JPH05136232A - 欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査装置Info
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- JPH05136232A JPH05136232A JP29331891A JP29331891A JPH05136232A JP H05136232 A JPH05136232 A JP H05136232A JP 29331891 A JP29331891 A JP 29331891A JP 29331891 A JP29331891 A JP 29331891A JP H05136232 A JPH05136232 A JP H05136232A
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】レチクルのチップ間の比較欠陥検査装置におい
て、スクライブ領域での疑似欠陥の発生を抑え、欠陥検
査の効率を上げる。 【構成】チップサイズＷｘ，Ｗｙ、スクライブ幅Ｗｓお
よびチップ配列を入力することにより、本データ領域３
のみの欠陥検査を行う。
て、スクライブ領域での疑似欠陥の発生を抑え、欠陥検
査の効率を上げる。 【構成】チップサイズＷｘ，Ｗｙ、スクライブ幅Ｗｓお
よびチップ配列を入力することにより、本データ領域３
のみの欠陥検査を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等の製造の
フォト工程に使用するレチクルの、欠陥検査に関する。
フォト工程に使用するレチクルの、欠陥検査に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフォトマスクの欠陥検査装置の例
を図２従って説明する。
を図２従って説明する。
【０００３】図３は、従来例の透過型フォトマスク欠陥
検査装置の概要図である。
検査装置の概要図である。
【０００４】Ｘステージ８にセットされたレチクル１
に、水銀ランプ７の光を光ファイバー１６と左右の投光
レンズ１４、１５を経由して照射し、レチクル１のクロ
ムパターンの無い部分を透過した光を投光レンズと対向
する２個の対物レンズ４、５で受光し、それらのパター
ン信号を演算回路１３において比較し、欠陥の有無を判
別する。
に、水銀ランプ７の光を光ファイバー１６と左右の投光
レンズ１４、１５を経由して照射し、レチクル１のクロ
ムパターンの無い部分を透過した光を投光レンズと対向
する２個の対物レンズ４、５で受光し、それらのパター
ン信号を演算回路１３において比較し、欠陥の有無を判
別する。
【０００５】なお左右の対物レンズ４、５及び投光レン
ズ１４、１５は、同一のパターン信号を検出できるよう
にそれらの間隔を調整でき、通常その間隔はチップピッ
チの整数倍に設定される。
ズ１４、１５は、同一のパターン信号を検出できるよう
にそれらの間隔を調整でき、通常その間隔はチップピッ
チの整数倍に設定される。
【０００６】またＸ軸モーター１０によりＸステージ８
を１回スキャンする毎に、Ｙ軸モーター１１によりＹス
テージ９を一定量送ることの繰り返しにより、検査領域
全面におけるフォトマスク１の欠陥の自動検出が可能と
なる。
を１回スキャンする毎に、Ｙ軸モーター１１によりＹス
テージ９を一定量送ることの繰り返しにより、検査領域
全面におけるフォトマスク１の欠陥の自動検出が可能と
なる。
【０００７】さらに自動検出した結果は、モニター１２
を用い目視確認を行なう。
を用い目視確認を行なう。
【０００８】図２は、従来技術のレチクルの欠陥検査装
置による検査領域を示す図である。レチクル１の欠陥検
査を行う場合、左右の対物レンズ４、５は、パターン領
域２の内側にある本データ領域３のコーナーに配置され
たＬ字等のマークを目安にして、本データ領域３の左上
にセットされる。よって、ステージがスキャンして検査
する範囲は、検査領域６に示す範囲となる。
置による検査領域を示す図である。レチクル１の欠陥検
査を行う場合、左右の対物レンズ４、５は、パターン領
域２の内側にある本データ領域３のコーナーに配置され
たＬ字等のマークを目安にして、本データ領域３の左上
にセットされる。よって、ステージがスキャンして検査
する範囲は、検査領域６に示す範囲となる。
【０００９】つまり、実際に検査している範囲は、パタ
ーン領域２から左下にスクライブ幅の２分の１だけずれ
た領域となっていた。
ーン領域２から左下にスクライブ幅の２分の１だけずれ
た領域となっていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術の欠陥検査装置は、レチクル等のスクライブ領域も含
めて検査を行うため、検査に時間がかかる、またスクラ
イブ領域において疑似欠陥が多数発生することにより、
検査後の欠陥の確認に時間がかかるという課題を有して
いた。
術の欠陥検査装置は、レチクル等のスクライブ領域も含
めて検査を行うため、検査に時間がかかる、またスクラ
イブ領域において疑似欠陥が多数発生することにより、
検査後の欠陥の確認に時間がかかるという課題を有して
いた。
【００１１】そこで本発明はこのような課題を解決する
もので、その目的とするところは、必要な領域のみの欠
陥検査ができる欠陥検査装置を提供することである。
もので、その目的とするところは、必要な領域のみの欠
陥検査ができる欠陥検査装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の欠陥検査装置は、フォトマスクをセットし
たステージをスキャンさせながら取り込んだ前記フォト
マスクのパターン信号を、前記フォトマスクのパターン
と、異なる位置に存在しかつ同一であるパターンのパタ
ーン信号と比較することによって、欠陥検査を行う装置
において、検査すべき領域を任意に設定し、その設定さ
れた領域のみステージをスキャンすることを特徴とす
る。
め、本発明の欠陥検査装置は、フォトマスクをセットし
たステージをスキャンさせながら取り込んだ前記フォト
マスクのパターン信号を、前記フォトマスクのパターン
と、異なる位置に存在しかつ同一であるパターンのパタ
ーン信号と比較することによって、欠陥検査を行う装置
において、検査すべき領域を任意に設定し、その設定さ
れた領域のみステージをスキャンすることを特徴とす
る。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説
明する。
明する。
【００１４】図１（ａ）は、本発明のレチクルの欠陥検
査装置による検査領域を示す図である。
査装置による検査領域を示す図である。
【００１５】また、図１（ｂ）は、本発明のレチクルの
欠陥検査装置による検査領域の指定方法を示す図であ
る。
欠陥検査装置による検査領域の指定方法を示す図であ
る。
【００１６】本データの幅Ｄは、チップの幅Ｗよりスク
ライブの幅Ｗｓを引いた値であり、Ｘ方向、Ｙ方向の値
はそれぞれ、 Ｄｘ＝Ｗｘ−Ｗｓ Ｄｙ＝Ｗｙ−Ｗｓ となる。
ライブの幅Ｗｓを引いた値であり、Ｘ方向、Ｙ方向の値
はそれぞれ、 Ｄｘ＝Ｗｘ−Ｗｓ Ｄｙ＝Ｗｙ−Ｗｓ となる。
【００１７】そこで、最も簡単な本データ領域の指定方
法としては、従来入力していたチップサイズＷｘ，Ｗｙ
とともにスクライブの幅Ｗｓを指定する方法が上げられ
る。この方法により、後はチップ配列の指定を行うこと
により図１（ａ）に示すように本データ領域３のみの欠
陥検査を行うことが可能となる。
法としては、従来入力していたチップサイズＷｘ，Ｗｙ
とともにスクライブの幅Ｗｓを指定する方法が上げられ
る。この方法により、後はチップ配列の指定を行うこと
により図１（ａ）に示すように本データ領域３のみの欠
陥検査を行うことが可能となる。
【００１８】また、半導体装置等の製造のフォト工程に
おけるレチクルの欠陥検査では、本データ領域の欠陥及
びパーティクルの状態が重要であり、スクライブ領域に
ついては、ほとんど無視できる。そこで、本発明の欠陥
検査装置を用いて、レチクル、またはレチクルのパター
ンを転写したウエハーを検査することにより、検査時間
の短縮、検査後の欠陥、パーティクル確認の時間の短縮
が図られる。
おけるレチクルの欠陥検査では、本データ領域の欠陥及
びパーティクルの状態が重要であり、スクライブ領域に
ついては、ほとんど無視できる。そこで、本発明の欠陥
検査装置を用いて、レチクル、またはレチクルのパター
ンを転写したウエハーを検査することにより、検査時間
の短縮、検査後の欠陥、パーティクル確認の時間の短縮
が図られる。
【００１９】さらに、本発明のレチクルの欠陥検査装置
を、ステージをスキャンさせながら取り込んだフォトマ
スクのパターン信号を設計データと比較することにより
欠陥検査を行う装置と、組み合わせることも可能であ
る。
を、ステージをスキャンさせながら取り込んだフォトマ
スクのパターン信号を設計データと比較することにより
欠陥検査を行う装置と、組み合わせることも可能であ
る。
【００２０】レチクルの製造においてレチクル基板上に
形成されたパターンと、そのパターンの元となる設計デ
ータとの比較検査は重要な工程のひとつである。しか
し、設計データとレチクルパターンとの比較検査は、レ
チクル全面をスキャンして検査するには膨大な時間を要
する。
形成されたパターンと、そのパターンの元となる設計デ
ータとの比較検査は重要な工程のひとつである。しか
し、設計データとレチクルパターンとの比較検査は、レ
チクル全面をスキャンして検査するには膨大な時間を要
する。
【００２１】そこで、設計データとの比較検査は１チッ
プとスクライブ領域だけ行い、チップ間の比較検査は本
発明の欠陥検査方法を用いることにより、検査時間が短
く効率的な欠陥検査が可能となる。
プとスクライブ領域だけ行い、チップ間の比較検査は本
発明の欠陥検査方法を用いることにより、検査時間が短
く効率的な欠陥検査が可能となる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の欠陥検査装置は、以上に説明し
たように、検査すべき領域を任意に設定し、その設定さ
れた領域のみステージをスキャンさせるという簡単な方
法によって、レチクルの欠陥、パーティクルの検査及び
検査後の確認にかかる時間を、削減できるという効果を
有する。
たように、検査すべき領域を任意に設定し、その設定さ
れた領域のみステージをスキャンさせるという簡単な方
法によって、レチクルの欠陥、パーティクルの検査及び
検査後の確認にかかる時間を、削減できるという効果を
有する。
【００２３】また、半導体装置の製造のフォト工程にお
ける、レチクルの検査を効率良く処理できるという効果
も有する。
ける、レチクルの検査を効率良く処理できるという効果
も有する。
【００２４】さらに、レチクルの製造の欠陥検査におけ
る、検査時間を短縮するとともに、設計データとレチク
ルパターンとの比較検査装置の負荷を軽くするという効
果も有する。
る、検査時間を短縮するとともに、設計データとレチク
ルパターンとの比較検査装置の負荷を軽くするという効
果も有する。
【図１】（ａ）は本発明のレチクルの欠陥検査装置によ
る検査領域を示す図、（ｂ）は本発明のレチクルの欠陥
検査装置による検査領域の指定方法を示す図。
る検査領域を示す図、（ｂ）は本発明のレチクルの欠陥
検査装置による検査領域の指定方法を示す図。
【図２】従来技術のレチクルの欠陥検査装置による検査
領域を示す図。
領域を示す図。
【図３】従来例の透過型フォトマスク欠陥検査装置の概
要図。
要図。
１ レチクル ２ パターン領域 ３ 本データ領域 ４ 左対物レンズ ５ 右対物レンズ ６ 検査領域 ７ 水銀ランプ ８ Ｘステージ ９ Ｙステージ １０ Ｘ軸モーター １１ Ｙ軸モーター １２ モニター １３ 演算回路 １４ 左投光レンズ １５ 右投光レンズ １６ 光ファイバー
Claims (1)
- 【請求項１】フォトマスクをセットしたステージをスキ
ャンさせながら取り込んだ前記フォトマスクのパターン
信号を、前記フォトマスクのパターンと、異なる位置に
存在しかつ同一であるパターンのパターン信号と比較す
ることによって、欠陥検査を行う装置において、検査す
べき領域を任意に設定し、その設定された領域のみステ
ージをスキャンすることを特徴とする欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29331891A JPH05136232A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29331891A JPH05136232A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136232A true JPH05136232A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17793283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29331891A Pending JPH05136232A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136232A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002032739A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Anritsu Corp | ２値化処理装置 |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP29331891A patent/JPH05136232A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002032739A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Anritsu Corp | ２値化処理装置 |
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