘ
ツドコアを所定形状に保持したものだけであつてもよ
い。
【００１９】また図６に示すように、下ケース１ｂの内
面にはポリエステルなどのプラスチツクスシートを折り
曲げて形成した弾性片９が傾斜状態で取付けられてい
る。一方、上ケース１ａの内面で前記弾性片９と対向す
る位置には、突部１０が形成されている。そのため前記
弾性片９により下側のクリーニングシート７の一部が持
ち上げられるとともに、上ケース１ａ側の突部１０によ
りその持ち上がりが少し押し下げられて、磁気デイスク
２が上、下のクリーニングシート７、７により弾性的に
狭持されている。そして磁気デイスク２の回転にともな
い、クリーニングシート７、７によりデイスク表面が清
掃される。
面にはポリエステルなどのプラスチツクスシートを折り
曲げて形成した弾性片９が傾斜状態で取付けられてい
る。一方、上ケース１ａの内面で前記弾性片９と対向す
る位置には、突部１０が形成されている。そのため前記
弾性片９により下側のクリーニングシート７の一部が持
ち上げられるとともに、上ケース１ａ側の突部１０によ
りその持ち上がりが少し押し下げられて、磁気デイスク
２が上、下のクリーニングシート７、７により弾性的に
狭持されている。そして磁気デイスク２の回転にともな
い、クリーニングシート７、７によりデイスク表面が清
掃される。
【００２０】次に磁気デイスク２の構成について説明す
る。磁気デイスク２は図３に示すように、円盤状のフレ
キシブルな磁気シート１１と、その磁気シート１１の中
央孔に挿入されて接着されたセンタハブとから構成され
ている。
る。磁気デイスク２は図３に示すように、円盤状のフレ
キシブルな磁気シート１１と、その磁気シート１１の中
央孔に挿入されて接着されたセンタハブとから構成され
ている。
【００２１】更に前記磁気シート１１は、図２に示すよ
うに透明なポリエステルフイルムなどで構成されたベー
スフイルム１３と、そのベースフイルム１３の両面に塗
着形成された磁性層１４ａ、１４ｂから構成されてい
る。
うに透明なポリエステルフイルムなどで構成されたベー
スフイルム１３と、そのベースフイルム１３の両面に塗
着形成された磁性層１４ａ、１４ｂから構成されてい
る。
【００２２】前記ベースフイルム１３としては、例えば
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン
ナフタレート（ＰＥＮ）あるいはポリイミドなどの合成
樹脂フイルムが使用される。
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン
ナフタレート（ＰＥＮ）あるいはポリイミドなどの合成
樹脂フイルムが使用される。
【００２３】前記磁性層１４は、強磁性粉、バインダ、
潤滑剤、補強粉などの混合物から構成されている。
潤滑剤、補強粉などの混合物から構成されている。
【００２４】前記強磁性粉としては、例えばα−Ｆｅ、
バリウムフエライト、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｐ、γ−Ｆｅ
2 Ｏ3 、Ｆｅ3 Ｏ4 、Ｃｏ含有γ−Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｏ含
有γ−Ｆｅ3 Ｏ4 、ＣｒＯ2 、Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉなどが
使用される。
バリウムフエライト、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｐ、γ−Ｆｅ
2 Ｏ3 、Ｆｅ3 Ｏ4 、Ｃｏ含有γ−Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｏ含
有γ−Ｆｅ3 Ｏ4 、ＣｒＯ2 、Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉなどが
使用される。
【００２５】前記バインダとしては、例えば塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニ
ルアルコール共重合体、ウレタン樹脂、ポリイソシアネ
ート化合物、放射線硬化樹脂などが使用される。
−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニ
ルアルコール共重合体、ウレタン樹脂、ポリイソシアネ
ート化合物、放射線硬化樹脂などが使用される。
【００２６】前記潤滑剤としては、例えばステアリン
酸、オレイン酸などの高級脂肪酸、これらの高級脂肪酸
エステル、流動パラフイン、スクアラン、フツ素樹脂、
フツ素オイルなどが使用可能である。なお、潤滑剤の添
加率は、前記磁性粉に対して０．１〜２５重量％、好ま
しくは１〜１０重量％が適当である。
酸、オレイン酸などの高級脂肪酸、これらの高級脂肪酸
エステル、流動パラフイン、スクアラン、フツ素樹脂、
フツ素オイルなどが使用可能である。なお、潤滑剤の添
加率は、前記磁性粉に対して０．１〜２５重量％、好ま
しくは１〜１０重量％が適当である。
【００２７】前記補強粉としては、例えば酸化アルミニ
ウム、酸化クロム、炭化ケイ素、窒化ケイ素などが用い
られる。なお、補強粉の添加率は、前記磁性粉に対して
０．１〜２５重量％が適当である。
ウム、酸化クロム、炭化ケイ素、窒化ケイ素などが用い
られる。なお、補強粉の添加率は、前記磁性粉に対して
０．１〜２５重量％が適当である。
【００２８】磁性塗料の具体的な組成例を示せば次の通
りである。 磁性塗料組成例 １ α−Ｆｅ １００重量部 （Ｈｃ：１６５０Ｏｅ， 飽和磁化量：１３５ｅｍｕ／ｇ 平均長軸径：０．２５μｍ， 平均軸比：８） 塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体 １４．１重量部 ウレタン樹脂 ８．５重量部 三官能性イソシアネート化合物 ５．６重量部 アルミナ粉末（平均粒径０．４３μｍ） ２０重量部 カーボンブラツク ２重量部 オレイン酸オレイル ７重量部 シクロヘキサノン １５０重量部 トルエン １５０重量部
りである。 磁性塗料組成例 １ α−Ｆｅ １００重量部 （Ｈｃ：１６５０Ｏｅ， 飽和磁化量：１３５ｅｍｕ／ｇ 平均長軸径：０．２５μｍ， 平均軸比：８） 塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体 １４．１重量部 ウレタン樹脂 ８．５重量部 三官能性イソシアネート化合物 ５．６重量部 アルミナ粉末（平均粒径０．４３μｍ） ２０重量部 カーボンブラツク ２重量部 オレイン酸オレイル ７重量部 シクロヘキサノン １５０重量部 トルエン １５０重量部
【００２９】
磁性塗料組成例 ２
バリウムフエライト １００重量部
（Ｈｃ：５３０Ｏｅ， 飽和磁化量：５７ｅｍｕ／ｇ，
平均粒径：０．０４μｍ）
塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体 １１．０重量部
ウレタン樹脂 ６．６重量部
三官能性イソシアネート化合物 ４．４重量部
アルミナ粉末（平均粒径０．４３μｍ） １５重量部
カーボンブラツク ２重量部
オレイン酸オレイル ７重量部
シクロヘキサノン １５０重量部
トルエン １５０重量部
【００３０】前述の磁性塗料組成例１または磁性塗料組
成例２の組成物をボールミル中でよく混合分散して磁性
塗料を調整し、これを７５μｍのポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）のベースフイルムの両面に、乾燥厚み
が０．７μｍとなるように塗布し、乾燥したのち、カレ
ンダ処理を施して磁性層１４ａ、１４ｂをそれぞれ形成
した。
成例２の組成物をボールミル中でよく混合分散して磁性
塗料を調整し、これを７５μｍのポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）のベースフイルムの両面に、乾燥厚み
が０．７μｍとなるように塗布し、乾燥したのち、カレ
ンダ処理を施して磁性層１４ａ、１４ｂをそれぞれ形成
した。
【００３１】このようにして構成された磁気デイスク２
の第２の磁性層１４ｂの表面に連続あるいは不連続のト
ラツキングサーボ用溝状凹部１５が、その幅ａ＝５μｍ
で、トラツク幅＝ｂ（例えば１５μｍ）に相当する間隔
で同心円状に例えばエンボス加工などによつて多数形成
される（図７参照）。このトラツキングサーボ用凹部１
５の全体的なパターンの一例を示せば図３のように磁気
デイスク２の回転中心と同心円状に形成されており、図
３ならびに図７に示すように凹部１５と凹部１５との間
が記録トラツク部１６となる。
の第２の磁性層１４ｂの表面に連続あるいは不連続のト
ラツキングサーボ用溝状凹部１５が、その幅ａ＝５μｍ
で、トラツク幅＝ｂ（例えば１５μｍ）に相当する間隔
で同心円状に例えばエンボス加工などによつて多数形成
される（図７参照）。このトラツキングサーボ用凹部１
５の全体的なパターンの一例を示せば図３のように磁気
デイスク２の回転中心と同心円状に形成されており、図
３ならびに図７に示すように凹部１５と凹部１５との間
が記録トラツク部１６となる。
【００３２】この凹部１５は後述のようにスタンパによ
る圧縮で形成されるもので、図８に示すように断面形状
が逆台形の凹部１５の形成にともないその周囲が一部盛
り上がり、そのため記録トラツク部１６の両側には断面
形状がほぼ山形の突部１７が連続あるいは不連続の状態
で形成される。またこの突部１７、１７の間には、その
突部１７よりも相対的に低くなつた（しかし、前記凹部
１５よりも浅い）低部１８が形成され、この低部１８が
丁度、磁気ヘツド装置の磁気ギヤツプ（図示せず）と対
向することになる。
る圧縮で形成されるもので、図８に示すように断面形状
が逆台形の凹部１５の形成にともないその周囲が一部盛
り上がり、そのため記録トラツク部１６の両側には断面
形状がほぼ山形の突部１７が連続あるいは不連続の状態
で形成される。またこの突部１７、１７の間には、その
突部１７よりも相対的に低くなつた（しかし、前記凹部
１５よりも浅い）低部１８が形成され、この低部１８が
丁度、磁気ヘツド装置の磁気ギヤツプ（図示せず）と対
向することになる。
【００３３】図８は第２の磁性層１４ｂの表面を表面粗
さ計で測定した状態を示すチヤートで、同図に示すよう
に、突部１７の形状ならびに高さは必ずしも一定してい
ないが、全体的に断面形状が山形をしており、低部１８
はほぼ同じレベルに形成されていることがわかる。
さ計で測定した状態を示すチヤートで、同図に示すよう
に、突部１７の形状ならびに高さは必ずしも一定してい
ないが、全体的に断面形状が山形をしており、低部１８
はほぼ同じレベルに形成されていることがわかる。
【００３４】同図に示すように、各低部１８の底面を通
る基準ラインＬを引いたとき、その基準ラインＬからの
凹部１５の平均深さは０．０１〜０．５μｍ（実施例で
は約０．１５μｍ）、突部１７の平均高さは０．０１〜
０．１μｍ（実施例では約０．０５μｍ）、また低部１
８の底面から突部１７の頂部までの平均段差は０．０１
〜０．１μｍ（実施例では約０．０５μｍ）が適当であ
る。
る基準ラインＬを引いたとき、その基準ラインＬからの
凹部１５の平均深さは０．０１〜０．５μｍ（実施例で
は約０．１５μｍ）、突部１７の平均高さは０．０１〜
０．１μｍ（実施例では約０．０５μｍ）、また低部１
８の底面から突部１７の頂部までの平均段差は０．０１
〜０．１μｍ（実施例では約０．０５μｍ）が適当であ
る。
【００３５】図９は、前記サーボトラツキング用凹部１
５を形成する工程を説明するための図である。センタハ
ブ１２を取りつけた磁気デイスク２が、基台１９にセツ
トされる。この基台１９にはセンタハブ１２の中央孔２
０（図３参照）に挿入されるガイドビン２１が突設され
ており、センタハブ１２の中央孔２０にこのガイドビン
２１を通すようにして磁気デイスク２を基台１９上に載
置することにより、基台１９上で磁気デイスク２が位置
決めされる。
５を形成する工程を説明するための図である。センタハ
ブ１２を取りつけた磁気デイスク２が、基台１９にセツ
トされる。この基台１９にはセンタハブ１２の中央孔２
０（図３参照）に挿入されるガイドビン２１が突設され
ており、センタハブ１２の中央孔２０にこのガイドビン
２１を通すようにして磁気デイスク２を基台１９上に載
置することにより、基台１９上で磁気デイスク２が位置
決めされる。
【００３６】この基台１９の上方には、それと平行にス
タンパ２２が上下動可能に配置されている。そしてこの
スタンパ２２は基台１９のガイドビン２１によつて、上
下動がガイドされるようになつている。また、スタンパ
２２には、サーボトラツキング用凹部１５を形成するた
めの微細な突部２３が多数同心円状に形成されている。
タンパ２２が上下動可能に配置されている。そしてこの
スタンパ２２は基台１９のガイドビン２１によつて、上
下動がガイドされるようになつている。また、スタンパ
２２には、サーボトラツキング用凹部１５を形成するた
めの微細な突部２３が多数同心円状に形成されている。
【００３７】図９の状態からスタンパ２２を下げて、磁
気デイスク２の磁気シート１１を基台１９とスタンパ２
２との間において所定の圧力で挟持する。これによつて
スタンパ２２に形成されている突部２３が第２の磁性層
１４ｂの表面に食い込み、図８に示すように圧縮によつ
て断面形状が逆ほぼ台形の凹部１５が形成されるととも
に、磁性層１４ヘの一部が押しやられて突部１７が形成
される。
気デイスク２の磁気シート１１を基台１９とスタンパ２
２との間において所定の圧力で挟持する。これによつて
スタンパ２２に形成されている突部２３が第２の磁性層
１４ｂの表面に食い込み、図８に示すように圧縮によつ
て断面形状が逆ほぼ台形の凹部１５が形成されるととも
に、磁性層１４ヘの一部が押しやられて突部１７が形成
される。
【００３８】このようにして形成された突部１７は、低
部１８に比べて磁性層中の磁性粉、補強粉ならびにバイ
ンダの充填率が高くなつて、機械的強度が大きく、磨耗
しにくい構造となる。
部１８に比べて磁性層中の磁性粉、補強粉ならびにバイ
ンダの充填率が高くなつて、機械的強度が大きく、磨耗
しにくい構造となる。
【００３９】図１０ならびに図１１は、磁気デイスク２
のトラツキングサーボを説明するための図である。これ
らの図に示すように、磁気デイスク２の第２の磁性層１
４ｂと対向する第２の磁気ヘツド装置８ｂには、トラツ
キングサーボの光線を出射する例えばＬＥＤなどからな
る発光素子２９と、第２の磁性層１４ｂからの反射光を
受光する受光素子３０（実際には複数の検出素子から構
成されている。）とが一体に取りつけられている。
のトラツキングサーボを説明するための図である。これ
らの図に示すように、磁気デイスク２の第２の磁性層１
４ｂと対向する第２の磁気ヘツド装置８ｂには、トラツ
キングサーボの光線を出射する例えばＬＥＤなどからな
る発光素子２９と、第２の磁性層１４ｂからの反射光を
受光する受光素子３０（実際には複数の検出素子から構
成されている。）とが一体に取りつけられている。
【００４０】なお、この第２の磁気ヘツド装置８ｂの発
光素子２９ならびに受光素子３０が取りつけられた部分
は、磁気デイスク２側に向けて開口している。また、第
１の磁気ヘツド装置８ａの方は第１の磁性層１４ａの表
面に接触するようになつている。
光素子２９ならびに受光素子３０が取りつけられた部分
は、磁気デイスク２側に向けて開口している。また、第
１の磁気ヘツド装置８ａの方は第１の磁性層１４ａの表
面に接触するようになつている。
【００４１】発光素子２９からの光は、トラツキングサ
ーボ用凹部１５が形成されている第２の磁性層１４ｂの
表面で反射し、その反射光が受光素子３０に受光され
る。
ーボ用凹部１５が形成されている第２の磁性層１４ｂの
表面で反射し、その反射光が受光素子３０に受光され
る。
【００４２】この受光素子３０からのそれぞれの検出信
号３１は図１１に示すようにサーボ信号演算部３２に入
力され、現時点での記録トラツク１６に対する磁気ヘツ
ド装置８ａ（８ｂ）のずれ量、換言すればその記録トラ
ツク１６に対する磁気ヘツド装置８ａ（８ｂ）の位置修
正量が演算される。
号３１は図１１に示すようにサーボ信号演算部３２に入
力され、現時点での記録トラツク１６に対する磁気ヘツ
ド装置８ａ（８ｂ）のずれ量、換言すればその記録トラ
ツク１６に対する磁気ヘツド装置８ａ（８ｂ）の位置修
正量が演算される。
【００４３】そして現在、例えば第１の磁気ヘツド装置
８ａを使用して情報の書込み、読出し、消去のいずれか
の動作を行つているときは、前記サーボ信号演算部３２
によつて求められた位置修正制御信号３３がヘツド駆動
制御部３４に入力され、その制御信号３３に基づいて第
１の磁気ヘツド装置８ａのトラツキング制御が行われ
る。
８ａを使用して情報の書込み、読出し、消去のいずれか
の動作を行つているときは、前記サーボ信号演算部３２
によつて求められた位置修正制御信号３３がヘツド駆動
制御部３４に入力され、その制御信号３３に基づいて第
１の磁気ヘツド装置８ａのトラツキング制御が行われ
る。
【００４４】一方、第２の磁気ヘツド装置８ｂを使用し
て情報の書込み、読出し、消去のいずれかの動作を行つ
ているときは、前記サーボ信号演算部３２によつて求め
られた位置修正制御信号３３がヘツド駆動制御部３４に
入力され、その制御信号３３に基づいて第１の磁気ヘツ
ド装置８ａと一体に移動する第２の磁気ヘツド装置８ｂ
のトラツキング制御が行われる。なお、図中の３５は、
磁気デイスク２を回転駆動するための駆動モータであ
る。
て情報の書込み、読出し、消去のいずれかの動作を行つ
ているときは、前記サーボ信号演算部３２によつて求め
られた位置修正制御信号３３がヘツド駆動制御部３４に
入力され、その制御信号３３に基づいて第１の磁気ヘツ
ド装置８ａと一体に移動する第２の磁気ヘツド装置８ｂ
のトラツキング制御が行われる。なお、図中の３５は、
磁気デイスク２を回転駆動するための駆動モータであ
る。
【００４５】次に第１の磁性層１４ａの表面状態につい
て主に図１２ないし図１４を用いて説明する。この第１
の磁性層１４ａの方にも磁気デイスク２の回転中心Ｏ
（図１２参照）と同心円状に多数本の記録トラツク部１
６が設けられている。そして図１３に示すように、この
記録トラツク部１６上に不連続に凹部３１が、前記磁気
デイスク２の回転中心Ｏと同心円状に無数形成されてい
る。図１３に示すようにこの実施例では前記凹部３１の
平面形状が楕円形をしており、各楕円形凹部３１の長軸
方向が記録トラツク部１６の長手方向と一致している
（換言すれば、各楕円形凹部３１の短軸方向が記録トラ
ツク部１６の幅方向と一致している）。
て主に図１２ないし図１４を用いて説明する。この第１
の磁性層１４ａの方にも磁気デイスク２の回転中心Ｏ
（図１２参照）と同心円状に多数本の記録トラツク部１
６が設けられている。そして図１３に示すように、この
記録トラツク部１６上に不連続に凹部３１が、前記磁気
デイスク２の回転中心Ｏと同心円状に無数形成されてい
る。図１３に示すようにこの実施例では前記凹部３１の
平面形状が楕円形をしており、各楕円形凹部３１の長軸
方向が記録トラツク部１６の長手方向と一致している
（換言すれば、各楕円形凹部３１の短軸方向が記録トラ
ツク部１６の幅方向と一致している）。
【００４６】しかし、この凹部３１の平面形状は楕円形
に限定されるものではなく、例えば円形、四角形、六角
形など他の適宜な形状でもよい。
に限定されるものではなく、例えば円形、四角形、六角
形など他の適宜な形状でもよい。
【００４７】この凹部３１は、図９に示すように基台１
９の表面に凹部３１の形状に相応した突部３２を予め設
けておき、前述のようにスタンパ２２の押圧によつてト
ラツキングサーボ用溝状凹部１５を形成するときに同時
に形成することができる。
９の表面に凹部３１の形状に相応した突部３２を予め設
けておき、前述のようにスタンパ２２の押圧によつてト
ラツキングサーボ用溝状凹部１５を形成するときに同時
に形成することができる。
【００４８】このように圧縮による凹部３１を形成する
ことにより、図１４に示すようにトラツキングサーボ用
溝状凹部１５の場合と同様に、断面形状が逆台形となり
凹部３１に相当していた部分が凹部３１の外周に押しや
られて盛り上がり、断面が山形の突出部３３が形成され
る。この突出部３３の部分は密度が高くなつて、機械的
強度が大きくなる。
ことにより、図１４に示すようにトラツキングサーボ用
溝状凹部１５の場合と同様に、断面形状が逆台形となり
凹部３１に相当していた部分が凹部３１の外周に押しや
られて盛り上がり、断面が山形の突出部３３が形成され
る。この突出部３３の部分は密度が高くなつて、機械的
強度が大きくなる。
【００４９】このように情報を記録する記録トラツク１
６上に凹部３１を形成するのであるから、この凹部３１
のトラツク幅方向の長さは、ドロツプアウト特性に直接
影響を与える。
６上に凹部３１を形成するのであるから、この凹部３１
のトラツク幅方向の長さは、ドロツプアウト特性に直接
影響を与える。
【００５０】本発明者らは、図１３に示すような凹部３
１の楕円形パターンにおいて、凹部３１のヘツド接触部
（この例の場合、前記突出部３３の先端部）からの平均
深さｄを０．１５μｍと一定にして、トラツク幅方向の
長さｃを種々変えて、トラツク幅ｂに対するトラツク幅
方向のトータル長さ（Ｔｃ＝ｃ１＋ｃ２ 但し、ｃ１＝
ｃ２）の比率〔（Ｔｃ／ｂ）×１００（％）〕とドロツ
プアウト特性ならびに起動トルクとの関係について測定
し、その結果をまとめて次の表１に示した。
１の楕円形パターンにおいて、凹部３１のヘツド接触部
（この例の場合、前記突出部３３の先端部）からの平均
深さｄを０．１５μｍと一定にして、トラツク幅方向の
長さｃを種々変えて、トラツク幅ｂに対するトラツク幅
方向のトータル長さ（Ｔｃ＝ｃ１＋ｃ２ 但し、ｃ１＝
ｃ２）の比率〔（Ｔｃ／ｂ）×１００（％）〕とドロツ
プアウト特性ならびに起動トルクとの関係について測定
し、その結果をまとめて次の表１に示した。
【００５１】なお、このドロツプアウト試験には２ＭＢ
の磁気デイスクを使用し、線記録密度が１７ｋｆｃｉで
アナログ記録を行い、その平均再生出力が６０％以下の
ものをドロツプアウトと判断した。そして表中の○印は
ドロツプアウトが発生しなかつたもの、×印はドロツプ
アウトが発生したものを示している。
の磁気デイスクを使用し、線記録密度が１７ｋｆｃｉで
アナログ記録を行い、その平均再生出力が６０％以下の
ものをドロツプアウトと判断した。そして表中の○印は
ドロツプアウトが発生しなかつたもの、×印はドロツプ
アウトが発生したものを示している。
【００５２】
表 １
（ｄ＝０．１５μｍ一定）
〔（Ｔｃ／ｂ）×１００〕 ドロツプアウトの有無 起動トルク
（％） （ｇ−ｃｍ）
０ ○ ５００
１０ ○ ２８０
２０ ○ １００
４０ ○ ８０
５０ ○ ８０
５５ × ８０
６０ × ８０
【００５３】この表１から明らかなように、トラツク幅
ｂに対する凹部３１のトラツク幅方向のトータル長さ
（Ｔｃ）の比率が５５％以上になると、磁気デイスクと
磁気ヘツド装置との間のスペーシングロスが大となり、
その結果、ドロツプアウトが発生する。従つてトラツク
幅ｂに対する凹部３１のトラツク幅方向のトータル長さ
（Ｔｃ）の比率は５０％以下に規制する必要がある。起
動トルクとの関係を考慮すると、トラツク幅ｂに対する
凹部３１のトラツク幅方向のトータル長さ（Ｔｃ）の比
率は２０〜５０％の範囲に規制するとよい。
ｂに対する凹部３１のトラツク幅方向のトータル長さ
（Ｔｃ）の比率が５５％以上になると、磁気デイスクと
磁気ヘツド装置との間のスペーシングロスが大となり、
その結果、ドロツプアウトが発生する。従つてトラツク
幅ｂに対する凹部３１のトラツク幅方向のトータル長さ
（Ｔｃ）の比率は５０％以下に規制する必要がある。起
動トルクとの関係を考慮すると、トラツク幅ｂに対する
凹部３１のトラツク幅方向のトータル長さ（Ｔｃ）の比
率は２０〜５０％の範囲に規制するとよい。
【００５４】次に凹部３１の平均深さｄの関係について
説明する。前述のように磁気デイスクと磁気ヘツド装置
との間の密着界面において磨耗粉が存在すると、磁気デ
イスクの回転と磁気ヘツド装置の押圧力とによつて、磁
性層表面の磨耗が助長される。そこで本発明では前述の
凹部３１を磨耗粉などの塵埃類の捕集用収容部として利
用するものであるため、あまり浅すぎると塵埃類の捕集
効果が悪くなる。
説明する。前述のように磁気デイスクと磁気ヘツド装置
との間の密着界面において磨耗粉が存在すると、磁気デ
イスクの回転と磁気ヘツド装置の押圧力とによつて、磁
性層表面の磨耗が助長される。そこで本発明では前述の
凹部３１を磨耗粉などの塵埃類の捕集用収容部として利
用するものであるため、あまり浅すぎると塵埃類の捕集
効果が悪くなる。
【００５５】塵埃類の捕集効果を考慮すれば凹部３１は
深いほど良いわけであるが、凹部３１を本実施例のよう
に圧縮によつて設ける場合には余り深いと凹部３１を形
成するときに極めて高い圧力が必要となり磁気デイスク
が変形してしまうために磁気ヘツド装置との接触が不十
分となる。また磁性層１４の一部を除去して凹部３１を
形成する方法には、例えばレーザ光照射法あるいはエツ
チング法などがあるが、このような形成方法の場合には
凹部３１が深くなれば加工に時間がかかり、作業性が悪
くなるため好ましくない。このように圧縮法による場合
の磁気デイスクの変形、レーザ光照射法やエツチング法
による場合の作業性などを考慮すると、凹部３１の平均
深さは０．５μｍにとどめておく必要がある。
深いほど良いわけであるが、凹部３１を本実施例のよう
に圧縮によつて設ける場合には余り深いと凹部３１を形
成するときに極めて高い圧力が必要となり磁気デイスク
が変形してしまうために磁気ヘツド装置との接触が不十
分となる。また磁性層１４の一部を除去して凹部３１を
形成する方法には、例えばレーザ光照射法あるいはエツ
チング法などがあるが、このような形成方法の場合には
凹部３１が深くなれば加工に時間がかかり、作業性が悪
くなるため好ましくない。このように圧縮法による場合
の磁気デイスクの変形、レーザ光照射法やエツチング法
による場合の作業性などを考慮すると、凹部３１の平均
深さは０．５μｍにとどめておく必要がある。
【００５６】以上のようなことから凹部３１の平均深さ
を０．０１〜０．５μｍの範囲、好ましくは０．１〜
０．５μｍの範囲に規制することにより、塵埃類の捕集
効果が良く、しかも磁気デイスクの変形がなく、作業能
率の低下を招来することもない。なお、凹部３１の平均
深さが０．１〜０．５μｍと比較的深くなると凹部３１
の部分で情報の記録ができ難くなるかあるいはできなく
傾向にある。そのため、前述の範囲では凹部３１の記録
トラツク幅方向のトータル長さが記録トラツク幅方向の
長さの４０％以下に規制するほうがよい。
を０．０１〜０．５μｍの範囲、好ましくは０．１〜
０．５μｍの範囲に規制することにより、塵埃類の捕集
効果が良く、しかも磁気デイスクの変形がなく、作業能
率の低下を招来することもない。なお、凹部３１の平均
深さが０．１〜０．５μｍと比較的深くなると凹部３１
の部分で情報の記録ができ難くなるかあるいはできなく
傾向にある。そのため、前述の範囲では凹部３１の記録
トラツク幅方向のトータル長さが記録トラツク幅方向の
長さの４０％以下に規制するほうがよい。
【００５７】次に凹部３１の深さと再生出力の低下との
関係について説明する。次の表２は記録波長（λ）が
２．９９μｍ、表３は１．５０μｍで信号を記録したと
きの凹部３１の深さと再生出力の低下との関係を示す表
である。なお、いずれの場合も凹部３１の記録トラツク
幅方向のトータル長さは記録トラツク幅の４０％であ
る。 これらの表２、表３から明らかなように凹部３１の深さ
がλ／８よりも深いと信号の再生出力の低下が著しい。
一方、深さがλ／８０よりも浅くなると出力低下はほと
んどないが、塵埃類の捕集、収容能力がほとんどない。
従つて、凹部の深さはλ／８０〜λ／８の範囲に規制す
る必要がある。次に突出部３３（図１４参照）の高さと
ドロツプアウト特性との関係について説明する。このよ
うに山形の突出部３３を形成すると、磁気ヘツド装置は
主に突出部３３と接触する。そのため、磁気ヘツド装置
との接触面積が少なくなり、接触抵抗が小さくなるか
ら、磁性層の耐磨耗性が向上するという利点を有してい
る。しかし突出部３３の高さを余り高くすると、平坦面
３４と磁気ヘツド装置との間でのスペーシングロスが心
配となる。
関係について説明する。次の表２は記録波長（λ）が
２．９９μｍ、表３は１．５０μｍで信号を記録したと
きの凹部３１の深さと再生出力の低下との関係を示す表
である。なお、いずれの場合も凹部３１の記録トラツク
幅方向のトータル長さは記録トラツク幅の４０％であ
る。 これらの表２、表３から明らかなように凹部３１の深さ
がλ／８よりも深いと信号の再生出力の低下が著しい。
一方、深さがλ／８０よりも浅くなると出力低下はほと
んどないが、塵埃類の捕集、収容能力がほとんどない。
従つて、凹部の深さはλ／８０〜λ／８の範囲に規制す
る必要がある。次に突出部３３（図１４参照）の高さと
ドロツプアウト特性との関係について説明する。このよ
うに山形の突出部３３を形成すると、磁気ヘツド装置は
主に突出部３３と接触する。そのため、磁気ヘツド装置
との接触面積が少なくなり、接触抵抗が小さくなるか
ら、磁性層の耐磨耗性が向上するという利点を有してい
る。しかし突出部３３の高さを余り高くすると、平坦面
３４と磁気ヘツド装置との間でのスペーシングロスが心
配となる。
【００５８】本発明者らは突出部３３の平均高さを種々
変えてドロツプアウトの発生状況と磁気デイスクの平均
起動トルクを調べ、その結果をまとめて次の表４に示し
た。
変えてドロツプアウトの発生状況と磁気デイスクの平均
起動トルクを調べ、その結果をまとめて次の表４に示し
た。
【００５９】
【００６０】なおこの表において△印のものは、ドロツ
プアウトが発生したり発生しなかつたりすることを示し
ている。この表から明らかなように、磁性層の平坦面３
４からの突出部３３の平均高さが０．１５μｍ以上にな
るとドロツプアウト発生の心配があるから、突出部３３
の平均高さは０．１μｍ以下であるとよい。
プアウトが発生したり発生しなかつたりすることを示し
ている。この表から明らかなように、磁性層の平坦面３
４からの突出部３３の平均高さが０．１５μｍ以上にな
るとドロツプアウト発生の心配があるから、突出部３３
の平均高さは０．１μｍ以下であるとよい。
【００６１】突出部３３の平均高さが０．０１μｍ未満
であると今度は磁気ヘツド装置との密着性が良くなり、
そのために起動トルクが大となる。従つてドロツプアウ
トの発生がなく、かつ起動トルクを低く抑えるために
は、磁性層の平坦面３４からの突出部３３の平均高さを
０．０１〜０．１０μｍの範囲、好ましくは０．０２〜
０．１０μｍの範囲に規制するとよい。
であると今度は磁気ヘツド装置との密着性が良くなり、
そのために起動トルクが大となる。従つてドロツプアウ
トの発生がなく、かつ起動トルクを低く抑えるために
は、磁性層の平坦面３４からの突出部３３の平均高さを
０．０１〜０．１０μｍの範囲、好ましくは０．０２〜
０．１０μｍの範囲に規制するとよい。
【００６２】この突出部３３の平均高さは、凹部３１を
形成するときの突部３２（図９参照）の形状や圧力、磁
性層１４の組成などを適宜調整することによりコントロ
ールできる。
形成するときの突部３２（図９参照）の形状や圧力、磁
性層１４の組成などを適宜調整することによりコントロ
ールできる。
【００６３】図１５は、凹部３１の変形例を示す図であ
る。この例の場合、凹部３１の平面形状は四角形をして
おり、小さい凹部３１が複数個ずつ集合して凹部３１の
ブロツクを形成している。このような凹部３１のパター
ンにおいても、凹部３１の平均深さ（ｄ）は０．０１〜
０．５μｍの範囲に規制され、凹部３１によつて形成さ
れる突出部３３の平均高さは０．０１〜０．１０μｍの
範囲に規制され、かつ、トラツク幅ｂに対する凹部３１
のトラツク幅方向のトータル長さ（Ｔｃ）の比率は５０
％以下に規制される。
る。この例の場合、凹部３１の平面形状は四角形をして
おり、小さい凹部３１が複数個ずつ集合して凹部３１の
ブロツクを形成している。このような凹部３１のパター
ンにおいても、凹部３１の平均深さ（ｄ）は０．０１〜
０．５μｍの範囲に規制され、凹部３１によつて形成さ
れる突出部３３の平均高さは０．０１〜０．１０μｍの
範囲に規制され、かつ、トラツク幅ｂに対する凹部３１
のトラツク幅方向のトータル長さ（Ｔｃ）の比率は５０
％以下に規制される。
【００６４】図１６は凹部３１の変形例を示す図で、こ
の例のではレーザ光の照射あるいはエツチングにより磁
性層１４の一部を除去して凹部３１が形成され、その部
分はベースフイルム１３が露出した形になつている。従
つてこの例の場合、凹部３１の平均深さｄは磁性層１４
の平均膜厚と等しい。
の例のではレーザ光の照射あるいはエツチングにより磁
性層１４の一部を除去して凹部３１が形成され、その部
分はベースフイルム１３が露出した形になつている。従
つてこの例の場合、凹部３１の平均深さｄは磁性層１４
の平均膜厚と等しい。
【００６５】図１７は、磁気デイスク２の全体から視た
凹部３１の変形パターンを示す図である。この例の場
合、凹部３１は磁気デイスク２の回転中心Ｏから若干ず
れた位置に中心Ｐをもち、それを中心に凹部３１が同心
円状にかつ不連続に形成されている。したがつて磁気デ
イスク２の回転中心Ｏに対して若干偏心した状態で、凹
部３１が同心円状にかつ不連続に形成されていることに
なる。
凹部３１の変形パターンを示す図である。この例の場
合、凹部３１は磁気デイスク２の回転中心Ｏから若干ず
れた位置に中心Ｐをもち、それを中心に凹部３１が同心
円状にかつ不連続に形成されている。したがつて磁気デ
イスク２の回転中心Ｏに対して若干偏心した状態で、凹
部３１が同心円状にかつ不連続に形成されていることに
なる。
【００６６】図１８は、磁気デイスク２の全体から視た
凹部３１の他の変形パターンを示す図である。この例の
場合、凹部３１は磁気デイスク２のほぼ全体にわたつて
不連続にかつほぼ格子状に形成されている。この例では
凹部３１は規則的に形成されているが、凹部３１を磁気
デイスク２のほぼ全体にわたつて一様にランダムに形成
してもよい。
凹部３１の他の変形パターンを示す図である。この例の
場合、凹部３１は磁気デイスク２のほぼ全体にわたつて
不連続にかつほぼ格子状に形成されている。この例では
凹部３１は規則的に形成されているが、凹部３１を磁気
デイスク２のほぼ全体にわたつて一様にランダムに形成
してもよい。
【００６７】前記実施例では、磁気デイスク２の片面に
トラツキングサーボ用の連続した溝状の凹部１５を形成
し、磁気デイスク２の他方の面に磁気ヘツドとの接触抵
抗を小さくするための凹部３１を形成したが、本発明は
これに限定されるものではなく、磁気デイスク２の両面
に前記凹部３１を形成してもよい。
トラツキングサーボ用の連続した溝状の凹部１５を形成
し、磁気デイスク２の他方の面に磁気ヘツドとの接触抵
抗を小さくするための凹部３１を形成したが、本発明は
これに限定されるものではなく、磁気デイスク２の両面
に前記凹部３１を形成してもよい。
【００６８】
【発明の効果】本発明の図１３ならびに図１４に示した
実施例（凹部３１の平均深さｄ＝０．１５μｍ、〔（Ｔ
ｃ／ｂ）×１００〕＝４０％、平坦面３４からの突出部
３３の高さ＝０．０５μｍ）に係るフレキシブルな３．
５インチの磁気デイスクと、磁性層上に凹部３１を形成
しない同型の従来の磁気デイスクのエラーの発生状況を
調べ、その結果を図１９に示した。
実施例（凹部３１の平均深さｄ＝０．１５μｍ、〔（Ｔ
ｃ／ｂ）×１００〕＝４０％、平坦面３４からの突出部
３３の高さ＝０．０５μｍ）に係るフレキシブルな３．
５インチの磁気デイスクと、磁性層上に凹部３１を形成
しない同型の従来の磁気デイスクのエラーの発生状況を
調べ、その結果を図１９に示した。
【００６９】同図は、横軸に信号読取回数を、縦軸にエ
ラー発生個数をとつている。各磁気デイスクとも試料個
数は１００個で、磁気ヘツド装置のランダムシークによ
り磁気デイスクに記録されている信号を読み取り、その
ときのエラーの発生個数をカウントしたものである。な
お、図中の実線Ｘは本発明の磁気デイスク、点線Ｙは従
来の磁気デイスクを示している。この図から明らかなよ
うに、従来の磁気デイスク（点線Ｙ）は、磨耗粉の悪影
響で信号読取回数が１０10を超えるとエラー発生個数が
急激に増え、信号読取回数が１０16になるとほとんどす
べての試料において信号の読み取りエラーが発生してい
る。これに対して本発明のものは、信号読取回数が１０
16になつてもエラーの発生個数は極めてすくなく、性能
的に安定していることが立証されている。
ラー発生個数をとつている。各磁気デイスクとも試料個
数は１００個で、磁気ヘツド装置のランダムシークによ
り磁気デイスクに記録されている信号を読み取り、その
ときのエラーの発生個数をカウントしたものである。な
お、図中の実線Ｘは本発明の磁気デイスク、点線Ｙは従
来の磁気デイスクを示している。この図から明らかなよ
うに、従来の磁気デイスク（点線Ｙ）は、磨耗粉の悪影
響で信号読取回数が１０10を超えるとエラー発生個数が
急激に増え、信号読取回数が１０16になるとほとんどす
べての試料において信号の読み取りエラーが発生してい
る。これに対して本発明のものは、信号読取回数が１０
16になつてもエラーの発生個数は極めてすくなく、性能
的に安定していることが立証されている。
【００７０】本発明は以上説明したような構成になつて
おり、ドロツプアウトの発生を抑制しながら、磁気ヘツ
ド装置との接触抵抗（摩擦抵抗）を小さくするととも
に、その凹部を磨耗粉などの塵埃類の捕集用として利用
するものである。そのため磁性層とヘツド面との間での
塵埃類の悪影響が大幅に軽減でき、耐久性に優れた信頼
性の高い磁気デイスクを提供することができる。
おり、ドロツプアウトの発生を抑制しながら、磁気ヘツ
ド装置との接触抵抗（摩擦抵抗）を小さくするととも
に、その凹部を磨耗粉などの塵埃類の捕集用として利用
するものである。そのため磁性層とヘツド面との間での
塵埃類の悪影響が大幅に軽減でき、耐久性に優れた信頼
性の高い磁気デイスクを提供することができる。
【図１】本発明の実施例に係る磁気デイスクカートリツ
ジの一部を分解した斜視図である。
ジの一部を分解した斜視図である。
【図２】その磁気デイスクカートリツジに用いられる磁
気デイスクの拡大断面図である。
気デイスクの拡大断面図である。
【図３】その磁気デイスクカートリツジに用いられる磁
気デイスクの平面図である。
気デイスクの平面図である。
【図４】その磁気デイスクカートリツジに用いられるク
リーニングシートの拡大断面図である。
リーニングシートの拡大断面図である。
【図５】その磁気デイスクカートリツジの使用状態を示
す磁気ヘツド挿入口付近の拡大断面図である。
す磁気ヘツド挿入口付近の拡大断面図である。
【図６】その磁気デイスクカートリツジの弾性片付近の
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図７】その磁気デイスクカートリツジに用いられる磁
気デイスクの一部拡大平面図である。
気デイスクの一部拡大平面図である。
【図８】その磁気デイスクの第２の磁性層の表面状態を
示すチヤートである。
示すチヤートである。
【図９】その磁気デイスクの凹部形成加工を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図１０】磁気ヘツドのトラツキングを説明するための
図である。
図である。
【図１１】磁気ヘツドのトラツキングを説明するための
図である。
図である。
【図１２】その磁気デイスクの第１の磁性層側の平面図
である。
である。
【図１３】その第１の磁性層の拡大平面図である。
【図１４】その第１の磁性層の表面状態を示すチヤート
である。
である。
【図１５】その第１の磁性層の変形例を示す拡大平面図
である。
である。
【図１６】凹部の変形例を示す拡大断面図である。
【図１７】磁性デイスクの変形例を示す平面図である。
【図１８】磁性デイスクのさらに変形例を示す平面図で
ある。
ある。
【図１９】エラー発生特性図である。
【図２０】磁性層の表面粗さと起動トルクとの関係を示
す特性図である。
す特性図である。
【図２１】起動トルク測定装置の斜視図である。
１ カートリツジケース
２ 磁気デイスク
８ａ 第１の磁気ヘツド装置
８ｂ 第２の磁気ヘツド装置
１１ 磁気シート
１３ ベースフイルム
１４ａ 第１の磁性層
１４ｂ 第２の磁性層
１５ トラツキングサーボ用凹部
１６ 記録トラツク部
３１ 凹部
３３ 突出部
３４ 平坦面
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 水島 邦夫
大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ
クセル株式会社内
(72)発明者 土井 俊雄
大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ
クセル株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 非磁性体からなる基体と、その基体の表
面に形成された磁性層を有する磁気デイスクにおいて、 前記磁性層の記録トラツク上に不連続でかつ磁気ヘツド
装置との接触部からの平均深さが０．０１〜０．５μｍ
の範囲に規制された凹部を多数設けるとともに、その凹
部の記録トラツク幅方向のトータル長さが記録トラツク
幅方向の長さの５０％以下に規制されていることを特徴
とする磁気デイスク。 - 【請求項２】 請求項１記載において、前記凹部の平均
深さが０．１〜０．５μｍの範囲に規制されるととも
に、その凹部の記録トラツク幅方向のトータル長さが記
録トラツク幅方向の長さの４０％以下に規制されている
ことを特徴とする磁気デイスク。 - 【請求項３】 請求項１記載において、前記磁性層が少
なくとも磁性粉とバインダとを有して塗着形成され、そ
の磁性層を部分的に圧縮することにより前記凹部が形成
されることを特徴とする磁気デイスク。 - 【請求項４】 請求項３記載において、前記凹部を圧縮
で形成することにより、凹部の周囲に磁性層の平坦面に
対して平均０．０１〜０．１μｍ突出した突出部を形成
したことを特徴とする磁気デイスク。 - 【請求項５】 請求項３記載において、前記凹部の断面
形状がほぼ逆台形をしていることを特徴とする磁気デイ
スク。 - 【請求項６】 請求項１記載において、前記不連続な凹
部が当該磁気デイスクの回転中心に対して同心円状に形
成されていることを特徴とする磁気デイスク。 - 【請求項７】 請求項１記載において、前記不連続な凹
部が当該磁気デイスクの回転中心に対して偏心して形成
されていることを特徴とする磁気デイスク。 - 【請求項８】 請求項１記載において、前記基板の両面
に磁性層が形成され、その両方の磁性層とも前記不連続
の凹部が形成されていることを特徴とする磁気デイス
ク。 - 【請求項９】 請求項１記載において、前記基板の両面
に磁性層が形成され、その一方の磁性層には記録トラツ
ク上に前記不連続の凹部が形成され、他方の磁性層には
記録トラツクと隣接するトラツキングサーボ用の凹部が
形成されていることを特徴とする磁気デイスク。 - 【請求項１０】 非磁性体からなる基体と、その基体の
表面に形成された磁性層を有する磁気デイスクにおい
て、 前記磁性層の記録トラツク上に不連続に設け、磁気ヘツ
ド装置との接触部からの平均深さが当該磁気デイスクに
記録する信号の最短波長の１／８０〜１／８の範囲であ
り、かつ、その凹部の記録トラツク幅方向のトータル長
さが記録トラツク幅方向の長さの５０％以下に規制され
ていることを特徴とする磁気デイスク。 - 【請求項１１】 請求項１記載において、前記凹部の平
均深さが当該磁気デイスクに記録する信号の波長が１／
８０〜１／１０の範囲に規制されるとともに、その凹部
の記録トラツク幅方向のトータル長さが記録トラツク幅
方向の長さの４０％以下に規制されていることを特徴と
する磁気デイスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201192A JPH0512648A (ja) | 1991-05-01 | 1991-07-17 | 磁気デイスク |
| EP19920107195 EP0511622A3 (en) | 1991-05-01 | 1992-04-28 | Magnetic disk |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12650591 | 1991-05-01 | ||
| JP3-126505 | 1991-05-01 | ||
| JP3201192A JPH0512648A (ja) | 1991-05-01 | 1991-07-17 | 磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0512648A true JPH0512648A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=26462685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3201192A Withdrawn JPH0512648A (ja) | 1991-05-01 | 1991-07-17 | 磁気デイスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0511622A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0512648A (ja) |
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| DE3447676A1 (de) * | 1983-12-30 | 1985-08-08 | Isuzu Motors Ltd., Tokio/Tokyo | Verfahren zur steuerung einer automatischen kupplung |
| DE3443064A1 (de) * | 1984-11-26 | 1986-06-05 | Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa | Automatisches kupplungssteuersystem |
| DE3443015A1 (de) * | 1984-11-26 | 1986-06-05 | Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa | Automatisches kupplungssteuersystem |
| US5768076A (en) * | 1993-11-10 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording disk having a laser-textured surface |
| US6396661B1 (en) * | 1998-08-19 | 2002-05-28 | Fujitsu Limited | Magnetic disk drive capable of preventing stiction of magnetic head |
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|---|---|---|---|---|
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| TW300879B (ja) * | 1993-11-10 | 1997-03-21 | Ibm | |
| US5528922A (en) * | 1994-12-27 | 1996-06-25 | International Business Machines Corporation | Method of making disk bumps with laser pulses for calibrating PZT sliders |
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| MY113928A (en) * | 1995-10-25 | 2002-06-29 | Showa Denko Kk | Magnetic disc and data writing/reading-out method |
| US6057984A (en) * | 1995-10-25 | 2000-05-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Method for data writing/read-out using a contact start and stop system |
| US6108169A (en) * | 1997-12-03 | 2000-08-22 | Quantum Corporation | Randomly laser-textured magnetic recording media |
| WO2001043122A2 (en) * | 1999-12-10 | 2001-06-14 | Seagate Technology Llc | Magnetic disc having physical servo patterns with a magnetic carrier, and method of making and using the same |
| RU2169399C1 (ru) * | 2000-02-11 | 2001-06-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ЛабИНТЕХ" (Лаборатория ионных нанотехнологий) | Способ изготовления магнитного носителя |
| JP4134066B2 (ja) | 2005-02-24 | 2008-08-13 | 富士通株式会社 | ヘッド位置検出方法および記録媒体駆動装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6124021A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | トラツク分離型磁気デイスク |
| JPH0823933B2 (ja) * | 1986-09-30 | 1996-03-06 | ホ−ヤ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPS6473528A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Substrate for magnetic disk and production thereof |
| JPH01302532A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-06 | Tonen Corp | 磁気ディスク用基体およびその製造方法 |
| JPH0231323A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気記録用メモリーディスク |
| JP2602296B2 (ja) * | 1988-09-07 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | 磁気ディスク |
| EP0422640B1 (en) * | 1989-10-13 | 1996-03-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk apparatus and magnetic disk |
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-
1991
- 1991-07-17 JP JP3201192A patent/JPH0512648A/ja not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-04-28 EP EP19920107195 patent/EP0511622A3/en not_active Withdrawn
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| US6552872B2 (en) | 1998-08-19 | 2003-04-22 | Fujitsu Limited | Magnetic disk drive capable of preventing stiction of magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0511622A2 (en) | 1992-11-04 |
| EP0511622A3 (en) | 1993-03-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |