JPH0517278A - 化合物半導体結晶の製造方法及び製造装置 - Google Patents
化合物半導体結晶の製造方法及び製造装置Info
- Publication number
- JPH0517278A JPH0517278A JP19106291A JP19106291A JPH0517278A JP H0517278 A JPH0517278 A JP H0517278A JP 19106291 A JP19106291 A JP 19106291A JP 19106291 A JP19106291 A JP 19106291A JP H0517278 A JPH0517278 A JP H0517278A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- boat
- compound semiconductor
- equivalent
- semiconductor crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するＡＢ型化合物半
導体結晶を＜１００＞方向に成長させる場合に、種結晶
の＜１１０＞等価方向の一つが結晶の自由表面にあるよ
うに設定し、双晶欠陥の発生を少なくして製造できるよ
うにする。 【構成】長手方向に垂直な断面形状が８０％が円形状で
残りの上部が開口したボートを用い、＜１００＞等価方
向とボート長手方向とを平行にし、かつ該＜１００＞等
価方向に垂直な＜１１０＞等価方向の一つが結晶の自由
表面にあるようにＧａＡｓ種結晶の方位を設定し、ボー
トの中にＧａを入れ、反応容器の他端にＡｓを入れ反応
容器内を真空状態に減圧し封じ、次に反応容器を結晶育
成炉にいれ結晶を育成する。育成中の結晶の観察は、容
易にボート上部の開口を通じてできる。得られた結晶
は、双晶欠陥もなく良質なものであった。
導体結晶を＜１００＞方向に成長させる場合に、種結晶
の＜１１０＞等価方向の一つが結晶の自由表面にあるよ
うに設定し、双晶欠陥の発生を少なくして製造できるよ
うにする。 【構成】長手方向に垂直な断面形状が８０％が円形状で
残りの上部が開口したボートを用い、＜１００＞等価方
向とボート長手方向とを平行にし、かつ該＜１００＞等
価方向に垂直な＜１１０＞等価方向の一つが結晶の自由
表面にあるようにＧａＡｓ種結晶の方位を設定し、ボー
トの中にＧａを入れ、反応容器の他端にＡｓを入れ反応
容器内を真空状態に減圧し封じ、次に反応容器を結晶育
成炉にいれ結晶を育成する。育成中の結晶の観察は、容
易にボート上部の開口を通じてできる。得られた結晶
は、双晶欠陥もなく良質なものであった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水平ブリッジマン法
（ＨＢ法）や温度傾斜法（ＧＦ法）等のボート法による
化合物半導体結晶の製造方法及び製造装置に関するもの
である。
（ＨＢ法）や温度傾斜法（ＧＦ法）等のボート法による
化合物半導体結晶の製造方法及び製造装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、ボート法による化合物半導体単結
晶の育成においては、単結晶の成長方位をボート長手方
向に平行に＜１１１＞方向で行い、結晶のウエハ面が
（１００）面となるよう、結晶の長手方向（成長方向）
に対して所定の角度で斜めにウエハを切り出していた。
また、生産性の点から結晶成長方向に垂直にウエハを切
り出せるように、＜１００＞方向で成長させる方法が一
部行われている。
晶の育成においては、単結晶の成長方位をボート長手方
向に平行に＜１１１＞方向で行い、結晶のウエハ面が
（１００）面となるよう、結晶の長手方向（成長方向）
に対して所定の角度で斜めにウエハを切り出していた。
また、生産性の点から結晶成長方向に垂直にウエハを切
り出せるように、＜１００＞方向で成長させる方法が一
部行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の＜１０
０＞方向の成長は、＜１１１＞方向成長に比べ結晶欠陥
である双晶欠陥が発生し易く、歩留とスループットの低
下を招いていた。本発明の目的は、従来技術が有してい
た前述の欠点を解消しようとするものである。
０＞方向の成長は、＜１１１＞方向成長に比べ結晶欠陥
である双晶欠陥が発生し易く、歩留とスループットの低
下を招いていた。本発明の目的は、従来技術が有してい
た前述の欠点を解消しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題点
を解決すべくなされたものであり、閃亜鉛鉱型の結晶構
造を有するＡＢ型化合物半導体結晶をボート法により製
造する方法において、育成すべき前記ＡＢ型化合物半導
体結晶の＜１００＞方向に等価な一つの方向が、ボート
の長手水平方向にほぼ平行になり、さらに前記１つの＜
１００＞等価方向と垂直な一つの＜１１０＞等価方向
が、育成すべき前記ＡＢ型化合物半導体結晶の表面のう
ちボートと直接接触していない表面に対する法線方向の
一つと一致するように、種結晶の方位を選び、結晶を育
成することを特徴とする化合物半導体結晶の製造方法、
および、閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するＡＢ型化合物半
導体結晶をボート法により製造する装置において、育成
すべき前記ＡＢ型化合物半導体結晶の＜１００＞方向に
等価な一つの方向がボートの長手水平方向にほぼ平行に
なり、かつ、前記１つの＜１００＞等価方向と垂直な一
つの＜１１０＞等価方向が、育成すべき前記ＡＢ型化合
物半導体結晶の表面のうちボートと直接接触していない
表面に対する法線方向の一つと一致するように、種結晶
の方位が設定されていることを特徴とする化合物半導体
結晶の製造装置である。
を解決すべくなされたものであり、閃亜鉛鉱型の結晶構
造を有するＡＢ型化合物半導体結晶をボート法により製
造する方法において、育成すべき前記ＡＢ型化合物半導
体結晶の＜１００＞方向に等価な一つの方向が、ボート
の長手水平方向にほぼ平行になり、さらに前記１つの＜
１００＞等価方向と垂直な一つの＜１１０＞等価方向
が、育成すべき前記ＡＢ型化合物半導体結晶の表面のう
ちボートと直接接触していない表面に対する法線方向の
一つと一致するように、種結晶の方位を選び、結晶を育
成することを特徴とする化合物半導体結晶の製造方法、
および、閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するＡＢ型化合物半
導体結晶をボート法により製造する装置において、育成
すべき前記ＡＢ型化合物半導体結晶の＜１００＞方向に
等価な一つの方向がボートの長手水平方向にほぼ平行に
なり、かつ、前記１つの＜１００＞等価方向と垂直な一
つの＜１１０＞等価方向が、育成すべき前記ＡＢ型化合
物半導体結晶の表面のうちボートと直接接触していない
表面に対する法線方向の一つと一致するように、種結晶
の方位が設定されていることを特徴とする化合物半導体
結晶の製造装置である。
【０００５】以下、本発明の実施例に従って説明する。
ここでは、一つの実施例としてＧａＡｓ単結晶を育成し
た例で説明する。図１は結晶育成用ボートの長手方向に
垂直な断面図を示す。図中１は結晶、２はボートを示し
ている。結晶表面のボートと直接接触していない部分
は、図中曲線ＢＣＢ１に相当する。ベクトルＢＡ及びベ
クトルＢ１Ａ１は、それぞれＢ、Ｂ１における結晶表面
の法線ベクトルを示す。ベクトルＯａ及びＯａ１は、ベ
クトルＢＡ及びベクトルＢ１Ａ１と平行なベクトルを示
す。ＯＣは、鉛直方向を示す。
ここでは、一つの実施例としてＧａＡｓ単結晶を育成し
た例で説明する。図１は結晶育成用ボートの長手方向に
垂直な断面図を示す。図中１は結晶、２はボートを示し
ている。結晶表面のボートと直接接触していない部分
は、図中曲線ＢＣＢ１に相当する。ベクトルＢＡ及びベ
クトルＢ１Ａ１は、それぞれＢ、Ｂ１における結晶表面
の法線ベクトルを示す。ベクトルＯａ及びＯａ１は、ベ
クトルＢＡ及びベクトルＢ１Ａ１と平行なベクトルを示
す。ＯＣは、鉛直方向を示す。
【０００６】図のように結晶表面の直接ボートと接触し
ていない部分の法線方向は、角ａＯａ１の２θの間には
いることがわかる。種結晶の＜１００＞方向に等価な一
つの方向を、ボート長手方向とほぼ平行、つまり図１の
紙面にほぼ垂直方向に選び、それに垂直な＜１１０＞等
価方向の少なくとも一つをベクトルＯａとＯａ１の間に
選ぶように、種結晶を設置する。好ましくは、＜１１０
＞等価方向を鉛直上方に向けることがよい。
ていない部分の法線方向は、角ａＯａ１の２θの間には
いることがわかる。種結晶の＜１００＞方向に等価な一
つの方向を、ボート長手方向とほぼ平行、つまり図１の
紙面にほぼ垂直方向に選び、それに垂直な＜１１０＞等
価方向の少なくとも一つをベクトルＯａとＯａ１の間に
選ぶように、種結晶を設置する。好ましくは、＜１１０
＞等価方向を鉛直上方に向けることがよい。
【０００７】本発明における閃亜鉛鉱型の結晶構造を有
するＡＢ型化合物半導体結晶としては、ＧａＡｓ、Ｉｎ
Ｐ等の３−５族化合物半導体結晶、ＺｎＳｅ等の２−６
族化合物半導体結晶が用いられる。
するＡＢ型化合物半導体結晶としては、ＧａＡｓ、Ｉｎ
Ｐ等の３−５族化合物半導体結晶、ＺｎＳｅ等の２−６
族化合物半導体結晶が用いられる。
【０００８】
【作用】本発明において、種結晶方位を前述のように選
ぶことにより、双晶欠陥が低減し結晶の歩留が向上する
ことは実験的には確かめられたが、その詳細な作用機構
については必ずしも明確ではなく、以下のように考えら
れる。
ぶことにより、双晶欠陥が低減し結晶の歩留が向上する
ことは実験的には確かめられたが、その詳細な作用機構
については必ずしも明確ではなく、以下のように考えら
れる。
【０００９】＜１００＞成長方向の場合、閃亜鉛鉱型化
合物半導体単結晶に発生する晶癖（ファセット）の発生
位置は、＜１００＞成長方向に垂直な４個の＜１１０＞
方向と結晶表面の法線方向が、ほぼ等しくなる部分に発
生する。
合物半導体単結晶に発生する晶癖（ファセット）の発生
位置は、＜１００＞成長方向に垂直な４個の＜１１０＞
方向と結晶表面の法線方向が、ほぼ等しくなる部分に発
生する。
【００１０】結晶育成中に発生する双晶欠陥は（１１
１）面に平行に発生し、多くの場合その起点は、結晶表
面付近の（１１１）ファセットである。また、ボート法
で結晶を育成する場合には、ボートと直接接触する（１
１１）ファセットを起点に発生する場合が多い。
１）面に平行に発生し、多くの場合その起点は、結晶表
面付近の（１１１）ファセットである。また、ボート法
で結晶を育成する場合には、ボートと直接接触する（１
１１）ファセットを起点に発生する場合が多い。
【００１１】双晶欠陥の起点となる可能性の高い、ボー
トと直接接触する（１１１）ファセットの数を、減らす
ことが双晶欠陥の発生頻度の低減に効果があると考えら
れる。
トと直接接触する（１１１）ファセットの数を、減らす
ことが双晶欠陥の発生頻度の低減に効果があると考えら
れる。
【００１２】これは、少なくとも一つの（１１１）ファ
セットが、ボートと直接接触しない自由表面に現れるよ
うに、種結晶方位を選ぶことにより双晶欠陥の発生を抑
制できると考えられることから、本発明のように種結晶
を設置した場合には、（１１１）ファセット面の少なく
とも一つは結晶がボートと直接接触しない自由表面に発
生することになり、双晶欠陥の発生頻度が低下するもの
と思われる。
セットが、ボートと直接接触しない自由表面に現れるよ
うに、種結晶方位を選ぶことにより双晶欠陥の発生を抑
制できると考えられることから、本発明のように種結晶
を設置した場合には、（１１１）ファセット面の少なく
とも一つは結晶がボートと直接接触しない自由表面に発
生することになり、双晶欠陥の発生頻度が低下するもの
と思われる。
【００１３】また、ボートの長手方向に垂直な断面形状
が、低部の幅が狭く中央部の幅が広く上部の幅が再度狭
くなっているような形状にすることにより、得られた結
晶より（１００）円形ウエハを求める場合、そのまま長
手方向に垂直にスライスして円形ウエハに近い形状が得
られることから、切削による損失を小さくすることが可
能である。好ましくは、円形あるいはより円形に近い多
角形等のボート形状にすることにより、加工ロスがさら
に少なくなる。
が、低部の幅が狭く中央部の幅が広く上部の幅が再度狭
くなっているような形状にすることにより、得られた結
晶より（１００）円形ウエハを求める場合、そのまま長
手方向に垂直にスライスして円形ウエハに近い形状が得
られることから、切削による損失を小さくすることが可
能である。好ましくは、円形あるいはより円形に近い多
角形等のボート形状にすることにより、加工ロスがさら
に少なくなる。
【００１４】また、ボート上部にはスリット等の開口が
設けられ、その開口幅はボート断面中央部の最大幅の１
０％以上で前記最大幅より小さいことが必要で、これに
より育成中に結晶を観察することができ、双晶欠陥など
が観察が可能になる。前記開口幅が前記最大幅に等しく
なると、結晶の断面は半円型に近くなり、ウエハに加工
する際のロスが大きくなるので好ましくない。
設けられ、その開口幅はボート断面中央部の最大幅の１
０％以上で前記最大幅より小さいことが必要で、これに
より育成中に結晶を観察することができ、双晶欠陥など
が観察が可能になる。前記開口幅が前記最大幅に等しく
なると、結晶の断面は半円型に近くなり、ウエハに加工
する際のロスが大きくなるので好ましくない。
【００１５】これらの結果は、結晶学的にみて＜１００
＞方向に等価な方位、すなわち＜０１０＞、＜００１
＞、＜−１００＞、＜０−１０＞、＜００−１＞方向
（−は逆方向を示す）に対して行っても当然同じ結果に
なるので、いずれの方位を選択してもよい。また、＜１
１０＞方向に等価な方位、すなわち＜１０１＞、＜０１
１＞、＜−１１０＞、＜１−１０＞、＜−１−１０＞、
＜−１０１＞、＜１０−１＞、＜−１０−１＞、＜０−
１１＞、＜０１−１＞、＜０−１−１＞方向についても
同様であり、いずれの方位を選択してもよい。
＞方向に等価な方位、すなわち＜０１０＞、＜００１
＞、＜−１００＞、＜０−１０＞、＜００−１＞方向
（−は逆方向を示す）に対して行っても当然同じ結果に
なるので、いずれの方位を選択してもよい。また、＜１
１０＞方向に等価な方位、すなわち＜１０１＞、＜０１
１＞、＜−１１０＞、＜１−１０＞、＜−１−１０＞、
＜−１０１＞、＜１０−１＞、＜−１０−１＞、＜０−
１１＞、＜０１−１＞、＜０−１−１＞方向についても
同様であり、いずれの方位を選択してもよい。
【００１６】
【実施例】以下、ＧａＡｓの単結晶を製造する場合の実
施例について説明する。
施例について説明する。
【００１７】図２、３は、ボート長手方向（水平方向）
において結晶成長面側からみた種結晶方位のＷｕｌｆｆ
ステレオ投影図である。ここで紙面上方が鉛直上方を示
す。図中鉛直上方から両側に角度θ、合計２θの範囲内
がボートと直接接触しない自由表面の範囲を示す。
において結晶成長面側からみた種結晶方位のＷｕｌｆｆ
ステレオ投影図である。ここで紙面上方が鉛直上方を示
す。図中鉛直上方から両側に角度θ、合計２θの範囲内
がボートと直接接触しない自由表面の範囲を示す。
【００１８】図２、３において、４角形の印は４回対称
軸で、本実施例では（１００）等価面に垂直な＜１００
＞等価方向を示し、３角形の印は３回対称軸で（１１
１）等価面に垂直な＜１１１＞等価方向を示し、楕円形
の印は２回対称軸で（１１０）等価面に垂直な＜１１０
＞等価方向を示している。
軸で、本実施例では（１００）等価面に垂直な＜１００
＞等価方向を示し、３角形の印は３回対称軸で（１１
１）等価面に垂直な＜１１１＞等価方向を示し、楕円形
の印は２回対称軸で（１１０）等価面に垂直な＜１１０
＞等価方向を示している。
【００１９】図２のような方位で種結晶を設置した場合
には、＜１００＞等価成長方向に垂直な一つの＜１１０
＞等価方向及び（１１１）ファセット面の一つが、ボー
トと直接接触しない。図３のような方位で種結晶を設置
した場合には、すべての（１１１）ファセット面がボー
トと直接接触する。
には、＜１００＞等価成長方向に垂直な一つの＜１１０
＞等価方向及び（１１１）ファセット面の一つが、ボー
トと直接接触しない。図３のような方位で種結晶を設置
した場合には、すべての（１１１）ファセット面がボー
トと直接接触する。
【００２０】図４には、ボート２を用いて育成する場合
の反応容器の長手方向の断面図を示している。図５は結
晶育成用ボートの長手方向に垂直な断面形状が、８０％
が円形状で残りの上部が開口したボートの断面図を示
す。ボート上部の開口幅は、中央部の最大幅の約５９％
である。
の反応容器の長手方向の断面図を示している。図５は結
晶育成用ボートの長手方向に垂直な断面形状が、８０％
が円形状で残りの上部が開口したボートの断面図を示
す。ボート上部の開口幅は、中央部の最大幅の約５９％
である。
【００２１】（実施例１）図５に示したような、結晶育
成用ボートの長手方向に垂直な断面形状が、８０％が円
形状をしたボートを用い、図２のような方位のＧａＡｓ
種結晶３をボート２の所定の位置に設置する。
成用ボートの長手方向に垂直な断面形状が、８０％が円
形状をしたボートを用い、図２のような方位のＧａＡｓ
種結晶３をボート２の所定の位置に設置する。
【００２２】図４のようにボート２の中にＧａ４を２１
００ｇ入れ、反応容器５の他端にＡｓ６を２３００ｇ入
れ反応容器５内を真空状態に減圧し封じきる。次に反応
容器５を結晶育成炉にいれ、反応容器５内のＡｓを６０
０℃に加熱し、反応容器５内のＡｓ蒸気圧を１ａｔｍに
維持し、反応容器５内ボート部を１２００℃とし、Ｇａ
とＡｓ蒸気を反応させＧａＡｓを合成する。
００ｇ入れ、反応容器５の他端にＡｓ６を２３００ｇ入
れ反応容器５内を真空状態に減圧し封じきる。次に反応
容器５を結晶育成炉にいれ、反応容器５内のＡｓを６０
０℃に加熱し、反応容器５内のＡｓ蒸気圧を１ａｔｍに
維持し、反応容器５内ボート部を１２００℃とし、Ｇａ
とＡｓ蒸気を反応させＧａＡｓを合成する。
【００２３】その後、さらに昇温し種結晶温度を１２３
８℃、ＧａＡｓ融液中の温度勾配を０．５℃／ｃｍ程度
にし、種結晶とＧａＡｓ融液を接触させる。その後、融
液の温度を徐々に下げて冷却し結晶の育成を行う。結晶
育成中に結晶の観察は容易にボート上方からできる。双
晶欠陥の発生は結晶育成中にボート上方より観察するこ
とができ、双晶欠陥が発生した場合にはメルトバックに
より対応できる。
８℃、ＧａＡｓ融液中の温度勾配を０．５℃／ｃｍ程度
にし、種結晶とＧａＡｓ融液を接触させる。その後、融
液の温度を徐々に下げて冷却し結晶の育成を行う。結晶
育成中に結晶の観察は容易にボート上方からできる。双
晶欠陥の発生は結晶育成中にボート上方より観察するこ
とができ、双晶欠陥が発生した場合にはメルトバックに
より対応できる。
【００２４】完全に固化後さらに温度を室温まで下げ
て、結晶を取り出すことによりＧａＡｓ単結晶４１５０
ｇを得ることができた。得られた結晶は、双晶欠陥もな
く良質なものであった。
て、結晶を取り出すことによりＧａＡｓ単結晶４１５０
ｇを得ることができた。得られた結晶は、双晶欠陥もな
く良質なものであった。
【００２５】得られた結晶から（１００）面円形ウエハ
を作成する場合は、得られた結晶の（１００）面方向の
断面形状が円形に近い形になるようにできる。前記ボー
ト形状により、単結晶より（１００）円形ウエハを求め
る場合、結晶の長手方向に垂直にスライスしてそのまま
円形ウエハに近い形状が得られる。このため、切削によ
る損失を小さくすることが可能である。
を作成する場合は、得られた結晶の（１００）面方向の
断面形状が円形に近い形になるようにできる。前記ボー
ト形状により、単結晶より（１００）円形ウエハを求め
る場合、結晶の長手方向に垂直にスライスしてそのまま
円形ウエハに近い形状が得られる。このため、切削によ
る損失を小さくすることが可能である。
【００２６】（比較例）ＧａＡｓ化合物半導体単結晶育
成の比較例として、さらに図３のような種結晶方位で結
晶の育成実験を試みた。双晶が育成中に観測された場合
にはメルトバックを行った。この実験では、メルトバッ
クを１０回行ったが双晶欠陥が無くなることはなかっ
た。
成の比較例として、さらに図３のような種結晶方位で結
晶の育成実験を試みた。双晶が育成中に観測された場合
にはメルトバックを行った。この実験では、メルトバッ
クを１０回行ったが双晶欠陥が無くなることはなかっ
た。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は次のような
優れた効果がある。
優れた効果がある。
【００２８】（１）結晶の成長方向（長手方向）を＜１
００＞方向として育成する場合に、本発明ように種結晶
方位を設定して育成することによって、双晶欠陥の発生
頻度が小さくなり歩留とスループットが向上する。
００＞方向として育成する場合に、本発明ように種結晶
方位を設定して育成することによって、双晶欠陥の発生
頻度が小さくなり歩留とスループットが向上する。
【００２９】（２）結晶の成長方向（長手方向）を＜１
１１＞方向として育成する場合に比べ、（１００）ウエ
ハを結晶から切り出す際に、結晶の長手方向に垂直な方
向に近い方向で切り出せる。このため加工ロスを低減す
ることができ、一つの結晶から切り出せるウエハ枚数も
多くなる。
１１＞方向として育成する場合に比べ、（１００）ウエ
ハを結晶から切り出す際に、結晶の長手方向に垂直な方
向に近い方向で切り出せる。このため加工ロスを低減す
ることができ、一つの結晶から切り出せるウエハ枚数も
多くなる。
【００３０】（３）ボートの長手方向に垂直な断面形状
が、低部の幅が狭く中央部の幅が広く上部の幅が再度狭
くなっているような形状、特に円形あるいは円形に近い
形にすることにより、得られる結晶の（１００）面方向
の断面形状が円形に近い形になる。したがって、結晶よ
り（１００）面の円形ウエハを求める場合、結晶をスラ
イスしてそのまま円形ウエハに近い形状が得られること
から、切削による損失を小さくすることが可能である。
が、低部の幅が狭く中央部の幅が広く上部の幅が再度狭
くなっているような形状、特に円形あるいは円形に近い
形にすることにより、得られる結晶の（１００）面方向
の断面形状が円形に近い形になる。したがって、結晶よ
り（１００）面の円形ウエハを求める場合、結晶をスラ
イスしてそのまま円形ウエハに近い形状が得られること
から、切削による損失を小さくすることが可能である。
【００３１】（４）経済性および作業性の向上により製
品のコストの低減ができる。
品のコストの低減ができる。
【図１】結晶育成用ボートの長手方向に垂直な断面図
【図２】（１１１）ファセットの少なくとも一つが直接
ボートと接触しない場合の、ボート長手方向（水平方
向）において結晶成長面側からみた種結晶方位のＷｕｌ
ｆｆステレオ投影図。
ボートと接触しない場合の、ボート長手方向（水平方
向）において結晶成長面側からみた種結晶方位のＷｕｌ
ｆｆステレオ投影図。
【図３】（１１１）ファセットのすべてが直接ボートと
接触する場合の、ボート長手方向（水平方向）において
結晶成長面側からみた種結晶方位のＷｕｌｆｆステレオ
投影図。
接触する場合の、ボート長手方向（水平方向）において
結晶成長面側からみた種結晶方位のＷｕｌｆｆステレオ
投影図。
【図４】ボートを用いて育成する場合の反応容器の長手
方向の断面図。
方向の断面図。
【図５】長手方向に垂直な断面形状が、円周の８０％が
円形状をしたボートの断面図。
円形状をしたボートの断面図。
１ 結晶
２ ボート
３ 種結晶
４ Ｇａ
５ 反応容器
６ Ａｓ
Claims (4)
- 【請求項１】閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するＡＢ型化合
物半導体結晶をボート法により製造する方法において、
育成すべき前記ＡＢ型化合物半導体結晶の＜１００＞方
向に等価な一つの方向が、ボートの長手方向にほぼ平行
になり、さらに前記１つの＜１００＞等価方向と垂直な
一つの＜１１０＞等価方向が、育成すべき前記ＡＢ型化
合物半導体結晶の表面のうちボートと直接接触していな
い表面に対する法線方向の一つと一致するように、種結
晶の方位を選び、結晶を育成することを特徴とする化合
物半導体結晶の製造方法。 - 【請求項２】閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するＡＢ型化合
物半導体結晶をボート法により製造する装置において、
育成すべき前記ＡＢ型化合物半導体結晶の＜１００＞方
向に等価な一つの方向がボートの長手水平方向にほぼ平
行になり、かつ、前記１つの＜１００＞等価方向と垂直
な一つの＜１１０＞等価方向が、育成すべき前記ＡＢ型
化合物半導体結晶の表面のうちボートと直接接触してい
ない表面に対する法線方向の一つと一致するように、種
結晶の方位が設定されていることを特徴とする化合物半
導体結晶の製造装置。 - 【請求項３】前記ボートの長手方向に垂直な断面形状
が、低部の幅が狭く中央部の幅が広く上部の幅が再度狭
くなっている形状であり、前記ボートの上部には中央部
の最大幅の１０％以上の幅で前記最大幅より小さい幅の
開口が設けられている請求項２の化合物半導体結晶の製
造装置。 - 【請求項４】閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するＡＢ型化合
物半導体結晶がＧａＡｓ結晶である請求項２の化合物半
導体結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19106291A JPH0517278A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 化合物半導体結晶の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19106291A JPH0517278A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 化合物半導体結晶の製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0517278A true JPH0517278A (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=16268251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19106291A Withdrawn JPH0517278A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 化合物半導体結晶の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0517278A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082526A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 配向ナノスケールパターンを用いて、シリコン上にｉｉｉ−ｖ族層を成長させる方法 |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP19106291A patent/JPH0517278A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082526A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 配向ナノスケールパターンを用いて、シリコン上にｉｉｉ−ｖ族層を成長させる方法 |
| US9601328B2 (en) | 2009-10-08 | 2017-03-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Growing a III-V layer on silicon using aligned nano-scale patterns |
| US10020189B2 (en) | 2009-10-08 | 2018-07-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Growing a III-V layer on silicon using aligned nano-scale patterns |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9985102B2 (en) | Methods for producing improved crystallinity group III-nitride crystals from initial group III-nitride seed by ammonothermal growth | |
| JP4581490B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体自立基板の製造方法、及びｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体の製造方法 | |
| CN107002281A (zh) | 碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶基板 | |
| JPH05262599A (ja) | ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 | |
| JP6239490B2 (ja) | バルク炭化珪素単結晶 | |
| EP2302111A1 (en) | Process for producing group iii nitride crystal and group iii nitride crystal | |
| US10161059B2 (en) | Group III nitride bulk crystals and their fabrication method | |
| JP2010076967A (ja) | 炭化ケイ素基板の製造方法および炭化ケイ素基板 | |
| US10236338B2 (en) | SiC single crystal seed, SiC ingot, SiC single crystal seed production method, and SiC single crystal ingot production method | |
| JP2018095490A (ja) | シリコン単結晶製造方法、シリコン単結晶、及びシリコン単結晶ウェーハ | |
| JPH0517278A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法及び製造装置 | |
| US7361219B2 (en) | Method for producing silicon wafer and silicon wafer | |
| JP2014108916A (ja) | 炭化珪素基板の製造方法 | |
| WO2018105317A1 (ja) | シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ | |
| JP7326759B2 (ja) | ＧａＮ単結晶製造方法 | |
| JPH05221772A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造装置及び製造方法 | |
| EP2633103B1 (en) | Ammonothermal growth of group-iii nitride crystals on seeds with at least two surfaces making an acute, right or obtuse angle with each other | |
| JPH0761886A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法および製造装置 | |
| JP3135355B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置 | |
| JPH04362082A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| JP6628557B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPH0710680A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH05254978A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造法および製造装置 | |
| JPH0748196A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| Klemenz et al. | Epitaxial films of LGS, LGT, and LGN for SAW and BAW devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |