JPH05173347A - 電子写真用感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】 電荷発生材料と電荷輸送材料を含有する感光
層を導電性支持体上に有する感光体において電荷発生材
として、ジハロゲノスズフタロシアニンを用い、かつ電
荷輸送材料として下記一般式〔I〕及び/又は〔II〕で
表わされる化合物を用いる電子写真用感光体。 (式中、R1およびR2は水素原子、アルキル基、など
をR3およびR4は、アルキル基、アラルキル基などを
表す。これらは同一でも互いに異なっていてもよく、
又、nは0又は1の数を表し、Xは環を形成する直接結
合、メチレン残基もしくはエチレン残基、などを表
す。) 【効果】 高感度で、残留電位が低く帯電性が高く、か
つ、繰返しによる変動が小さく、特に、画像濃度に影響
する帯電安定性が良好であることから、高耐久性感光体
として用いることができる。
層を導電性支持体上に有する感光体において電荷発生材
として、ジハロゲノスズフタロシアニンを用い、かつ電
荷輸送材料として下記一般式〔I〕及び/又は〔II〕で
表わされる化合物を用いる電子写真用感光体。 (式中、R1およびR2は水素原子、アルキル基、など
をR3およびR4は、アルキル基、アラルキル基などを
表す。これらは同一でも互いに異なっていてもよく、
又、nは0又は1の数を表し、Xは環を形成する直接結
合、メチレン残基もしくはエチレン残基、などを表
す。) 【効果】 高感度で、残留電位が低く帯電性が高く、か
つ、繰返しによる変動が小さく、特に、画像濃度に影響
する帯電安定性が良好であることから、高耐久性感光体
として用いることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は可視光領域から近赤外の
波長領域に至るまで高い感度とすぐれた特性を有する電
子写真用感光体に関するものである。
波長領域に至るまで高い感度とすぐれた特性を有する電
子写真用感光体に関するものである。
【0002】
【従来の技術及びその課題】従来、電子写真用感光体の
感光層にはセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の光導
電性物質が広く用いられている。又ポリビニルカルバゾ
ールに代表される有機系の光導電性物質を電子写真感光
体の感光層に用いる研究が進みその幾つかが実用化され
てきた。
感光層にはセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の光導
電性物質が広く用いられている。又ポリビニルカルバゾ
ールに代表される有機系の光導電性物質を電子写真感光
体の感光層に用いる研究が進みその幾つかが実用化され
てきた。
【0003】有機系の光導電性物質は無機系の材料に比
べて、軽量である成膜が容易である。感光体の製造が容
易である。材料は無公害である等の利点を有している。
近年、従来の白色光のかわりにレーザー光を光源とし
て、高速化、高画質化、ノンインパクト化を長所とした
レーザービームプリンター(LBP)等が、情報処理シ
ステムの進歩と相まって広く普及するに至りその要求に
耐えうる材料の開発が要望されている。
べて、軽量である成膜が容易である。感光体の製造が容
易である。材料は無公害である等の利点を有している。
近年、従来の白色光のかわりにレーザー光を光源とし
て、高速化、高画質化、ノンインパクト化を長所とした
レーザービームプリンター(LBP)等が、情報処理シ
ステムの進歩と相まって広く普及するに至りその要求に
耐えうる材料の開発が要望されている。
【0004】特にレーザー光の中でも近年コンパクトデ
ィスク、光ディスク等への応用が増大し技術進展が著し
い半導体レーザーはコンパクトでかつ信頼性の高い光源
材料としてプリンター分野でも積極的に応用されてき
た。この場合該光源の波長は800nm前後である事か
ら800nm前後の長波長光に対して高感度な特性を有
する感光体の開発が強く望まれている。
ィスク、光ディスク等への応用が増大し技術進展が著し
い半導体レーザーはコンパクトでかつ信頼性の高い光源
材料としてプリンター分野でも積極的に応用されてき
た。この場合該光源の波長は800nm前後である事か
ら800nm前後の長波長光に対して高感度な特性を有
する感光体の開発が強く望まれている。
【0005】この目的に合致する材料として特開昭62
−119547号公報等に記載されたジハロゲノスズフ
タロシアニン類が知られている。しかしながら、更に長
波長光に対して高感度で、かつ他の電気特性(帯電性、
残留電位、繰返し安定性等)も良好な電子写真用感光体
が求められていた。本発明者らはジハロゲノスズフタロ
シアニン類を用いる電子写真感光体につき鋭意検討した
結果、ジハロゲノスズフタロシアニンを電荷輸送材料と
し、かつ特定の化合物を電荷輸送材料として感光体を作
成した場合、所望の目的を達成して、帯電性、感度、暗
減衰、残留電位等が良好な、バランスの取れた電子写真
用感光体を提供できることを見出し、本発明を完成させ
るに至った。
−119547号公報等に記載されたジハロゲノスズフ
タロシアニン類が知られている。しかしながら、更に長
波長光に対して高感度で、かつ他の電気特性(帯電性、
残留電位、繰返し安定性等)も良好な電子写真用感光体
が求められていた。本発明者らはジハロゲノスズフタロ
シアニン類を用いる電子写真感光体につき鋭意検討した
結果、ジハロゲノスズフタロシアニンを電荷輸送材料と
し、かつ特定の化合物を電荷輸送材料として感光体を作
成した場合、所望の目的を達成して、帯電性、感度、暗
減衰、残留電位等が良好な、バランスの取れた電子写真
用感光体を提供できることを見出し、本発明を完成させ
るに至った。
【0006】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の要旨は、
電荷発生材料と、電荷輸送材料を含有する感光層を導電
性支持体上に有する電子写真用感光体において、電荷発
生材料としてジハロゲノスズフタロシアニンを用い、か
つ電荷輸送材料として下記一般式〔I〕及び/又は〔I
I〕
電荷発生材料と、電荷輸送材料を含有する感光層を導電
性支持体上に有する電子写真用感光体において、電荷発
生材料としてジハロゲノスズフタロシアニンを用い、か
つ電荷輸送材料として下記一般式〔I〕及び/又は〔I
I〕
【0007】
【化3】
【0008】(式中、R1 およびR2 は水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、置換アミノ基、アラルキル基、
アリル基、アリール基又はハロゲン原子を表し、これら
は同一でも互いに異なっていてもよく、R3 およびR4
は、アルキル基、アラルキル基、アリル基又はアリール
基を表し、これらは同一でも互いに異なっていてもよ
く、又、nは0又は1の数を表し、Xは環を形成する直
接結合、メチレン残基もしくはエチレン残基、
キル基、アルコキシ基、置換アミノ基、アラルキル基、
アリル基、アリール基又はハロゲン原子を表し、これら
は同一でも互いに異なっていてもよく、R3 およびR4
は、アルキル基、アラルキル基、アリル基又はアリール
基を表し、これらは同一でも互いに異なっていてもよ
く、又、nは0又は1の数を表し、Xは環を形成する直
接結合、メチレン残基もしくはエチレン残基、
【化4】 又は−S−を表し、R5 は水素原子、アルキル基、アラ
ルキル基、アリル基、又はアリール基を表わす。)で表
される化合物を用いることを特徴とする電子写真用感光
体に存する。
ルキル基、アリル基、又はアリール基を表わす。)で表
される化合物を用いることを特徴とする電子写真用感光
体に存する。
【0009】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
電子写真用感光体を形成する材料のうち電荷発生材料と
して使用されるジハロゲノスズフタロシアニンはジクロ
ロスズフタロシアニンが好ましい。またX線回折スペク
トルにおいて、ブラッグ角(2θ±0.2°)8.4
°,12.2°,13.8°,19.1°,22.4
°,28.2°及び30.0°に主たる回折ピークを有
するジクロロスズフタロシアニンが好ましい。
電子写真用感光体を形成する材料のうち電荷発生材料と
して使用されるジハロゲノスズフタロシアニンはジクロ
ロスズフタロシアニンが好ましい。またX線回折スペク
トルにおいて、ブラッグ角(2θ±0.2°)8.4
°,12.2°,13.8°,19.1°,22.4
°,28.2°及び30.0°に主たる回折ピークを有
するジクロロスズフタロシアニンが好ましい。
【0010】使用されるジハロゲノスズフタロシアニン
の粉末X線スペクトルの例を図1に示す。図の如く、ブ
ラッグ角(2θ±0.2°)8.4°,12.2°,1
3.8°,19.1°,22.4°,28.2°及び3
0.0°に主たるピークであり、これらの強度比あるい
はこれらのピーク以外は細かい条件によって種々ふれ
る。
の粉末X線スペクトルの例を図1に示す。図の如く、ブ
ラッグ角(2θ±0.2°)8.4°,12.2°,1
3.8°,19.1°,22.4°,28.2°及び3
0.0°に主たるピークであり、これらの強度比あるい
はこれらのピーク以外は細かい条件によって種々ふれ
る。
【0011】本発明に用いるジハロゲノスズフタロシア
ニンの製造方法は特に限定されないが、例えば以下の方
法で製造される。
ニンの製造方法は特に限定されないが、例えば以下の方
法で製造される。
【0012】
【化5】
【0013】(上記反応式中、Xは水素原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基、アリルオキシ基、ニトロ
基、シアノ基、水酸基、ベンジルオキシ基又はハロゲン
原子を表わし、Yはハロゲン原子を表わし、aは2,3
又は4の整数を表わし、mは0〜4の整数を表わし、ベ
ンゼン環の置換基Xの数を示す。) 有機溶剤としては、キノリン、α−クロロナフタレン、
β−クロロナフタレン、α−メチルナフタレン、メトキ
シナフタレン、ジフェニルエーテル、ジフェニルメタ
ン、ジフェニルエタン、エチレングリコール、ジアルキ
ルエーテル、高級脂肪族アミン等の反応に不活性な高沸
点有機溶剤が望ましく、反応温度は通常150°〜30
0℃が望ましい。また、場合によっては無溶媒でも16
0℃以上に加熱すると反応は進行する。
キル基、低級アルコキシ基、アリルオキシ基、ニトロ
基、シアノ基、水酸基、ベンジルオキシ基又はハロゲン
原子を表わし、Yはハロゲン原子を表わし、aは2,3
又は4の整数を表わし、mは0〜4の整数を表わし、ベ
ンゼン環の置換基Xの数を示す。) 有機溶剤としては、キノリン、α−クロロナフタレン、
β−クロロナフタレン、α−メチルナフタレン、メトキ
シナフタレン、ジフェニルエーテル、ジフェニルメタ
ン、ジフェニルエタン、エチレングリコール、ジアルキ
ルエーテル、高級脂肪族アミン等の反応に不活性な高沸
点有機溶剤が望ましく、反応温度は通常150°〜30
0℃が望ましい。また、場合によっては無溶媒でも16
0℃以上に加熱すると反応は進行する。
【0014】上記反応式に従ってジハロゲノスズフタロ
シアニン化合物の粗製品が製造できる。なお原料のフタ
ロニトリル酸としては公知の如く、o−ジカルボン酸
類、フタル酸無水物類、フタルイミド類、フタル酸ジア
ミド類等も原料として使用できる。
シアニン化合物の粗製品が製造できる。なお原料のフタ
ロニトリル酸としては公知の如く、o−ジカルボン酸
類、フタル酸無水物類、フタルイミド類、フタル酸ジア
ミド類等も原料として使用できる。
【0015】上述のようにして得られた粗ジハロゲノス
ズフタロシアニン化合物の精製は、一般の有機顔料と同
様に昇華精製、再結晶精製、有機溶剤処理、高沸点有機
溶剤による熱懸濁精製、硫酸溶解後の再沈澱法、アルカ
リ洗浄法等公知の方法に従って行うことができる。精製
に際し、有機溶剤処理、および熱懸濁精製に用いられる
有機溶剤としてはキシレン、ナフタレン、トルエン、モ
ノクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、o−ジクロロ
ベンゼン、クロロホルム、テトラクロロエタン、α及び
β−クロロナフタレン、α及びβ−メチルナフタレン、
α−メトキシナフタレン、アセトアミド、N,N−ジメ
チルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N
−メチルピロリドン等の他に前述した反応に用いた有機
溶剤類、水、メタノール、エタノール、プロパノール、
ブタノール、ピリジン、アセトン、メチルエチルケト
ン、テトラヒドロフラン等の有機溶剤が使用可能である
が、特に熱懸濁精製には、高沸点有機溶剤が望ましい。
ズフタロシアニン化合物の精製は、一般の有機顔料と同
様に昇華精製、再結晶精製、有機溶剤処理、高沸点有機
溶剤による熱懸濁精製、硫酸溶解後の再沈澱法、アルカ
リ洗浄法等公知の方法に従って行うことができる。精製
に際し、有機溶剤処理、および熱懸濁精製に用いられる
有機溶剤としてはキシレン、ナフタレン、トルエン、モ
ノクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、o−ジクロロ
ベンゼン、クロロホルム、テトラクロロエタン、α及び
β−クロロナフタレン、α及びβ−メチルナフタレン、
α−メトキシナフタレン、アセトアミド、N,N−ジメ
チルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N
−メチルピロリドン等の他に前述した反応に用いた有機
溶剤類、水、メタノール、エタノール、プロパノール、
ブタノール、ピリジン、アセトン、メチルエチルケト
ン、テトラヒドロフラン等の有機溶剤が使用可能である
が、特に熱懸濁精製には、高沸点有機溶剤が望ましい。
【0016】電荷輸送材料は前記一般式〔I〕及び/又
は〔II〕で示される化合物を用いる。一般式〔I〕およ
び、〔II〕中R1 およびR2 としては水素原子;メチル
基、エチル基等の主として低級のアルキル基;メトキシ
基、エトキシ基等の主として低級のアルコキシ基;ジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、モルフォリノ基等の
置換アミノ基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキ
ル基;アリル基;フェニル基、ナフチル基等のアリール
基又は塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子を示し、こ
れらは同一でも互いに異なっていてもよい。好ましくは
水素原子、メチル基、メトキシ基、ジメチルアミノ基等
である。
は〔II〕で示される化合物を用いる。一般式〔I〕およ
び、〔II〕中R1 およびR2 としては水素原子;メチル
基、エチル基等の主として低級のアルキル基;メトキシ
基、エトキシ基等の主として低級のアルコキシ基;ジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、モルフォリノ基等の
置換アミノ基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキ
ル基;アリル基;フェニル基、ナフチル基等のアリール
基又は塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子を示し、こ
れらは同一でも互いに異なっていてもよい。好ましくは
水素原子、メチル基、メトキシ基、ジメチルアミノ基等
である。
【0017】R3 およびR4 はメチル基、エチル基、ブ
チル基等の主に低級のアルキル基;ベンジル基、フェネ
チル基等のアラルキル基;アリル基;フェニル基;メチ
ルフェニル基、メトキシフェニル基、クロルフェニル
基、ビフェニル基、等の置換フェニル基又はナフチル基
等のアリール基を示し、これらは同一でも互いに異なっ
ていてもよい。中でもフェニル基が好ましい。また、n
は0又は1の数を表す。
チル基等の主に低級のアルキル基;ベンジル基、フェネ
チル基等のアラルキル基;アリル基;フェニル基;メチ
ルフェニル基、メトキシフェニル基、クロルフェニル
基、ビフェニル基、等の置換フェニル基又はナフチル基
等のアリール基を示し、これらは同一でも互いに異なっ
ていてもよい。中でもフェニル基が好ましい。また、n
は0又は1の数を表す。
【0018】更に一般式〔II〕中、Xは環を形成する直
接結合、メチレン残基もしくはエチレン残基
接結合、メチレン残基もしくはエチレン残基
【化6】 又は−S−を表す。ここでR5 は水素原子、メチル基、
エチル基等の主に低級のアルキル基;ベンジル基、フェ
ネチル基等のアラルキル基;アリル基又はフェニル基、
ナフチル基等のアリール基を表す。このうちXとして特
に好ましいのは、環を形成する直接結合又は
エチル基等の主に低級のアルキル基;ベンジル基、フェ
ネチル基等のアラルキル基;アリル基又はフェニル基、
ナフチル基等のアリール基を表す。このうちXとして特
に好ましいのは、環を形成する直接結合又は
【化7】 、中でもR5 がメチル基、エチル基等である
【化8】 である。
【0019】本発明の感光体につき更に詳細に説明する
と本発明の感光体は導電性支持体上に形成せしめられた
感光層中に電荷発生材料と電荷輸送材料を含有する。具
体的には本発明感光体は、通常、電荷発生材料を直接蒸
着あるいはバインダーとの分散液として塗布して電荷発
生層を形成せしめ、その上に有機溶剤液からのキャスト
とかバインダーとの溶解・分散液塗布により電荷輸送材
料を含有する電荷輸送層を形成せしめて成る積層型感光
体であるが、電荷発生層と電荷輸送層の積層順序は逆の
構成でもよい。
と本発明の感光体は導電性支持体上に形成せしめられた
感光層中に電荷発生材料と電荷輸送材料を含有する。具
体的には本発明感光体は、通常、電荷発生材料を直接蒸
着あるいはバインダーとの分散液として塗布して電荷発
生層を形成せしめ、その上に有機溶剤液からのキャスト
とかバインダーとの溶解・分散液塗布により電荷輸送材
料を含有する電荷輸送層を形成せしめて成る積層型感光
体であるが、電荷発生層と電荷輸送層の積層順序は逆の
構成でもよい。
【0020】又、本発明感光体は電荷発生材料と電荷輸
送材料とがバインダー中に分散、溶解した塗布液を導電
性支持体上に塗布してなる一層型感光体であってもよ
い。又、これらの他に、接着層、ブロッキング層等の中
間層や、保護層など、電気特性、機械特性の改良のため
の層が設けてあってもよい。導電性支持体としては周知
の電子写真感光体に採用されているものがいずれも使用
できる。具体的には例えばアルミニウム、ステンレス、
銅等の金属ドラム、シートあるいはこれらの金層箔のラ
ミネート物、蒸着物等が挙げられる。更に、金属粉末、
カーボンブラック、ヨウ化銅、高分子電解質等の導電性
物質を適当なバインダーとともに塗布して導電処理した
プラスチックフィルム、プラスチックドラム、紙、紙管
等が挙げられる。また、金属粉末、カーボンブラック、
炭素繊維等の導電性物質を含有し、導電性となったプラ
スチックのシートやドラムが挙げられる。
送材料とがバインダー中に分散、溶解した塗布液を導電
性支持体上に塗布してなる一層型感光体であってもよ
い。又、これらの他に、接着層、ブロッキング層等の中
間層や、保護層など、電気特性、機械特性の改良のため
の層が設けてあってもよい。導電性支持体としては周知
の電子写真感光体に採用されているものがいずれも使用
できる。具体的には例えばアルミニウム、ステンレス、
銅等の金属ドラム、シートあるいはこれらの金層箔のラ
ミネート物、蒸着物等が挙げられる。更に、金属粉末、
カーボンブラック、ヨウ化銅、高分子電解質等の導電性
物質を適当なバインダーとともに塗布して導電処理した
プラスチックフィルム、プラスチックドラム、紙、紙管
等が挙げられる。また、金属粉末、カーボンブラック、
炭素繊維等の導電性物質を含有し、導電性となったプラ
スチックのシートやドラムが挙げられる。
【0021】又、酸化スズ、酸化インジウム等の導電性
金属酸化物で導電処理したプラスチックフィルムやベル
トが挙げられる。これらの導電性支持体上に形成する電
荷発生層は、本発明のジハロゲノスズフタロシアニン粒
子とバインダーポリマーおよび必要に応じ有機光導電性
化合物、色素、電子吸引性化合物等を溶剤に溶解あるい
は分散して得られる塗布液を塗布乾燥して得られる。バ
インダーとしては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニ
ル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ビニ
ルアルコール、エチルビニルエーテル等のビニル等のビ
ニル化合物の重合体および共重合体、ポリビニルアセタ
ール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、
ポリウレタン、セルロースエステル、セルロースエーテ
ル、フェノキシ樹脂、けい素樹脂、エポキシ樹脂等が挙
げられる。ジハロゲノスズフタロシアニンとバインダー
ポリマーとの割合は、特に制限はないが、一般には、ジ
ハロゲノスズフタロシアニン100重量部に対し、5〜
500重量部、好ましくは、20〜300重量部のバイ
ンダーポリマーを使用する。
金属酸化物で導電処理したプラスチックフィルムやベル
トが挙げられる。これらの導電性支持体上に形成する電
荷発生層は、本発明のジハロゲノスズフタロシアニン粒
子とバインダーポリマーおよび必要に応じ有機光導電性
化合物、色素、電子吸引性化合物等を溶剤に溶解あるい
は分散して得られる塗布液を塗布乾燥して得られる。バ
インダーとしては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニ
ル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ビニ
ルアルコール、エチルビニルエーテル等のビニル等のビ
ニル化合物の重合体および共重合体、ポリビニルアセタ
ール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、
ポリウレタン、セルロースエステル、セルロースエーテ
ル、フェノキシ樹脂、けい素樹脂、エポキシ樹脂等が挙
げられる。ジハロゲノスズフタロシアニンとバインダー
ポリマーとの割合は、特に制限はないが、一般には、ジ
ハロゲノスズフタロシアニン100重量部に対し、5〜
500重量部、好ましくは、20〜300重量部のバイ
ンダーポリマーを使用する。
【0022】なお、ジハロゲノスズフタロシアニン以外
の電荷発生材料を併用することも可能であり、この場合
には、ジハロゲノスズフタロシアニンの使用量は適宜調
整する。電荷発生層の膜厚は、0.05〜5μm、好ま
しくは0.1〜2μmになる様にする。
の電荷発生材料を併用することも可能であり、この場合
には、ジハロゲノスズフタロシアニンの使用量は適宜調
整する。電荷発生層の膜厚は、0.05〜5μm、好ま
しくは0.1〜2μmになる様にする。
【0023】電荷発生層から電荷キャリヤーが注入され
る電荷輸送層は、キャリヤーの注入効率と移動効率の高
い電荷輸送材料を含有する。電荷輸送層には必要に応じ
バインダーポリマーが用いられる。バインダーポリマー
としては、上記電荷輸送材料との相溶性が良く、塗膜形
成後に電荷輸送材料が結晶化したり、相分離することの
ないポリマーが好ましく、それらの例としては、スチレ
ン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メ
タクリル酸エステル、ブタジェン等のビニル化合物の重
合体および共重合体、ポリビニルアセタール、ポリカー
ボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリウレタン、セルロースエステル、セ
ルロースエーテル、フェノキシ樹脂、けい素樹脂、エポ
キシ樹脂等が挙げられる。バインダーポリマーの使用量
は、通常電荷輸送材料100重量部に対し50〜300
0重量部、好ましくは70〜1000重量部の範囲であ
る。電荷輸送層にはこの他に、塗膜の機械的強度や、耐
久性向上のための種々の添加剤を用いることができる。
る電荷輸送層は、キャリヤーの注入効率と移動効率の高
い電荷輸送材料を含有する。電荷輸送層には必要に応じ
バインダーポリマーが用いられる。バインダーポリマー
としては、上記電荷輸送材料との相溶性が良く、塗膜形
成後に電荷輸送材料が結晶化したり、相分離することの
ないポリマーが好ましく、それらの例としては、スチレ
ン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メ
タクリル酸エステル、ブタジェン等のビニル化合物の重
合体および共重合体、ポリビニルアセタール、ポリカー
ボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリウレタン、セルロースエステル、セ
ルロースエーテル、フェノキシ樹脂、けい素樹脂、エポ
キシ樹脂等が挙げられる。バインダーポリマーの使用量
は、通常電荷輸送材料100重量部に対し50〜300
0重量部、好ましくは70〜1000重量部の範囲であ
る。電荷輸送層にはこの他に、塗膜の機械的強度や、耐
久性向上のための種々の添加剤を用いることができる。
【0024】この様な添加剤としては、周知の可塑剤
や、種々の安定剤、流動性付与剤、架橋剤等が挙げられ
る。
や、種々の安定剤、流動性付与剤、架橋剤等が挙げられ
る。
【0025】
【発明の効果】この様にして得られる本発明の電子写真
用感光体は高感度で、残留電位が低く帯電性が高く、か
つ、繰返しによる変動が小さく、特に、画像濃度に影響
する帯電安定性が良好であることから、高耐久性感光体
として用いることができる。又750〜850nmの領
域の感度が高いことから、特に半導体レーザープリンタ
用感光体に適している。
用感光体は高感度で、残留電位が低く帯電性が高く、か
つ、繰返しによる変動が小さく、特に、画像濃度に影響
する帯電安定性が良好であることから、高耐久性感光体
として用いることができる。又750〜850nmの領
域の感度が高いことから、特に半導体レーザープリンタ
用感光体に適している。
【0026】
【実施例】以下に製造例および実施例をあげて本発明を
更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない
限り、下記製造例および実施例により限定されるもので
はない。なお、製造例及び実施例中「部」とあるは、
「重量部」を表す。
更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない
限り、下記製造例および実施例により限定されるもので
はない。なお、製造例及び実施例中「部」とあるは、
「重量部」を表す。
【0027】製造例1 フタロジニトリル25.0部とSnCl4 12.7部を
α−クロロナフタレン160部中に仕込み、120℃で
溶解させた。その後、反応温度を徐々に昇温し、210
℃で3.5時間加熱攪拌を続けた。
α−クロロナフタレン160部中に仕込み、120℃で
溶解させた。その後、反応温度を徐々に昇温し、210
℃で3.5時間加熱攪拌を続けた。
【0028】反応終了後、放冷し、反応系の温度が10
0℃に下った時点で熱濾過し、次いでメタノール熱懸
濁、熱水煮沸懸濁、N−メチルピロリドンにより150
℃で2時間熱懸濁を行い、次いで熱濾過し、メタノール
で熱懸濁し、濾過した後、減圧で乾燥することにより青
色粉末(化合物 No.1)10部を得た。化合物 No.1の
元素分析値は以下のとおりであった。
0℃に下った時点で熱濾過し、次いでメタノール熱懸
濁、熱水煮沸懸濁、N−メチルピロリドンにより150
℃で2時間熱懸濁を行い、次いで熱濾過し、メタノール
で熱懸濁し、濾過した後、減圧で乾燥することにより青
色粉末(化合物 No.1)10部を得た。化合物 No.1の
元素分析値は以下のとおりであった。
【0029】
【表1】 No. 1 PcSnCl2 として C% H% N% Cl% 計 算 値 54.70 2.28 15.95 9.97 実 測 値 54.88 2.41 16.13 10.01 又、赤外吸収スペクトル測定結果は特開昭62−119
547号公報第1図に示すのと同様であった。
547号公報第1図に示すのと同様であった。
【0030】元素分析値及び赤外吸収スペクトルの測定
結果から、製造例1で得られたスズフタロシアニン化合
物はPcSnCl2 であることがわかった。尚、粉末X
線回折の測定結果は図1に示す通りであった。又、製造
例1と同様にして、表1に示した化合物 No.2〜11の
ジハロゲノスズフタロシアニン類を合成した。
結果から、製造例1で得られたスズフタロシアニン化合
物はPcSnCl2 であることがわかった。尚、粉末X
線回折の測定結果は図1に示す通りであった。又、製造
例1と同様にして、表1に示した化合物 No.2〜11の
ジハロゲノスズフタロシアニン類を合成した。
【0031】
【化9】
【0032】
【表2】 表 1 化合物 No. X m Y 2 −H 0 F 3 −H 0 I 4 −H 0 Br 5 −CH3 1 Cl 6 −OH 1 Cl 7 3−NO2 1 Cl 8 −OCH3 4 Cl 9 −Cl 4 Cl 10 −OCH2 −C6 H5 4 Cl 11 −CN 1 Cl
【0033】実施例1 製造例1で製造した化合物 No.1のジハロゲノスズフタ
ロシアニン0.4g、ポリビニルブチラール0.2gを
4−メトキシ−4−メチル−2−ペンタノン30gと共
に、サンドグラインダーで分散し、この分散液をポリエ
ステルフィルム上に蒸着したアルミ蒸着層の上にフィル
ムアプリケータにより乾燥膜厚が0.3g/m2となる様
に塗布、乾燥し、電荷発生層を形成した。
ロシアニン0.4g、ポリビニルブチラール0.2gを
4−メトキシ−4−メチル−2−ペンタノン30gと共
に、サンドグラインダーで分散し、この分散液をポリエ
ステルフィルム上に蒸着したアルミ蒸着層の上にフィル
ムアプリケータにより乾燥膜厚が0.3g/m2となる様
に塗布、乾燥し、電荷発生層を形成した。
【0034】この電荷発生層の上に1,1−ジフェニル
−2−(4−N,N−ジフェニルアニリン)エチレン9
0部、ポリカーボネート樹脂(三菱ガス化学社製、商品
名ユーピロンE−2000)100部からなる膜厚17
μmの電荷輸送層を積層し、積層型の感光層を有する電
子写真感光体を得た。この感光体の感度として半減露光
量(E1/2)を静電複写紙試験装置(川口電機製作所
製モデルSP−428)により測定した。すなわち、暗
所でコロナ電流が50μAになる様に設定した印加電圧
によるコロナ放電により感光体を負帯電させた。次いで
20 luxの照度を有する白色光からフィルターを用いて
775nmの光(相当する照度2.4 lux)を取り出
し、この光により露光し、表面電位が−500Vから−
250Vに半減するのに要した露光量(E1/2)を求
めたところ3.2 lux・sec であった。この時の感光体
の帯電圧(初期表面電位)は−623Vであり、露光1
0秒後の表面電位(残留電位)は−10Vであった。
−2−(4−N,N−ジフェニルアニリン)エチレン9
0部、ポリカーボネート樹脂(三菱ガス化学社製、商品
名ユーピロンE−2000)100部からなる膜厚17
μmの電荷輸送層を積層し、積層型の感光層を有する電
子写真感光体を得た。この感光体の感度として半減露光
量(E1/2)を静電複写紙試験装置(川口電機製作所
製モデルSP−428)により測定した。すなわち、暗
所でコロナ電流が50μAになる様に設定した印加電圧
によるコロナ放電により感光体を負帯電させた。次いで
20 luxの照度を有する白色光からフィルターを用いて
775nmの光(相当する照度2.4 lux)を取り出
し、この光により露光し、表面電位が−500Vから−
250Vに半減するのに要した露光量(E1/2)を求
めたところ3.2 lux・sec であった。この時の感光体
の帯電圧(初期表面電位)は−623Vであり、露光1
0秒後の表面電位(残留電位)は−10Vであった。
【0035】実施例2 以下、実施例1で用いた1,1−ジフェニル−2−(4
−N,N−ジフェニルアニリン)エチレンの代りに下記
表に示される化合物を用いた以外は実施例1と全く同様
にした。結果を下記の表2にまとめる。
−N,N−ジフェニルアニリン)エチレンの代りに下記
表に示される化合物を用いた以外は実施例1と全く同様
にした。結果を下記の表2にまとめる。
【0036】
【表3】
【0037】
【表4】
【0038】
【表5】
【0039】
【表6】
【図1】本発明に用いたジハロゲノスズフタロシアニン
の粉末X線回折スペクトル図。
の粉末X線回折スペクトル図。
Claims (1)
- 【請求項1】 電荷発生材料と電荷輸送材料を含有する
感光層を導電性支持体上に有する感光体において電荷発
生材料としてジハロゲノスズフタロシアニンを用い、か
つ電荷輸送材料として下記一般式〔I〕及び/又は〔I
I〕 【化1】 (式中、R1 およびR2 は水素原子、アルキル基、アル
コキシ基、置換アミノ基、アラルキル基、アリル基、ア
リール基又はハロゲン原子を表し、これらは同一でも互
いに異なっていてもよく、R3 およびR4 は、アルキル
基、アラルキル基、アリル基又はアリール基を表し、こ
れらは同一でも互いに異なっていてもよく、又、nは0
又は1の数を表し、Xは環を形成する直接結合、メチレ
ン残基もしくはエチレン残基、 【化2】 又は−S−を表し、R5 は水素原子、アルキル基、アラ
ルキル基、アリル基又はアリール基を表す。)で表され
る化合物を用いることを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34366691A JPH05173347A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34366691A JPH05173347A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05173347A true JPH05173347A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18363306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34366691A Pending JPH05173347A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05173347A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009221156A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Ricoh Co Ltd | α−フェニルスチルベン化合物及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP34366691A patent/JPH05173347A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009221156A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Ricoh Co Ltd | α−フェニルスチルベン化合物及びその製造方法 |
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