JPH05144939A - 半導体保持装置及びダイシング方法 - Google Patents
半導体保持装置及びダイシング方法Info
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- JPH05144939A JPH05144939A JP30785991A JP30785991A JPH05144939A JP H05144939 A JPH05144939 A JP H05144939A JP 30785991 A JP30785991 A JP 30785991A JP 30785991 A JP30785991 A JP 30785991A JP H05144939 A JPH05144939 A JP H05144939A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体保持装置及びダイシング方法に関し、
真空導入板部材の溝構造を改善することにより、また真
空ポンプの適切な使用により、半導体ウエハを確実に固
定的に保持することのできることを目的とする。 【構成】 半導体ウエハ１０を真空により保持する半導
体保持装置であって、半導体ウエハを載置させる多孔性
板部材１６と、該多孔性板部材の半導体ウエハとは反対
側に配置され、中央部に位置する中央溝２０と、該中央
溝の回りに同心円状に設けられた複数の環状溝２２とを
有する真空導入板部材１８とを備え、該真空導入板部材
の該環状溝のうちの少なくとも一つの環状溝２２の幅が
該中央溝２０の直径と等しいか又は該中央溝の直径より
も大きい構成とする。
真空導入板部材の溝構造を改善することにより、また真
空ポンプの適切な使用により、半導体ウエハを確実に固
定的に保持することのできることを目的とする。 【構成】 半導体ウエハ１０を真空により保持する半導
体保持装置であって、半導体ウエハを載置させる多孔性
板部材１６と、該多孔性板部材の半導体ウエハとは反対
側に配置され、中央部に位置する中央溝２０と、該中央
溝の回りに同心円状に設けられた複数の環状溝２２とを
有する真空導入板部材１８とを備え、該真空導入板部材
の該環状溝のうちの少なくとも一つの環状溝２２の幅が
該中央溝２０の直径と等しいか又は該中央溝の直径より
も大きい構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体保持装置及びダイ
シング方法に関する。半導体の製造工程の一つとして、
半導体ウエハを半導体チップに切断するダイシング工程
がある。ダイシング工程においては、半導体ウエハを接
着テープにより環状の支持フレームに取りつけてダイシ
ングテーブルに載置するようになっている。ダイシング
テーブルは真空により半導体ウエハを吸着保持する。
シング方法に関する。半導体の製造工程の一つとして、
半導体ウエハを半導体チップに切断するダイシング工程
がある。ダイシング工程においては、半導体ウエハを接
着テープにより環状の支持フレームに取りつけてダイシ
ングテーブルに載置するようになっている。ダイシング
テーブルは真空により半導体ウエハを吸着保持する。
【０００２】ダイシングにおいては、従来から、半導体
ウエハをその厚さの途中まで切るハーフカットを行い、
その後でクラッキングにより完全に切断する方法が採用
されていた。最近では、ＩＣの高集積化と高信頼性の要
求に従って、半導体ウエハをその全厚さを通して接着テ
ープの途中まで切るフルカットを行い、その後で切断さ
れた半導体チップをピックアップする方法が採用されて
いる。後者の場合、ピックアップ時に切断された半導体
チップを接着テープから剥離させ、そして次の半導体チ
ップの切断を行うが、切断された半導体チップを接着テ
ープから剥離させるときにダイシングテーブル上の接着
テープの位置がずれる傾向にある。ダイシングテーブル
上の接着テープの位置がずれると、次の半導体チップの
切断時にＹ軸ずれの原因となり、このようなずれが累積
すると不良品になる可能性が生じる。このため、接着テ
ープがダイシングテーブル上で動かないように保持する
のが求められている。
ウエハをその厚さの途中まで切るハーフカットを行い、
その後でクラッキングにより完全に切断する方法が採用
されていた。最近では、ＩＣの高集積化と高信頼性の要
求に従って、半導体ウエハをその全厚さを通して接着テ
ープの途中まで切るフルカットを行い、その後で切断さ
れた半導体チップをピックアップする方法が採用されて
いる。後者の場合、ピックアップ時に切断された半導体
チップを接着テープから剥離させ、そして次の半導体チ
ップの切断を行うが、切断された半導体チップを接着テ
ープから剥離させるときにダイシングテーブル上の接着
テープの位置がずれる傾向にある。ダイシングテーブル
上の接着テープの位置がずれると、次の半導体チップの
切断時にＹ軸ずれの原因となり、このようなずれが累積
すると不良品になる可能性が生じる。このため、接着テ
ープがダイシングテーブル上で動かないように保持する
のが求められている。
【０００３】
【従来の技術】従来、図５に示すように、半導体ウエハ
１０は接着テープ１２により環状の支持フレーム１４に
取りつけられている。すなわち、接着テープ１２の接着
面を上にして、その上に環状の支持フレーム１４及び半
導体ウエハ１０を置き、よって半導体ウエハ１０を支持
フレーム１４に一体化するとともに、半導体ウエハ１０
を接着テープ１２とともに切断することができる。ダイ
シング工程で使用する半導体保持装置としてのダイシン
グテーブルは、半導体ウエハ１０を載置させる多孔性の
セラミックポーラス１６と、その下側に配置される真空
導入板部材１８とからなるものであった。
１０は接着テープ１２により環状の支持フレーム１４に
取りつけられている。すなわち、接着テープ１２の接着
面を上にして、その上に環状の支持フレーム１４及び半
導体ウエハ１０を置き、よって半導体ウエハ１０を支持
フレーム１４に一体化するとともに、半導体ウエハ１０
を接着テープ１２とともに切断することができる。ダイ
シング工程で使用する半導体保持装置としてのダイシン
グテーブルは、半導体ウエハ１０を載置させる多孔性の
セラミックポーラス１６と、その下側に配置される真空
導入板部材１８とからなるものであった。
【０００４】図５及び図６に示されるように、真空導入
板部材１８は、中央部に位置する中央溝２０と、該中央
溝２０の回りに同心円状に設けられた複数の環状溝２２
とを有し、これらの中央溝２０と環状溝２２は互いに連
通し、且つ真空ポンプ２４に接続されていた。真空ポン
プ２４は小型で安価なコンバムが使用されていた。真空
導入板部材１８では、中央溝２０と環状溝２２は環状壁
２６で分離され、十字状の溝２８が中央溝２０と環状溝
２２を互いに連通させていた。真空ポンプ２４は中央溝
２０に接続され、真空は中央溝２０からその回りの環状
溝２２へと広がるようになっていた。このため、中央溝
２０の直径はその他の環状溝２２の幅よりも大きく形成
されていた。
板部材１８は、中央部に位置する中央溝２０と、該中央
溝２０の回りに同心円状に設けられた複数の環状溝２２
とを有し、これらの中央溝２０と環状溝２２は互いに連
通し、且つ真空ポンプ２４に接続されていた。真空ポン
プ２４は小型で安価なコンバムが使用されていた。真空
導入板部材１８では、中央溝２０と環状溝２２は環状壁
２６で分離され、十字状の溝２８が中央溝２０と環状溝
２２を互いに連通させていた。真空ポンプ２４は中央溝
２０に接続され、真空は中央溝２０からその回りの環状
溝２２へと広がるようになっていた。このため、中央溝
２０の直径はその他の環状溝２２の幅よりも大きく形成
されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】セラミックポーラス１
６は多数の微小な孔組織をもち、真空導入板部材１８の
真空を通過させ、半導体ウエハ１０の接着テープ１２を
吸着保持する。上記したように、接着テープ１２がダイ
シングテーブル上で動かないように保持されるために
は、十分に大きな真空を受けていること、及び全面に均
一な真空を受けていることが必要である。
６は多数の微小な孔組織をもち、真空導入板部材１８の
真空を通過させ、半導体ウエハ１０の接着テープ１２を
吸着保持する。上記したように、接着テープ１２がダイ
シングテーブル上で動かないように保持されるために
は、十分に大きな真空を受けていること、及び全面に均
一な真空を受けていることが必要である。
【０００６】そこで、接着テープ１２がダイシングテー
ブル上で動く傾向を発見した発明者は、接着テープ１２
がダイシングテーブル上で動かないようにするために、
真空ポンプ２４の供給する真空を上げることから試み
た。しかし、真空ポンプ２４の供給する真空レベルは思
うようには上がらず、また真空をできるだけ上げても、
接着テープ１２がダイシングテーブル上で動く傾向を完
全に無くすことはできなかった。
ブル上で動く傾向を発見した発明者は、接着テープ１２
がダイシングテーブル上で動かないようにするために、
真空ポンプ２４の供給する真空を上げることから試み
た。しかし、真空ポンプ２４の供給する真空レベルは思
うようには上がらず、また真空をできるだけ上げても、
接着テープ１２がダイシングテーブル上で動く傾向を完
全に無くすことはできなかった。
【０００７】特に、真空ポンプ２４の供給する真空を上
げると、セラミックポーラス１６の中央部が真空の作用
方向に窪む。すると、セラミックポーラス１６に接触し
ている接着テープ１２も同様に窪んで接着テープ１２が
平坦でなくなったり、あるいは、接着テープ１２が平坦
な状態を維持している場合にはセラミックポーラス１６
の窪んだ部位で吸着固定力が弱くなったりする。さら
に、セラミックポーラス１６の中央部においては真空が
強くなるが、セラミックポーラス１６の周辺部において
は真空が十分に高くならなかった。そのため、ダイシン
グ工程において、半導体ウエハ１０の固定が十分でなく
て切断位置の誤差が大きくなったり、接着テープ１２の
切り込み量が変わったり、あるいはピックアップ時に接
着テープ１２の位置ずれを生じたりする問題点が生じ
た。
げると、セラミックポーラス１６の中央部が真空の作用
方向に窪む。すると、セラミックポーラス１６に接触し
ている接着テープ１２も同様に窪んで接着テープ１２が
平坦でなくなったり、あるいは、接着テープ１２が平坦
な状態を維持している場合にはセラミックポーラス１６
の窪んだ部位で吸着固定力が弱くなったりする。さら
に、セラミックポーラス１６の中央部においては真空が
強くなるが、セラミックポーラス１６の周辺部において
は真空が十分に高くならなかった。そのため、ダイシン
グ工程において、半導体ウエハ１０の固定が十分でなく
て切断位置の誤差が大きくなったり、接着テープ１２の
切り込み量が変わったり、あるいはピックアップ時に接
着テープ１２の位置ずれを生じたりする問題点が生じ
た。
【０００８】また、従来のダイシング工程では、真空ポ
ンプ２４としてコンバムを使用しているが、小型のコン
バムでは達成できる真空レベルに限界があり、大きな吸
着固定力を得るのに不十分であることが見出された。大
型のコンバムを使用すると真空レベルを上げることがで
きるかもしれないが、騒音が大きくなり、半導体製造工
場のクリーンルームで使用するのは不適であると思われ
る。
ンプ２４としてコンバムを使用しているが、小型のコン
バムでは達成できる真空レベルに限界があり、大きな吸
着固定力を得るのに不十分であることが見出された。大
型のコンバムを使用すると真空レベルを上げることがで
きるかもしれないが、騒音が大きくなり、半導体製造工
場のクリーンルームで使用するのは不適であると思われ
る。
【０００９】本発明の目的は、真空導入板部材の溝構造
を改善することにより、また真空ポンプの適切な使用に
より、半導体ウエハを確実に固定的に保持することので
きる半導体保持装置及びダイシング方法を提供すること
である。
を改善することにより、また真空ポンプの適切な使用に
より、半導体ウエハを確実に固定的に保持することので
きる半導体保持装置及びダイシング方法を提供すること
である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体保持
装置は、半導体ウエハを真空により保持する半導体保持
装置であって、半導体ウエハを載置させる多孔性板部材
と、該多孔性板部材の半導体ウエハとは反対側に配置さ
れ、中央部に位置する中央溝と、該中央溝の回りに同心
円状に設けられた複数の環状溝とを有する真空導入板部
材とを備え、該真空導入板部材の該環状溝のうちの少な
くとも一つの環状溝の幅が該中央溝の直径と等しいか又
は該中央溝の幅よりも大きいことを特徴とする。また、
本発明のダイシング方法は、半導体ウエハを載置させる
多孔性板部材と、該多孔性板部材の半導体ウエハとは反
対側に配置され、中央部に位置する中央溝と、該中央溝
の回りに同心円状に設けられた複数の環状溝とを有する
真空導入板部材とからなる半導体保持装置を準備し、水
封ポンプにより該真空導入板部材に真空を供給して半導
体ウエハを該多孔性板部材に吸着保持し、該半導体ウエ
ハをダイシングソーによりダイシングすることを特徴と
する。
装置は、半導体ウエハを真空により保持する半導体保持
装置であって、半導体ウエハを載置させる多孔性板部材
と、該多孔性板部材の半導体ウエハとは反対側に配置さ
れ、中央部に位置する中央溝と、該中央溝の回りに同心
円状に設けられた複数の環状溝とを有する真空導入板部
材とを備え、該真空導入板部材の該環状溝のうちの少な
くとも一つの環状溝の幅が該中央溝の直径と等しいか又
は該中央溝の幅よりも大きいことを特徴とする。また、
本発明のダイシング方法は、半導体ウエハを載置させる
多孔性板部材と、該多孔性板部材の半導体ウエハとは反
対側に配置され、中央部に位置する中央溝と、該中央溝
の回りに同心円状に設けられた複数の環状溝とを有する
真空導入板部材とからなる半導体保持装置を準備し、水
封ポンプにより該真空導入板部材に真空を供給して半導
体ウエハを該多孔性板部材に吸着保持し、該半導体ウエ
ハをダイシングソーによりダイシングすることを特徴と
する。
【００１１】
【作用】上記構成においては、真空導入板部材の該環状
溝のうちの少なくとも一つの環状溝の幅が該中央溝の直
径と等しいか又は該中央溝の幅よりも大きくしたので、
中央溝から供給される真空は中央溝に局部的に大きくな
ることなく周辺の環状溝まで均一に行き渡り、多孔性板
部材の中央溝の部位が窪むことによる固定不良をなくす
ことができるとともに、周辺部での固定をさらに確実に
することができる。また、水封ポンプを用いると、高真
空を得ることができるとともに、低騒音性であるので、
半導体装置のダイシングを行う場合に特に適している。
溝のうちの少なくとも一つの環状溝の幅が該中央溝の直
径と等しいか又は該中央溝の幅よりも大きくしたので、
中央溝から供給される真空は中央溝に局部的に大きくな
ることなく周辺の環状溝まで均一に行き渡り、多孔性板
部材の中央溝の部位が窪むことによる固定不良をなくす
ことができるとともに、周辺部での固定をさらに確実に
することができる。また、水封ポンプを用いると、高真
空を得ることができるとともに、低騒音性であるので、
半導体装置のダイシングを行う場合に特に適している。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の原理図兼第１実施例を示す図
である。従来と同様に、半導体ウエハ１０は接着テープ
１２により環状の支持フレーム１４に取りつけられてい
る。半導体保持装置としてのダイシングテーブルは、テ
ーブル本体３０と、半導体ウエハ１０を載置させる多孔
性のセラミックポーラス１６と、その下側に配置される
真空導入板部材１８とからなるものである。セラミック
ポーラス１６は多孔性の材料で作られ、真空導入板部材
はステンレス鋼等の金属で作られる。テーブル本体３０
は上面側に円筒状凹部を有し、真空導入板部材１８及び
セラミックポーラス１６がこの円筒状凹部にぴったりと
挿入されるようになっている。テーブル本体３０は、中
央部に貫通穴３２と、チューブ連結部３４とを有してい
る。
である。従来と同様に、半導体ウエハ１０は接着テープ
１２により環状の支持フレーム１４に取りつけられてい
る。半導体保持装置としてのダイシングテーブルは、テ
ーブル本体３０と、半導体ウエハ１０を載置させる多孔
性のセラミックポーラス１６と、その下側に配置される
真空導入板部材１８とからなるものである。セラミック
ポーラス１６は多孔性の材料で作られ、真空導入板部材
はステンレス鋼等の金属で作られる。テーブル本体３０
は上面側に円筒状凹部を有し、真空導入板部材１８及び
セラミックポーラス１６がこの円筒状凹部にぴったりと
挿入されるようになっている。テーブル本体３０は、中
央部に貫通穴３２と、チューブ連結部３４とを有してい
る。
【００１３】図１及び図２に示されるように、真空導入
板部材１８は、中央部に位置する中央溝２０と、中央溝
２０の回りに同心円状に設けられた複数の環状溝２２と
を有する。中央溝２０と環状溝２２は環状壁２６で分離
され、放射状の溝２８が中央溝２０と環状溝２２を互い
に連通させている。これらの放射状の溝２８は２組の十
字状の溝を４５度ずらして配置したものであり、中央溝
２０と環状溝２２との連通をより円滑にしている。
板部材１８は、中央部に位置する中央溝２０と、中央溝
２０の回りに同心円状に設けられた複数の環状溝２２と
を有する。中央溝２０と環状溝２２は環状壁２６で分離
され、放射状の溝２８が中央溝２０と環状溝２２を互い
に連通させている。これらの放射状の溝２８は２組の十
字状の溝を４５度ずらして配置したものであり、中央溝
２０と環状溝２２との連通をより円滑にしている。
【００１４】真空ポンプ２４はチューブ連結部３４に接
続され、中央溝２０に連通している。この実施例では、
真空ポンプ２４は高真空を得ることができ且つ低騒音性
の水封ポンプを使用している。例えば、水封ポンプは大
気圧から７５０mmＨＧ程度の真空を達成できる。従来使
用していたコンバムでは６３０又は６５０mmＨＧ程度の
真空であった。
続され、中央溝２０に連通している。この実施例では、
真空ポンプ２４は高真空を得ることができ且つ低騒音性
の水封ポンプを使用している。例えば、水封ポンプは大
気圧から７５０mmＨＧ程度の真空を達成できる。従来使
用していたコンバムでは６３０又は６５０mmＨＧ程度の
真空であった。
【００１５】図１及び図２に示す実施例においては、環
状溝２２の幅はすべて等しく、且つ中央溝２０の直径よ
りも大きく形成されている。これに伴って、環状壁２６
の幅は環状溝２２の幅よりも小さくなっている。このた
め、中央溝２０から供給される真空は中央溝２０に局部
的に大きくなることなく周辺の環状溝２２まで均一に行
き渡り、セラミックポーラス１６は中央溝２０の部位が
窪むことがなくなり、全体的に平坦な姿勢を維持するこ
とができる。セラミックポーラス１６は多数の微小な孔
組織をもち、真空導入板部材１８の真空を通過させ、半
導体ウエハ１０の接着テープ１２を吸着保持する。セラ
ミックポーラス１６は全体的に一様な真空を受け、真空
ポンプ２４からの高真空がセラミックポーラス１６の周
辺部での固定をさらに確実にする。このようにして、接
着テープ１２は、十分に大きな真空を全面に均一に受
け、ダイシングテーブル上で動かないように保持され
る。従って、この状態で、ダイシングソーにより半導体
ウエハ１０のダイシングを行う。なお、ダイシングソー
は特に図示しないが、業界で公知のものを使用すること
ができる。
状溝２２の幅はすべて等しく、且つ中央溝２０の直径よ
りも大きく形成されている。これに伴って、環状壁２６
の幅は環状溝２２の幅よりも小さくなっている。このた
め、中央溝２０から供給される真空は中央溝２０に局部
的に大きくなることなく周辺の環状溝２２まで均一に行
き渡り、セラミックポーラス１６は中央溝２０の部位が
窪むことがなくなり、全体的に平坦な姿勢を維持するこ
とができる。セラミックポーラス１６は多数の微小な孔
組織をもち、真空導入板部材１８の真空を通過させ、半
導体ウエハ１０の接着テープ１２を吸着保持する。セラ
ミックポーラス１６は全体的に一様な真空を受け、真空
ポンプ２４からの高真空がセラミックポーラス１６の周
辺部での固定をさらに確実にする。このようにして、接
着テープ１２は、十分に大きな真空を全面に均一に受
け、ダイシングテーブル上で動かないように保持され
る。従って、この状態で、ダイシングソーにより半導体
ウエハ１０のダイシングを行う。なお、ダイシングソー
は特に図示しないが、業界で公知のものを使用すること
ができる。
【００１６】なお、従来は、環状溝２２の幅は中央溝２
０の直径よりも小さく形成されていた。本発明では、少
なくとも一つの環状溝２２の幅が中央溝２０の直径と等
しいか又は中央溝２０の直径よりも大きくすることによ
り、セラミックポーラス１６の中央溝２０の部位に集中
的に真空が作用するのを防止して局部的な窪みを防止す
ることができる。
０の直径よりも小さく形成されていた。本発明では、少
なくとも一つの環状溝２２の幅が中央溝２０の直径と等
しいか又は中央溝２０の直径よりも大きくすることによ
り、セラミックポーラス１６の中央溝２０の部位に集中
的に真空が作用するのを防止して局部的な窪みを防止す
ることができる。
【００１７】図３は本発明の第２実施例を示し、第１実
施例と同様に、セラミックポーラス１６及び真空導入板
部材１８を有する。第２実施例においては、真空導入板
部材１８の環状溝２２の幅は外周に行くにつれて大きく
なっており、真空ポンプ２４からの高真空がセラミック
ポーラス１６の周辺部での固定をさらに確実にするよう
になっている。従って、セラミックポーラス１６の中央
部が窪む傾向をますます緩和している。従来のようにセ
ラミックポーラス１６の中央部に真空が局部的に集中し
ているときには横からの力が弱いのに対して、セラミッ
クポーラス１６の周辺部での固定を強化すれば接着テー
プ１２の移動を効果的に防止することができる。さら
に、この実施例においては、環状溝２２の幅は全て中央
溝２０の直径よりも大きくなっている。
施例と同様に、セラミックポーラス１６及び真空導入板
部材１８を有する。第２実施例においては、真空導入板
部材１８の環状溝２２の幅は外周に行くにつれて大きく
なっており、真空ポンプ２４からの高真空がセラミック
ポーラス１６の周辺部での固定をさらに確実にするよう
になっている。従って、セラミックポーラス１６の中央
部が窪む傾向をますます緩和している。従来のようにセ
ラミックポーラス１６の中央部に真空が局部的に集中し
ているときには横からの力が弱いのに対して、セラミッ
クポーラス１６の周辺部での固定を強化すれば接着テー
プ１２の移動を効果的に防止することができる。さら
に、この実施例においては、環状溝２２の幅は全て中央
溝２０の直径よりも大きくなっている。
【００１８】図４は本発明の第３実施例を示し、第１実
施例と同様に、セラミックポーラス１６及び真空導入板
部材１８を有する。また、環状溝２２の幅はすべて等し
く、且つ中央溝２０の直径よりも大きく形成されてい
る。第３実施例においては、真空ポンプ２４はライン３
６により中央溝２０及び環状溝２２に個別に接続され、
各ライン３６にはプレッシャレギュレータ３８が配置さ
れている。従って、この構成によれば、接着テープ１２
の移動を効果的に防止することができるように、中央溝
２０及び環状溝２２の真空レベルを個別に最適に制御す
ることができる。
施例と同様に、セラミックポーラス１６及び真空導入板
部材１８を有する。また、環状溝２２の幅はすべて等し
く、且つ中央溝２０の直径よりも大きく形成されてい
る。第３実施例においては、真空ポンプ２４はライン３
６により中央溝２０及び環状溝２２に個別に接続され、
各ライン３６にはプレッシャレギュレータ３８が配置さ
れている。従って、この構成によれば、接着テープ１２
の移動を効果的に防止することができるように、中央溝
２０及び環状溝２２の真空レベルを個別に最適に制御す
ることができる。
【００１９】なお、第３実施例のプレッシャレギュレー
タ３８は、中央溝２０及び環状溝２２の幅の関係が変化
する場合、例えば第２実施例の構成においても、採用可
能である。また、上記説明では、セラミックポーラス１
６及び真空導入板部材１８は別部材で構成されている
が、そのような部材を一体的な構成とすることもでき
る。例えば、多孔性板部材としてセラミックポーラス１
６の代わりにメタルポーラスを用いると、真空導入板部
材１８をそのメタルポーラスに一体的に設けたものとす
ることができる。
タ３８は、中央溝２０及び環状溝２２の幅の関係が変化
する場合、例えば第２実施例の構成においても、採用可
能である。また、上記説明では、セラミックポーラス１
６及び真空導入板部材１８は別部材で構成されている
が、そのような部材を一体的な構成とすることもでき
る。例えば、多孔性板部材としてセラミックポーラス１
６の代わりにメタルポーラスを用いると、真空導入板部
材１８をそのメタルポーラスに一体的に設けたものとす
ることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
真空導入板部材の該環状溝のうちの少なくとも一つの環
状溝の幅が該中央溝の直径と等しいか又は該中央溝の幅
よりも大きい構成としたので、中央溝から供給される真
空は中央溝に局部的に大きくなることなく周辺の環状溝
まで均一に行き渡り、多孔性板部材の中央溝の部位が窪
むことによる固定不良をなくすことができるとともに、
周辺部での固定をさらに確実にすることができる。
真空導入板部材の該環状溝のうちの少なくとも一つの環
状溝の幅が該中央溝の直径と等しいか又は該中央溝の幅
よりも大きい構成としたので、中央溝から供給される真
空は中央溝に局部的に大きくなることなく周辺の環状溝
まで均一に行き渡り、多孔性板部材の中央溝の部位が窪
むことによる固定不良をなくすことができるとともに、
周辺部での固定をさらに確実にすることができる。
【図１】本発明の原理図兼第１実施例を示す図である。
【図２】図１の真空導入板部材の平面図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す図である。
【図４】本発明の第３実施例を示す図である。
【図５】従来技術を示す図である。
【図６】図５の真空導入板部材の平面図である。
１０…半導体ウエハ １２…接着テープ １６…セラミックポーラス １８…真空導入板部材 ２０…中央溝 ２２…環状溝 ２４…真空ポンプ ２６…環状壁 ３８…プレッシャレギュレータ
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体ウエハ（１０）を真空により保持
する半導体保持装置であって、半導体ウエハを載置させ
る多孔性板部材（１６）と、該多孔性板部材の半導体ウ
エハとは反対側に配置され、中央部に位置する中央溝
（２０）と、該中央溝の回りに同心円状に設けられた複
数の環状溝（２２）とを有する真空導入板部材（１８）
とを備え、該真空導入板部材の該環状溝のうちの少なく
とも一つの環状溝（２２）の幅が該中央溝（２０）の直
径と等しいか又は該中央溝の直径よりも大きいことを特
徴とする半導体保持装置。 - 【請求項２】 該環状溝（２２）の幅が全て該中央溝
（２０）の直径と等しいか又は該中央溝の直径よりも大
きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体保持装
置。 - 【請求項３】 該環状溝（２２）の幅が外周に行くにつ
れて大きくなることを特徴とする請求項１に記載の半導
体保持装置。 - 【請求項４】 該中央溝（２０）及び該環状溝（２２）
のそれぞれの圧力を調整する手段（３８）を設けたこと
を特徴とする請求項１に記載の半導体保持装置。 - 【請求項５】 該多孔性板部材がセラミックポーラス
（１６）からなり、該真空導入板部材（１８）が金属か
らなることを特徴とする請求項１に記載の半導体保持装
置。 - 【請求項６】 該多孔性板部材及び該真空導入板部材が
メタルポーラスからなることを特徴とする請求項１に記
載の半導体保持装置。 - 【請求項７】 半導体ウエハを載置させる多孔性板部材
（１６）と、該多孔性板部材の半導体ウエハとは反対側
に配置され、中央部に位置する中央溝（２０）と、該中
央溝の回りに同心円状に設けられた複数の環状溝（２
２）とを有する真空導入板部材（１８）とからなる半導
体保持装置を準備し、 水封ポンプ（２４）により該真空導入板部材（１８）に
真空を供給して半導体ウエハ（１０）を該多孔性板部材
（１６）に吸着保持し、 該半導体ウエハ（１０）をダイシングソーによりダイシ
ングすることを特徴とするダイシング方法。 - 【請求項８】 該半導体ウエハ（１０）を接着テープ
（１２）に取りつけ、該接着テープを該多孔性板部材
（１６）に載置することを特徴とする請求項７に記載の
ダイシング方法。 - 【請求項９】 該半導体保持装置を準備するに際して、
該真空導入板部材の該環状溝のうちの少なくとも一つの
環状溝（２２）の幅を該中央溝（２０）の直径と等しい
か又は該中央溝の直径よりも大きくすることを特徴とす
る請求項７に記載のダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30785991A JP2663957B2 (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 半導体保持装置及びダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30785991A JP2663957B2 (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 半導体保持装置及びダイシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144939A true JPH05144939A (ja) | 1993-06-11 |
| JP2663957B2 JP2663957B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=17974033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30785991A Expired - Fee Related JP2663957B2 (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 半導体保持装置及びダイシング方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2663957B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11307619A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Yamatake Corp | ウエハ固定装置 |
| US7112518B2 (en) | 2002-06-10 | 2006-09-26 | New Wave Research | Method and apparatus for cutting devices from substrates |
| WO2008018164A1 (fr) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Procédé et dispositif pour séparer une plaque de support d'une plaquette |
| JP2008078424A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2020113699A (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-27 | 株式会社東京精密 | ウェーハチャック及びウェーハ保持装置 |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP30785991A patent/JP2663957B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| JPH11307619A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Yamatake Corp | ウエハ固定装置 |
| US7112518B2 (en) | 2002-06-10 | 2006-09-26 | New Wave Research | Method and apparatus for cutting devices from substrates |
| US7169688B2 (en) | 2002-06-10 | 2007-01-30 | New Wave Research, Inc. | Method and apparatus for cutting devices from substrates |
| WO2008018164A1 (fr) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Procédé et dispositif pour séparer une plaque de support d'une plaquette |
| JP2008078424A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2020113699A (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-27 | 株式会社東京精密 | ウェーハチャック及びウェーハ保持装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2663957B2 (ja) | 1997-10-15 |
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