JPH0712076B2 - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPH0712076B2 JPH0712076B2 JP60021110A JP2111085A JPH0712076B2 JP H0712076 B2 JPH0712076 B2 JP H0712076B2 JP 60021110 A JP60021110 A JP 60021110A JP 2111085 A JP2111085 A JP 2111085A JP H0712076 B2 JPH0712076 B2 JP H0712076B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- receiving element
- light receiving
- image sensor
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルフアスシリコン（以下a-Siという）を受
光素子として用いる密着型イメージセンサに関する。
光素子として用いる密着型イメージセンサに関する。
〔従来の技術〕 a-Siを受光素子として用いる密着型イメージセンサはフ
アクシミリ・OCR・イメージスキヤナなどの読取部とし
て従来より使用されている。従来の上記a-Siを用いた密
着型イメージセンサの受光素子は、一般に、ガラスある
いはセラミツク基板上に、基板側から順に個別電極、a-
Si、透明電極、遮光膜が重層される構造となっていた。
このような従来の受光素子の構造においては、耐環境性
を保持するために受光素子上に絶縁保護膜を厚く形成す
る必要があった。
アクシミリ・OCR・イメージスキヤナなどの読取部とし
て従来より使用されている。従来の上記a-Siを用いた密
着型イメージセンサの受光素子は、一般に、ガラスある
いはセラミツク基板上に、基板側から順に個別電極、a-
Si、透明電極、遮光膜が重層される構造となっていた。
このような従来の受光素子の構造においては、耐環境性
を保持するために受光素子上に絶縁保護膜を厚く形成す
る必要があった。
上記従来の構造の受光素子においては耐環境用を保持す
るための厚く形成した絶縁保護膜が必要であり、読みと
るべき光信号がその絶縁保護膜を通って入射するためこ
の保護膜は透明である必要があった。
るための厚く形成した絶縁保護膜が必要であり、読みと
るべき光信号がその絶縁保護膜を通って入射するためこ
の保護膜は透明である必要があった。
また個別電極の素材により受光素子の特性が大きく影響
を受けるため個別電極に用いることができる金属は数が
少ない。配線の素材として一般的な金は個別電極として
用いることができないため、前記のような素子構造をと
った場合は基板上にクロム・金の三層薄膜を形成し、電
極、配線をフオトエツチングによりパターン化した後、
さらに受光素子部に相当する個別電極の金を除去する工
程が必要となり、この工程が途中に入るため、製造工程
が複雑になるという問題点があった。
を受けるため個別電極に用いることができる金属は数が
少ない。配線の素材として一般的な金は個別電極として
用いることができないため、前記のような素子構造をと
った場合は基板上にクロム・金の三層薄膜を形成し、電
極、配線をフオトエツチングによりパターン化した後、
さらに受光素子部に相当する個別電極の金を除去する工
程が必要となり、この工程が途中に入るため、製造工程
が複雑になるという問題点があった。
そこで、受光素子の構造を基板側から遮光膜、透明電
極、a-Si、個別電極の順に積層すれば上記問題点は解決
されるかというと、この場合、透明電極を形成した後に
a-Siを形成することとなり、a-Si成膜中 透明電極中の
インジウムがa-Si中に拡散して、受光素子の良好な特性
が得られないという欠点があった。
極、a-Si、個別電極の順に積層すれば上記問題点は解決
されるかというと、この場合、透明電極を形成した後に
a-Siを形成することとなり、a-Si成膜中 透明電極中の
インジウムがa-Si中に拡散して、受光素子の良好な特性
が得られないという欠点があった。
本発明は、上記欠点を解消し、受光素子の積層構造を独
特なものとし、a-Si中へのインジウムの拡散による特性
の悪化を防止すると共に製造工程の簡便な密着型イメー
ジセンサを提供すること目的とする。
特なものとし、a-Si中へのインジウムの拡散による特性
の悪化を防止すると共に製造工程の簡便な密着型イメー
ジセンサを提供すること目的とする。
本発明によれば、ガラス基板とガラス基板上にガラス基
板側から遮光膜、透明電極、Ｐ型アモルファスシリコ
ン、アンドープアモルファスシリコン、個別電極の順に
積層された受光素子を有し、遮光膜は光信号入射のため
の開口部を有し、ガラス基板側から読取るべき光信号を
入射させるようにした密着型イメージセンサが得られ
る。
板側から遮光膜、透明電極、Ｐ型アモルファスシリコ
ン、アンドープアモルファスシリコン、個別電極の順に
積層された受光素子を有し、遮光膜は光信号入射のため
の開口部を有し、ガラス基板側から読取るべき光信号を
入射させるようにした密着型イメージセンサが得られ
る。
つぎに、本発明を、実施例により、図面を参照して説明
する。第１図は本発明の１実施例の平面図、第２図はこ
れのA-A′断面図である。これらの図において、ガラス
基板６上にクロムの遮光膜が５が蒸着法あるいはスパツ
ク法により形成されている。遮光膜５には光信号を入射
させるための開口部5aがフオトエツチングにより設けら
れる。遮光膜５上に酸化インジウム（In2O3）と酸化ス
ズ（SnO2）の化合物である酸化インジウムスズ（ITO）
の透明電極４が形成される。透明電極４上に通常のＰ型
アモルファスシリコンの濃度範囲内で適当にボロンをド
ーピングしたＰ型アモルファスシリコン３（以下P-a-Si
という）の膜を500〜1000Å、さらにその上にアンドー
プアモルフアスシリコン２（以下i-a-Siという）の層を
１〜２μｍシランのグロー放電分解などにより形成す
る。このi-a-Si2の上に図示のように遮光膜の開口部5a
に対向するよう複数に分割された個別電極１および配線
をフオトエツチングプロセスにより形成して受光素子部
が完成される。その後必要に応じて受光素子部を絶縁保
護膜で被覆すればよい。
する。第１図は本発明の１実施例の平面図、第２図はこ
れのA-A′断面図である。これらの図において、ガラス
基板６上にクロムの遮光膜が５が蒸着法あるいはスパツ
ク法により形成されている。遮光膜５には光信号を入射
させるための開口部5aがフオトエツチングにより設けら
れる。遮光膜５上に酸化インジウム（In2O3）と酸化ス
ズ（SnO2）の化合物である酸化インジウムスズ（ITO）
の透明電極４が形成される。透明電極４上に通常のＰ型
アモルファスシリコンの濃度範囲内で適当にボロンをド
ーピングしたＰ型アモルファスシリコン３（以下P-a-Si
という）の膜を500〜1000Å、さらにその上にアンドー
プアモルフアスシリコン２（以下i-a-Siという）の層を
１〜２μｍシランのグロー放電分解などにより形成す
る。このi-a-Si2の上に図示のように遮光膜の開口部5a
に対向するよう複数に分割された個別電極１および配線
をフオトエツチングプロセスにより形成して受光素子部
が完成される。その後必要に応じて受光素子部を絶縁保
護膜で被覆すればよい。
このような構造になっているため、製造工程中にa-Si中
へのインジウムの拡散がおこっても、p-a-Si層まででi-
a-Si層までは及ばない。したがって特性が拡散による影
響を受けることはない。
へのインジウムの拡散がおこっても、p-a-Si層まででi-
a-Si層までは及ばない。したがって特性が拡散による影
響を受けることはない。
以上説明したような構造であるため本発明の密着イメー
ジセンサは読みとるべき光信号をガラス基板側から入射
させることができる。したがって受光素子上に形成する
絶縁保護膜を従来より薄くすることができ、またその素
材や色も広く選択できる。さらに個別電極のi-a-Siと接
する部分が基板側となるため、受光素子部の金を取り除
く必要がなくなり製造工程が従来より簡便であるなどの
利点を有する。
ジセンサは読みとるべき光信号をガラス基板側から入射
させることができる。したがって受光素子上に形成する
絶縁保護膜を従来より薄くすることができ、またその素
材や色も広く選択できる。さらに個別電極のi-a-Siと接
する部分が基板側となるため、受光素子部の金を取り除
く必要がなくなり製造工程が従来より簡便であるなどの
利点を有する。
第１図は本発明の１実施例の平面図、第２図は第１図の
A-A′断面図である。 １……個別電極 ２……アンドープアモルフアスシリコン ３……Ｐ型アモルフアスシリコン ４……透明電極 ５……遮光膜 ６……ガラス基板
A-A′断面図である。 １……個別電極 ２……アンドープアモルフアスシリコン ３……Ｐ型アモルフアスシリコン ４……透明電極 ５……遮光膜 ６……ガラス基板
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基板と、該ガラス基板上に該ガラス
基板側から遮光膜、インジウムを含む透明電極、Ｐ型ア
モルファスシリコン、アンドープアモルファスシリコ
ン、個別電極の順に積層された受光素子を有し、前記遮
光膜は光信号入射のための開口部を有し、前記ガラス基
板側から読取るべき光信号を入射させるようにしている
とともに、前記個別電極は前記開口部に対向配置されて
複数個に分割されていることを特徴とする密着型イメー
ジセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60021110A JPH0712076B2 (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60021110A JPH0712076B2 (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61181158A JPS61181158A (ja) | 1986-08-13 |
| JPH0712076B2 true JPH0712076B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=12045740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60021110A Expired - Lifetime JPH0712076B2 (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712076B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011228733A (ja) * | 2011-06-29 | 2011-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサー及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5721875A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-04 | Canon Inc | Photosensor |
| JPS5861662A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Nec Corp | イメ−ジセンサ− |
| JPS5961079A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Nec Corp | 薄膜形光電変換素子とその製造方法 |
-
1985
- 1985-02-06 JP JP60021110A patent/JPH0712076B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61181158A (ja) | 1986-08-13 |
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