JPH0514262B2 - - Google Patents

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JPH0514262B2
JPH0514262B2 JP8913789A JP8913789A JPH0514262B2 JP H0514262 B2 JPH0514262 B2 JP H0514262B2 JP 8913789 A JP8913789 A JP 8913789A JP 8913789 A JP8913789 A JP 8913789A JP H0514262 B2 JPH0514262 B2 JP H0514262B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
thin film
photomask
thickness
glass plate
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP8913789A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0264A (ja
Inventor
Etsuo Ootake
Kaoru Yamaki
Takayuki Kuroda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daicel Corp
Original Assignee
Daicel Chemical Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Daicel Chemical Industries Ltd filed Critical Daicel Chemical Industries Ltd
Priority to JP1089137A priority Critical patent/JPH0264A/ja
Publication of JPH0264A publication Critical patent/JPH0264A/ja
Publication of JPH0514262B2 publication Critical patent/JPH0514262B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Moulding By Coating Moulds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はリソグラフイーにおけるフオトマスク
カバーの製造方法に関するものである。
集積回路の製造のためのリソグラフイーにおい
て、光源に紫外線を用いたフオトレジストは、高
い解像力と高い生産性が特徴であり、特に集積度
の高いウエハ乃至チツプの製造に極めて有用であ
る。
この方式は、解像力が高いだけにフオトマスク
の画像面上への小さなゴミの付着はエツチング画
像の精度を低下させ、不良品発生の原因になるほ
か、ゴミ除去の作業により、フオトマスク自体を
傷めやすく、その寿命を低下させる。
上記の対策として、フオトマスクの画像面側の
光路中に樹脂薄膜からなるフオトマスクカバーを
挿入して、空気中のゴミの付着からフオトマスク
画像を保護する方法が用いられている。この場
合、ゴミはフオトマスクの画像面上に付着するか
わりに、フオトマスクカバーの表面に付着するこ
とになる。この際、薄膜自身の厚み及びフオトマ
スク画像と薄膜との距離が全面にわたつて一定で
あれば、薄膜上の異物、即ちゴミの存在の影響を
レジスト面においてアウトフオーカシングさせる
ことが可能であり、フオトマスク画像に忠実なパ
ターンを露光により得ることができる。
このようなフオトマスクカバーは半導体産業に
おいて極めて有用なものであるが、その製造方法
が未だに確立されていない。
発明者等は、鋭意研究の結果、薄膜材料を基板
上に流延して得られた薄膜を水中で基板より剥離
し、生乾きの状態で支持枠に均一に固着したのち
乾燥することにより、フオトマスク保護用に適し
たフオトマスクカバーが得られることを認め、本
発明に到達した。
薄膜の製造には次の条件を満足させることが必
要である。
イ 薄くて厚みの均一な膜とすること。
ロ 所定の厚みの膜とすること。
ハ フレームに支持した状態で均一な緊張を保て
ること。
ニ 製膜及び支持の過程で膜を配向させないこ
と。
本発明の方法によつて製造した薄膜は、これら
の条件を満足させるものである。
薄膜の製造には、所謂流延方式を用いることに
よつて、配向性のない膜を得る。薄膜材料として
はセルロースエステルが適当である。セルロース
エステル以外の薄膜材料としては、ポリエチレン
テレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリスチレン、ポリアクリル酸メチル、
ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、含弗
素(メタ)アクリレート、テトラフロロエチレン
と弗化ビニリデンとのコポリマー、テトラフロロ
エチレンと弗化ビニリデンとヘキサフロロプロピ
レンとのターポリマー等と弗素化樹脂などをあげ
ることができる。セルロースエステルはケトン、
低級脂肪酸エステルなどの比較的低沸点溶剤に容
易に溶解し、溶液濃度及び流延厚みを規定するこ
とにより、所定の出来上がりの厚みの薄膜を製造
することができる。フオトマスク保護用薄膜に
は、例えば2.8±0.3μmや4.5±0.3μmなどの一定の
厚みのものが使用される。
流延時の流延基板を平滑なガラス板とし、溶媒
除去後水中に浸漬すると、薄膜は大きな力を加え
ることなくガラス板から自然に剥がれるので、膜
を損傷することもなく容易に回収することができ
る。この薄膜をアルミニウム支持枠に直接マウン
トし、生乾きの状態のとき、支持枠と膜の接触部
分に沿つて、揮発性の溶剤を少量塗布し乾燥させ
ると、膜が支持枠に接着するとともに、ごく僅か
に膜が収縮しようとして、均一な緊張状態での支
持が得られる。
硝酸セルロースをはじめとするセルロースエス
テルは結晶性が小さいのに分子構造が剛直である
ため、成形後のデイメンシヨナルスタビリテイが
ある。適当な流延溶剤が利用でき、乾燥後は大き
な内部応力が発生し、ガラス板への密着性が乏く
なるため、水中で力を加えずに薄膜だけを回収す
ることができ、薄膜は水によりごく僅か膨潤する
など種々の利点があるが、本発明はこれらの利点
をたくみに利用したものである。
従来の外力のみで剥離する方法は、薄膜の厚み
が3μm近辺と非常に薄い膜であるため強度が剥離
に耐えられるほど強くないため、破損する場合が
多い。
又外力のみで剥離する補助手段として、流延用
ガラスに離型剤等を塗布することが行われるが、
この方法では離型剤が薄膜に転写することによる
薄膜の光学的な性能低下や枠との接着性を低下さ
せる等の短所がある。これに対して本発明の水を
媒体とする剥離方式によれば、上記の如き欠点が
なく、優れたフオトマスクカバーを得ることがで
きる。
以下に実施例によりさらに本発明を説明する。
実施例 1 硝化綿RS−5(ダイセル化学工業製、イソプロ
パノール湿綿、固型分70%)64g、メチルエチル
ケトン146g、酢酸ブチル120g及びトルエン120g
からなる硝化綿ドープをクリアランス50μmのパ
ーコーターを用いて、平滑なガラス板上に塗布
し、24時間室温(20℃)に放置乾燥し、さらに60
℃で1時間乾燥した。乾燥フイルム化した硝化綿
をガラス板ごと静かに清浄な水中に浸漬した。暫
時放置すると、硝化綿フイルムはガラス板から自
然に剥離したので、一旦直径約150mmの円形アル
ミフレームを用いて形を崩さないようすくい上
げ、該フレーム内の部分を内径100mm、外径110
mm、厚み10mmのアルミニウム支持枠の上面にマウ
ントした。次いで、フイルムの支持枠との接触界
面に沿つて、少量のメチルエチルケトンを塗布
し、風乾することによつて、フイルムを支持枠に
接着させた。支持枠の外側にはみ出している部分
のフイルムを切り除き、60℃で3時間乾燥させる
と、均一な緊張度で支持された厚さ3μm(比重
1.6)の硝酸セルロースフイルムから成るフオト
マスクカバーを得た。
尚、アルミニウム支持枠の厚みは、フオトマス
ク画像面と樹脂薄膜との間の光路中における一定
の間隔を形成するスペーサとして働くことにな
る。
実施例 2 実施例1の硝化綿ドープに代えて、酢酸綿LT
−105(ダイセル化学工業製)60g,塩化メチレン
846g及びメタノール94gからなる酢酸綿を用い
て、実施例1に準じて酢酸セルロースフイルムを
作製した。但し流延厚みは50μm、支持枠とフイ
ルムとの接着に用いた溶剤は塩化メチレン/メタ
ノール=9/1の混合溶剤であつた。同様にして
均一な緊張度で支持された厚さ3μm(比重1.3)の
フイルムから成るフオトマスクカバーを得た。
実施例 3 硝化綿RS−7(ダイセル化学工業製、イソプロ
パノール湿綿、固型分70%)20g、酢酸ブチル
50g,酢酸イソブチル50g及びシクロヘキサノン
90gからなる硝化綿ドープを作製した。
このドープの23℃における粘度は480cpであつ
た。このドープを用いてスピンコーテイング法に
よりフイルムを作成した。即ち、スピンナーにガ
ラス板をセツトし、70rpmで回転させつつ、その
回転中心に上記ドープを5秒間を要して滴下し
た。滴下終了後直ちに回転速度を1050rpmに上昇
(立ち上がり所要時間0.2秒)させ、この速度で15
秒間維持する間に遠心流延させた後、回転を停止
させた。
次にガラス板をスピンナーから取り外し、24時
間室内(23℃、60%RH)に放置乾燥し、さらに
60℃で1時間乾燥した。以下実施例1と同様にし
て水中浸漬し、ガラス板から生成フイルムを剥離
し、アルミニウム支持枠にマウントし、接着支持
させた。支持枠ごと60℃、3時間乾燥し、平均厚
み0.29μm、厚みむら0.03μm以下の均一な緊張度
で支持された硝酸セルロースフイルムから成るフ
オトマスクカバーを得た。
実施例 4 ポリビニルブチラールをエチルセロソルブアセ
テートに溶解し、0.2μmのフイルターで濾過して
濃度5%の溶液を得た。この溶液をガラス板上に
スピンコーテイング法により塗布し、厚さ
2.85μmの均一な膜を得た。次に実施例1と同様
に水中浸漬し、ガラス板から生成フイルムを剥離
し、アルミニウム支持枠にマウントし、接着支持
させた。支持枠ごと60℃、3時間乾燥し、均一な
緊張度で支持されたポリビニルブチラールから成
るフオトマスクカバーを得た。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 基板上に均一な厚みの薄膜を形成し、水中で
    薄膜を基板より剥離することを特徴とするフオト
    マスクカバーの製造方法。
JP1089137A 1989-04-07 1989-04-07 フォトマスクカバーの製造方法 Granted JPH0264A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1089137A JPH0264A (ja) 1989-04-07 1989-04-07 フォトマスクカバーの製造方法

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JP1089137A JPH0264A (ja) 1989-04-07 1989-04-07 フォトマスクカバーの製造方法

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57103488A Division JPS58219023A (ja) 1982-06-15 1982-06-15 樹脂薄膜の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0264A JPH0264A (ja) 1990-01-05
JPH0514262B2 true JPH0514262B2 (ja) 1993-02-24

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ID=13962490

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JP1089137A Granted JPH0264A (ja) 1989-04-07 1989-04-07 フォトマスクカバーの製造方法

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998049121A1 (en) 1997-04-25 1998-11-05 Kyocera Corporation Semiconductive zirconia sinter and destaticizing member comprising semiconductive zirconia sinter
US6342292B1 (en) 1997-12-16 2002-01-29 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Organic thin film and process for producing the same
KR100854594B1 (ko) * 2007-02-09 2008-08-27 전남대학교산학협력단 톨-유사 수용체-5 자극 활성이 강화된 pas-플라젤린융합 단백질
KR100833470B1 (ko) * 2007-05-02 2008-06-02 연세대학교 산학협력단 식물의 엽록체 및 미토콘드리아 발달에 관여하는NbBTF3유전자

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JPH0264A (ja) 1990-01-05

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