JPH0513382B2 - - Google Patents

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JPH0513382B2
JPH0513382B2 JP60138821A JP13882185A JPH0513382B2 JP H0513382 B2 JPH0513382 B2 JP H0513382B2 JP 60138821 A JP60138821 A JP 60138821A JP 13882185 A JP13882185 A JP 13882185A JP H0513382 B2 JPH0513382 B2 JP H0513382B2
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JP
Japan
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heat
adhesive
lead
tab
lead frame
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JP60138821A
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English (en)
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JPS61296749A (ja
Inventor
Katsutoshi Mine
Kazumi Nakayoshi
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DuPont Toray Specialty Materials KK
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Dow Corning Toray Silicone Co Ltd
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Priority to DE8686304805T priority patent/DE3680723D1/de
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Publication of JPS61296749A publication Critical patent/JPS61296749A/ja
Publication of JPH0513382B2 publication Critical patent/JPH0513382B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/421—Shapes or dispositions
    • H10W70/435—Shapes or dispositions of insulating layers on leadframes, e.g. bridging members
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal
    • Y10T428/31681—Next to polyester, polyamide or polyimide [e.g., alkyd, glue, or nylon, etc.]

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  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置用リードフレームの製
造方法に関する。
［従来技術］ 半導体チツプが載置されるタブと該タブの周囲
に配置された複数のインナーリードとを具備した
半導体装置用リードフレームは、半導体チツプ上
の電極とインナーリードとの間を金属細線により
接続したうえ、半導体チツプとタブとインナーリ
ードを包囲するように合成樹脂、セラミツクある
いは、セラミツクとガラスで封止した形でIC（半
導体集積回路装置）などに使用されている。
［従来技術の問題点］ しかるに、インナーリード数が例えば16本、32
本、64本と多くなるにしたがつて、インナーリー
ドの幅を狭くせざるを得なくなり、パツケージ寸
法が大きくなるとインナーリードの長さを長くせ
ざるを得ず、インナーリードが不安定となる。ま
た、リードフレームが薄くなるにしたがつてイン
ナーリードが不安定となる。そのため、リードフ
レーム搬送時の振動によりインナーリードが屈曲
したり、ワイヤボンデイング作業が難しくなつ
て、ボンデイングミスの発生が多くなつたり、ボ
ンデイングワイヤ相互間やインナーリード相互間
が接触しやすくなるという問題がある。
こうした問題を解決するため、インナーリード
相互間を絶縁性粘着テープで連結したり（特開昭
58−161349号）、熱可塑性の耐熱性熱接着剤を片
面に塗布した絶縁性テープで連結したり（実開昭
55−112860号）、タブの周縁部とインナーリード
の先端部とを、これら表面に接着された絶縁性フ
イルム（例えば、ポリイミドフイルム）により連
結したリードフレームが提案されている（特開昭
58−143541号、特開昭58−182859号）。
また、リードフレームの各リードの先端部付近
の周囲を耐熱性の絶縁材からなる環状体により接
着固定してなるリードフレーム（実開昭55−
77865号）や、リードフレームの全てのリードに
環状の耐熱性絶縁テープを貼着してなるリードフ
レーム（特開昭60−38825号）や熱硬化性の耐熱
性接着剤を片面に塗布して半硬化状態にした耐熱
性で且つ熱伸縮性のない絶縁テープを貼着してな
るリードフレーム（実開昭54−88268）が提案さ
れている。しかし、絶縁性粘着テープにより連結
したリードフレームは、ダイボンデイング時やワ
イヤボンデイング時の高温により粘着剤が軟化し
て該テープがずれたり、剥離し、ワイヤボンデイ
ングしにくいという問題がある。
また、絶縁性フイルムにより連結したリードフ
レームは液状接着剤を使用してタブ面もしくはイ
ンナーリード面と絶縁性フイルム面とを接着する
ため、該接着剤がはみだしてワイヤボンデイング
部分を汚したり、製造工程が複雑になるという問
題がある。
また、リードフレームの各リードの先端部付近
の周面を耐熱性の絶縁材からなる環状体により接
着固定するには、液状の接着剤または粘着剤を使
用せざるを得ないので上記同様の問題が起る。
また、リードフレームの全てのリードに環状の
耐熱性絶縁テープを貼着するには、該テープに塗
布してある粘着剤によるか、液状の接着剤を使用
せざるを得ないので上記同様の問題が起る。
また、熱可塑性の耐熱性熱接着剤を片面に塗布
した絶縁性テープで連結したリードフレームや従
来公知の、熱硬化性の耐熱性接着剤を片面に塗布
して半硬化状態にした耐熱性で且つ熱伸縮性のな
い絶縁テープを貼着してなるリードフレームは、
ダイボンデイング時やワイヤボンデイング時の高
温により該接着剤が一部熱分解して接着力が低下
したり、吸湿性が増加したり、半導体素子表面が
汚染されたりして、樹脂封止した半導体装置の耐
湿性が低下するという問題がある。
この発明は、上記した従来技術の問題点を解決
すべくなされたものであり、インナーリードが安
定に保持されており、ワイヤボンデイング作業が
容易であり、ボンデイングミスの少なく、ダイボ
ンデイング時やワイヤボンデイング時の高温によ
り悪影響を受けず、樹脂封止した半導体装置の耐
湿性が優れた、半導体装置用リードフレームの製
造方法を提供することを目的とする。
［問題点の解決手段とその作用］ この目的は、半導体チツプが載置されるタブ
と、該タブの周囲に配列された複数のインナーリ
ードとを具備した半導体装置用リードフレームの
製造方法において、前記インナーリード相互間ま
たは前記インナーリード先端部と前記タブとを、
加熱接着性シリコーン硬化体を積層した耐熱性樹
脂フイルムの該シリコーン硬化体面を接触下加熱
して接着せしめることにより、連結することによ
り達成される。
ここで、半導体装置用リードフレームは半導体
チツプが載置されるタブの周囲に複数のインナー
リードが配列したものであれば、その形状、大き
さ、厚み、材質等は特に限定されないが、通常は
金属製であり、厚みが薄く、インナーリード数が
多く、かつ、長いものほどこの発明に適してい
る。インナーリード相互間またはインナーリード
の先端部とタブとを連結するための加熱接着性の
シリコーン硬化体を積層した耐熱性樹脂フイルム
は、ポリイミドフイルム、ポリアミドイミドフイ
ルム、芳香族ポリアミドフイルム、ポリエステル
フイルムなどの耐熱性樹脂フイルムの片面にシリ
コーンゴム、シリコーンゲル、シリコーンレジン
などのシリコーン硬化体が積層、好ましくは積層
一体化されており、そのシリコーン硬化体面を金
属、セラミツク、ガラスなどの基材に接触した状
態で加熱すると該基材に接着するものであればそ
の種類は特に制限されない。
なお、シリコーン硬化体はオルガノポリシロキ
サンの架橋反応により生成するものであるから、
固体状であり、ダイボンデイング時やワイヤボン
デイング時の高温に曝されても軟化や溶融するこ
とがなく、熱分解することもない。
その代表例として、ビニル基含有オルガノポリ
シロキサン、オルガノ水素ポリシロキサン、接着
促進剤、白金化合物触媒を主剤とする組成物を耐
熱性樹脂フイルム上で硬化させたもの［ここで、
接着促進剤としてビニルトリアルコキシシラン、
アリルトリアルコキシシラン、γ−メタクリロキ
シプロピルトリアルコキシシラン、γ−グリシジ
ロキシプロピルトリアルコキシシラン、トリアル
コキシシラン、ビニルトリ（イソプロペノキシ）
シランが例示される］、とビニル基含有オルガノ
ポリシロキサン、オルガノ水素ポリシロキサン、
白金化合物触媒を主剤とし、ケイ素原子結合ビニ
ル基に対しケイ素原子結合水素原子が大過剰にな
る形で配合した組成物を耐熱性樹脂フイルム上で
硬化させたものがある。
加熱接着性シリコーンの硬化体を積層した耐熱
性樹脂フイルムは、テープ状、平面Ｌ字状、平面
コの字状、矩形枠状、矩形状、正方形など各種形
状をとることができる。該耐熱性樹脂フイルム
は、インナーリード全部を一体に連結してもよい
し、インナーリード全部を２グループ以上に分け
て連結してもよいし、その長さが長いインナーリ
ードのみを連結してもよい。あるいはインナーリ
ード先端部とタブの周縁部もしくはタブ全面とを
連結してもよい。また、インナーリードの片面の
みに接着させて連結してもよいし、両面に接着さ
せて連結してもよい。
［実施例］ 実施例中に部とあるのは重量部を意味してい
る。
第１図は、この発明の一実施例の製造方法によ
り半導体装置用リードフレームの平面図である。
半導体チツプを載置する矩形のタブ２はリードフ
レーム本体１から延出した２本のタブ吊りリード
３により支持されている。このタブ２の周辺には
14本のインナーリード４が、これらの先端がタブ
２を包囲するように配設されている。これらイン
ナーリード４の他端側は外部リード端子５と連続
して形成されている。
すべてのインナーリード４相互間は、矩形枠状
の加熱接着性のシリコーン硬化体を積層した耐熱
性樹脂フイルム６をそれらインナーリード４の中
間部おもて面に接着することにより連結されてい
る。
ここで、加熱接着性のシリコーン硬化体を積層
した耐熱性樹脂フイルム６は、25℃における粘度
2000csの両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖の
ジメチルポリシロキサン97部と25℃における粘度
10csの両末端トリメチルシロキシ基封鎖のメチル
水素ポリシロキサン2.0部と塩化白金酸0.001部と
ビニルトリメトキシシラン3.0部とからなる付加
反応硬化性オルガノポリシロキサン組成物をポリ
イミドフイルム６ａの片面に塗布し、100℃で５
分間加熱して硬化させてなるものであり、該シリ
コーン硬化体はポリイミドフイルムに強固に接着
している。
該耐熱性樹脂フイルム６は、第２図に示すよう
にその加熱接着性のシリコーン硬化体６ｂ面をイ
ンナーリード４のおもて面に密着させ、100℃で
30分間加熱することによりインナーリード４のお
もて面に強固に接着している。ここでインナーリ
ード４の厚さは200μｍであり、ポリイミドフイ
ルム６ａの厚さは50μｍであり、加熱接着性のシ
リコーン硬化体６ｂの厚さは30μｍである。
したがつて、このリードフレームを用いて半導
体装置を組み立てる際に従来のような問題が生じ
ることがなかつた。
すなわち、インナーリード４の先端部が安定に
保持されているので金細線によるボンデイングが
しやすく、ボンデイングミスおよびボンデイング
後のボンデイングオープンを防止することができ
た。また、接着媒体として加熱接着性のシリコー
ン硬化体を使用しているので、従来の液状接着剤
と異なりインナーリード４の先端のワイヤボンデ
イング部分を汚すことがなく、従来の粘着剤と異
なりシリコン半導体チツプダイボンデイング時や
ワイヤボンデイング時に300〜500℃といつた高温
にさらされても接着面がずれたり、はずれたりし
てインナーリード４が不安定になるということが
なく、従来の熱可塑性の耐熱性熱接着剤や従来公
知の熱硬化性の耐熱性接着剤を半硬化状態にした
ものと異なり、ダイボンデイング時やワイヤボン
デイング時に300〜500℃といつた高温にさらされ
ても該シリコーン硬化体は軟化や溶融することが
なく、熱分解して接着力が低下したり、吸湿性が
増加したり、半導体素子表面が汚染されたりして
エポキシ樹脂封止した半導体装置の耐湿性が低下
するということがなかつた。
この発明で使用する該耐熱性樹脂フイルム６、
市販の熱硬化性のエポキシ樹脂系接着剤を片面に
塗布して半硬化状態にしたポリイミドフイルム、
および市販の熱硬化性のアクリル樹脂系接着剤を
片面に塗布して半硬化状態にしたポリイミドフイ
ルムについてインナーリード面へ加熱下接着させ
てから剥離する試験を行つたところ、初期値は該
耐熱性樹脂フイルム６が23ｇ／mm、エポキシ樹脂
系接着剤使用フイルムが25ｇ／mm、アクリル樹脂
系接着剤使用フイルムが21ｇ／mmであり、350℃
で１分間熱処理後は、該耐熱性樹脂フイルム６が
22ｇ／mm（低下率4.3％）、エポキシ樹脂系接着剤
使用フイルムが18ｇ／mm（低下率28％）、アクリ
ル樹脂系接着剤使用フイルムが11ｇ／mm（低下率
4.8％）であつた。450℃で１分間熱処理後は、該
耐熱性樹脂フイルム６が17ｇ／mm（低下率26％）、
エポキシ樹脂系接着剤使用フイルムアクリル樹脂
系接着剤使用フイルムともに０ｇ／mm（低下率
100％）であつた。
この発明の製造方法によるリードフレームを使
用してエポキシ樹脂封止した半導体装置20個につ
いて121℃、100％RHでのプレツシヤークツカー
テストを169時間および300時間行つても電気的不
良品の発生は０であつた。ところが、市販の熱可
塑性の耐熱性熱接着剤を片面に塗布してなるポリ
イミドフイルムを使用したエポキシ樹脂封止半導
体装置は、同じ試験において169時間後に20個中
３個が、300時間後に20個中７個が電気的不良品
となつた。
この発明の製造方法によるリードフレームであ
つて350℃で１分間熱処理したものを使用してエ
ポキシ樹脂封止した半導体装置10個について121
℃、100％RHでのプレツシヤークツカーテスト
を300時間行つても電気的不良品の発生は０であ
つた。
ところが、市販の熱硬化性のエポキシ樹脂系接
着剤またはアクリル樹脂系接着剤を片面に塗布し
て半硬化状態にしたポリイミドフイルムを貼着し
てなるリードフレームであつて350℃で１分間熱
処理したものを使用してエポキシ樹脂封止した半
導体装置10個について121℃、100％RHでのプレ
ツシヤークツカーテストを300時間行つたところ、
エポキシ樹脂系接着剤を使用したもの、アクリル
樹脂系接着剤を使用したものともに10個とも電気
的不良品となつた。
さらに、この発明の製造方法によるリードフレ
ームであつて450℃で１分間熱処理したものを使
用してエポキシ樹脂封止した半導体装置10個につ
いて121℃、100％RHでのプレツシヤークツカー
テストを300時間行つても電気的不良品の発生は
０であつた。
ところが、市販の熱硬化性のエポキシ樹脂系接
着剤またはアクリル樹脂系接着剤を片面に塗布し
て半硬化状態にしたポリイミドフイルムを貼着し
てなるリードフレームであつて450℃で１分間熱
処理したものを使用してエポキシ樹脂封止した半
導体装置10個について121℃、100％RHでのプレ
ツシヤークツカーテストを300時間行つたところ、
エポキシ樹脂系接着剤を使用したもの、アクリル
樹脂系接着剤を使用したものともに10個とも電気
的不良品となつた。
第３図は、この発明の別の実施例の製造方法に
よる半導体装置用リードフレームの平面図であ
る。
半導体チツプを載置する矩形のタブ２はリード
フレーム本体１から延出した２本のタブ吊りリー
ド３により支持されている。このタブ２の周辺に
は14本のインナーリード４が、これらの先端がタ
ブ２を包囲するように配設されている。これらイ
ンナーリード４の他端側は外部リード端子５と連
続して形成されている。
すべてのインナーリード４の先端部とタブ２
は、矩形の加熱接着性のシリコーン硬化体を積層
した樹脂フイルム６をそれらインナーリード４の
先端部裏面とタブ２の裏面とに接着することによ
り連結されている。
ここで、加熱接着性のシリコーン硬化体を積層
した耐熱性樹脂フイルム６は、25℃における粘度
5000csの両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖の
ジメチルポリシロキサン97部と25℃における粘度
10csの両末端トリメチルシロキシ基封鎖のメチル
水素ポリシロキサン1.5部と塩化白金酸0.001部と
γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
3.0部とからなる付加反応硬化性オルガノポリシ
ロキサン組成物をポリエチレンテレフタレートフ
イルム６ｃの片面に塗布し、100℃で５分間加熱
して硬化させてなるものであり、該シリコーン硬
化体はポリエチレンテレフタレートフイルムに強
固に接着している。
該耐熱性樹脂フイルム６は、第４図に示すよう
にその加熱接着性シリコーン硬化体６ｄ面をイン
ナーリード４の先端部裏面とタブ２の裏面に密接
させ、100℃で30分間加熱することによりインナ
ーリード４の先端部裏面とタブ２の裏面に強固に
接着している。ここでタブ２とインナーリード４
の厚さは200μｍであり、ポリエチレンテレフタ
レートフイルム６ｃの厚さは50μｍであり、加熱
接着性のシリコーン硬化体６ｄの厚さは50μｍで
ある。
したがつて、このリードフレームを用いて半導
体装置を組み立てる際に従来のような問題が生じ
ることがなかつた。
すなわち、インナーリード４の先端部が固定さ
れているから、金細線によるボンデイングがしや
すく、ボンデイングミスおよびワイヤボンデイン
グ後のボンデイングオープンを防止することがで
きた。
接着媒体として加熱接着性のシリコーン硬化体
を使用しているので、従来の液状接着剤と異な
り、はみだしてインナーリード４の先端部のワイ
ヤボンデイング部分を汚すことがなく、従来の粘
着剤と異なり、シリコン半導体チツプのダイボン
デイング時やワイヤボンデイング時に300〜500℃
といつた高温にさらされても接着面がずれたり、
はずれたりしてインナーリード４が不安定になる
ことがなく、従来の熱可塑性の耐熱性接着剤や従
来公知の熱硬化性の耐熱性接着剤を半硬化状態に
したものと異なり、ダイボンデイング時やワイヤ
ボンデイング時に300〜500℃といつた高温にさら
されても該シリコーン硬化体は軟化や溶融するこ
とがなく、熱分解して接着力が低下したり、吸湿
性が増加したり、半導体素子表面が汚染されたり
してエポキシ樹脂封止した半導体装置の耐湿性が
低下するということがなかつた。
第５図は、この発明の別の実施例の製造方法に
よる半導体装置用リードフレームの要部平面図で
ある。
半導体チツプを載置する矩形のタブ２はリード
フレーム本体１から延出した２本のタブ吊りリー
ド３により支持されている。このタブ２の周辺に
は40本のインナーリード４が、これら先端がタブ
２を包囲するように配設されている。これらイン
ナーリード４の他端部は外側リード端子５と連続
して形成されている。40本のインナーリード４の
うち、２本のタブ吊りリード３の各々の両側７本
づつのインナーリード４は、タブ吊りリード３に
直交するテープ状の加熱接着性のシリコーン硬化
体を積層した耐熱性樹脂フイルム６を、該タブ吊
りリード３と該インナーリード４のおもて面に接
着することにより相互に連結されている。なお、
加熱接着性のシリコーン硬化体を積層した耐熱性
樹脂フイルム６は、インナーリード４の先端部の
安定化のためには該先端部に近い箇所ほど好まし
いが、該先端部にはワイヤボンデイングする関係
上該先端部よりやや根元に寄つた位置で接着して
いる。
ここで、加熱接着性のシリコーン硬化体を積層
した耐熱性樹脂フイルム６は、25℃における粘度
2000csの両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖の
ジメチルポリシロキサン97.5部と25℃における粘
度10csの両末端トリメチルシロキシ基封鎖のメチ
ル水素ポリシロキサン2.5部と塩化白金酸0.001部
とからなる、ケイ素原子結合ビニル基に対しケイ
素原子結合水素原子がモル比で５倍量の付加反応
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を芳香族ポ
リアミドフイルムの片面に塗布し120℃で５分間
加熱して硬化させたものであり、該シリコーン硬
化体は芳香族ポリアミドフイルムに強固に接着し
ている。
該耐熱性樹脂フイルム６は、その加熱接着性の
シリコーン硬化体面をタブ吊りリード３とインナ
ーリード４のおもて面に密接させ、100℃で30分
間加熱することによりタブ吊りリード３とインナ
ーリード４の表面に強固に結合している。ここで
タブ２、タブ吊りリード３、インナーリード４の
厚さは300μｍであり、芳香族ポリアミドフイル
ムの厚さは100μｍであり、加熱接着性のシリコ
ーン硬化体の厚さは50μｍである。従つて、この
リードフレームを用いて半導体装置を組み立てる
際に従来のような問題が生じることがなかつた。
すなわち、インナーリード４のうち、その長さ
が長いインナーリードの先端部が安定に保持され
ているので金細線によるボンデイングがしやす
く、ボンデイングミスおよびボンデイング後のボ
ンデイングオープンを防止することができた。
また、接着媒体として加熱接着性のシリコーン
硬化体を使用しているので、従来の液状接着剤と
異なり、インナーリード４の先端部のワイヤボン
デイング部分を汚すことがなく、従来の接着剤と
異なり、シリコン半導体チツプのダイボンデイン
グ時やワイヤボンデイング時に300〜500℃といつ
た高温にさらされても接着面がずれたり、はずれ
たりしてインナーリード４が不安定になることが
なく、従来の熱可塑性の耐熱性熱接着剤や従来公
知の熱硬化性の耐熱性接着剤を半硬化状態にした
ものと異なり、ダイボンデイング時やワイヤボン
デイング時に300〜500℃といつた高温にさらされ
ても該シリコーン硬化体は軟化や溶融することが
なく、熱分解して接着力が低下したり、吸湿性が
増加したり、半導体素子表面が汚染されたりして
エポキシ樹脂封止した半導体装置の耐湿性が低下
するということがなかつた。
［発明の効果］ この発明では、半導体チツプが載置されるタブ
と該タブの周囲に配列された多数のインナーリー
ドとを具備した半導体装置用リードフレームの製
造方法において、前記インナーリード相互間また
は前記インナーリードの先端部と前記タブとを、
これら表面に加熱接着性のシリコーン硬化体を積
層した耐熱性樹脂フイルムの該シリコーン硬化体
面を接触下加熱して接着せしめることにより連結
するので、インナーリードの先端部が安定に保持
されているため、ワイヤボンデイングしやすく、
ボンデイングミスおよびボンデイング後のボンデ
イングオープンを防止することができるととも
に、従来の液状接着剤と異なり、はみ出してイン
ナーリード先端部のワイヤボンデイング部分を汚
すことがなく、従来の粘着剤と異なり、ダイボン
デイング時やワイヤボンデイング時に高温にさら
されても接着面がずれたり、はずれたりしてイン
ナーリードが不安定になるということがなく、従
来の熱可塑性の耐熱性熱接着剤や従来公知の熱硬
化性の耐熱性接着剤を半硬化状態にしたものと異
なり、ダイボンデイング時やワイヤボンデイング
時に300〜500℃といつた高温にさらされても該シ
リコーン硬化体は軟化や溶融することがなく、熱
分解して接着力が低下したり、吸湿性が増加した
り、半導体素子表面が汚染されたりして半導体装
置の耐湿性が低下するということがない。
従つて、半導体装置の生産性、信頼性の向上に
大きく寄与する。
樹脂封止型、セラミツク封止型、サーデイツプ
型等の半導体装置、特に半導体集積回路装置用リ
ードフレームの製造方法として好適である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明の一実施例の製造方法によ
る半導体装置用リードフレームの平面図であり、
第２図は第１図の半導体装置用リードフレームの
要部の拡大断面図である。第３図は、この発明の
他の実施例の製造方法による半導体装置用リード
フレームの平面図であり、第４図は第３図におけ
る−線断面の要部拡大図である。第５図は、
この発明の他の実施例の製造方法による半導体装
置用リードフレームの要部平面図である。 １……リードフレーム本体、２……タブ、３…
…タブ吊りリード、４……インナーリード、５…
…外部リード端子、６……加熱接着性のシリコー
ン硬化体を積層した耐熱性樹脂フイルム。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体チツプが載置されるタブと、該タブの
    周囲に配列された複数のインナーリードとを具備
    した半導体装置用リードフレームの製造方法にお
    いて、前記インナーリード相互間または前記イン
    ナーリード先端部と前記タブとを、これら表面に
    加熱接着性のシリコーン硬化体を積層した耐熱性
    樹脂フイルムの該シリコーン硬化体面を接触下加
    熱して接着せしめることにより、連結することを
    特徴とする、半導体装置用リードフレームの製造
    方法。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4859632A (en) * 1987-12-28 1989-08-22 Siemens Corporate Research And Support, Inc. Method for manufacturing the same
US4832996A (en) * 1988-02-24 1989-05-23 Motorola, Inc. Semiconductor die for plastic encapsulation having an adhesion promoter
US5278101A (en) * 1989-06-28 1994-01-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2882823B2 (ja) * 1989-11-15 1999-04-12 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 接着剤
JP2974700B2 (ja) * 1989-11-30 1999-11-10 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 導電性接着剤
JPH0724270B2 (ja) * 1989-12-14 1995-03-15 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US5232959A (en) * 1990-05-25 1993-08-03 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Organohydrogenpolysiloxanes and curable organosiloxane compositions containing same
DE4041346B4 (de) * 1990-12-21 2005-10-06 Infineon Technologies Ag Standard-Kunststoffgehäuse mit darin verkapselten Halbleiterchips
US5229329A (en) * 1991-02-28 1993-07-20 Texas Instruments, Incorporated Method of manufacturing insulated lead frame for integrated circuits
US5507903A (en) * 1991-03-12 1996-04-16 Sumitomo Bakelite Company Limited Process for producing two-layered tape for tab
JP2927982B2 (ja) * 1991-03-18 1999-07-28 ジャパンゴアテックス株式会社 半導体装置
US5164817A (en) * 1991-08-14 1992-11-17 Vlsi Technology, Inc. Distributed clock tree scheme in semiconductor packages
US5231755A (en) * 1991-08-20 1993-08-03 Emanuel Technology, Inc. Method of forming soluble alignment bars
US5177591A (en) * 1991-08-20 1993-01-05 Emanuel Norbert T Multi-layered fluid soluble alignment bars
US5360946A (en) * 1991-09-17 1994-11-01 International Business Machines Corporation Flex tape protective coating
US5359225A (en) * 1992-11-06 1994-10-25 Intel Corporation Thin, high leadcount package
US5294827A (en) * 1992-12-14 1994-03-15 Motorola, Inc. Semiconductor device having thin package body and method for making the same
US5336564A (en) * 1993-12-06 1994-08-09 Grumman Aerospace Corporation Miniature keeper bar
US5905300A (en) * 1994-03-31 1999-05-18 Vlsi Technology, Inc. Reinforced leadframe to substrate attachment
WO1995028740A1 (en) * 1994-04-14 1995-10-26 Olin Corporation Electronic package having improved wire bonding capability
US5512780A (en) * 1994-09-09 1996-04-30 Sun Microsystems, Inc. Inorganic chip-to-package interconnection circuit
US5567654A (en) * 1994-09-28 1996-10-22 International Business Machines Corporation Method and workpiece for connecting a thin layer to a monolithic electronic module's surface and associated module packaging
US5545850A (en) * 1995-01-13 1996-08-13 Olin Corporation Guard ring for integrated circuit package
US5939775A (en) * 1996-11-05 1999-08-17 Gcb Technologies, Llc Leadframe structure and process for packaging intergrated circuits
EP0963605A4 (en) * 1996-12-19 2001-02-07 Gcb Technologies Llc IMPROVED CONNECTION GRID STRUCTURE WITH LOCKED INTERNAL CONNECTIONS AND MANUFACTURING METHOD
US6509632B1 (en) * 1998-01-30 2003-01-21 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a redundant pinout configuration for signal enhancement in an IC package
US6121674A (en) 1998-02-23 2000-09-19 Micron Technology, Inc. Die paddle clamping method for wire bond enhancement
US6977214B2 (en) * 1998-12-11 2005-12-20 Micron Technology, Inc. Die paddle clamping method for wire bond enhancement
DE19927108C2 (de) 1999-06-14 2001-06-28 Heraeus Electro Nite Int Verfahren zur Herstellung von Sensoren, insbesondere Temperatursensoren
US6503847B2 (en) * 2001-04-26 2003-01-07 Institute Of Microelectronics Room temperature wafer-to-wafer bonding by polydimethylsiloxane
CN114300365B (zh) * 2021-11-27 2023-01-03 昆山弗莱吉电子科技有限公司 铜合金引线框架的后处理工艺以及铜合金引线框架

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1514273B2 (de) * 1964-08-21 1974-08-22 Nippon Electric Co., Ltd., Tokio Halbleiteranordmng
US3763404A (en) * 1968-03-01 1973-10-02 Gen Electric Semiconductor devices and manufacture thereof
US3711625A (en) * 1971-03-31 1973-01-16 Microsystems Int Ltd Plastic support means for lead frame ends
US4063993A (en) * 1975-07-07 1977-12-20 National Semiconductor Corporation Method of making gang bonding interconnect tape for semiconductive devices
US4089733A (en) * 1975-09-12 1978-05-16 Amp Incorporated Method of forming complex shaped metal-plastic composite lead frames for IC packaging
US4204317A (en) * 1977-11-18 1980-05-27 The Arnold Engineering Company Method of making a lead frame
JPS5488268U (ja) * 1977-12-05 1979-06-22
JPS5577865U (ja) * 1978-11-25 1980-05-29
JPS55112860U (ja) * 1979-02-02 1980-08-08
DE2940917A1 (de) * 1979-10-09 1981-04-23 Wacker-Chemie GmbH, 8000 München Klebstoffe
JPS5695974A (en) * 1979-12-28 1981-08-03 Shin Etsu Chem Co Ltd Releasable silicone type adhesive base
JPS56103264A (en) * 1980-01-21 1981-08-18 Toray Silicone Co Ltd Silicone compositin for adhesive
JPS58143541A (ja) * 1982-02-22 1983-08-26 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS58161349A (ja) * 1982-03-19 1983-09-24 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPS58178544A (ja) * 1982-04-12 1983-10-19 Matsushita Electronics Corp リ−ドフレ−ム
US4567545A (en) * 1983-05-18 1986-01-28 Mettler Rollin W Jun Integrated circuit module and method of making same
JPS6038825A (ja) * 1983-08-11 1985-02-28 Sumitomo Metal Mining Co Ltd テ−プ貼着装置
FR2568059A1 (fr) * 1984-07-23 1986-01-24 Rogers Corp Procede et dispositif de fixation d'une structure de fils conducteurs

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DE3680723D1 (de) 1991-09-12
EP0209265A1 (en) 1987-01-21

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