JPH05145256A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPH05145256A JPH05145256A JP3304718A JP30471891A JPH05145256A JP H05145256 A JPH05145256 A JP H05145256A JP 3304718 A JP3304718 A JP 3304718A JP 30471891 A JP30471891 A JP 30471891A JP H05145256 A JPH05145256 A JP H05145256A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive resin
- heat sink
- thickness
- thick film
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5475—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to common bond pads at both ends of the wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 混成集積回路の放熱板上と厚膜基板を接着す
る接着樹脂の厚さを容易に測定できるようにする。 【構成】 放熱板1上に接着樹脂10を塗布するとき同
時に測定用接着樹脂パターン11を形成する。測定用接
着樹脂パターン11は接着樹脂10と同じ厚さに形成さ
れ、測定用接着樹脂パターン11の厚さを測定すれば、
接着樹脂10の厚さになる。
る接着樹脂の厚さを容易に測定できるようにする。 【構成】 放熱板1上に接着樹脂10を塗布するとき同
時に測定用接着樹脂パターン11を形成する。測定用接
着樹脂パターン11は接着樹脂10と同じ厚さに形成さ
れ、測定用接着樹脂パターン11の厚さを測定すれば、
接着樹脂10の厚さになる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、基板を放熱板に接着
する構造を持つ混成集積回路に関する。
する構造を持つ混成集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は放熱板上に厚膜基板を接着する構
造を持つ従来の混成集積回路の平面図であり、図4は図
2の断面図である。1は放熱板、2aは放熱板1に接着
された厚膜基板、3はパワー用半導体素子、4はパワー
用半導体素子3と厚膜基板2aを接続するために設けら
れた接続用金属台、5は1次ヒートシンク、6はパワー
用半導体素子3と放熱板1を絶縁している絶縁基板であ
る。
造を持つ従来の混成集積回路の平面図であり、図4は図
2の断面図である。1は放熱板、2aは放熱板1に接着
された厚膜基板、3はパワー用半導体素子、4はパワー
用半導体素子3と厚膜基板2aを接続するために設けら
れた接続用金属台、5は1次ヒートシンク、6はパワー
用半導体素子3と放熱板1を絶縁している絶縁基板であ
る。
【0003】7はパワー用半導体素子5を制御するため
のフリップチップIC、8は接続用金属台4を介して厚
膜基板2aとパワー半導体素子3を電気的に接続する金
属配線、9はする錫鉛合金の半田材、10は放熱板1と
厚膜基板2aを接着する接着樹脂である。
のフリップチップIC、8は接続用金属台4を介して厚
膜基板2aとパワー半導体素子3を電気的に接続する金
属配線、9はする錫鉛合金の半田材、10は放熱板1と
厚膜基板2aを接着する接着樹脂である。
【0004】半田材9は、放熱板1と絶縁基板6,絶縁
基板6と1次ヒートシンク5,1次ヒートシンク5とパ
ワー半導体素子3,厚膜基板2aと接続用金属台4,厚
膜基板2aとフリップチップIC7を接続する。
基板6と1次ヒートシンク5,1次ヒートシンク5とパ
ワー半導体素子3,厚膜基板2aと接続用金属台4,厚
膜基板2aとフリップチップIC7を接続する。
【0005】パワー用半導体素子3は、熱を発生するた
め制御用の厚膜基板2a部分より分離して形成してい
た。厚膜基板2aは、放熱の必要はなく放熱板1に固定
されていればよいので、接着樹脂10の厚さは制御する
必要はなかった。
め制御用の厚膜基板2a部分より分離して形成してい
た。厚膜基板2aは、放熱の必要はなく放熱板1に固定
されていればよいので、接着樹脂10の厚さは制御する
必要はなかった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の混成集積回路装
置は以上のように構成されているので、厚膜基板2aの
部分の組立とパワー用半導体素子3の部分は別々に組み
立てなければならず、組立の自動化が困難であった。
置は以上のように構成されているので、厚膜基板2aの
部分の組立とパワー用半導体素子3の部分は別々に組み
立てなければならず、組立の自動化が困難であった。
【0007】また自動化を図るため厚膜基板2a上にパ
ワー半導体素子3を設置する場合、パワー半導体素子3
からの発熱を効率よく放熱するために、厚膜基板2aと
放熱板1を接着する接着樹脂10の厚さを制御する必要
があるが、接着樹脂10の厚さを測定するためには、そ
の部分の断面を切り出し調査しなければならず、時間が
かかるなどの問題があった。
ワー半導体素子3を設置する場合、パワー半導体素子3
からの発熱を効率よく放熱するために、厚膜基板2aと
放熱板1を接着する接着樹脂10の厚さを制御する必要
があるが、接着樹脂10の厚さを測定するためには、そ
の部分の断面を切り出し調査しなければならず、時間が
かかるなどの問題があった。
【0008】この発明は上記のような問題を解消するた
めになされたものであり、放熱板1と厚膜基板2aを接
着する接着樹脂10の厚さを容易に測定できるようにし
たものである。
めになされたものであり、放熱板1と厚膜基板2aを接
着する接着樹脂10の厚さを容易に測定できるようにし
たものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】放熱板上に基板を接着す
るために接着樹脂を塗布するとき、放熱板上の基板設置
領域とは別の領域に、接着樹脂で測定用パターン形成す
る。
るために接着樹脂を塗布するとき、放熱板上の基板設置
領域とは別の領域に、接着樹脂で測定用パターン形成す
る。
【0010】
【作用】厚膜基板と放熱板を接着する接着樹脂と同じ厚
さの測定用パターンが、それ自身を露出した状態で放熱
板上に存在する。
さの測定用パターンが、それ自身を露出した状態で放熱
板上に存在する。
【0011】
【実施例】以下、図を参照して本発明の1実施例を説明
する。図1は本発明の混成集積回路装置の1実施例を示
す平面図である。図2は図1の断面図である。
する。図1は本発明の混成集積回路装置の1実施例を示
す平面図である。図2は図1の断面図である。
【0012】2は厚膜基板、11は接着樹脂10の厚さ
測定用の測定用接着樹脂パターンであり他は、図3と同
様である。接着樹脂10と測定用接着樹脂パターン11
は放熱板1上に同時に塗布され、その後測定用接着樹脂
パターン11と厚膜基板2を載せた接着樹脂10と形成
された放熱板1は同時に加熱され、接着樹脂10と測定
用接着用樹脂パターン11は硬化する。
測定用の測定用接着樹脂パターンであり他は、図3と同
様である。接着樹脂10と測定用接着樹脂パターン11
は放熱板1上に同時に塗布され、その後測定用接着樹脂
パターン11と厚膜基板2を載せた接着樹脂10と形成
された放熱板1は同時に加熱され、接着樹脂10と測定
用接着用樹脂パターン11は硬化する。
【0013】厚膜基板2が接着樹脂10で放熱板1に接
着されるとき、厚膜基板2の端面で接着樹脂10のはい
寄りが発生するので、測定用接着樹脂パターン11は接
着樹脂10より分離して形成する。なお、接着樹脂10
をはい寄りが発生しない樹脂とすれば、接着樹脂10と
測定用接着樹脂パターン11は、連続した形状で形成し
てもよい。
着されるとき、厚膜基板2の端面で接着樹脂10のはい
寄りが発生するので、測定用接着樹脂パターン11は接
着樹脂10より分離して形成する。なお、接着樹脂10
をはい寄りが発生しない樹脂とすれば、接着樹脂10と
測定用接着樹脂パターン11は、連続した形状で形成し
てもよい。
【0014】測定用接着樹脂パターン11は、接着樹脂
10と相関がとれて、かつ厚さを測定する機器に必要な
大きさの最小限度で構成される。
10と相関がとれて、かつ厚さを測定する機器に必要な
大きさの最小限度で構成される。
【0015】ここで測定用接着樹脂パターン11は接着
樹脂10と同時に同じ厚さで塗布されているので、測定
用接着樹脂パターン11の厚さを測定することは放熱板
1と厚膜基板2に挟まれた接着樹脂10の厚さを測定す
るのと同じことになる。
樹脂10と同時に同じ厚さで塗布されているので、測定
用接着樹脂パターン11の厚さを測定することは放熱板
1と厚膜基板2に挟まれた接着樹脂10の厚さを測定す
るのと同じことになる。
【0016】
【発明の効果】以上のようにこの発明では、測定用パタ
ーンを放熱板の上に設けるように構成したので、基板の
接着樹脂厚を容易に知ることが可能となり、接着樹脂厚
を精度よく制御できるという効果がある。
ーンを放熱板の上に設けるように構成したので、基板の
接着樹脂厚を容易に知ることが可能となり、接着樹脂厚
を精度よく制御できるという効果がある。
【図1】本発明の1実施例の混成集積回路装置を示す平
面図である。
面図である。
【図2】図1の断面図である。
【図3】従来の混成集積回路装置の1例を示す平面図で
ある。
ある。
【図4】図3の断面図である。
【符号の説明】 1 放熱板 2 厚膜基板 3 パワー半導体素子 4 接続用金属台 5 1次ヒートシンク 7 フリップチップIC 8 金属配線 11 測定用接着樹脂パターン
Claims (1)
- 【請求項1】 熱を発生する半導体素子からなる回路が
形成された基板と、前記基板を載置し前記半導体素子か
らの熱により加熱された基板の熱を放散する放熱板と、
前記基板と放熱板とを接着する接着樹脂とから構成する
混成集積回路において、 前記放熱板上の前記基板が載置される以外の領域に、前
記接着樹脂と同じ厚さでかつ同材料からなる測定用パタ
ーンを形成したことを特徴とした混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3304718A JPH05145256A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3304718A JPH05145256A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05145256A true JPH05145256A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17936381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3304718A Pending JPH05145256A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05145256A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014521205A (ja) * | 2011-07-05 | 2014-08-25 | ピールブルグ パンプ テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 導電性かつ熱伝導性の部材と基板との適正な接着の検査方法 |
-
1991
- 1991-11-20 JP JP3304718A patent/JPH05145256A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014521205A (ja) * | 2011-07-05 | 2014-08-25 | ピールブルグ パンプ テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 導電性かつ熱伝導性の部材と基板との適正な接着の検査方法 |
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