JPH0515453A - 給湯装置 - Google Patents

給湯装置

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JPH0515453A
JPH0515453A JP3168175A JP16817591A JPH0515453A JP H0515453 A JPH0515453 A JP H0515453A JP 3168175 A JP3168175 A JP 3168175A JP 16817591 A JP16817591 A JP 16817591A JP H0515453 A JPH0515453 A JP H0515453A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hot water
container
water
activated carbon
path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3168175A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayuki Urata
隆行 浦田
Shuzo Tokumitsu
修三 徳光
Yoshiyuki Okabe
良行 岡部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】沸騰を持続することなく短時間のうちにカルキ
臭のもととされている遊離塩素を除去し、カルキ臭のし
ない湯を供給する給湯装置を提供することを目的として
いる。 【構成】容器2と、この容器2内の水を加熱するヒータ
ー14と、前記容器2内の水を揚水するポンプ7と、こ
の揚水経路に連結した注入口12への経路と容器2への
循環経路とを切り替える切り替え弁11とを設け、前記
循環経路を解放し、この解放部から流れる水がふれる位
置に活性炭22を設けることにより、活性炭22の作用
により湯中の遊離塩素を除去し、さらにたとえ活性炭が
目詰まりしてもポンプ等に余分な負荷をかけない故障の
少ない給湯装置とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、家庭や事務所などで飲
料用の湯を供給する給湯装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年の水道水は塩素消毒がされているた
め、多くの遊離塩素が含まれており、カルキ臭(塩素
臭)の多いものとなっている。そこで従来の給湯装置で
は、沸騰を数分間持続することにより、水中の遊離塩素
を大気中に放出し水道水中のカルキ臭を除去していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記方法による
遊離塩素の除去には限界があり、十分にしかも短時間に
遊離塩素を除去することはできなかった。また、長時間
沸騰させると給湯装置より発生する蒸気によって、室内
の空気が湿ったり周辺部に置かれている器具類が変色す
るというような問題もあった。本発明はこのような従来
の構成が有していた課題を解決しようとするものであ
り、短時間のうちにカルキ臭のもととされている遊離塩
素を除去し、カルキ臭のしない湯を供給することがで
き、しかもたとえ活性炭フィルターが目詰まりしてもポ
ンプに余分な負荷がかからず故障が少ない給湯装置を提
供することを目的としている。
【0004】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、容器と、この容器内の水を加熱するヒータ
ーと、前記容器内の水を揚水するポンプと、この揚水経
路に連結した注入口への経路と貯湯用容器への循環経路
とを切り替える切り替え弁とを設け、前記循環経路を解
放し、この解放部から流れる水がふれる位置に活性炭を
設けた給湯装置とするものである。
【0005】
【作用】上記したように本発明は、湯を給湯装置内で循
環させ、循環経路中の活性炭と湯を接触させることによ
り、活性炭の作用で湯中の遊離塩素が(化1)または
(化2)の様に反応し除去されるので、カルキ臭の少な
いおいしい湯を供給することが可能となるものである。
【0006】
【化1】
【0007】
【化2】
【0008】またこれらの反応は高温ほど迅速に行われ
るため、水温が高いときに循環させるほど有利である。
また処理水量が少ないほど循環時間は短くなり、処理水
濃度が低いと循環時間は短くなる。
【0009】さらに循環経路を解放し、この解放部から
流れる水がふれる位置に活性炭を設けることにより、た
とえ活性炭が目詰まりを起こしたとしてもポンプ等に余
分な負荷をかけることがなく、故障の少ない貯湯装置を
実現できるものである。
【0010】
【実施例】以下本発明の一実施例について図面を参照し
ながら説明する。図1において1は給湯装置の本体(以
下単に本体1と称する)で、内部に湯を貯湯する内径1
50mm、深さ250mmの容器2を有している。3は容器
2の口部を封じるように装着した中栓である。また4
は、本体1の上部を開閉可能に覆った上蓋である。5は
逆止弁であり、中栓3を貫通して容器2内と連通してお
り、また大気とも連通している。6は本体1と容器2と
の間の底部に設けたモータ、7はモータ6により駆動さ
れるポンプで、その吸い込み口8は容器2の底部と連通
している。9はポンプ7の吐出口で、揚水径路を構成す
る吐出パイプ10に連通している。11は前記吐出パイ
プ10による湯の揚水径路の途中に設けた切換弁であ
り、湯は切換弁11を通って注入口12からコップ等へ
注がれるか、あるいは容器2内に循環する循環経路を構
成する循環口13を通って再び容器2内に循環されるよ
うになっている。循環口13の付近には活性炭22が取
り付けてあり、循環口13を通った湯は活性炭22にふ
れるようになっている。14はヒータであり、貯湯用容
器2の下部側面に装着されている。15はモータ6を駆
動する起動スイッチと可変抵抗体であり、押しボタン1
6の押し動作によりロッド17を介して動作する。18
は圧縮形のスプリングで、このスプリング18は、常時
ロッド17を上方に押し上げるように付勢している。1
9は切換弁11を動作させるスイッチであり、このスイ
ッチ19の操作により切換弁11が注水口12側経路
か、あるいは循環経路にある活性炭22側かに切り換わ
る。
【0011】以下本実施例の動作を説明する。容器2内
に貯湯された湯を給湯する場合は、押しボタン16を押
し下げる。即ち、押しボタン16を押し下げる操作によ
って起動スイッチ15がONされ、更に押し下げること
により抵抗が可変されて供給電圧が変化し、モータ6に
通電される。モータ6が通電されることによってポンプ
7が動作し、ポンプ7の吸い込み口8より容器2内に貯
湯されている湯を吸い込み、吐出口9より吐出パイプ1
0へ吐出する。この時スイッチ19を操作して切換弁1
1を注入口12側経路に開いておけば、湯は注入口12
から外部に給湯される。またこの時循環経路側に弁を開
いておれば、湯は循環口13を通って活性炭22に注が
れる。注がれた湯の大部分は活性炭22を通り、通過中
に浄化され容器2内へ循環する。また、活性炭22に注
がれた湯の一部は活性炭層22の中を通らず、表面を伝
って再び貯湯用容器2内へ循環する。このように循環水
の一部が活性炭22の表面を伝うようにしているため、
たとえ活性炭22が水垢等で目詰まりしたとしてもポン
プ7等に余分な負荷がかからず、故障の少ない構造とな
っている。
【0012】「昭和62年度大阪市水道局水質試験所調
査研究ならびに試験成績」によると、市内33カ所の採
水場所の年平均遊離塩素濃度の平均(x)は0.63p
pm、偏差(σ)は0.12である。x+3σ=0.9
9であるので1.0ppmの遊離塩素は充分に高い濃度
と言える。
【0013】また遊離塩素のいき値について、厚生省の
おいしい水研究会は0.4ppm以下の残留塩素濃度で
は通常の人は気にならないとしている。そこで無臭水に
次亜塩素酸を添加し0.1、0.2、0.3、0.4p
pmの溶液をつくり、5人の人に官能試験を行った。そ
の結果カルキ臭を0.2ppm以上で感じた人は2人い
たが0.1ppmで感じた人はいなかった。
【0014】これらの結果より1.0ppmの遊離塩素
を含む水を0.1ppm以下の濃度まで下げることがで
きると、大部分の人はカルキ臭を感じなくなるといえる
とした。今、水道水3000ml中に、初期遊離塩素濃度
が1.0ppmとなるように次亜塩素酸ナトリウムの溶液を加
えて、容器2内に貯湯する。本体1に通電し、押しボタ
ン16を押し下げ、ポンプ7を作動させて湯を循環口1
3を通して流量1200ml/minで循環させるとする。こ
の時の湯中の遊離塩素濃度は、図2に示すように変化し
た。この実験で、遊離塩素濃度は上水試験方法の残留塩
素項目、DPD法に従い定量を行った。縦軸は遊離塩素
濃度であり、横軸は加熱時間である。図2のaは通常の
加熱だけによる遊離塩素の濃度変化を、bは湯温が6
3.5℃から95℃までの約8分間、cは湯温が73.
5℃から95℃までの約5.5分間、dは83.5℃か
ら95℃までの約3.5分間循環させたときの遊離塩素
の濃度変化を示したものである。図2より明らかなよう
に、高温からの循環ほど傾きが大きく、遊離塩素の除去
性能が高い。換言すれば、高温で循環するほど短時間で
遊離塩素が除去できる。そして約8分の循環で、遊離塩
素濃度1.0ppmの水を0.1ppm以下にできた。
【0015】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、容器
と、この容器内の水を加熱するヒーターと、前記容器内
の水を揚水するポンプと、この揚水経路に連結した注入
口への経路と貯湯用容器への循環経路とを切り替える切
り替え弁とを設け、前記循環経路を解放し、この解放部
から流れる水がふれる位置に活性炭を設けた給湯装置と
することによって、たとえ活性炭が目詰まりを起こした
としてもポンプ等に余分な負荷をかけることなく従って
故障が少ない装置で、抽出時に塩素成分の少ないおいし
い湯を供給することができる貯湯装置を実現できるもの
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例における給湯装置の縦断面図
【図2】同給湯装置内の水中の遊離塩素濃度の推移を示
す特性図
【符号の説明】
2 容器 7 ポンプ 11 切り替え弁 12 注入口 13 循環口 14 ヒーター 22 活性炭

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 容器と、この容器内の水を加熱するヒー
    ターと、前記容器内の水を揚水するポンプと、この揚水
    経路に連結した注入口への経路と貯湯用容器への循環経
    路とを切り替える切り替え弁とを設け、前記循環経路を
    解放し、この解放部から流れる水がふれる位置に活性炭
    を設けた給湯装置。
JP3168175A 1991-07-09 1991-07-09 給湯装置 Pending JPH0515453A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3168175A JPH0515453A (ja) 1991-07-09 1991-07-09 給湯装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3168175A JPH0515453A (ja) 1991-07-09 1991-07-09 給湯装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0515453A true JPH0515453A (ja) 1993-01-26

Family

ID=15863188

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JP3168175A Pending JPH0515453A (ja) 1991-07-09 1991-07-09 給湯装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7427773B2 (en) 2000-10-19 2008-09-23 International Business Machines Corporation Layer transfer of low defect SiGe using an etch-back process

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7427773B2 (en) 2000-10-19 2008-09-23 International Business Machines Corporation Layer transfer of low defect SiGe using an etch-back process
US7786468B2 (en) 2000-10-19 2010-08-31 International Business Machines Corporation Layer transfer of low defect SiGe using an etch-back process

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