JPH05139736A - 酸化物超電導体 - Google Patents
酸化物超電導体Info
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- JPH05139736A JPH05139736A JP3298979A JP29897991A JPH05139736A JP H05139736 A JPH05139736 A JP H05139736A JP 3298979 A JP3298979 A JP 3298979A JP 29897991 A JP29897991 A JP 29897991A JP H05139736 A JPH05139736 A JP H05139736A
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- Japan
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- oxide superconductor
- superconductor
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 臨界電流密度を向上させた酸化物超電導体の
提供を目的とする。 【構成】 酸化物超電導体において、前記酸化物超電導
体を構成する結晶中に、たとえば３価のTi酸化物，３価
のZr酸化物，４価のNb酸化物，６価の W酸化物など、６
個の酸素イオンが存在して八面体を形成する金属酸化物
および４個の酸素イオンが存在して平面体を形成する金
属酸化物の群れから選ばれた少なくともいずれか１種の
絶縁相を析出ないしクラスターさせて成ることを特徴と
する。すなわち、酸化物超電導体を成すの結晶中１に、
Tiなどを注入（導入）してそれらの酸化物絶縁相をクラ
スター2aや析出物2bとして形成・存在させ、これらを磁
束のピン止め中心（超電導のコヒーレンス長の２倍程度
以上の大きさを持つ強いピン止め中心）として機能させ
ることを骨子とする。
提供を目的とする。 【構成】 酸化物超電導体において、前記酸化物超電導
体を構成する結晶中に、たとえば３価のTi酸化物，３価
のZr酸化物，４価のNb酸化物，６価の W酸化物など、６
個の酸素イオンが存在して八面体を形成する金属酸化物
および４個の酸素イオンが存在して平面体を形成する金
属酸化物の群れから選ばれた少なくともいずれか１種の
絶縁相を析出ないしクラスターさせて成ることを特徴と
する。すなわち、酸化物超電導体を成すの結晶中１に、
Tiなどを注入（導入）してそれらの酸化物絶縁相をクラ
スター2aや析出物2bとして形成・存在させ、これらを磁
束のピン止め中心（超電導のコヒーレンス長の２倍程度
以上の大きさを持つ強いピン止め中心）として機能させ
ることを骨子とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、臨界電流密度の向上・
改善を図った酸化物超電導体に関する。
改善を図った酸化物超電導体に関する。
【０００２】
【従来の技術】1986年に、Ba-La-Cu-O系の層状ペロブス
カイト型の酸化物が、40Ｋ以上の高い臨界温度を有する
酸化物系超電導体として機能することが発表されて以
来、酸化物系の超電導体が注目を集め、新材料探索の研
究が活発に行われている。その中でも、液体窒素温度以
上の高い臨界温度を有する Y-Ba-Cu-O系で代表される擬
ペロブスカイト型の酸化物超電導体や、Bi-Sr-Ca-Cu-O
系および Tl-Ba-Ca-Cu-O系の酸化物超電導体などは、冷
媒として高価な液体ヘリウムに代えて、安価な液体窒素
を利用できるため、工業的にも高く評価されている。
カイト型の酸化物が、40Ｋ以上の高い臨界温度を有する
酸化物系超電導体として機能することが発表されて以
来、酸化物系の超電導体が注目を集め、新材料探索の研
究が活発に行われている。その中でも、液体窒素温度以
上の高い臨界温度を有する Y-Ba-Cu-O系で代表される擬
ペロブスカイト型の酸化物超電導体や、Bi-Sr-Ca-Cu-O
系および Tl-Ba-Ca-Cu-O系の酸化物超電導体などは、冷
媒として高価な液体ヘリウムに代えて、安価な液体窒素
を利用できるため、工業的にも高く評価されている。
【０００３】そして、この種のCu（銅）系の酸化物超電
導体は、Cuと Oとから成る八面体（もしくはこれに類似
のもの）によって主に構成されており、またこのCu系の
酸化物超電導体では、電流が２次元の CuO2 面内を流れ
ることで特徴付けられている。
導体は、Cuと Oとから成る八面体（もしくはこれに類似
のもの）によって主に構成されており、またこのCu系の
酸化物超電導体では、電流が２次元の CuO2 面内を流れ
ることで特徴付けられている。
【０００４】ところで、上記酸化物系の高温超電導体
は、液体窒素温度以上の臨界温度を有しているものの、
実用化に向けては、さらに臨界電流密度を高めることが
強く望まれている。すなわち、この種の酸化物系高温超
電導体においては、たとえ105 A/cm2 程度と僅かでも臨
界電流密度を向上させることが可能になれば、より高磁
場の発生と高磁場中での使用が可能となるし、また液体
ヘリウムによって冷却を行っていた超電導マグネットを
液体窒素によって冷却を行うことが可能となるため、実
用的に大きな利点が得られる。
は、液体窒素温度以上の臨界温度を有しているものの、
実用化に向けては、さらに臨界電流密度を高めることが
強く望まれている。すなわち、この種の酸化物系高温超
電導体においては、たとえ105 A/cm2 程度と僅かでも臨
界電流密度を向上させることが可能になれば、より高磁
場の発生と高磁場中での使用が可能となるし、また液体
ヘリウムによって冷却を行っていた超電導マグネットを
液体窒素によって冷却を行うことが可能となるため、実
用的に大きな利点が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】こうした要望に対し
て、前記酸化物超電導体の臨界電流密度をさらに向上さ
せる試みがなされている。たとえば、酸化物超電導体の
双晶界面を使って、磁束のピン止め中心を導入すること
によって、臨界電流密度を向上させる試みなどが報告さ
れている。
て、前記酸化物超電導体の臨界電流密度をさらに向上さ
せる試みがなされている。たとえば、酸化物超電導体の
双晶界面を使って、磁束のピン止め中心を導入すること
によって、臨界電流密度を向上させる試みなどが報告さ
れている。
【０００６】しかし、たとえば Bi-Sr-Ca-Cu-O系につい
てみると、超電導のコヒーレンス長は、20オングストロ
ーム程度で、強いピン止め力が働くにはピン止め中心に
なる40オングストローム程度以上の絶縁相が必要である
のに対し、双晶界面には充分な絶縁相が存在しない。し
たがって、双晶界面をピン止め中心とする手段では、十
分なピン止め力が得られず、高い臨界電流密度を実現す
ることは不可能であった。
てみると、超電導のコヒーレンス長は、20オングストロ
ーム程度で、強いピン止め力が働くにはピン止め中心に
なる40オングストローム程度以上の絶縁相が必要である
のに対し、双晶界面には充分な絶縁相が存在しない。し
たがって、双晶界面をピン止め中心とする手段では、十
分なピン止め力が得られず、高い臨界電流密度を実現す
ることは不可能であった。
【０００７】本発明は、このような課題に対処してなさ
れたもので、臨界電流密度を向上させた酸化物超電導体
の提供を目的とする。
れたもので、臨界電流密度を向上させた酸化物超電導体
の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、酸化
物超電導体において、前記酸化物超電導体を構成する結
晶中に、６個の酸素イオンが存在して八面体を成す金属
酸化物および４個の酸素イオンが存在して平面体を成す
金属酸化物から選ばれた少なくともいずれか１種の絶縁
相を析出ないしクラスターさせて成ることを特徴とす
る。
物超電導体において、前記酸化物超電導体を構成する結
晶中に、６個の酸素イオンが存在して八面体を成す金属
酸化物および４個の酸素イオンが存在して平面体を成す
金属酸化物から選ばれた少なくともいずれか１種の絶縁
相を析出ないしクラスターさせて成ることを特徴とす
る。
【０００９】さらに具体的には、前記酸化物超電導体を
構成する結晶中に、３価のTi酸化物，３価のZr酸化物，
４価のNb酸化物，６価の W酸化物の少なくともいずれか
１種の絶縁相を析出ないしクラスターさせて成ることを
特徴とする。
構成する結晶中に、３価のTi酸化物，３価のZr酸化物，
４価のNb酸化物，６価の W酸化物の少なくともいずれか
１種の絶縁相を析出ないしクラスターさせて成ることを
特徴とする。
【００１０】本発明における酸化物超電導体としては、
たとえば希土類元素含有のペロブスカイト型構造を有す
る酸化物超電導体や、La-M-Cu-O 系（M=Sr,Ba)、 Bi-Sr
-Ca-Cu-O系、Tl-Ba-Ca-Cu-O 系，Nd-Ce-Cu-O系酸化物超
電導体など、各種の酸化物超電導体が挙げられる。ま
た、これら酸化物超電導体の具体的な形態は、特に限定
されるものではなく、たとえば、粉体、焼結体などのバ
ルク体、線状体、薄膜などその形態は何等限定されな
い。
たとえば希土類元素含有のペロブスカイト型構造を有す
る酸化物超電導体や、La-M-Cu-O 系（M=Sr,Ba)、 Bi-Sr
-Ca-Cu-O系、Tl-Ba-Ca-Cu-O 系，Nd-Ce-Cu-O系酸化物超
電導体など、各種の酸化物超電導体が挙げられる。ま
た、これら酸化物超電導体の具体的な形態は、特に限定
されるものではなく、たとえば、粉体、焼結体などのバ
ルク体、線状体、薄膜などその形態は何等限定されな
い。
【００１１】本発明に係る酸化物超電導体において、酸
化物超電導体の結晶中に所要の酸化物絶縁相を形成させ
る方法としては、以下に示す方法が例示される。
化物超電導体の結晶中に所要の酸化物絶縁相を形成させ
る方法としては、以下に示す方法が例示される。
【００１２】(1) たとえば、３価のTi酸化物，３価のZr
酸化物，４価のNb酸化物，６価の W酸化物の少なくとも
いずれか１種の酸化物絶縁相を銅酸化物超電導体中に析
出させる。
酸化物，４価のNb酸化物，６価の W酸化物の少なくとも
いずれか１種の酸化物絶縁相を銅酸化物超電導体中に析
出させる。
【００１３】(2) 銅酸化物超電導体中のCu原子を、たと
えば３価のTi,Zr 原子、４価のNb原子、６価のW 原子の
少なくともいずれか１種の原子で置換する。
えば３価のTi,Zr 原子、４価のNb原子、６価のW 原子の
少なくともいずれか１種の原子で置換する。
【００１４】
【作用】本発明の酸化物超電導体においては、たとえば
３価のTiイオンやZrイオン，４価のNbイオンなどの場
合、それらTiなどの周囲に６個の酸素イオンが存在して
八面体を作るとき、八面体が面方向に伸びると絶縁体
（相）になる。また、６価のWのイオン周囲に６個の酸
素イオンが存在して八面体を作る場合も絶縁体（相）に
なる。さらに、Ti，Zr,Nbなどと同一平面に４個の酸素
が存在し正方形を作る場合も絶縁体（相）になる。そし
て、これらの絶縁相は、酸化物超電導体を構成する結晶
中でクラスター（原子の集合体）や、さらに大きな析出
物を形成して存在し、それらのクラスター中や析出物中
では、超電導の秩序パラメータが小さいか、もしくは零
となり、磁場中では磁束が侵入することになる。そし
て、磁束が超電導状態にある領域に移動するには、その
磁束が侵入する部分の超電導状態を壊すエネルギーを余
分に必要とする。したがって、磁束はクラスターや析出
物などの絶縁相に止まる方が安定な状態を呈することに
なるので、前記クラスターや析出物は、磁束のピン止め
中心として機能する。
３価のTiイオンやZrイオン，４価のNbイオンなどの場
合、それらTiなどの周囲に６個の酸素イオンが存在して
八面体を作るとき、八面体が面方向に伸びると絶縁体
（相）になる。また、６価のWのイオン周囲に６個の酸
素イオンが存在して八面体を作る場合も絶縁体（相）に
なる。さらに、Ti，Zr,Nbなどと同一平面に４個の酸素
が存在し正方形を作る場合も絶縁体（相）になる。そし
て、これらの絶縁相は、酸化物超電導体を構成する結晶
中でクラスター（原子の集合体）や、さらに大きな析出
物を形成して存在し、それらのクラスター中や析出物中
では、超電導の秩序パラメータが小さいか、もしくは零
となり、磁場中では磁束が侵入することになる。そし
て、磁束が超電導状態にある領域に移動するには、その
磁束が侵入する部分の超電導状態を壊すエネルギーを余
分に必要とする。したがって、磁束はクラスターや析出
物などの絶縁相に止まる方が安定な状態を呈することに
なるので、前記クラスターや析出物は、磁束のピン止め
中心として機能する。
【００１５】ところで、前記ピン止め中心に存在する磁
束をずらすのに必要な力が、いわゆるピン止め力で、こ
のピン止め中心の大きさが超電導のコヒーレンス長の２
倍程度以上のときピン止め力は強くなる。しかして、本
発明に係る酸化物超電導体においては、コヒーレンス長
の２倍程度以上の大きさを持つピン止め力の強いクラス
ターや析出物を、その酸化物超電導体を構成する結晶中
に形成・存在させた構成としてあるため、臨界電流密度
の向上が可能となる。
束をずらすのに必要な力が、いわゆるピン止め力で、こ
のピン止め中心の大きさが超電導のコヒーレンス長の２
倍程度以上のときピン止め力は強くなる。しかして、本
発明に係る酸化物超電導体においては、コヒーレンス長
の２倍程度以上の大きさを持つピン止め力の強いクラス
ターや析出物を、その酸化物超電導体を構成する結晶中
に形成・存在させた構成としてあるため、臨界電流密度
の向上が可能となる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１７】実施例１ 出発原料として、 Y2 O3 、 B2 O 3 、BaCO3 、CuO の
各粉末を用意し、これらを陽イオンの原子比が、 Y：B
a：Cu＝ 1： 2： 3となるように所定量秤量し、Tiを添
加して、これを充分に混合した後、大気中で 840℃×48
時間の条件で仮焼し、この仮焼物をボールミルで充分に
粉砕した。
各粉末を用意し、これらを陽イオンの原子比が、 Y：B
a：Cu＝ 1： 2： 3となるように所定量秤量し、Tiを添
加して、これを充分に混合した後、大気中で 840℃×48
時間の条件で仮焼し、この仮焼物をボールミルで充分に
粉砕した。
【００１８】次に、上記仮焼粉をペレット状にプレス成
型した後、この成型体を酸素気流中において 900℃×48
時間の条件で焼成してから、引き続き酸素気流中で徐冷
して、 Y系酸化物超電導体を製造した。
型した後、この成型体を酸素気流中において 900℃×48
時間の条件で焼成してから、引き続き酸素気流中で徐冷
して、 Y系酸化物超電導体を製造した。
【００１９】このようにして得た Y系酸化物超電導体
は、 Y系酸化物超電導体を構成する結晶内にTi酸化物絶
縁相が導入された構成を成していた。すなわち、前記で
得た Y系酸化物超電導体について、その結晶面の状態を
電子顕微鏡で観察したところ、図１に模式的に示すよう
に、 Y系酸化物超電導体を成す結晶中１に導入されたTi
が、Ti酸化物絶縁相のクラスター2aや析出物2bを形成さ
れ存在していた。
は、 Y系酸化物超電導体を構成する結晶内にTi酸化物絶
縁相が導入された構成を成していた。すなわち、前記で
得た Y系酸化物超電導体について、その結晶面の状態を
電子顕微鏡で観察したところ、図１に模式的に示すよう
に、 Y系酸化物超電導体を成す結晶中１に導入されたTi
が、Ti酸化物絶縁相のクラスター2aや析出物2bを形成さ
れ存在していた。
【００２０】このように、 Y系酸化物超電導体を成す結
晶中に、ピン止め力の強いTi酸化物絶縁相のクラスター
や析出物を、ピン止め中心として形成・存在させた Y系
酸化物超電導体について、臨界電流密度を測定したとこ
ろ臨界電流密度は 2×104 A/cm2 であった。この値は前
記のTi酸化物絶縁相（クラスターや析出物）を、ピン止
め中心として形成・存在させなかった Y系酸化物超電導
体の臨界電流密度 1×104 A/cm2 に比べて向上が図れて
いた。
晶中に、ピン止め力の強いTi酸化物絶縁相のクラスター
や析出物を、ピン止め中心として形成・存在させた Y系
酸化物超電導体について、臨界電流密度を測定したとこ
ろ臨界電流密度は 2×104 A/cm2 であった。この値は前
記のTi酸化物絶縁相（クラスターや析出物）を、ピン止
め中心として形成・存在させなかった Y系酸化物超電導
体の臨界電流密度 1×104 A/cm2 に比べて向上が図れて
いた。
【００２１】なお、上記実施例では、Ｙ系酸化物超電導
体を用いた例について説明したが、Bi系やTl系などの他
の酸化物超電導体についても、同様の効果が得られた。
また前記において、Tiの一部をZrで置換もしくはTiの代
りにZrを用いた他は同様の手段により、酸化物超電導体
を成す結晶内にZr酸化物絶縁相を導入した構成の場合も
同様の効果が認められた。
体を用いた例について説明したが、Bi系やTl系などの他
の酸化物超電導体についても、同様の効果が得られた。
また前記において、Tiの一部をZrで置換もしくはTiの代
りにZrを用いた他は同様の手段により、酸化物超電導体
を成す結晶内にZr酸化物絶縁相を導入した構成の場合も
同様の効果が認められた。
【００２２】実施例２ 出発原料として、 Y2 O3 、 B2 O 3 、BaCO3 、CuO の
各粉末を用意し、これらを陽イオンの原子比が、 Y：B
a：Cu＝ 1： 2： 3となるように所定量秤量し、Nbを添
加して、これを充分に混合した後、大気中で 840℃×48
時間の条件で仮焼し、この仮焼物をボールミルで充分に
粉砕した。
各粉末を用意し、これらを陽イオンの原子比が、 Y：B
a：Cu＝ 1： 2： 3となるように所定量秤量し、Nbを添
加して、これを充分に混合した後、大気中で 840℃×48
時間の条件で仮焼し、この仮焼物をボールミルで充分に
粉砕した。
【００２３】次に、上記仮焼粉をペレット状にプレス成
型した後、この成型体を酸素気流中において 900℃×48
時間の条件で焼成してから、引き続き酸素気流中で徐冷
して、 Y系酸化物超電導体を製造した。
型した後、この成型体を酸素気流中において 900℃×48
時間の条件で焼成してから、引き続き酸素気流中で徐冷
して、 Y系酸化物超電導体を製造した。
【００２４】このようにして得た Y系酸化物超電導体
は、 Y系酸化物超電導体を構成する結晶内にNb酸化物絶
縁相が導入された構成を成していた。すなわち、前記で
得た Y系酸化物超電導体について、その結晶面の状態を
電子顕微鏡で観察したところ、前記図１に模式的に示し
た場合と同様に、 Y系酸化物超電導体を成す結晶中１に
導入されたNbが、Nb酸化物絶縁相のクラスターや析出物
を形成され存在していた。 このように、 Y系酸化物超
電導体を成す結晶中に、ピン止め力の強いNb酸化物絶縁
相のクラスターや析出物を、ピン止め中心として形成・
存在させた Y系酸化物超電導体について、臨界電流密度
を測定したところ臨界電流密度は 2×104 A/cm2 であっ
た。この値は前記のNb酸化物絶縁相（クラスターや析出
物）を、ピン止め中心として形成・存在させなかった Y
系酸化物超電導体の臨界電流密度 2×104 A/cm2 に比べ
て向上が図れていた。
は、 Y系酸化物超電導体を構成する結晶内にNb酸化物絶
縁相が導入された構成を成していた。すなわち、前記で
得た Y系酸化物超電導体について、その結晶面の状態を
電子顕微鏡で観察したところ、前記図１に模式的に示し
た場合と同様に、 Y系酸化物超電導体を成す結晶中１に
導入されたNbが、Nb酸化物絶縁相のクラスターや析出物
を形成され存在していた。 このように、 Y系酸化物超
電導体を成す結晶中に、ピン止め力の強いNb酸化物絶縁
相のクラスターや析出物を、ピン止め中心として形成・
存在させた Y系酸化物超電導体について、臨界電流密度
を測定したところ臨界電流密度は 2×104 A/cm2 であっ
た。この値は前記のNb酸化物絶縁相（クラスターや析出
物）を、ピン止め中心として形成・存在させなかった Y
系酸化物超電導体の臨界電流密度 2×104 A/cm2 に比べ
て向上が図れていた。
【００２５】なお、上記実施例では、Ｙ系酸化物超電導
体を用いた例について説明したが、Bi系やTl系などの他
の酸化物超電導体についても、同様の効果が得られた。
また前記において、Nbの代りに Wを用いた他は同様の手
段により、酸化物超電導体を成す結晶内に W酸化物絶縁
相を導入した構成の場合も同様の効果が認められた。
体を用いた例について説明したが、Bi系やTl系などの他
の酸化物超電導体についても、同様の効果が得られた。
また前記において、Nbの代りに Wを用いた他は同様の手
段により、酸化物超電導体を成す結晶内に W酸化物絶縁
相を導入した構成の場合も同様の効果が認められた。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る酸化
物超電導体においては、酸化物超電導体を成す結晶中
に、Tiなどの酸化物絶縁相のクラスターや析出物が形成
・存在しており、かつこれらの酸化物絶縁相（クラスタ
ーや析出物）が、超電導のコヒーレンス長の２倍程度以
上の大きさを持つ強いピン止め中心として機能するた
め、臨界電流密度がさらに向上された酸化物超電導体と
して実用に供し得ることになる。
物超電導体においては、酸化物超電導体を成す結晶中
に、Tiなどの酸化物絶縁相のクラスターや析出物が形成
・存在しており、かつこれらの酸化物絶縁相（クラスタ
ーや析出物）が、超電導のコヒーレンス長の２倍程度以
上の大きさを持つ強いピン止め中心として機能するた
め、臨界電流密度がさらに向上された酸化物超電導体と
して実用に供し得ることになる。
【図１】本発明に係る酸化物超電導体を成す結晶中に形
成・存在する酸化物絶縁相のクラスターや析出物の分布
例を示す模式図。
成・存在する酸化物絶縁相のクラスターや析出物の分布
例を示す模式図。
１…Ｙ系酸化物超電導体結晶 2a…Ti酸化物絶縁相の
クラスター2b…Ti酸化物絶縁相の析出物
クラスター2b…Ti酸化物絶縁相の析出物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｚ 8728−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 酸化物超電導体において、前記酸化物超
電導体を構成する結晶中に、６個の酸素イオンが存在し
て八面体を成す金属酸化物および４個の酸素イオンが存
在して平面体を成す金属酸化物から選ばれたの少なくと
もいずれか１種の絶縁相を析出ないしクラスターさせて
成ることを特徴とする酸化物超電導体。 - 【請求項２】 請求項１記載の酸化物超電導体におい
て、前記酸化物超電導体を構成する結晶中に析出ないし
クラスターする絶縁相が、３価のTi酸化物，３価のZr酸
化物，４価のNb酸化物，６価の W酸化物の少なくともい
ずれか１種の絶縁相であることを特徴とする酸化物超電
導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3298979A JPH05139736A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 酸化物超電導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3298979A JPH05139736A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 酸化物超電導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05139736A true JPH05139736A (ja) | 1993-06-08 |
Family
ID=17866666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3298979A Withdrawn JPH05139736A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 酸化物超電導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05139736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021956A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Korea Electrotechnology Research Inst | 補助クラスタービームの噴射による高温超伝導膜の製造方法と製造装置、及びその方法によって製造される高温超伝導膜 |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP3298979A patent/JPH05139736A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021956A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Korea Electrotechnology Research Inst | 補助クラスタービームの噴射による高温超伝導膜の製造方法と製造装置、及びその方法によって製造される高温超伝導膜 |
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