JPH0514275B2 - - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は暗抵抗値、光感度、光応答性
等の電気的、光学的、光導電的特性、及び繰返し
特性の点、使用環境特性の点、更には経時的安定
性や耐久性の点において、各々、個々には特性の
向上が計られているが総合的な特性向上を計る上
で更に改良される余地が存する。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を生ずる様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的、光学的或は光
導電的特性、使用環境特性、耐圧性に問題が生ず
る場合がある。 即ち、例えば形成した光導電層中に光照射によ
つて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画
像に俗に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破
壊現象によると思われる画像欠陥や、例えばクリ
ーニングに、ブレードを用いるとその摺擦による
と思われる俗に「白スジ」と呼ばれる所謂画像欠
陥が生じたりしていた。又、多湿雰囲気中で使用
したり、或いは多湿雰囲気中に長時間放置した直
後に使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場合
が少なくなかつた。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で電子写真用光導電部材を設計する際に、
上記した様な問題の総てが解決される様に工夫さ
れる必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材に使用される光
導電部材としての適用性とその応用性という観点
から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリコ
ン原子を母体とし、水素原子Ｈ又はハロゲン原子
Ｘのいずれか一方を少なくとも含有するアモルフ
アス材料、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハ
ロゲン化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン
含有水素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の
総称的表記として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用す
る〕から構成される光導電層を有する光導電部材
の層構成を以後に説明される様に特定化する様に
設計されて作成された光導電部材は実用上著しく
優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電部
材と較べてみてもあらゆる点において凌駕してい
ること、殊に電子写真用の光導電部材として著し
く優れた特性を有していることを見出した点に基
づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど依存なく実質的に常時安定してお
り、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない電子写真用光
導電部材を提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能が充分あり、通常の電子写真
法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特
性を有する電子写真用光部材を提供することであ
る。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する電子写真用光
導電部材を提供することでもある。 本発明の電子写真用光導電部材（以後「光導電
部材」と称す）は、光導電性を示し、シリコン原
子を母体とし非晶質材料で構成された層領域ｎと
支持体とを有する電子写真用像形成部材におい
て、 前記層領域ｎ表面に設けられた層厚0.5〜5.0μ
であつてシリコン原子と炭素原子と水素原子とを
含有する非晶質材料からなる層領域ｃと、 前記層領域ｎと前記支持体との間にあつて、層
厚が0.07〜5μで、シリコン原子を母体とし、周期
律表第族に属する原子と、少なくとも水素原子
又はハロゲン原子を含有する非晶質材料からなる
層領域Ｉと、を有し 前記層領域ｎが少なくとも水素原子又はハロゲ
ン原子を含有し、層厚が２〜50μであることを特
徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた、電気的、光学的、光導
電的特性、耐久性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて耐光疲労、繰返し使
用特性、耐湿性、耐圧性に長ける為に、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の画像を安定して繰返し得ることがで
きる。 以下、図面に従つて本発明の光導電部材に就て
詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
するために模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、非晶質層１０２
が設けられており、該非晶質層１０２は、ａ−Si
（Ｈ，Ｘ）から成り、光導電性を有する第１の層
領域１０３と、シリコン原子と炭素原子とを構成
要素とする非晶質材料で構成されている第２の層
領域１０４とから成る層構造を有する。 第１の層領域１０３は、その支持体１０１側
に、伝導型を支配する不純物を含む層領域Ｉ１０
５を有する。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr，ステンレス，Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート，ガラス，セラミ
ツク，紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2．ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 本発明に於いて、支持体１０１上に形成される
非晶質層１０２の一部を構成する第１の層領域１
０３は、その目的を効果的に達成する為に、支持
体１０１側の端部層領域に伝導型を支配する不純
物を含む層領域Ｉ１０５を有する。層領域Ｉ１０
５中に含有される不純物としては、ｎ型不純物と
して、周期律表第族に属する原子、例えば、
Ｎ，Ｐ，As，Sb，Bi等が好適なものとして挙げ
られるが、殊にＢ，Ga，Ｐ，Sb等が最適である。 これ等層領域Ｉ１０５中に含有される不純物
は、該層領域Ｉ１０５の層厚方向及び支持体１０
１との界面に平行な面内に於いて、実質的に均一
な分布状態となる様に層領域Ｉ１０５中に含有さ
れ、本発明に於いて所望の伝導型を有する為に層
領域Ｉ１０５中にドーピングされる不純物の量
は、層領域Ｉ１０５に所望される電気的、機械的
特性に応じて、その層厚との関係に於いて適宜決
定されるが、周期律表第族の不純物の場合は、
通常0.1〜５×103atomic ppm，好適には0.5〜１
×103atomic ppm，最適には1.0〜800atomic
ppmとされるのが望ましいものである。 本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第１の層領域１０３を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレ
ーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積法
によつて成される。例えば、グロー放電法によつ
て、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層を形
成するには、基本的にはシリコン原子Siを供給し
得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原子Ｈ導入
用の又は／及びハロゲン原子Ｘ導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されてある所定の支持体表面上にａ−Si
（Ｈ，Ｘ）からなる層に形成させれば良い。又、
スパツタリング法で形成する場合には、例えば
Ar，He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベー
スとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成されたタ
ーゲツトをスパツタリングする際、水素原子Ｈ又
は／及びハロゲン原子Ｘ導入用のガスをスパツタ
リング用の堆積室に導入してやれば良い。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4，Si2H6が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にハロゲン原子を構成要素として
含むａ−Siから成る層を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む層
を製造する場合、基本的には、Si供給用の原料ガ
スであるハロゲン化硅素ガスとAr，H2，He等の
ガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして
第１の層領域を形成する堆積室内に導入し、グロ
ー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気
を形成することによつて、所定の支持体上に第１
の層領域を形成し得るものであるが、水素原子の
導入を計る為にこれ等のガスに更に水素原子を含
む硅素化合物のガスも所定量混合して層形成して
も良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形
成するには、例えばスパツタリング法の場合には
Siから成るターゲツトを使用して、これを所定の
ガスプラズマ雰囲気中でスパツタリングし、イオ
ンプレーテイング法の場合には、多結晶シリコン
又は単結晶シリコンを蒸発源として蒸着ボートに
収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加熱法、或い
はエレクトロンビーム法（EB法）等によつて加
熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ雰囲
気中を通過させる事で行う事が出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，SiH2
I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等のハ
ロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いは
ガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物も有効な第１の層領域形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、層形
成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気
的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原料として使用される。 水素原子を層中に構造的に導入するには、上記
の他にH2、或いはSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10
等の水素化硅素のガスをSiを供給する為のシリコ
ン化合物と堆積室中に共存させて放電を生起させ
る事でも行う事が出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、基板上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る
層が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H6等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の第１
の層領域中に含有される水素原子Ｈの量又はハロ
ゲン原子Ｘの量又は水素原子とハロゲン原子の量
の和は通常の場合１〜40atomic ％、好適には
５〜30atomic ％とされるのが望ましい。 層中に含有される水素原子Ｈ又は／及びハロゲ
ン原子Ｘの量を制御するには、例えば支持体温度
又は／及び水素原子Ｈ、或いはハロゲン原子Ｘを
含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系
内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良
い。 本発明に於て、第１の層領域をグロー放電法又
はスパツターリング法で形成する際に使用される
稀釈ガスとしては、所謂稀ガス、例えばHe，
Ne，Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。 第１の層領域１０３を形成する際に前記した不
純物をドーピングすることによつて、層領域Ｉ１
０５を設けるには、層形成の際に不純物導入用の
原料物質をガス状態で堆積室中に第１の層領域１
０３を形成する主原料物質と共に導入してやれば
良い。この様な不純物導入用の原料物質として
は、常温常圧でガス状態の又は、少なくとも層形
成条件下で容易にガス化し得るものが採用される
のが望ましい。その様な不純物導入用の出発物質
として具体的には、PH3，P2H4，PF3，PF5，
PCl3，AsH3，AsF3，AsF5，AsCl3，SbH3，
SbF3，SbF5，BiH3，BF3，BCl3，BBr3，B2
H6，B4H10，B5H9，B5H11，B6H10B6H12，B6
H14，AlCl3，GaCl3，InCl3，TlCl3等を挙げるこ
とが出来る。 第１の層領域１０３の一部を構成し、層領域Ｉ
１０５の上部に設けられる層領域ｎ１０６は、作
製される光導電部材に於いて主として所望の受容
電位特性が得られ、光照射によつて効率良くフオ
トキヤリアが発生され、該発生されたフオトキヤ
リアが所定の方向に効率良く輸送される様に設け
られる。層領域ｎ１０６は、この様な観点と該層
領域１０６の下部に設けられる層領域Ｉ１０５の
有する機能的特性との関係に於いて層領域Ｉ１０
５中に含有される様な不純物は含まない層領域と
して形成される。 層領域Ｉ１０５と層領域ｎ１０６との夫々を形
成する際の放電パワーとしては、各層に要求され
る特性や装置等の関係に於いて、適宜所望に従つ
て決められるのがグロー放電法に於いては通常の
場合10〜300W、好適には20〜200Wとされ、スパ
ツター法の場合には、通常50〜250W、好適には
80〜150Wとされるのが望ましい。 本発明の第１の層領域１０３の一部を構成する
層領域ｎ１０６の層厚は、２〜50μとされるのが
望ましいものである。 本発明に於いて、層領域Ｉ１０５の層厚は該層
領域Ｉ１０５に要求される特性の付与が本発明の
目的の達成に応じて適宜成される様に該層領域Ｉ
１０５中に含有される不純物の含有濃度との関係
に於いて適宜決められる。 本発明に於ける層領域Ｉ１０５の層厚として
は、0.07〜5μとされる。 層領域Ｉ１０５と層領域ｎ１０６を形成する際
の支持体温度としては、所望に従つて適宜決めら
れるが、通常の場合50〜350℃、好適には80〜300
℃、最適には100〜300℃とされるのが望ましい。 第１図に示される光導電部材１００に於いては
第１の層領域１０３上に形成される第２の層領域
１０４は、自由表面１０７を有し、主に耐湿性、
連続繰返し使用特性、耐圧性、使用環境特性、耐
久性に於いて本発明の目的を達成する為に設けら
れる。 又、本発明に於いては、非晶質層１０２を構成
する第１の層領域１０３と第２の層領域１０４と
を形成する非晶質材料の各々がシリコン原子とい
う共通の構成要素を有しているので、積層界面に
於いて化学的な安定性の確保が充分成されてい
る。 第２の層領域１０４は、シリコン原子と炭素原
子と水素原子とで構成される非晶質材料〔ａ−
（SixC1-x）yH1-y、但し０＜ｘ，ｙ＜１〕で形成さ
れる。 ａ−（SixC1-x）y；H1-yで構成される第２の層領
域１０４の形成はグロー放電法、スパツタ−リン
グ法、イオンインプランテーシヨン法、イオンプ
レーテイング法、エレクトロンビーム法等によつ
て成される。これ等の製造法は、製造条件、設備
資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導
電部材に所望される特性等の要因によつて適宜選
択されて採用されるが、所望する特性を有する光
導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的
容易である、シリコン原子と共に炭素原子及び水
素原子を作製する第２の層領域１０４中に導入す
るのが容易に行える等の利点からグロー放電法或
いはスパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第２
の層領域１０４を形成しても良い。 グロー放電法によつて第２の層領域１０４を形
成するには、ａ−（SixC1-x）y；H1-y形成用の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体１０１の設置してある真空堆
積用の堆積室に導入し、導入されたガスをグロー
放電を生起させることでガスプラズマ化して前記
支持体１０１上に既に形成されてある第１の層領
域１０３上にａ−（SixC1-x）y；H1-yを堆積させれ
ば良い。 本発明に於いてａ−（SixC1-x）y；H1-y形成用の
原料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｈの中の少なくとも
１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化したものの中の大概のものが使
用され得る。 Si，Ｃ，Ｈの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するが、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第２の層領域１０４形成用の
原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨと
を構成原子とするSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10
等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガス、Ｃ
とＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の
飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙
げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH4），エタン（C2H6），プロパン（CH8），ｎ
−プタン（ｎ−C4H10），ペンタン（C5H12），エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4），
プロピレン（C3H6），ブテン−１（C4H8），ブテ
ン−２（C4H8），イソブチレン（C4H8），ペンテ
ン（C5H10），アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2），メチルアセチレン（C3
H4），ブチン（C4H6）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4，Si（C2H5）4等のケイ化アルキルを
挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H2も有効なもの
として使用される。 スパツターリング法によつて第２の層領域１０
４を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウエー
ハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合されて含
有されているウエーハーをターゲツトとして、こ
れ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリングす
ることによつて行えば良い。 例えば、Siウエハーをターゲツトとして使用す
れば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要に
応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆積
室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形
成して前記Siウエーハーをスパツターリングすれ
ば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子を含有
するガス雰囲気中でスパツターリングすることに
よつて成される。 Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスが、スパツター
リングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。 本発明に於いて、第２の層領域１０４をグロー
放電法又はスパツターリング法で形成する際に使
用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス，例え
ばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げるこ
とが出来る。 本発明に於ける第２の層領域１０４は、その要
求される特性が所望通りに与えられる様に注意深
く形成される。 即ち、Si，Ｃ，及びＨを構成原子とする物質は
その作成条件によつて構造的には結晶からアモル
フアスまでの形態を取り、電気物性的には導電性
から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いては、目的に応じた
所望の特性を有するａ−（SixC1-x）yH1-yが形成
される様に、所望に従つてその作成条件の選択が
厳密に成される。 例えば、第２の層領域１０４を耐圧性の向上を
主な目的として設けるには、ａ−（SixC1-x）yH1-y
は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非
晶質材料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第２の層領域１０４が設けら
れる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程
度緩和され、照射される光に対してある程度の感
度を有する非晶質材料としてａ−（SixC1-x）yH1-y
が作成される。 第１の層領域１０３の表面にａ−（SixC1-x）y
H1-yから成る第２の層領域１０４を形成する際、
層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及
び特性を左右する重要な因子であつて、本発明に
於いては、目的とする特性を有するａ−（Six
C1-x）yH1-yが所望通りに作成され得る様に層作成
時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第２の層領域１０４を形成する際の支持体温度と
しては第２の層領域１０４の形成法に併せて適宜
最適範囲が選択されて、第２の層領域１０４の形
成が実行されるが、グロー放電法に於いては通常
の場合、100℃〜300℃、好適には150℃〜250℃と
され、スパツター法に於いては、通常20〜300℃、
好適には20〜250℃とされるのが望ましいもので
ある。第２の層領域１０４の形成には、層を構成
する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他
の方法に較べて比較的容易である事等の為に、グ
ロー放電法やスパツターリング法の採用が有利で
あるが、これ等のの層形成法で第２の層領域１０
４を形成する場合には、前記の支持体温度と同様
に層形成の際の放電パワー、ガス圧が作成される
ａ−（SixC1-x）y：H1-yの特性を左右する重要な因
子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）y：H1-yが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては、通常、
10〜300W、好適には20〜200Wとされるのが望ま
しい。堆積室内のガス圧は通常0.01〜5Torr、好
適には0.01〜3Torr、最適には0.05〜1Torr程度
とされるのが望ましい。 本発明に於いては、第２の層領域１０４を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ−（SixC1-x）y
H1-yから成る第２の層領域１０４が形成される
様に相互的有機的関連性に基いて、各層作成フア
クターの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第２の層領域１０
４に含有される炭素原子及び水素原子の量は、第
２の層領域１０４の作製条件と同様、本発明の目
的を達成する所望の特性が得られる第２の層領域
１０４が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第２の層領域１０４に含有され
る炭素原子の量は通常は１×10-3〜90atomic％、
好ましくは１〜90atomic％、最適には10〜
80atomic％とされるのが望ましいものである。
水素原子の含有量としては、通常の場合１〜
40atomic％、好適には２〜35atomic％、最適に
は５〜30atomic％とされるのが望ましく、これ
等の範囲に水素含有量がある場合に形成される光
導電部材は、実際面に於いて優れたものとして充
分適用させ得るものである。 即ち、先のａ−（SixC1-x）y：H1-yの表示で行え
ばｘが通常は0.1〜0.99999、好適には0.1〜0.99、
最適には0.15〜0.9、ｙが通常0.6〜0.99、好適に
は0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95であるのが望ま
しい。 本発明に於ける層厚の数値範囲は、本発明の目
的を効果的に達成する為の重要な因子の１つであ
る。 本発明に於ける第２の層領域１０４の層厚とし
ては、0.04〜5μとされる。 本発明に於ける光導電層部材１００の非晶質層
１０２を構成する第１の層領域１０３と第２の層
領域１０４との間の層厚関係は、読取装置、撮像
装置或いは電子写真用像形成部材等に適用するも
のの目的に適合されて所望に従つて適宜決定され
る。 本発明に於いては、非晶質層の層厚としては、
非晶質層１０２を構成する第１の層領域１０３と
第２の層領域１０４に付与される特性が各々有効
に活されて本発明の目的が効果的に達成される様
に適宜所望に従つて決められるものであり、好ま
しくは、第２の層領域１０４の層厚に対して第１
の層領域１０３の層厚が数百〜数千倍以上となる
様にされるのが好ましいものである。 次にグロー放電分解法によつて形成される光導
電部材の製造方法について説明する。 第２図にグロー放電分解法による光導電部材の
製造装置を示す。 図中の２１１〜２１５のガスボンベには、本発
明の夫々の層を形成するための原料ガスが密封さ
れており、その１例として、たとえば２１１は
Heで希釈されたSiH4ガス（純度99.999％、以下
SiH4／Heと略す。）ボンベ、２１２はHeで希釈
されたB2H6ガス（純度99.999％、以下B2H6／He
と略す。）ボンベ２１３はHeで希釈されたSi2H6
ガス（純度99.99％、以下Si2H6／Heと略す。）ボ
ンベ、２１４はHeで希釈されたSiF4ガス（純度
99.999％、以下SiF4／Heと略す。）ボンベ、２１
５はArガスボンベである。 これらのガスを反応室２０１に流入させるには
ガスボンベ２１１〜２１５のバルブ２３１〜２３
５、リークバルブ２０６が閉じられていることを
確認し又、流入バルブ２２１〜２２５、流出バル
ブ２２６〜２３０、補助バルブ２４１が開かれて
いることを確認して先ずメインバルブ２１０を開
いて反応室２０１、ガス配管内を排気する。次に
真空計２４２の読みが約５×10-6torrになつた時
点で、補助バルブ１１４１、流出バルブ２２６〜
２３０を閉じる。 基体２０９上に第１の層領域を形成する場合の
１例をあげると、シヤツター２０５は閉じられて
おり、電源２４３より高圧電力が印加されるよう
接続されている。ガスボンベ２１１よりSiH4／
Heガス、ガスボンベ２１２よりB2H6／Heガス、
バルブ２３１，２３２を開いて出口圧ゲージ２３
６，２３７の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ
２２１，２２２を徐々に開けて、マスフロコント
ローラ２１６〜２１７内に流入させる。引き続い
て流出バルブ２２６，２２７、補助バルブ２４１
を徐々に開いて夫々のガスを反応室２０１に流入
させる。このときのSiH4／Heガス流量、B2H6／
Heガス流量の夫々の比が所望の値になるように
流出バルブ２２６，２２７を調整し、又、反応室
２０１内の圧力が所望の値になるように真空計２
４２の読みを見ながらメインバルブ２１０の開口
を調整する。そして基板１１０９の温度が加熱ヒ
ーター１１０８により50〜400℃の温度に設定さ
れていることを確認された後、電源１１４３を所
望の電力に設定して反応室１１０１内に所望時間
グロー放電を生起させ基板に第１の層領域を構成
する層領域Ｉを形成する。 次にグロー放電を中断させると同時に所定のバ
ルブを閉じて反応室２０１へのB2H6／Heガスの
導入だけを止め、引さ継き反応室２０１内にグロ
ー放電を所望時間続け、所望層厚の層領域ｎを形
成する。 第１の層領域にハロゲン原子を含有させる場合
には上記のガスにたとえばSiF4／Heを、更に付
加して反応室内に送り込む。 第２の層領域を形成するには、まずシヤツター
２０５を開く。すべてのガス供給バルブは一旦閉
じられ、反応室２０１は、メインバルブ２１０を
全開することにより、排気される。 高圧電力が印加される電極２０２上に高純度シ
リコンウエハ２０４−１、及び高純度グラフアイ
ト２０４−２が所望の面積比率で設置されてい
る。ガスボンベ２１５より、Arガスを反応室２
０１内に導入し、反応室の内圧が0.05〜1torrと
なるようメインバルブ２１０を調節する。高圧電
源をONとしSiとＣとを同時にスパツタリングす
ることにより、第１の層領域上に第２の層領域を
形成することが出来る。 参考例 １ 第２図に示した製造装置を用い層領域Ｉの膜厚
並びに層領域ＩにおけるＢ原子の含有量をパラメ
ーターにしてAl基板上に層形成を行なつていつ
た。この時の層領域Ｉの共通の作製条件を第１表
に示す。さらに各サンプルに対し、第２表に示し
た作製条件で層領域ｎを、又、第３表に示した作
製条件で層領域ｃを積層した。 こうして得られた電子写真用像形成部材複写装
置に装着し、第５表のような現像条件で現像を行
つた後普通紙上に転写、定着を行うという一連の
工程を連続的に繰り返し多数枚の転写像を得た。
このようにして得られた画像サンプルを〔濃度〕
〔解像度〕〔階調再現性〕〔画像欠陥〕等の各項目
につき総合的に評価し１枚目と10万枚目の画質を
比較したところ第４表の如き結果を得た。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は暗抵抗値、光感度、光応答性
等の電気的、光学的、光導電的特性、及び繰返し
特性の点、使用環境特性の点、更には経時的安定
性や耐久性の点において、各々、個々には特性の
向上が計られているが総合的な特性向上を計る上
で更に改良される余地が存する。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を生ずる様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的、光学的或は光
導電的特性、使用環境特性、耐圧性に問題が生ず
る場合がある。 即ち、例えば形成した光導電層中に光照射によ
つて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画
像に俗に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破
壊現象によると思われる画像欠陥や、例えばクリ
ーニングに、ブレードを用いるとその摺擦による
と思われる俗に「白スジ」と呼ばれる所謂画像欠
陥が生じたりしていた。又、多湿雰囲気中で使用
したり、或いは多湿雰囲気中に長時間放置した直
後に使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場合
が少なくなかつた。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で電子写真用光導電部材を設計する際に、
上記した様な問題の総てが解決される様に工夫さ
れる必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材に使用される光
導電部材としての適用性とその応用性という観点
から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリコ
ン原子を母体とし、水素原子Ｈ又はハロゲン原子
Ｘのいずれか一方を少なくとも含有するアモルフ
アス材料、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハ
ロゲン化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン
含有水素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の
総称的表記として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用す
る〕から構成される光導電層を有する光導電部材
の層構成を以後に説明される様に特定化する様に
設計されて作成された光導電部材は実用上著しく
優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電部
材と較べてみてもあらゆる点において凌駕してい
ること、殊に電子写真用の光導電部材として著し
く優れた特性を有していることを見出した点に基
づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど依存なく実質的に常時安定してお
り、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない電子写真用光
導電部材を提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能が充分あり、通常の電子写真
法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特
性を有する電子写真用光部材を提供することであ
る。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する電子写真用光
導電部材を提供することでもある。 本発明の電子写真用光導電部材（以後「光導電
部材」と称す）は、光導電性を示し、シリコン原
子を母体とし非晶質材料で構成された層領域ｎと
支持体とを有する電子写真用像形成部材におい
て、 前記層領域ｎ表面に設けられた層厚0.5〜5.0μ
であつてシリコン原子と炭素原子と水素原子とを
含有する非晶質材料からなる層領域ｃと、 前記層領域ｎと前記支持体との間にあつて、層
厚が0.07〜5μで、シリコン原子を母体とし、周期
律表第族に属する原子と、少なくとも水素原子
又はハロゲン原子を含有する非晶質材料からなる
層領域Ｉと、を有し 前記層領域ｎが少なくとも水素原子又はハロゲ
ン原子を含有し、層厚が２〜50μであることを特
徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた、電気的、光学的、光導
電的特性、耐久性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて耐光疲労、繰返し使
用特性、耐湿性、耐圧性に長ける為に、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の画像を安定して繰返し得ることがで
きる。 以下、図面に従つて本発明の光導電部材に就て
詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
するために模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、非晶質層１０２
が設けられており、該非晶質層１０２は、ａ−Si
（Ｈ，Ｘ）から成り、光導電性を有する第１の層
領域１０３と、シリコン原子と炭素原子とを構成
要素とする非晶質材料で構成されている第２の層
領域１０４とから成る層構造を有する。 第１の層領域１０３は、その支持体１０１側
に、伝導型を支配する不純物を含む層領域Ｉ１０
５を有する。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr，ステンレス，Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート，ガラス，セラミ
ツク，紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2．ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 本発明に於いて、支持体１０１上に形成される
非晶質層１０２の一部を構成する第１の層領域１
０３は、その目的を効果的に達成する為に、支持
体１０１側の端部層領域に伝導型を支配する不純
物を含む層領域Ｉ１０５を有する。層領域Ｉ１０
５中に含有される不純物としては、ｎ型不純物と
して、周期律表第族に属する原子、例えば、
Ｎ，Ｐ，As，Sb，Bi等が好適なものとして挙げ
られるが、殊にＢ，Ga，Ｐ，Sb等が最適である。 これ等層領域Ｉ１０５中に含有される不純物
は、該層領域Ｉ１０５の層厚方向及び支持体１０
１との界面に平行な面内に於いて、実質的に均一
な分布状態となる様に層領域Ｉ１０５中に含有さ
れ、本発明に於いて所望の伝導型を有する為に層
領域Ｉ１０５中にドーピングされる不純物の量
は、層領域Ｉ１０５に所望される電気的、機械的
特性に応じて、その層厚との関係に於いて適宜決
定されるが、周期律表第族の不純物の場合は、
通常0.1〜５×103atomic ppm，好適には0.5〜１
×103atomic ppm，最適には1.0〜800atomic
ppmとされるのが望ましいものである。 本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第１の層領域１０３を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレ
ーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積法
によつて成される。例えば、グロー放電法によつ
て、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層を形
成するには、基本的にはシリコン原子Siを供給し
得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原子Ｈ導入
用の又は／及びハロゲン原子Ｘ導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されてある所定の支持体表面上にａ−Si
（Ｈ，Ｘ）からなる層に形成させれば良い。又、
スパツタリング法で形成する場合には、例えば
Ar，He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベー
スとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成されたタ
ーゲツトをスパツタリングする際、水素原子Ｈ又
は／及びハロゲン原子Ｘ導入用のガスをスパツタ
リング用の堆積室に導入してやれば良い。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4，Si2H6が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にハロゲン原子を構成要素として
含むａ−Siから成る層を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む層
を製造する場合、基本的には、Si供給用の原料ガ
スであるハロゲン化硅素ガスとAr，H2，He等の
ガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして
第１の層領域を形成する堆積室内に導入し、グロ
ー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気
を形成することによつて、所定の支持体上に第１
の層領域を形成し得るものであるが、水素原子の
導入を計る為にこれ等のガスに更に水素原子を含
む硅素化合物のガスも所定量混合して層形成して
も良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形
成するには、例えばスパツタリング法の場合には
Siから成るターゲツトを使用して、これを所定の
ガスプラズマ雰囲気中でスパツタリングし、イオ
ンプレーテイング法の場合には、多結晶シリコン
又は単結晶シリコンを蒸発源として蒸着ボートに
収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加熱法、或い
はエレクトロンビーム法（EB法）等によつて加
熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ雰囲
気中を通過させる事で行う事が出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，SiH2
I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等のハ
ロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いは
ガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物も有効な第１の層領域形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、層形
成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気
的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原料として使用される。 水素原子を層中に構造的に導入するには、上記
の他にH2、或いはSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10
等の水素化硅素のガスをSiを供給する為のシリコ
ン化合物と堆積室中に共存させて放電を生起させ
る事でも行う事が出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、基板上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る
層が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H6等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の第１
の層領域中に含有される水素原子Ｈの量又はハロ
ゲン原子Ｘの量又は水素原子とハロゲン原子の量
の和は通常の場合１〜40atomic ％、好適には
５〜30atomic ％とされるのが望ましい。 層中に含有される水素原子Ｈ又は／及びハロゲ
ン原子Ｘの量を制御するには、例えば支持体温度
又は／及び水素原子Ｈ、或いはハロゲン原子Ｘを
含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系
内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良
い。 本発明に於て、第１の層領域をグロー放電法又
はスパツターリング法で形成する際に使用される
稀釈ガスとしては、所謂稀ガス、例えばHe，
Ne，Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。 第１の層領域１０３を形成する際に前記した不
純物をドーピングすることによつて、層領域Ｉ１
０５を設けるには、層形成の際に不純物導入用の
原料物質をガス状態で堆積室中に第１の層領域１
０３を形成する主原料物質と共に導入してやれば
良い。この様な不純物導入用の原料物質として
は、常温常圧でガス状態の又は、少なくとも層形
成条件下で容易にガス化し得るものが採用される
のが望ましい。その様な不純物導入用の出発物質
として具体的には、PH3，P2H4，PF3，PF5，
PCl3，AsH3，AsF3，AsF5，AsCl3，SbH3，
SbF3，SbF5，BiH3，BF3，BCl3，BBr3，B2
H6，B4H10，B5H9，B5H11，B6H10B6H12，B6
H14，AlCl3，GaCl3，InCl3，TlCl3等を挙げるこ
とが出来る。 第１の層領域１０３の一部を構成し、層領域Ｉ
１０５の上部に設けられる層領域ｎ１０６は、作
製される光導電部材に於いて主として所望の受容
電位特性が得られ、光照射によつて効率良くフオ
トキヤリアが発生され、該発生されたフオトキヤ
リアが所定の方向に効率良く輸送される様に設け
られる。層領域ｎ１０６は、この様な観点と該層
領域１０６の下部に設けられる層領域Ｉ１０５の
有する機能的特性との関係に於いて層領域Ｉ１０
５中に含有される様な不純物は含まない層領域と
して形成される。 層領域Ｉ１０５と層領域ｎ１０６との夫々を形
成する際の放電パワーとしては、各層に要求され
る特性や装置等の関係に於いて、適宜所望に従つ
て決められるのがグロー放電法に於いては通常の
場合10〜300W、好適には20〜200Wとされ、スパ
ツター法の場合には、通常50〜250W、好適には
80〜150Wとされるのが望ましい。 本発明の第１の層領域１０３の一部を構成する
層領域ｎ１０６の層厚は、２〜50μとされるのが
望ましいものである。 本発明に於いて、層領域Ｉ１０５の層厚は該層
領域Ｉ１０５に要求される特性の付与が本発明の
目的の達成に応じて適宜成される様に該層領域Ｉ
１０５中に含有される不純物の含有濃度との関係
に於いて適宜決められる。 本発明に於ける層領域Ｉ１０５の層厚として
は、0.07〜5μとされる。 層領域Ｉ１０５と層領域ｎ１０６を形成する際
の支持体温度としては、所望に従つて適宜決めら
れるが、通常の場合50〜350℃、好適には80〜300
℃、最適には100〜300℃とされるのが望ましい。 第１図に示される光導電部材１００に於いては
第１の層領域１０３上に形成される第２の層領域
１０４は、自由表面１０７を有し、主に耐湿性、
連続繰返し使用特性、耐圧性、使用環境特性、耐
久性に於いて本発明の目的を達成する為に設けら
れる。 又、本発明に於いては、非晶質層１０２を構成
する第１の層領域１０３と第２の層領域１０４と
を形成する非晶質材料の各々がシリコン原子とい
う共通の構成要素を有しているので、積層界面に
於いて化学的な安定性の確保が充分成されてい
る。 第２の層領域１０４は、シリコン原子と炭素原
子と水素原子とで構成される非晶質材料〔ａ−
（SixC1-x）yH1-y、但し０＜ｘ，ｙ＜１〕で形成さ
れる。 ａ−（SixC1-x）y；H1-yで構成される第２の層領
域１０４の形成はグロー放電法、スパツタ−リン
グ法、イオンインプランテーシヨン法、イオンプ
レーテイング法、エレクトロンビーム法等によつ
て成される。これ等の製造法は、製造条件、設備
資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導
電部材に所望される特性等の要因によつて適宜選
択されて採用されるが、所望する特性を有する光
導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的
容易である、シリコン原子と共に炭素原子及び水
素原子を作製する第２の層領域１０４中に導入す
るのが容易に行える等の利点からグロー放電法或
いはスパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第２
の層領域１０４を形成しても良い。 グロー放電法によつて第２の層領域１０４を形
成するには、ａ−（SixC1-x）y；H1-y形成用の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体１０１の設置してある真空堆
積用の堆積室に導入し、導入されたガスをグロー
放電を生起させることでガスプラズマ化して前記
支持体１０１上に既に形成されてある第１の層領
域１０３上にａ−（SixC1-x）y；H1-yを堆積させれ
ば良い。 本発明に於いてａ−（SixC1-x）y；H1-y形成用の
原料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｈの中の少なくとも
１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化したものの中の大概のものが使
用され得る。 Si，Ｃ，Ｈの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するが、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第２の層領域１０４形成用の
原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨと
を構成原子とするSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10
等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガス、Ｃ
とＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の
飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙
げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH4），エタン（C2H6），プロパン（CH8），ｎ
−プタン（ｎ−C4H10），ペンタン（C5H12），エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4），
プロピレン（C3H6），ブテン−１（C4H8），ブテ
ン−２（C4H8），イソブチレン（C4H8），ペンテ
ン（C5H10），アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2），メチルアセチレン（C3
H4），ブチン（C4H6）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4，Si（C2H5）4等のケイ化アルキルを
挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H2も有効なもの
として使用される。 スパツターリング法によつて第２の層領域１０
４を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウエー
ハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合されて含
有されているウエーハーをターゲツトとして、こ
れ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリングす
ることによつて行えば良い。 例えば、Siウエハーをターゲツトとして使用す
れば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要に
応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆積
室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形
成して前記Siウエーハーをスパツターリングすれ
ば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子を含有
するガス雰囲気中でスパツターリングすることに
よつて成される。 Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスが、スパツター
リングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。 本発明に於いて、第２の層領域１０４をグロー
放電法又はスパツターリング法で形成する際に使
用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス，例え
ばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げるこ
とが出来る。 本発明に於ける第２の層領域１０４は、その要
求される特性が所望通りに与えられる様に注意深
く形成される。 即ち、Si，Ｃ，及びＨを構成原子とする物質は
その作成条件によつて構造的には結晶からアモル
フアスまでの形態を取り、電気物性的には導電性
から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いては、目的に応じた
所望の特性を有するａ−（SixC1-x）yH1-yが形成
される様に、所望に従つてその作成条件の選択が
厳密に成される。 例えば、第２の層領域１０４を耐圧性の向上を
主な目的として設けるには、ａ−（SixC1-x）yH1-y
は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非
晶質材料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第２の層領域１０４が設けら
れる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程
度緩和され、照射される光に対してある程度の感
度を有する非晶質材料としてａ−（SixC1-x）yH1-y
が作成される。 第１の層領域１０３の表面にａ−（SixC1-x）y
H1-yから成る第２の層領域１０４を形成する際、
層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及
び特性を左右する重要な因子であつて、本発明に
於いては、目的とする特性を有するａ−（Six
C1-x）yH1-yが所望通りに作成され得る様に層作成
時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第２の層領域１０４を形成する際の支持体温度と
しては第２の層領域１０４の形成法に併せて適宜
最適範囲が選択されて、第２の層領域１０４の形
成が実行されるが、グロー放電法に於いては通常
の場合、100℃〜300℃、好適には150℃〜250℃と
され、スパツター法に於いては、通常20〜300℃、
好適には20〜250℃とされるのが望ましいもので
ある。第２の層領域１０４の形成には、層を構成
する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他
の方法に較べて比較的容易である事等の為に、グ
ロー放電法やスパツターリング法の採用が有利で
あるが、これ等のの層形成法で第２の層領域１０
４を形成する場合には、前記の支持体温度と同様
に層形成の際の放電パワー、ガス圧が作成される
ａ−（SixC1-x）y：H1-yの特性を左右する重要な因
子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）y：H1-yが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては、通常、
10〜300W、好適には20〜200Wとされるのが望ま
しい。堆積室内のガス圧は通常0.01〜5Torr、好
適には0.01〜3Torr、最適には0.05〜1Torr程度
とされるのが望ましい。 本発明に於いては、第２の層領域１０４を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ−（SixC1-x）y
H1-yから成る第２の層領域１０４が形成される
様に相互的有機的関連性に基いて、各層作成フア
クターの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第２の層領域１０
４に含有される炭素原子及び水素原子の量は、第
２の層領域１０４の作製条件と同様、本発明の目
的を達成する所望の特性が得られる第２の層領域
１０４が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第２の層領域１０４に含有され
る炭素原子の量は通常は１×10-3〜90atomic％、
好ましくは１〜90atomic％、最適には10〜
80atomic％とされるのが望ましいものである。
水素原子の含有量としては、通常の場合１〜
40atomic％、好適には２〜35atomic％、最適に
は５〜30atomic％とされるのが望ましく、これ
等の範囲に水素含有量がある場合に形成される光
導電部材は、実際面に於いて優れたものとして充
分適用させ得るものである。 即ち、先のａ−（SixC1-x）y：H1-yの表示で行え
ばｘが通常は0.1〜0.99999、好適には0.1〜0.99、
最適には0.15〜0.9、ｙが通常0.6〜0.99、好適に
は0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95であるのが望ま
しい。 本発明に於ける層厚の数値範囲は、本発明の目
的を効果的に達成する為の重要な因子の１つであ
る。 本発明に於ける第２の層領域１０４の層厚とし
ては、0.04〜5μとされる。 本発明に於ける光導電層部材１００の非晶質層
１０２を構成する第１の層領域１０３と第２の層
領域１０４との間の層厚関係は、読取装置、撮像
装置或いは電子写真用像形成部材等に適用するも
のの目的に適合されて所望に従つて適宜決定され
る。 本発明に於いては、非晶質層の層厚としては、
非晶質層１０２を構成する第１の層領域１０３と
第２の層領域１０４に付与される特性が各々有効
に活されて本発明の目的が効果的に達成される様
に適宜所望に従つて決められるものであり、好ま
しくは、第２の層領域１０４の層厚に対して第１
の層領域１０３の層厚が数百〜数千倍以上となる
様にされるのが好ましいものである。 次にグロー放電分解法によつて形成される光導
電部材の製造方法について説明する。 第２図にグロー放電分解法による光導電部材の
製造装置を示す。 図中の２１１〜２１５のガスボンベには、本発
明の夫々の層を形成するための原料ガスが密封さ
れており、その１例として、たとえば２１１は
Heで希釈されたSiH4ガス（純度99.999％、以下
SiH4／Heと略す。）ボンベ、２１２はHeで希釈
されたB2H6ガス（純度99.999％、以下B2H6／He
と略す。）ボンベ２１３はHeで希釈されたSi2H6
ガス（純度99.99％、以下Si2H6／Heと略す。）ボ
ンベ、２１４はHeで希釈されたSiF4ガス（純度
99.999％、以下SiF4／Heと略す。）ボンベ、２１
５はArガスボンベである。 これらのガスを反応室２０１に流入させるには
ガスボンベ２１１〜２１５のバルブ２３１〜２３
５、リークバルブ２０６が閉じられていることを
確認し又、流入バルブ２２１〜２２５、流出バル
ブ２２６〜２３０、補助バルブ２４１が開かれて
いることを確認して先ずメインバルブ２１０を開
いて反応室２０１、ガス配管内を排気する。次に
真空計２４２の読みが約５×10-6torrになつた時
点で、補助バルブ１１４１、流出バルブ２２６〜
２３０を閉じる。 基体２０９上に第１の層領域を形成する場合の
１例をあげると、シヤツター２０５は閉じられて
おり、電源２４３より高圧電力が印加されるよう
接続されている。ガスボンベ２１１よりSiH4／
Heガス、ガスボンベ２１２よりB2H6／Heガス、
バルブ２３１，２３２を開いて出口圧ゲージ２３
６，２３７の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ
２２１，２２２を徐々に開けて、マスフロコント
ローラ２１６〜２１７内に流入させる。引き続い
て流出バルブ２２６，２２７、補助バルブ２４１
を徐々に開いて夫々のガスを反応室２０１に流入
させる。このときのSiH4／Heガス流量、B2H6／
Heガス流量の夫々の比が所望の値になるように
流出バルブ２２６，２２７を調整し、又、反応室
２０１内の圧力が所望の値になるように真空計２
４２の読みを見ながらメインバルブ２１０の開口
を調整する。そして基板１１０９の温度が加熱ヒ
ーター１１０８により50〜400℃の温度に設定さ
れていることを確認された後、電源１１４３を所
望の電力に設定して反応室１１０１内に所望時間
グロー放電を生起させ基板に第１の層領域を構成
する層領域Ｉを形成する。 次にグロー放電を中断させると同時に所定のバ
ルブを閉じて反応室２０１へのB2H6／Heガスの
導入だけを止め、引さ継き反応室２０１内にグロ
ー放電を所望時間続け、所望層厚の層領域ｎを形
成する。 第１の層領域にハロゲン原子を含有させる場合
には上記のガスにたとえばSiF4／Heを、更に付
加して反応室内に送り込む。 第２の層領域を形成するには、まずシヤツター
２０５を開く。すべてのガス供給バルブは一旦閉
じられ、反応室２０１は、メインバルブ２１０を
全開することにより、排気される。 高圧電力が印加される電極２０２上に高純度シ
リコンウエハ２０４−１、及び高純度グラフアイ
ト２０４−２が所望の面積比率で設置されてい
る。ガスボンベ２１５より、Arガスを反応室２
０１内に導入し、反応室の内圧が0.05〜1torrと
なるようメインバルブ２１０を調節する。高圧電
源をONとしSiとＣとを同時にスパツタリングす
ることにより、第１の層領域上に第２の層領域を
形成することが出来る。 参考例 １ 第２図に示した製造装置を用い層領域Ｉの膜厚
並びに層領域ＩにおけるＢ原子の含有量をパラメ
ーターにしてAl基板上に層形成を行なつていつ
た。この時の層領域Ｉの共通の作製条件を第１表
に示す。さらに各サンプルに対し、第２表に示し
た作製条件で層領域ｎを、又、第３表に示した作
製条件で層領域ｃを積層した。 こうして得られた電子写真用像形成部材複写装
置に装着し、第５表のような現像条件で現像を行
つた後普通紙上に転写、定着を行うという一連の
工程を連続的に繰り返し多数枚の転写像を得た。
このようにして得られた画像サンプルを〔濃度〕
〔解像度〕〔階調再現性〕〔画像欠陥〕等の各項目
につき総合的に評価し１枚目と10万枚目の画質を
比較したところ第４表の如き結果を得た。
【表】
【表】
【表】
【表】
第 ５ 表
コロナ電圧 ＋5KV
コロナ印加時間 0.2sec
光源 タングステンランプ
光量 1.0lux sec
トナー極性 マイナス
参考例 ２
第６表並びに第２表に示した作製条件のもとで
層領域Ｉ並びに層領域ｎをAl基板上に順次積層
した後、さらに層領域ｃにおけるＣ原子の含有量
並びに層領域ｃの層厚をパラメーターとして層領
域ｃを積層した。なお層領域ｃは層厚及びＣ原子
の含有量を変化させた他は第３表と同等の作製条
件のもとで形成した。このようにして得られた電
子写真用像形成部材につき参考例１と全く同様の
評価を行つたところ第７表の如き結果を得た。
層領域Ｉ並びに層領域ｎをAl基板上に順次積層
した後、さらに層領域ｃにおけるＣ原子の含有量
並びに層領域ｃの層厚をパラメーターとして層領
域ｃを積層した。なお層領域ｃは層厚及びＣ原子
の含有量を変化させた他は第３表と同等の作製条
件のもとで形成した。このようにして得られた電
子写真用像形成部材につき参考例１と全く同様の
評価を行つたところ第７表の如き結果を得た。
【表】
【表】
参考例 ３
第６図に示した作製条件のもとでAl基板上に
層領域Ｉを形成した後、層厚をパラメーターとし
て層領域ｎを積層し、さらに第３表に示した作製
条件のもとで層領域ｃを積層した。なお、層領域
ｎの形成にあたつて、層厚を変化させた他は、第
２表と同等の作製条件とした。 このようにして得られた電子写真用像形成部材
について、参考例１と全く同様の評価を行なつた
ところ、第８表の如き結果を得た。
層領域Ｉを形成した後、層厚をパラメーターとし
て層領域ｎを積層し、さらに第３表に示した作製
条件のもとで層領域ｃを積層した。なお、層領域
ｎの形成にあたつて、層厚を変化させた他は、第
２表と同等の作製条件とした。 このようにして得られた電子写真用像形成部材
について、参考例１と全く同様の評価を行なつた
ところ、第８表の如き結果を得た。
【表】
実施例 １
第２図に示した製造装置を用い層領域Ｉの層厚
並びに層領域ＩにおけるＰ原子の含有量をパラメ
ーターにしてAlシリンダー基板上に層形成を行
なつていつた。この時の層領域Ｉの共通の作製条
件を第９表に示す。さらに各サンプルに対し、第
２表に示した作製条件で層領域ｎを又、第３表に
示した作製条件で層領域ｃを積層した。 こうして得られた電子写真用像形成部材につい
て参考例１と全く同様の評価を行なつたところ、
第10表の如き結果を得た。
並びに層領域ＩにおけるＰ原子の含有量をパラメ
ーターにしてAlシリンダー基板上に層形成を行
なつていつた。この時の層領域Ｉの共通の作製条
件を第９表に示す。さらに各サンプルに対し、第
２表に示した作製条件で層領域ｎを又、第３表に
示した作製条件で層領域ｃを積層した。 こうして得られた電子写真用像形成部材につい
て参考例１と全く同様の評価を行なつたところ、
第10表の如き結果を得た。
【表】
【表】
実施例 ２
第11表並びに第２表に示した作製条件のもとで
層領域Ｉ並びに層領域ｎをAl基板上に順次積層
した後、さらに層領域ｃにおけるＣ原子の含有量
並びに層領域ｃの層厚をパラメーターとして層領
域ｃを積層した。なお層領域ｃは層厚及びｃ原子
の含有量を変化させた他は第３表と同等の作製条
件のもとで形成した。このようにして得られた電
子写真用像形成部材につき参考例１と全く同様の
評価を行つたところ第12表の如き結果を得た。
層領域Ｉ並びに層領域ｎをAl基板上に順次積層
した後、さらに層領域ｃにおけるＣ原子の含有量
並びに層領域ｃの層厚をパラメーターとして層領
域ｃを積層した。なお層領域ｃは層厚及びｃ原子
の含有量を変化させた他は第３表と同等の作製条
件のもとで形成した。このようにして得られた電
子写真用像形成部材につき参考例１と全く同様の
評価を行つたところ第12表の如き結果を得た。
【表】
【表】
参考例 ４
第６表に示した作製条件のもとでAl基板上に
層領域Ｉを形成した後、層厚をパラメーターとし
て層領域ｎを積層し、さらに第３表に示した作製
条件のもとで層領域ｃを積層した。なお層領域ｎ
の形成にあたつて、層厚を変化させた他は、第２
表と同等の作製条件とした。 このようにして得られた電子写真用像形成部材
について、参考例１と全く同様の評価を行なつた
ところ、第13表の如き結果を得た。
層領域Ｉを形成した後、層厚をパラメーターとし
て層領域ｎを積層し、さらに第３表に示した作製
条件のもとで層領域ｃを積層した。なお層領域ｎ
の形成にあたつて、層厚を変化させた他は、第２
表と同等の作製条件とした。 このようにして得られた電子写真用像形成部材
について、参考例１と全く同様の評価を行なつた
ところ、第13表の如き結果を得た。
【表】
参考例 ５
層領域Ｉ及び層領域ｎの形成方法を各々第14表
及び第15表の如く変える以外は参考例１と同様な
方法で層形成を行ない、評価したところ第16表に
示すような結果が得られた。
及び第15表の如く変える以外は参考例１と同様な
方法で層形成を行ない、評価したところ第16表に
示すような結果が得られた。
【表】
【表】
第１図は、本発明の光導電部材の好適な実施態
様例の一つの層構成を説明するための模式的層構
成図、第２図は本発明の光導電部材を製造するた
めの装置の模式的説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……非晶質層、１０３……第１の層領域、１
０４……第２の層領域、１０５……層領域Ｉ、１
０６……層領域ｎ、１０７……自由表面。
様例の一つの層構成を説明するための模式的層構
成図、第２図は本発明の光導電部材を製造するた
めの装置の模式的説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……非晶質層、１０３……第１の層領域、１
０４……第２の層領域、１０５……層領域Ｉ、１
０６……層領域ｎ、１０７……自由表面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光導電性を示し、シリコン原子を母体とし非
晶質材料で構成された層領域ｎと支持体とを有す
る電子写真用像形成部材において、 前記層領域ｎ表面に設けられた層厚0.5〜5.0μ
であつてシリコン原子と炭素原子と水素原子とを
含有する非晶質材料からなる層領域ｃと、 前記層領域ｎと前記支持体との間にあつて、層
厚が0.07〜5μで、シリコン原子を母体とし、周期
律表第族に属する原子と少なくとも水素原子又
はハロゲン原子を含有する非晶質材料からなる層
領域Ｉと、を有し 前記層領域ｎが少なくとも水素原子又はハロゲ
ン原子を含有し、層厚が２〜50μであることを特
徴とする電子写真用光導電部材。 ２ 前記層領域Ｉが含有する周期律表第族に属
する原子の含有率は0.1〜５×103原子ppmである
特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用光導電
部材。 ３ 前記層領域ｃが含有する炭素原子の含有率は
１×10-3〜90原子％である特許請求の範囲第１項
または第２項に記載の電子写真用光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27448389A JPH03129359A (ja) | 1981-12-28 | 1989-10-21 | 電子写真用光導電部材 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56213385A JPS58115442A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 光導電部材 |
| JP27448389A JPH03129359A (ja) | 1981-12-28 | 1989-10-21 | 電子写真用光導電部材 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56213385A Division JPS58115442A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03129359A JPH03129359A (ja) | 1991-06-03 |
| JPH0514275B2 true JPH0514275B2 (ja) | 1993-02-24 |
Family
ID=26519777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27448389A Granted JPH03129359A (ja) | 1981-12-28 | 1989-10-21 | 電子写真用光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03129359A (ja) |
-
1989
- 1989-10-21 JP JP27448389A patent/JPH03129359A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03129359A (ja) | 1991-06-03 |