JPH05175384A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置Info
- Publication number
- JPH05175384A JPH05175384A JP3343755A JP34375591A JPH05175384A JP H05175384 A JPH05175384 A JP H05175384A JP 3343755 A JP3343755 A JP 3343755A JP 34375591 A JP34375591 A JP 34375591A JP H05175384 A JPH05175384 A JP H05175384A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- semiconductor device
- board
- substrate
- connection wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5475—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to common bond pads at both ends of the wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
イスにも十分対応できるようにした電力用半導体装置を
提供する。 【構成】金属絶縁基板1の上にパワーチップ2, および
その制御回路を構成する電子部品3を搭載してパッケー
ジ5に収容した電力用半導体装置において、パワーチッ
プから外部導出端子6に至る接続配線, パワーチップ相
互間の接続配線など大電流が通流する主回路の内部接続
配線に基板と別部品の端子板7を採用し、該端子板を基
板の上に立体的に構築して接続する。
Description
に適用するパワートランジスタモジュールなどを対象と
した電力用半導体装置の構成に関する。
ーチップおよびパワーチップの駆動,保護回路などを含
めた制御回路部品を一枚の基板上に実装し、この回路組
立体をパッケージ内に収容して構成されている。図3は
従来より実施されているパワートランジスタモジュール
の組立構造を示すものであり、図において、1は放熱ベ
ースを兼ねたアルミなどの金属板1aの上にエポキシ樹
脂などの絶縁層1bを介して厚さ数十μm程度の銅箔の
導体パターン1cを形成した金属絶縁基板、2は金属絶
縁基板1にマウントしたパワートランジスタのチップ、
3は制御回路を構成するダイオードチップなどの各種電
子部品、4はこれら部品と導体パターン1cとの間を接
続したボンディングワイヤ、5はパッケージ、6はパッ
ケージ5を貫通して外部に引出した外部導出端子であ
り、パワーチップ2に流れる主回路電流は基板上に形成
した導体パターン1c,外部導出端子6を通じて外部に
取り出される。
は基板1の導体パターン1cをそのまま主回路の内部接
続配線に使用しているので、所要の通電容量を確保する
ためには基板1の銅箔に形成し導体パターン1cのトラ
ック幅を大きくする必要があり、かつそのトラック幅は
通電容量の増大とともに幅広となる。この結果、金属絶
縁基板の所要面積が増大し、必然的にパッケージ5を含
めた構成が大形化してコスト高となる。
であり、その目的は小形面積の基板で大通電容量に十分
対応できる電力用半導体装置を提供することにある。
に、本発明の半導体装置においては、パワーチップから
外部導出端子に至る接続配線, パワーチップ相互間の接
続配線など大電流が通流する主回路の内部接続配線に基
板と別部品の端子板を採用し、該端子板を基板上に立体
的に構築して接続して構成するものとする。
チップを金属絶縁基板に実装し、かつ該基板上に主回路
の内部接続配線に対応する端子板を構築するとともに、
制御回路を構成する電子部品は前記端子板上に支持して
金属絶縁基板の上方に二段積みに重ねた制御回路用基板
に実装した構成がある。なお、主回路接続配線の配線材
として銅板を採用するのがよい。
電流は、基板上に構築して半田付け接合された銅材端子
板の内部接続配線を流れて外部導出端子より取り出され
る。しかも、接続配線としての端子板は基板とは独立し
た別部品であり、その断面積(厚さ,幅),長さなどは
パワーチップの通電容量に相応して自由に選定すること
が可能である。したがって、基板の銅箔には主回路の内
部接続配線に対応するパターンを形成する必要がなく、
パワーチップ,外部導出端子,制御回路の電子部品など
に対するマウント部、および制御回路の接続配線に対応
する回路パターンを形成するだけで済み、基板の所要面
積は銅箔に幅広な主回路用の内部接続配線のパターンを
形成した構成と比べて大幅に縮減できる。
る。なお、実施例の図中で図3に対応する同一部材には
同じ符号が付してある。 実施例1:図1において、金属絶縁基板1の導体パター
ン1cにはパワーチップ2,制御回路を構成する電子部
品3,外部導出端子5などが実装されており、パワーチ
ップ2と外部導出端子6との間の接続配線,パワーチッ
プ相互間の接続配線として金属絶縁基板1とは別部品の
端子板7が基板上に半田付け接続されている。ここで、
端子板7は銅板を配線経路に合わせて曲げ加工したもの
で、金属絶縁基板1の上に立体的に構築され、かつその
断面寸法はパワーチップ2の通電容量に相応して選定さ
れている。一方、パワーチップ2のドライブ,保護など
の制御回路の内部接続配線は金属絶縁基板1の導体パタ
ーン1cで形成されている。
に発展させた本発明の請求項3に対応する実施例を示す
ものである。この実施例においては、金属絶縁基板1に
はパワーチップ2,外部導出端子5,および実施例1で
述べた主回路の内部接続配線を構成する端子板7が実装
されている。また、パワーチップ2の制御回路を構成す
る各種電子部品3は金属絶縁基板1と別な制御回路用基
板8に実装し、前記の端子板7を支持部材として金属絶
縁基板1の上方に二段重ね式に搭載支持されている。な
お、9は金属絶縁基板1と制御回路用基板8との間の接
続端子である。このような二段重ねの構成により、パワ
ーチップ1に対して高い熱放散性を確保しつつ、電子デ
バイス全体を小形,コンパクトに構成できる。なお、制
御回路の電子部品3はパワーチップ2に比べて発熱量が
極めて少ないので、図示のように基板8をパッケージ内
の中段に配置しても動作特性上での問題はない。
ば、大きな電流が流れる主回路の内部接続配線に基板と
別部品の端子板を採用し、これを基板上に立体的に構築
して接続したことにより、基板の銅箔には主回路の大き
な電流を流す幅広な内部配線のパターンを形成する必要
がなく、かつ端子板はパワーチップの通電容量に対応し
てその断面寸法を自由に選定できる。したがって、所要
面積の小さな基板で大容量の電力用半導体装置を構成す
ることができる。
Claims (3)
- 【請求項1】基板上にパワーチップ, およびその制御回
路を構成する電子部品を搭載してパッケージングした電
力用半導体装置において、パワーチップから外部導出端
子に至る接続配線, パワーチップ相互間の接続配線など
大電流が通流する主回路の内部接続配線に基板と別部品
の端子板を採用し、該端子板を基板上に立体的に構築し
て接続したことを特徴とする電力用半導体装置。 - 【請求項2】請求項1記載の電力用半導体装置におい
て、パワーチップを金属絶縁基板に実装し、かつ該基板
上に主回路の内部接続配線に対応する端子板を構築する
とともに、制御回路を構成する電子部品は前記端子板上
に支持して金属絶縁基板の上方に二段積みに重ねた制御
回路用基板に実装したことを特徴とする電力用半導体装
置。 - 【請求項3】請求項1,または2記載の電力用半導体装
置において、主回路接続配線の配線材として銅板を採用
したことを特徴とする電力用半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3343755A JP2936855B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 電力用半導体装置 |
| GB929226082A GB9226082D0 (en) | 1991-12-26 | 1992-12-15 | Power semiconductor device |
| GB9227186A GB2264389B (en) | 1991-12-26 | 1992-12-22 | Power semiconductor device |
| US08/456,925 US5497291A (en) | 1991-12-26 | 1995-06-01 | Power semiconductor device including terminal plates located between two substrates that functions as electrical connectors and mechanical supports |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3343755A JP2936855B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 電力用半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175384A true JPH05175384A (ja) | 1993-07-13 |
| JP2936855B2 JP2936855B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=18363991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3343755A Expired - Fee Related JP2936855B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 電力用半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5497291A (ja) |
| JP (1) | JP2936855B2 (ja) |
| GB (2) | GB9226082D0 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677669B2 (en) * | 2002-01-18 | 2004-01-13 | International Rectifier Corporation | Semiconductor package including two semiconductor die disposed within a common clip |
| KR100446277B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2004-09-01 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 반도체 전력용 모듈 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268102A (ja) * | 1993-01-13 | 1994-09-22 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止形半導体装置 |
| EP0717443B1 (en) * | 1994-07-04 | 1999-03-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Integrated circuit device |
| SE516315C2 (sv) * | 1994-11-07 | 2001-12-17 | Atlas Copco Controls Ab | Styrkretsarrangemang till en drivenhet för en elektrisk motor |
| JP3396566B2 (ja) * | 1995-10-25 | 2003-04-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| DE19601518B4 (de) | 1996-01-17 | 2016-05-12 | Wabco Gmbh | Gehäuse für eine elektrische Baugruppe |
| DE19716113B4 (de) * | 1996-04-18 | 2005-07-07 | International Rectifier Corp., El Segundo | Elektrische Leistungsstrang-Baugruppe |
| US5812387A (en) * | 1997-02-21 | 1998-09-22 | International Power Devices, Inc. | Multi-deck power converter module |
| US6060772A (en) * | 1997-06-30 | 2000-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power semiconductor module with a plurality of semiconductor chips |
| US6166464A (en) * | 1998-08-24 | 2000-12-26 | International Rectifier Corp. | Power module |
| JP2001189416A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
| US6359784B1 (en) * | 2000-07-11 | 2002-03-19 | David Leonard Stevens | Package for an electrical apparatus and method of manufacturing therefore |
| JP3923258B2 (ja) * | 2001-01-17 | 2007-05-30 | 松下電器産業株式会社 | 電力制御系電子回路装置及びその製造方法 |
| DE10114572A1 (de) * | 2001-03-24 | 2002-11-07 | Marquardt Gmbh | Träger für eine elektrische Schaltung, insbesondere für einen elektrischen Schalter |
| US7046518B2 (en) * | 2001-04-02 | 2006-05-16 | International Rectifier Corporation | Power module |
| US6774465B2 (en) * | 2001-10-05 | 2004-08-10 | Fairchild Korea Semiconductor, Ltd. | Semiconductor power package module |
| US7248483B2 (en) * | 2004-08-19 | 2007-07-24 | Xantrex Technology, Inc. | High power density insulated metal substrate based power converter assembly with very low BUS impedance |
| KR100765604B1 (ko) * | 2004-11-26 | 2007-10-09 | 산요덴키가부시키가이샤 | 회로 장치 및 그 제조 방법 |
| US20060286845A1 (en) * | 2005-06-20 | 2006-12-21 | Hinze Lee R | Sealed fastenerless multi-board electronic module and method of manufacture |
| JP4687430B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-05-25 | 株式会社デンソー | 電子装置およびその製造方法 |
| US7839656B2 (en) * | 2007-06-15 | 2010-11-23 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Shielded circuit assembly and method |
| JP4969388B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2012-07-04 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 回路モジュール |
| US7808100B2 (en) * | 2008-04-21 | 2010-10-05 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module with pressure element and method for fabricating a power semiconductor module with a pressure element |
| TWI392065B (zh) * | 2009-06-08 | 2013-04-01 | 乾坤科技股份有限公司 | 電子元件封裝模組 |
| US9406457B2 (en) | 2011-05-19 | 2016-08-02 | Black & Decker Inc. | Electronic switching module for a power tool |
| JP6119313B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2017-04-26 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| US10608501B2 (en) | 2017-05-24 | 2020-03-31 | Black & Decker Inc. | Variable-speed input unit having segmented pads for a power tool |
| WO2022056679A1 (zh) * | 2020-09-15 | 2022-03-24 | 华为技术有限公司 | 功率模组及其制造方法、转换器和电子设备 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1223705A (en) * | 1967-04-19 | 1971-03-03 | Hitachi Ltd | Semiconductor devices |
| DE3486256T2 (de) * | 1983-09-29 | 1994-05-11 | Toshiba Kawasaki Kk | Halbleiteranordnung in Druckpackung. |
| KR900001273B1 (ko) * | 1983-12-23 | 1990-03-05 | 후지쑤 가부시끼가이샤 | 반도체 집적회로 장치 |
| JPS6216553A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 制御回路内蔵型電力半導体装置 |
| JPS6216554A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 制御回路内蔵型電力半導体装置 |
| FR2614494B1 (fr) * | 1987-04-22 | 1989-07-07 | Power Compact | Procede d'assemblage de circuits de puissance et de circuits de commande sur plusieurs niveaux sur un meme module et module ainsi obtenu |
| JPS6445073A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-17 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Connecting terminal device |
| JPH0734457B2 (ja) * | 1988-04-05 | 1995-04-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| DE9017041U1 (de) * | 1990-12-18 | 1991-03-07 | Akyürek, Altan, Dipl.-Ing., 8560 Lauf | Halbleitermodul |
| JP3055302B2 (ja) * | 1992-04-24 | 2000-06-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP3343755A patent/JP2936855B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-12-15 GB GB929226082A patent/GB9226082D0/en active Pending
- 1992-12-22 GB GB9227186A patent/GB2264389B/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-01 US US08/456,925 patent/US5497291A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100446277B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2004-09-01 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 반도체 전력용 모듈 및 그 제조방법 |
| US6677669B2 (en) * | 2002-01-18 | 2004-01-13 | International Rectifier Corporation | Semiconductor package including two semiconductor die disposed within a common clip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9227186D0 (en) | 1993-02-24 |
| GB2264389B (en) | 1995-08-30 |
| US5497291A (en) | 1996-03-05 |
| GB2264389A (en) | 1993-08-25 |
| GB9226082D0 (en) | 1993-02-10 |
| JP2936855B2 (ja) | 1999-08-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2936855B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
| JP3186700B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR900000206B1 (ko) | 전력용 반도체 모듈의 배선구조 | |
| US5488256A (en) | Semiconductor device with interconnect substrates | |
| US20100013070A1 (en) | Power module package having excellent heat sink emission capability and method for manufacturing the same | |
| US20020024129A1 (en) | Semiconductor device having at least three power terminals superposed on each other | |
| EP1143514A2 (en) | Resin-sealed power semiconductor device including substrate with all electronic components for control circuit mounted thereon | |
| KR100606295B1 (ko) | 회로 모듈 | |
| US4949220A (en) | Hybrid IC with heat sink | |
| JP2848068B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3958156B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
| JPH04273150A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3942495B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05259373A (ja) | 電力用半導体装置 | |
| WO2018150449A1 (ja) | 半導体モジュールおよびその製造方法と、これを備えた駆動装置、電動パワーステアリング装置 | |
| JP3048707B2 (ja) | 混成集積回路 | |
| JP4189666B2 (ja) | パワーモジュール | |
| JP3016049B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2879503B2 (ja) | 面実装型電子回路装置 | |
| JPH0786497A (ja) | インテリジェントパワーモジュール | |
| JPS59224152A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPH04186667A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0563139A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2555993B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0451488Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080611 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080611 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080611 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090611 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |