JPH05134253A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH05134253A JPH05134253A JP32229691A JP32229691A JPH05134253A JP H05134253 A JPH05134253 A JP H05134253A JP 32229691 A JP32229691 A JP 32229691A JP 32229691 A JP32229691 A JP 32229691A JP H05134253 A JPH05134253 A JP H05134253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- liquid crystal
- crystal display
- display device
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、絶縁膜の乾燥工程で該膜表面を凹
凸状に形成可能な液晶表示素子の製造方法を目的にして
いる。 【構成】透明電極２付きガラス基板１に、対向電極との
短絡を防止するための絶縁膜３を形成する際、絶縁膜３
の乾燥時に１００°Ｃ以上の高温で加熱して急速に乾燥
させて絶縁膜３表面を凹凸状に形成することを特徴とし
ている。
凸状に形成可能な液晶表示素子の製造方法を目的にして
いる。 【構成】透明電極２付きガラス基板１に、対向電極との
短絡を防止するための絶縁膜３を形成する際、絶縁膜３
の乾燥時に１００°Ｃ以上の高温で加熱して急速に乾燥
させて絶縁膜３表面を凹凸状に形成することを特徴とし
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示素子に利用
される液晶表示素子の製造方法に関するものである。
される液晶表示素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示素子は、図２に図示した
ように、ガラス基板１自体の表面をサンドブラストやエ
ッチング処理等にて表面を荒らし、凹凸面に形成してい
る。
ように、ガラス基板１自体の表面をサンドブラストやエ
ッチング処理等にて表面を荒らし、凹凸面に形成してい
る。
【０００３】その後、透明電極２、対向電極との短絡防
止用の有機金属化合物の絶縁膜３、配向膜４を順次形成
し、液晶層に接する配向膜４の表面を、ガラス基板１の
荒れに沿った凹凸面に形成している（例えば、特開昭６
３−７１８３０号公報がある）
止用の有機金属化合物の絶縁膜３、配向膜４を順次形成
し、液晶層に接する配向膜４の表面を、ガラス基板１の
荒れに沿った凹凸面に形成している（例えば、特開昭６
３−７１８３０号公報がある）
【０００４】また、液晶表示素子の製造方法は、図３に
図示したように、透明電極２付きガラス基板１に、工程
Ｂで対向電極との短絡を防止するための有機金属化合物
による絶縁膜３を塗布し、次の工程Ｃで該塗布膜３の乾
燥を行う。
図示したように、透明電極２付きガラス基板１に、工程
Ｂで対向電極との短絡を防止するための有機金属化合物
による絶縁膜３を塗布し、次の工程Ｃで該塗布膜３の乾
燥を行う。
【０００５】その後工程Ｄで配向膜４を塗布し、工程Ｅ
でその配向膜４を乾燥させている。
でその配向膜４を乾燥させている。
【０００６】前記有機金属化合物とは、炭素−金属結合
を持つ有機化合物をいい、例えば、ＣＨ3 −ＣＯ−ＣＨ
2 −ＣＯ−ＣＨ2 −Ｍｅあり、Ｍｅは金属でＺｒ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ、等である。例えば、前記化学式構造でＭｅが
Ｚｒの場合は、ジルコニウムアセチルアセトナートとな
る。
を持つ有機化合物をいい、例えば、ＣＨ3 −ＣＯ−ＣＨ
2 −ＣＯ−ＣＨ2 −Ｍｅあり、Ｍｅは金属でＺｒ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ、等である。例えば、前記化学式構造でＭｅが
Ｚｒの場合は、ジルコニウムアセチルアセトナートとな
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来の技
術では、前者の場合は、ガラス基板１を荒らす工程があ
るため、専用の処理装置が必要となり、更に、処理時間
や工数がかかる等により、コストが高くなるという問題
点がある。
術では、前者の場合は、ガラス基板１を荒らす工程があ
るため、専用の処理装置が必要となり、更に、処理時間
や工数がかかる等により、コストが高くなるという問題
点がある。
【０００８】また、後者の製造の際においては、有機金
属化合物による絶縁膜の乾燥工程でホットプレート等を
用いて乾燥温度約７０°Ｃ以下で乾燥するため、表面が
均一に乾燥し、その後に形成される配向膜表面も均一に
乾燥するという問題点がある。
属化合物による絶縁膜の乾燥工程でホットプレート等を
用いて乾燥温度約７０°Ｃ以下で乾燥するため、表面が
均一に乾燥し、その後に形成される配向膜表面も均一に
乾燥するという問題点がある。
【０００９】そこで、本発明は上記従来の技術の問題点
に鑑み案出されたもので、絶縁膜の乾燥工程で該膜表面
を凹凸状に形成可能な液晶表示素子の製造方法の提供を
目的としている。
に鑑み案出されたもので、絶縁膜の乾燥工程で該膜表面
を凹凸状に形成可能な液晶表示素子の製造方法の提供を
目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における液晶表示素子の製造方法において
は、透明電極付きガラス基板に、対向電極との短絡を防
止するための絶縁膜を形成する際、絶縁膜の乾燥時に１
００°Ｃ以上の高温で加熱して急速に乾燥させて絶縁膜
表面を凹凸状に形成することを特徴としている。
に、本発明における液晶表示素子の製造方法において
は、透明電極付きガラス基板に、対向電極との短絡を防
止するための絶縁膜を形成する際、絶縁膜の乾燥時に１
００°Ｃ以上の高温で加熱して急速に乾燥させて絶縁膜
表面を凹凸状に形成することを特徴としている。
【００１１】
【作用】絶縁膜の乾燥工程で、乾燥温度を１００°Ｃ以
上とし、さらに、急速に加熱し乾燥させると、塗布膜中
に含まれる有機溶剤等が沸騰しながら該膜が乾燥してい
くために乾燥後、膜表面を凹凸状に形成できる。
上とし、さらに、急速に加熱し乾燥させると、塗布膜中
に含まれる有機溶剤等が沸騰しながら該膜が乾燥してい
くために乾燥後、膜表面を凹凸状に形成できる。
【００１２】そして、該基板を用いて液晶表示素子を作
成すると、対向する基板との間隔（スペース又はギャッ
プ）は均一にならず、凹の部分では広く、凸の部分では
狭い現象を生じさせる。
成すると、対向する基板との間隔（スペース又はギャッ
プ）は均一にならず、凹の部分では広く、凸の部分では
狭い現象を生じさせる。
【００１３】
【実施例】実施例について図１を参照して説明すると、
符号は従来例と同様の符号を用いている。
符号は従来例と同様の符号を用いている。
【００１４】第１の工程Ａではガラス基板１上に透明電
極２が成膜されている。
極２が成膜されている。
【００１５】第２工程Ｂでは、前記透明電極２付ガラス
基板１に対向電極との短絡を防止するための有機金属化
合物による絶縁膜３の塗布を行う。
基板１に対向電極との短絡を防止するための有機金属化
合物による絶縁膜３の塗布を行う。
【００１６】第３工程Ｃでは、絶縁膜３の塗布膜の乾燥
を行い、絶縁膜３表面を凹凸状に形成する工程である。
この乾燥工程Ｃではホットプレート等を用いて１００°
Ｃ以上の高温で加熱して急速に乾燥を行う。
を行い、絶縁膜３表面を凹凸状に形成する工程である。
この乾燥工程Ｃではホットプレート等を用いて１００°
Ｃ以上の高温で加熱して急速に乾燥を行う。
【００１７】また、該工程ＣでＵＶ光を照射する。該Ｕ
Ｖ光は、前記有機金属化合物質に含まれる有機化合物を
分解・除去する為に用いるもので、２５４ｎｍ、１８５
ｎｍ等の短波長側に強いピークを持ったので強いエネル
ギーのものが望ましい。
Ｖ光は、前記有機金属化合物質に含まれる有機化合物を
分解・除去する為に用いるもので、２５４ｎｍ、１８５
ｎｍ等の短波長側に強いピークを持ったので強いエネル
ギーのものが望ましい。
【００１８】更に、ＵＶ光を遮断するマスクは、Ｖの部
分にＵＶ光を当てない為に使用するもので、設置位置は
光源側、基板側（基板上を含む）どちらでも良く、ガラ
ス基板１上に置いても問題のない材質例えば、ＳＵＳの
ものならば良い。
分にＵＶ光を当てない為に使用するもので、設置位置は
光源側、基板側（基板上を含む）どちらでも良く、ガラ
ス基板１上に置いても問題のない材質例えば、ＳＵＳの
ものならば良い。
【００１９】第４の工程Ｄでは、配向膜４を塗布する工
程であり、第５の工程Ｅで該配向膜４の乾燥を行う。更
に、第３の工程ＣにおけるＵＶ光の照射で、有機金属化
合物質に含まれる有機物部分は、ほぼ分解・除去される
が、ＵＶ光のエネルギーだけでは分解されないものもあ
るので、工程Ｄにおいて、加熱焼成を実施して有機金属
化合物膜を金属酸化膜の絶縁膜３にしている。
程であり、第５の工程Ｅで該配向膜４の乾燥を行う。更
に、第３の工程ＣにおけるＵＶ光の照射で、有機金属化
合物質に含まれる有機物部分は、ほぼ分解・除去される
が、ＵＶ光のエネルギーだけでは分解されないものもあ
るので、工程Ｄにおいて、加熱焼成を実施して有機金属
化合物膜を金属酸化膜の絶縁膜３にしている。
【００２０】本実施例では、絶縁膜３を有機金属化合物
としたが、乾燥温度によって膜３表面が凹凸状に形成可
能な絶縁膜物質ならば別の化合物を用いてもよい。
としたが、乾燥温度によって膜３表面が凹凸状に形成可
能な絶縁膜物質ならば別の化合物を用いてもよい。
【００２１】また、絶縁膜３は、乾燥により凹凸になる
もの、その後の工程で膜厚が減少するものが望ましい。
もの、その後の工程で膜厚が減少するものが望ましい。
【００２２】
【発明の効果】本発明は上述の通り構成されているの
で、次に記載する効果を奏する。 Ａ．絶縁膜の乾燥工程では、乾燥温度を１００°Ｃ以上
とし、さらに、急速に加熱し乾燥させ、塗布膜中に含ま
れる有機溶剤等が沸騰しながら膜が乾燥していくために
乾燥後、膜表面を凹凸状に形成できる。
で、次に記載する効果を奏する。 Ａ．絶縁膜の乾燥工程では、乾燥温度を１００°Ｃ以上
とし、さらに、急速に加熱し乾燥させ、塗布膜中に含ま
れる有機溶剤等が沸騰しながら膜が乾燥していくために
乾燥後、膜表面を凹凸状に形成できる。
【００２３】Ｂ．表面を凹凸状にした基板を用いて液晶
表示素子を作成すると、対向する基板との間隔（スペー
ス又はギャップ）は均一にならず、凹の部分では広く、
凸の部分では狭い現象となる。従って、同一面内でいろ
いろな部分的に違うギャップの液晶表示素子が作ること
ができ、更に、ＴＮモードの液晶表示素子等では表示の
コントラスト等を向上させることができる。
表示素子を作成すると、対向する基板との間隔（スペー
ス又はギャップ）は均一にならず、凹の部分では広く、
凸の部分では狭い現象となる。従って、同一面内でいろ
いろな部分的に違うギャップの液晶表示素子が作ること
ができ、更に、ＴＮモードの液晶表示素子等では表示の
コントラスト等を向上させることができる。
【図１】本発明の液晶表示素子の製造工程図である。
【図２】従来の液晶表示素子の正面図である。
【図３】従来の液晶表示素子の製造工程図である。
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 絶縁膜 ４ 配向膜
Claims (1)
- 【請求項１】透明電極付きガラス基板に、対向電極との
短絡を防止するための絶縁膜を形成する際、絶縁膜の乾
燥時に１００°Ｃ以上の高温で加熱して急速に乾燥させ
て絶縁膜表面を凹凸状に形成することを特徴とする液晶
表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32229691A JPH05134253A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32229691A JPH05134253A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05134253A true JPH05134253A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=18142048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32229691A Pending JPH05134253A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05134253A (ja) |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP32229691A patent/JPH05134253A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4670097A (en) | Method for patterning transparent layers on a transparent substrate | |
| US20030012869A1 (en) | Pattern forming method and method for manufacturing liquid crystal display device using the same | |
| JP2701765B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11119013A (ja) | 反射体の製造方法及び製造装置 | |
| JPH053136B2 (ja) | ||
| JPH05134253A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| US20170200910A1 (en) | Organic thin film transistor, display substrate and display apparatus having the same, and fabricating method thereof | |
| JP2524272B2 (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JP2002156651A (ja) | パターン形成方法及びそれを用いた反射型液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS6229143A (ja) | 材料を半導体ウエハに適用する方法 | |
| JPH05134247A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JP2529141B2 (ja) | 液晶基板の製造方法 | |
| US5382317A (en) | Method of selectively applying a coating to a bilevel substrate | |
| JP2003068598A (ja) | ベーキング方法及びベーキング装置 | |
| JPH0341716A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3157934B2 (ja) | 薄膜加工方法 | |
| JPH06275508A (ja) | レジスト層の形成方法 | |
| JP2002292635A (ja) | スタンパ製造方法及び導光板 | |
| CN1420391A (zh) | 双层光刻过程 | |
| JPH0339340B2 (ja) | ||
| JPH06216062A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003014781A (ja) | プローブ基板及びその製造方法 | |
| JPH0414224A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04330727A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH04235529A (ja) | 配線基板の製造方法 |