JPH0475355A - リードフレームへの半導体素子の接合方法 - Google Patents
リードフレームへの半導体素子の接合方法Info
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- JPH0475355A JPH0475355A JP2189807A JP18980790A JPH0475355A JP H0475355 A JPH0475355 A JP H0475355A JP 2189807 A JP2189807 A JP 2189807A JP 18980790 A JP18980790 A JP 18980790A JP H0475355 A JPH0475355 A JP H0475355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding agent
- lead frame
- semiconductor element
- lead
- drop
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0113—Apparatus for manufacturing die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明はリードフレームに半導体素子を接合する方法
に関するものである。
に関するものである。
〈従来の技術〉
近年、ＡＳ Ｉ Ｃ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ５ｐ
ｅｓｉｆｉｃＩＣ（＝用途特定ＩＣ） ）化への対応と
、ＩＣの大型化および高信頼性の両面からの要求とから
、シリコンチップの絶縁層としてポリイミドなどのフィ
ルムを貼り付けるリードフレームが実用化されている。
ｅｓｉｆｉｃＩＣ（＝用途特定ＩＣ） ）化への対応と
、ＩＣの大型化および高信頼性の両面からの要求とから
、シリコンチップの絶縁層としてポリイミドなどのフィ
ルムを貼り付けるリードフレームが実用化されている。
これらのフィルムは、テープ状でリードフレームに貼
り付けられ、さらにフィルムに予め塗布された接着剤に
より、あるいはその都度フィルムに接着剤を塗布してシ
リコンチップを貼付するものであり、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ
ｏｎ Ｃｈｉｐ）、 ＣＯＬ （Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｌ
ｅａｄ）のタイプのそれぞれにおいて検討および実用化
されている。
り付けられ、さらにフィルムに予め塗布された接着剤に
より、あるいはその都度フィルムに接着剤を塗布してシ
リコンチップを貼付するものであり、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ
ｏｎ Ｃｈｉｐ）、 ＣＯＬ （Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｌ
ｅａｄ）のタイプのそれぞれにおいて検討および実用化
されている。
これらテープ状フィルムにはポリエーテルアミドイミド
系などの高温熱可塑性の接着剤が使用されることがある
。 上記のようにして接着剤がフィルムに塗布された半
導体装置は、信頼性試験の、特にリフロー試験において
、テープ状フィルムに吸い込まれた水分が試験実施時に
急激に膨張し、パッケージクラックが発生する原因とな
ることが分かつている・ 〈発明が解決しようとする課題〉 従来の絶縁層としての、ポリエーテルアミドイミド系接
着剤を塗布したポリイミド系テープの場合には、全体と
しての面積が増大化するとともに、上述した絶縁フィル
ムが吸湿性および保湿性を有するため、製作された半導
体装置の絶縁層からの電流リークが発生することや、ま
た、信頼性試験、特にリフローテスト時に半導体装置に
パッケージクラックが生じやすい。
系などの高温熱可塑性の接着剤が使用されることがある
。 上記のようにして接着剤がフィルムに塗布された半
導体装置は、信頼性試験の、特にリフロー試験において
、テープ状フィルムに吸い込まれた水分が試験実施時に
急激に膨張し、パッケージクラックが発生する原因とな
ることが分かつている・ 〈発明が解決しようとする課題〉 従来の絶縁層としての、ポリエーテルアミドイミド系接
着剤を塗布したポリイミド系テープの場合には、全体と
しての面積が増大化するとともに、上述した絶縁フィル
ムが吸湿性および保湿性を有するため、製作された半導
体装置の絶縁層からの電流リークが発生することや、ま
た、信頼性試験、特にリフローテスト時に半導体装置に
パッケージクラックが生じやすい。
このため最近では、使用される絶縁フィルムの小面積化
および省略化が検討され始めている。
および省略化が検討され始めている。
接着剤付きの絶縁性フィルムにシリコンチップを貼り付
ける方法では、加熱して高温で貼付するため、高温貼付
時に導体パターンと絶縁性フィルムとの熱膨張差から、
絶縁性フィルムの反りの問題が生じる。 天みに、４２
Ｎｉ−Ｆｅ合金の熱膨張率は、４Ｘ１０−’／”Ｃ、ポ
リイミドフィルムの熱膨張率は、１７〜２０×１０−＠
／”Ｃである。
ける方法では、加熱して高温で貼付するため、高温貼付
時に導体パターンと絶縁性フィルムとの熱膨張差から、
絶縁性フィルムの反りの問題が生じる。 天みに、４２
Ｎｉ−Ｆｅ合金の熱膨張率は、４Ｘ１０−’／”Ｃ、ポ
リイミドフィルムの熱膨張率は、１７〜２０×１０−＠
／”Ｃである。
この発明の目的は、上記問題点を解消し、耐熱性のある
構成とし、かつ高信頼性を得る仕方でリードフレームに
半導体素子を接合する方法を提供するにある。
構成とし、かつ高信頼性を得る仕方でリードフレームに
半導体素子を接合する方法を提供するにある。
〈課題を解決するための手段〉
上言己目的を達成するため、この発明によれば、リード
フレームに半導体素子を接合するにあたり、リードフレ
ームの半導体素子を搭載する予定の領域に、絶縁性高温
軟化型の接着剤を直接点滴下し、この点滴下された接着
剤の上に半導体素子を載せて接合することを特徴とする
リードフレームへの半導体素子の接合方法を提供する。
フレームに半導体素子を接合するにあたり、リードフレ
ームの半導体素子を搭載する予定の領域に、絶縁性高温
軟化型の接着剤を直接点滴下し、この点滴下された接着
剤の上に半導体素子を載せて接合することを特徴とする
リードフレームへの半導体素子の接合方法を提供する。
この発明は、リードフレームに半導体素子を接合する場
合に、接着剤付きの絶縁性フィルムを使用することなく
、絶縁性高温軟化型の接着剤を直接に点滴下し、その上
に半導体素子を接合するものである。
合に、接着剤付きの絶縁性フィルムを使用することなく
、絶縁性高温軟化型の接着剤を直接に点滴下し、その上
に半導体素子を接合するものである。
以下にこの発明の詳細な説明する。
この発明に用いられるリードフレームは、外枠と、リー
ド部と、半導体素子を載置するためのタブとを有する。
ド部と、半導体素子を載置するためのタブとを有する。
このタブはタブ吊リードを介して外枠に結合されてい
る。
る。
リード部は樹脂封止時に封止材に封止されるインナーリ
ードと、封止材の外側に出るアウターリードとを有する
。
ードと、封止材の外側に出るアウターリードとを有する
。
半導体素子の搭載される予定領域としては、タブの他に
インナーリードの先端部を含めることができる。 この
ようにすると、インナーリードと半導体素子との間のグ
イボンディングが容易になるとともに、ボンディングワ
イヤの長さも短くすることができる。
インナーリードの先端部を含めることができる。 この
ようにすると、インナーリードと半導体素子との間のグ
イボンディングが容易になるとともに、ボンディングワ
イヤの長さも短くすることができる。
上述したリードフレームの搭載予定領域に熱されて溶液
状または半溶液状になった絶縁性の高温軟化型の接着剤
を所定距離から点滴下する。 接着剤を点滴下する箇所
は、タブにおいては、絶縁が確実にでき、半導体素子と
の接合を十分なものとする箇所に少なくとも必要である
。 その他の箇所として、必要に応じインナーリード先
端部に点滴下する。
状または半溶液状になった絶縁性の高温軟化型の接着剤
を所定距離から点滴下する。 接着剤を点滴下する箇所
は、タブにおいては、絶縁が確実にでき、半導体素子と
の接合を十分なものとする箇所に少なくとも必要である
。 その他の箇所として、必要に応じインナーリード先
端部に点滴下する。
接着剤の点滴下の方法としては、リードフレームの上記
予定領域（箇所）に正確に点滴下できる方法、例えばデ
イスペンサ一方式の自動滴下装置が挙げられる。
予定領域（箇所）に正確に点滴下できる方法、例えばデ
イスペンサ一方式の自動滴下装置が挙げられる。
滴下を行うために、例えばポリエーテルイミド、あるい
はポリエーテルアミドイミドなどの高温軟化型接着剤を
高温で溶融して行うものと、他の方法としては接着性樹
脂を溶媒で溶いていわゆるフェス状にして行う方法があ
る。
はポリエーテルアミドイミドなどの高温軟化型接着剤を
高温で溶融して行うものと、他の方法としては接着性樹
脂を溶媒で溶いていわゆるフェス状にして行う方法があ
る。
また、実装時に、上記絶縁性接着剤に加えてグイボンデ
ィング剤を半導体素子の接合面側に塗布し、このグイボ
ンディング剤付きの半導体素子をリードフレームに接合
すると、点滴下された接着剤とグイボンディング剤との
つきが良くなり接合強度が比較的に大きくなり好ましい
。
ィング剤を半導体素子の接合面側に塗布し、このグイボ
ンディング剤付きの半導体素子をリードフレームに接合
すると、点滴下された接着剤とグイボンディング剤との
つきが良くなり接合強度が比較的に大きくなり好ましい
。
次いで、半導体素子が接合されたリードフレームに、半
導体素子の電極端子と、インナーリードとをボンディン
グワイヤにより接続し、最後に封止材で樹脂封止し、外
枠をカットし、アウターリードを屈曲させて、半導体装
置を得る。 得られた半導体装置の断面形状を第１図に
示す。 図中、１１は樹脂封止型半導体装置を、１３は
樹脂封止材を、１５はボンディングワイヤを、１７はア
ウターリードを、１９はインナーリードを、２１は絶縁
性接着剤を、２３は半導体ベレットを、２５はグイボン
ディング剤を、２７はタブをそれぞれ示す。
導体素子の電極端子と、インナーリードとをボンディン
グワイヤにより接続し、最後に封止材で樹脂封止し、外
枠をカットし、アウターリードを屈曲させて、半導体装
置を得る。 得られた半導体装置の断面形状を第１図に
示す。 図中、１１は樹脂封止型半導体装置を、１３は
樹脂封止材を、１５はボンディングワイヤを、１７はア
ウターリードを、１９はインナーリードを、２１は絶縁
性接着剤を、２３は半導体ベレットを、２５はグイボン
ディング剤を、２７はタブをそれぞれ示す。
本発明に用いられるリードフレームの材料としては、Ｃ
ｕ、Ｃｕ合金およびＦｅ合金等の通常のリードフレーム
材として用いられるものであれば何でもよい。 例えば
４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金は低熱膨張化がある程度なされて
いるので、本発明に用いられるリードフレーム材料とし
て有効である。
ｕ、Ｃｕ合金およびＦｅ合金等の通常のリードフレーム
材として用いられるものであれば何でもよい。 例えば
４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金は低熱膨張化がある程度なされて
いるので、本発明に用いられるリードフレーム材料とし
て有効である。
〈実施例〉
以下にこの発明の詳細な説明する。
（実施例１）
厚さ２５０μｍの４２Ｎｉ−Ｆｅ合金製のリードフレー
ムに、主にポリエーテルアミドイミドよりなる接着剤約
１．５ｍｇを、接合部分にあたるインナーリード部にデ
イスペンサ一方式の自動滴下装置にて、それぞれ所定箇
所に点滴下して、リードフレームを作製した。
ムに、主にポリエーテルアミドイミドよりなる接着剤約
１．５ｍｇを、接合部分にあたるインナーリード部にデ
イスペンサ一方式の自動滴下装置にて、それぞれ所定箇
所に点滴下して、リードフレームを作製した。
このリードフレームに、接合される面にグイボンディン
グ剤が予め塗布された半導体素子をギヤングボンディン
グにより接合し、リードフレームに搭載された半導体素
子の電極端子とインナーリードの先端部とをワイヤボン
ディングにより接続し、樹脂モールドにてインナーリー
ドおよび半導体素子を封止して、半導体装置を作製した
。
グ剤が予め塗布された半導体素子をギヤングボンディン
グにより接合し、リードフレームに搭載された半導体素
子の電極端子とインナーリードの先端部とをワイヤボン
ディングにより接続し、樹脂モールドにてインナーリー
ドおよび半導体素子を封止して、半導体装置を作製した
。
得られた半導体装置の製品に対し、プリント基板への実
装時の半田リフロー温度に相当する２１５℃に１．５分
間さらしたが、パッケージクラックが生じることがなか
った。
装時の半田リフロー温度に相当する２１５℃に１．５分
間さらしたが、パッケージクラックが生じることがなか
った。
〈発明の効果〉
以上の説明から明らかなように、絶縁性フィルムを省略
し、絶縁性高温軟化型の接着剤を直接滴下して半導体素
子をリードフレームに接合したことにより、絶縁性フィ
ルムを用いた場合のようにリードフレームに反りが発生
することはな（、実装時に半導体パッケージにクラック
が発生することがない。 したがって、この発明方法を
用いて得られた半導体パッケージの耐熱性が向上し、高
信頼性が得られる。 また絶縁性高温軟化型の接着剤が
自動的に所定位置に点滴下されることにより、製造工程
を簡略化できる。
し、絶縁性高温軟化型の接着剤を直接滴下して半導体素
子をリードフレームに接合したことにより、絶縁性フィ
ルムを用いた場合のようにリードフレームに反りが発生
することはな（、実装時に半導体パッケージにクラック
が発生することがない。 したがって、この発明方法を
用いて得られた半導体パッケージの耐熱性が向上し、高
信頼性が得られる。 また絶縁性高温軟化型の接着剤が
自動的に所定位置に点滴下されることにより、製造工程
を簡略化できる。
符号の説明
１１・・・樹脂封止型半導体装置、
１３・・・樹脂封止材、
１５・・・ボンディングワイヤ、
１７・・・アウターリード、
１９・・・インナーリード、
２１・・・絶縁性接着剤、
２３・・・半導体ベレット、
２５・・・グイボンディング剤
Claims (1)
- （１）リードフレームに半導体素子を接合するにあたり
、リードフレームの半導体素子を搭載する予定の領域に
、絶縁性高温軟化型の接着剤を直接点滴下し、この点滴
下された接着剤の上に半導体素子を載せて接合すること
を特徴とするリードフレームへの半導体素子の接合方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2189807A JP2503738B2 (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | リ―ドフレ―ムへの半導体素子の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2189807A JP2503738B2 (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | リ―ドフレ―ムへの半導体素子の接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0475355A true JPH0475355A (ja) | 1992-03-10 |
| JP2503738B2 JP2503738B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=16247538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2189807A Expired - Lifetime JP2503738B2 (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | リ―ドフレ―ムへの半導体素子の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2503738B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5880522A (en) * | 1996-07-24 | 1999-03-09 | Hitachi Cable, Ltd. | Stamped lead frame with adhesive layer for fixing to semiconductor device |
| US6040620A (en) * | 1996-07-05 | 2000-03-21 | Hitachi Cable, Ltd. | Lead frame for LOC having a regulating lead to prevent variation in adhesive coverage |
| US6107675A (en) * | 1996-06-12 | 2000-08-22 | Hitachi Cable, Ltd. | Lead frame |
| US6246106B1 (en) | 1996-07-05 | 2001-06-12 | Hitachi Cable, Ltd. | Lead frame |
| US6268646B1 (en) | 1996-08-27 | 2001-07-31 | Hitachi Cable, Ltd. | Lead frame for lead on chip |
| JP2007235021A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Mitsui Chemicals Inc | 接着フィルム |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3163882B2 (ja) | 1994-01-19 | 2001-05-08 | ミノルタ株式会社 | 走査装置 |
-
1990
- 1990-07-18 JP JP2189807A patent/JP2503738B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6107675A (en) * | 1996-06-12 | 2000-08-22 | Hitachi Cable, Ltd. | Lead frame |
| US6040620A (en) * | 1996-07-05 | 2000-03-21 | Hitachi Cable, Ltd. | Lead frame for LOC having a regulating lead to prevent variation in adhesive coverage |
| US6246106B1 (en) | 1996-07-05 | 2001-06-12 | Hitachi Cable, Ltd. | Lead frame |
| US5880522A (en) * | 1996-07-24 | 1999-03-09 | Hitachi Cable, Ltd. | Stamped lead frame with adhesive layer for fixing to semiconductor device |
| US6268646B1 (en) | 1996-08-27 | 2001-07-31 | Hitachi Cable, Ltd. | Lead frame for lead on chip |
| JP2007235021A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Mitsui Chemicals Inc | 接着フィルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2503738B2 (ja) | 1996-06-05 |
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