JPH0512712B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0512712B2 JPH0512712B2 JP62119420A JP11942087A JPH0512712B2 JP H0512712 B2 JPH0512712 B2 JP H0512712B2 JP 62119420 A JP62119420 A JP 62119420A JP 11942087 A JP11942087 A JP 11942087A JP H0512712 B2 JPH0512712 B2 JP H0512712B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- powder
- conductive
- chip
- isotropic
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は表示パネルモジユールに関するもので
ある。 従来の技術 透明電極（以下ITOという）が形成された２枚
のガラス板からなる表示パネル（例えば液晶パネ
ル）に駆動用の半導体装置（以下チツプという）
を実装する場合は、ITO電極上にメタライズする
とともにチツプのアルミ電極パツドにもハンダバ
ンプを形しなければならなかつた。これら両者の
接続はチツプのアルミパツド上に設けられたハン
ダバンプによつて、いわゆるハンダ付けによるも
のである。 発明が解決しようとする問題点 従つてITOのように金属酸化物導電膜上にはハ
ンダ付けできない。そのためITO上にはハンダ付
けを可能とするためクロム−金やクロム−ニツケ
ルなどによるメタライズ処理をしなければならな
い。 一方、チツプのアルミパツド部にハンダバンプ
を設けるためには、クロムさらに銅の薄膜上にハ
ンダメツキまたはすずメツキと鉛メツキの二層を
施さなければならない。 このように液晶パネルの引出し電極であるITO
上へチツプを実装するためにはITOのメタライズ
やチツプのアルミパツド部へのバンプ形成など複
雑なプロセスが必要であり、歩どまりの低下、製
品コストのアツプなど多くの問題点を有する。本
発明はITO膜をメタライズ処理することなく表示
パネルへ半導体チツプを実装した安価な表示パネ
ルモジユールを提供することを目的とする。 問題点を解決するための手段 本発明は電極パツド部が光硬化性樹脂と導電性
粉体の等方性導電層からなる半導体装置を光硬化
性樹脂と導電性ゴム粉体からなる異方性導電層に
て透明引出し電極部に接続したものである。 すなわち、等方性導電層はチツプのアクテイブ
エリアが回路基板に接しないように適当なギヤツ
プを設けるために必要であり、異方性導電層はチ
ツプ固定と垂直方向の導電性とチツプ全面の保護
の役を持つものである。 作 用 以上の構成によつて、等方性導電層と回路基板
の電極間とに異方性導電層に含有する導電ゴム粉
末が狭み込まれ垂直方向に導通し、さらに導電粉
末はゴム特性を有しているため、樹脂の収縮に対
しても対応できる信頼度の高い導通を得ることが
でき、また異方性導電層の光硬化性樹脂は、チツ
プを回路基板に固定する役を果す。 実施例 以下、本発明の実施例について説明する。 等方性導電層は、感光性を有する樹脂、例えば
エポキシアクリレート系樹脂、感光性ポリイミド
系樹脂等が使用できる。導電性粉体はニツケル粉
に金コートしたものが使用できる。金コートなし
のものは、接触抵抗の増大をまねき導体としての
役目をはたさない。等方性導電層とは、光硬化性
樹脂と導電粉末からなるペーストを被膜としたと
き水平、垂直方向に同じ導電性を示すことをい
い、異方性導電層とは樹脂と導電粉末からなり、
導電粉末が前記等方性導電膜層のそれとは少なく
含有しており、被膜とした後、圧着することによ
つて垂直方向（厚み方向）に導電性を有するもの
で水平方向には導電粉末が少なく導電性を有しな
いものである。 異方性導電層は、光硬化性樹脂として例えば、
一成分形の液状シリコンゴムが使用できる。導電
性ゴムは、例えばシリコンゴムにカーボン粉末を
分散さし、硬化されたのちに、粉砕し、粉末状に
したものが使用できる。 以下、具体例について述べる。等方性導電層の
材料として以下の配合で塗料（ペースト）化し
た。
ある。 従来の技術 透明電極（以下ITOという）が形成された２枚
のガラス板からなる表示パネル（例えば液晶パネ
ル）に駆動用の半導体装置（以下チツプという）
を実装する場合は、ITO電極上にメタライズする
とともにチツプのアルミ電極パツドにもハンダバ
ンプを形しなければならなかつた。これら両者の
接続はチツプのアルミパツド上に設けられたハン
ダバンプによつて、いわゆるハンダ付けによるも
のである。 発明が解決しようとする問題点 従つてITOのように金属酸化物導電膜上にはハ
ンダ付けできない。そのためITO上にはハンダ付
けを可能とするためクロム−金やクロム−ニツケ
ルなどによるメタライズ処理をしなければならな
い。 一方、チツプのアルミパツド部にハンダバンプ
を設けるためには、クロムさらに銅の薄膜上にハ
ンダメツキまたはすずメツキと鉛メツキの二層を
施さなければならない。 このように液晶パネルの引出し電極であるITO
上へチツプを実装するためにはITOのメタライズ
やチツプのアルミパツド部へのバンプ形成など複
雑なプロセスが必要であり、歩どまりの低下、製
品コストのアツプなど多くの問題点を有する。本
発明はITO膜をメタライズ処理することなく表示
パネルへ半導体チツプを実装した安価な表示パネ
ルモジユールを提供することを目的とする。 問題点を解決するための手段 本発明は電極パツド部が光硬化性樹脂と導電性
粉体の等方性導電層からなる半導体装置を光硬化
性樹脂と導電性ゴム粉体からなる異方性導電層に
て透明引出し電極部に接続したものである。 すなわち、等方性導電層はチツプのアクテイブ
エリアが回路基板に接しないように適当なギヤツ
プを設けるために必要であり、異方性導電層はチ
ツプ固定と垂直方向の導電性とチツプ全面の保護
の役を持つものである。 作 用 以上の構成によつて、等方性導電層と回路基板
の電極間とに異方性導電層に含有する導電ゴム粉
末が狭み込まれ垂直方向に導通し、さらに導電粉
末はゴム特性を有しているため、樹脂の収縮に対
しても対応できる信頼度の高い導通を得ることが
でき、また異方性導電層の光硬化性樹脂は、チツ
プを回路基板に固定する役を果す。 実施例 以下、本発明の実施例について説明する。 等方性導電層は、感光性を有する樹脂、例えば
エポキシアクリレート系樹脂、感光性ポリイミド
系樹脂等が使用できる。導電性粉体はニツケル粉
に金コートしたものが使用できる。金コートなし
のものは、接触抵抗の増大をまねき導体としての
役目をはたさない。等方性導電層とは、光硬化性
樹脂と導電粉末からなるペーストを被膜としたと
き水平、垂直方向に同じ導電性を示すことをい
い、異方性導電層とは樹脂と導電粉末からなり、
導電粉末が前記等方性導電膜層のそれとは少なく
含有しており、被膜とした後、圧着することによ
つて垂直方向（厚み方向）に導電性を有するもの
で水平方向には導電粉末が少なく導電性を有しな
いものである。 異方性導電層は、光硬化性樹脂として例えば、
一成分形の液状シリコンゴムが使用できる。導電
性ゴムは、例えばシリコンゴムにカーボン粉末を
分散さし、硬化されたのちに、粉砕し、粉末状に
したものが使用できる。 以下、具体例について述べる。等方性導電層の
材料として以下の配合で塗料（ペースト）化し
た。
【表】
〓東芝シリコン(株)導電性ミラブ〓
導電性ゴム粉末
導電性ゴム粉末
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電極パツド部が光硬化性樹脂と導電性粉体の
等方性導電層からなる半導体装置が光硬化性樹脂
と導電性ゴム粉体からなる異方性導電層にて透明
引出し電極部に接続されたことを特徴とする表示
パネルモジユール。 ２ 等方性導電層の導電粉体がニツケル粉に金コ
ートしたものであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の表示パネルモジユール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62119420A JPS63284591A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 表示パネルモジュ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62119420A JPS63284591A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 表示パネルモジュ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63284591A JPS63284591A (ja) | 1988-11-21 |
| JPH0512712B2 true JPH0512712B2 (ja) | 1993-02-18 |
Family
ID=14761018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62119420A Granted JPS63284591A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 表示パネルモジュ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63284591A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2893070B2 (ja) * | 1989-09-01 | 1999-05-17 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 液晶電気光学装置 |
| US5130833A (en) | 1989-09-01 | 1992-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device and manufacturing method therefor |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP62119420A patent/JPS63284591A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63284591A (ja) | 1988-11-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |