JPH051774B2 - - Google Patents

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JPH051774B2
JPH051774B2 JP23989584A JP23989584A JPH051774B2 JP H051774 B2 JPH051774 B2 JP H051774B2 JP 23989584 A JP23989584 A JP 23989584A JP 23989584 A JP23989584 A JP 23989584A JP H051774 B2 JPH051774 B2 JP H051774B2
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JP
Japan
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JP23989584A
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JPS61118345A (ja
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Yasumitsu Tamura
Manabu Sasho
Hiroko Ooe
Shuji Akai
Yasuyuki Kita
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明は、新規なシクロヘキセン誘導体に関す
る。 従来の技術 従来、ダウノマイシン(Daunomycin)、11−
デオキシダウノマイシン(11−
Deoxydaunomycin)、アドリアマイシン
(Adriamycin)及び11−デオキシアドリアマイ
シン(11−Deoxyadriamycin)の合成中間体
(下記一般式(1)で表わされる化合物〕は、D.N.
Gupta等、A.S.Kerde等及びJ.P.Gesson等により
報告されている〔J.Chem.Soc.Perkin,1981
689;J.Am.Chem.Soc.,98,1967(1976);J.
Chem.Soc.Chem.Commum.,1982,421;J.Org.
Chem.,46,2799(1981)参照〕。 式中R4は水素原子又は水酸基を示す。〕 しかしながら、上記文献に記載の方法では、一
般式(1)の化合物を収率よく製造し得ず、工業的に
満足できるものではない。 問題点を解決するための手段 本発明者等は、11−デオキシダウノマイシン及
び11−デオキシアドリアマイシンの合成中間体
〔即ちR4が水素原子である一般式(1)の化合物、以
下「化合物1a」という〕を収率よく製造すべく
鋭意研究を重ねた結果、下記一般式(2)で表わされ
るシクロヘキセン誘導体を経由する場合に本発明
の所期の目的を達成し得ることを見い出した。本
発明は斯かる知見に基づき完成されたものであ
る。 本発明のシクロヘキセン誘導体は、文献未載の
新規化合物であつて、下記一般式(2)で表わされ
る。 〔式中R1及びR2は各々水素原子又は低級アル
キル基を、R3はトリ(低級アルキル)シリル基
又は水素原子を示す。また式中基
【式】は閉環して基
【式】を形成することもできる。〕 本明細書において、低級アルキル基としては例
えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピ
ル、n−ブチル、tert−ブチル、n−ペンチル、
n−ヘキシル基等の炭素数1〜6の直鎖又は分枝
鎖状アルキル基を挙げることができる。 上記一般式(2)で表わされる本発明化合物は、例
えば反応行程式−1に示す方法により製造でき
る。 〈反応行程式−1〉 〔式中、R1′及びR2′は各々低級アルキル基を示
す。R3は前記に同じ。〕 反応行程式−1によれば、公知の一般式(3)で表
わされる化合物に公知の一般式(4)で表わされる化
合物を反応させることにより一般式(2a)で表
わされる化合物が製造され、次いで該化合物2a
を加水分解反応及び/又は脱シリレーシヨン反応
させることにより一般式(2b)で表わされる化
合物が製造され、更に該化合物2bを閉環反応さ
せることにより一般式(2c)で表わされる化合物
が製造される。 更に詳しくは、化合物3と化合物4との反応
は、適当な不活性溶媒中、強塩基性化合物及び塩
化第一セリウムの存在下、反応温度−80℃〜室温
程度、反応時間5分〜8時間程度で実施される。
使用される不活性溶媒としては、例えばテトラヒ
ドロフラン(THF)、ジオキサン、ジエチルエー
テル等のエーテル類、ヘキサン、シクロヘキサン
等の飽和炭化水素類等を例示でき、また強塩基性
化合物としては、例えばn−ブチルリチウム等の
低級アルキルリチウム、リチウム、ナトリウム、
カリウム等のアルカリ金属、水素化ナトリウム等
の水素化アルカリ金属、リチウムジイソプロピル
アミド等を挙げることができる。使用される化合
物4の量としては、化合物3に対して通常少なく
とも等モル量程度、好ましくは等モル〜2倍モル
量とするのがよく、また強塩基性化合物の量とし
ては、化合物3に対して通常少なくとも等モル量
程度、好ましくは等モル〜1.5倍モル量とするの
がよく、更に塩化第一リチウムの量としては、化
合物3に対して通常少なくとも等モル量程度、好
ましくは1〜3倍モル量とするのがよい。 上記反応の好ましい一実施態様を示せば、化合
物2aは、まず適当な不活性溶媒中化合物4に強
塩基性化合物を−30〜−50℃程度にて5分間〜1
時間程度反応させ、次いで得られる反応液に塩化
第一セリウムを加えて−80℃〜−50℃程度にて30
分間〜2時間反応させ、更に得られる反応液に化
合物3を加えて−80℃〜室温程度にて30分間〜5
時間程度反応させることにより製造される。 化合物2aの加水分解反応及び/又は脱シリレ
ーシヨン反応は、適当な不活性溶媒中、アルカリ
触媒の存在下に反応温度50〜120℃程度、好まし
くは70〜100℃、反応時間3〜15時間程度で実施
される。使用される不活性溶媒としては、例えば
メタノール、エタノール、n−プロパノール等の
低級アルコール類、ジオキサン、THF等のエー
テル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド等を例示できる。またアルカリ触媒として
は、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
水酸化カルシウム等の無機塩基性化合物を挙げる
ことができる。 化合物2bの閉環反応は、適当な不活性溶媒
中、一般式(5) R5O−C≡C−R6 (5) 〔式中、R5は低級アルキル基を、R6はトリ
(低級アルキル)シリル基又は水素原子を示す。〕 で表わされる化合物の存在下、反応温度0〜80℃
程度、好ましくは室温付近、反応時間10分間〜6
時間程度で実施される。使用される不活性溶媒と
しては、例えばクロロホルム、塩化メチレン、
1,2−ジクロルエタン等のハロゲン化飽和炭化
水素類、THF、ジオキサン、ジエチルエーテル
等のエーテル類、ベンゼン等の芳香族炭化水素
類、アセトニトリル等のニトリル類、ヘキサン、
シクロヘキサン等の飽和炭化水素類等を例示でき
る。使用される化合物5の量としては、化合物2
bに対して通常少なくとも等モル量程度、好まし
くは1.5〜2.5倍モル量とするのがよい。 斯くして製造された本発明化合物は、下記反応
行程式−2に示す方法により化合物1aに誘導さ
れる。 〈反応行程式−2〉 〔式中Xは塩素原子、臭素原子、沃素原子等の
ハロゲン原子又は水素原子を示す。〕 公知の化合物6と化合物2cとの反応は、適当
な不活性溶媒中、強塩基性化合物の存在下、反応
温度−80〜50℃程度、好ましくは−10℃〜室温付
近、反応時間10分〜6時間程度で実施される。使
用される不活性溶媒としては、例えばTHF、ジ
オキサン、ジエチルエーテル等のエーテル類、ヘ
キサン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素類、ベ
ンゼン等の芳香族炭化水素類を例示でき、強塩基
性化合物としては、例えばn−ブチルリチウム等
の低級アルキルリチウム、ナトリウム、カリウ
ム、リチウム等のアルカリ金属、水素化ナトリウ
ム、水素化カリウム、水素化リチウム等の水素化
アルカリ金属、リチウムジイソプロピルアミド等
を例示できる。化合物2cの使用量としては、化
合物6に対して通常少なくとも等モル量程度、好
ましくは等モル〜1.5倍モル量、また強塩基性化
合物の量としては、化合物2cに対して通常少な
くとも等モル量程度、好ましくは2〜3倍モル量
とするのがよい。 上記で製造される本発明化合物及び化合物1a
は、通常の分離手段、例えば再結晶法、蒸留法、
カラムクロマトグラフイー等により反応混合物か
ら容易に単離することができる。 発明の効果 本発明の化合物は、上記化合物1aを合成する
ための中間体として有用な化合物である。本発明
の化合物を経由すれば、化合物1aを収率よくし
かも高純度で製造し得る。 実施例 以下に実施例及び参考例を揚げるが、本発明は
これらに限定されるものではない。 実施例 1 1−トリメチルシリルアセチレン0.2ml(1.4mm
ol)の乾燥THF5ml溶液に、窒素気流下−35〜40
℃でn−ブチルリチウム0.85ml(1.36mmol、1.6M
溶液)を滴下した。次にこの溶液を、窒素気流下
−78℃にて乾燥塩化第一セリウム640mg(2.6mm
ol)の乾燥THF10ml溶液に滴下した。1時間後、
窒素気流下−78℃にて更にエチル 2−カルボエ
トキシ−5−オキソ−1−シクロヘキシリデンア
セテート230mg(0.91mmol)の乾燥THF5ml溶液
を滴下した。−78℃で2時間攪拌後、徐々に室温
に戻し、30分間攪拌した。飽和NH4Cl水5mlを
加え、次いで水10mlを加え、10%塩酸水溶液にて
酸性にし、ベンゼンで抽出した(15ml×3回)。
抽出液を飽和食塩水で洗浄し、芒硝で乾燥後、溶
媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフイー(n−ヘキサン:酢酸エチル=3:
1)にて精製してエチル 2−カルボエトキシ−
5−ヒドロキシ−5−トリメチルシリルエチニル
−1−シクロヘキシリデンアセテート227mg(収
率71%)を得た。 1H−NMR(CDCl3):δ 0.17(s,9H,Si(CH33) 1.31(t,6H,J=7Hz,2×CO2CH2 CH3 ) 1.95〜2.20(m,4H,2×CH2) 3.10〜3.40(m,3H,CH2,CH) 4.17(q,4H,J=7Hz,2×CO2 CH2 CH3) 5.81(br.s,1H,=CH−) IR(CHCl3)cm-1 3000,2950,1725 MS 計算値(C18H28O5Siとして) :352、1703 実測値 :352、1696 実施例 2 エチル 2−カルボエトキシ−5−ヒドロキシ
−5−トリメチルシリルエチニル−1−シクロヘ
キシリデンアセテート196mg(0.557mmol)、1.7%
水酸化カリウム水溶液5ml及びエタノール5mlの
混合物を8時間還流した。冷却後エタノールを留
去し、エーテル5mlで洗浄した。次にエーテル10
mlを加え、濃塩酸でPH=3にし、更に食塩水を加
え、エーテルで抽出した(15ml×4回)。抽出液
を芒硝にて乾燥後、溶媒を留去して2−カルボキ
シ−5−エチニル−5−ヒドロキシシクロヘキシ
ニル酢酸を定量的に得た。 1H−NMR(アセトン−d6):δ 1.80〜2.10(m,2H,CH2) 2.45〜2.70(m,4H,CH2×2) 2.84(s,1H,−C≡CH) 3.51(s,2H,CH2) IR(ニート)cm-1 3400〜2850,1720〜1640 実施例 3 2−カルボキシ−5−エチニル−5−ヒドロキ
シシクロヘキセニル酢酸91mg(0.41mmol)の乾燥
ジクロルメタン7mlに、窒素気流中0℃にて1−
エトキシ−2−トリメチルシリルアセチレン128
mg(0.90mmol)を滴下し、その後室温にて4時間
攪拌した。不溶物を取し、液を減圧下に濃縮
した後、高真空下で1時間乾燥して黒褐色オイル
の6−エチニル−6−ヒドロキシ−5,6,7,
8−テトラヒドロ−1H−2−ベンゾピラン−1,
3(4H)−ジオンを78mg(収率92%)得た。 1H−NMR(CDCl3):δ 1.80〜2.10(m,2H,CH2) 2.39(s,1H,−C≡CH) 2.45〜2.60(m,4H,CH2×2) 3.29(br.s,2H,CH2) IR(CDCl3)cm-1 3300,3025,2950,1800sh,1740 参考例 水素化ナトリウム(60%油性)33mg(0.825mm
ol)の乾燥THF3ml溶液に、窒素気流下、0℃に
て6−エチニル−6−ヒドロキシ−5,6,7,
8−テトラヒドロ−1H−2−ベンゾピラン−1,
3(4H)−ジオン68mg(0.33mmol)の乾燥THF3ml
溶液を滴下した。5分後更に窒素気流下、0℃に
て3−ブロモー5−メトキシ−1,4−ナフトキ
ノン88mg(0.33mmol)の乾燥THF5ml溶液を滴下
し、20分後室温にて2時間攪拌した。次に飽和
NH4Cl水5mlを加え、次いで水5mlを加え、10
%塩酸水溶液で酸性にし、ジクロルメタンで抽出
した(15ml×3回)。抽出液を飽和食塩水10mlで
洗浄し、芒硝にて乾燥後溶媒を留去した。残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフイ−(ジクロル
メタン:エーテル=30:1〜10:1)にて精製し
て6,9−ジヒドロキシ−9−エチニル−4−メ
トキシ−7,8,9,10−テトラヒドロナフタセ
ン−5,12−ジオン48mg(収率42%)を得た。 mp 250〜252℃(再結晶溶媒:ジクロルメタン
−メタノール) 1H−NMR(CDCl3):δ 2.17(t,2H,J=6.5Hz,CH2) 2.31(s,1H,OH) 2.47(s,1H,−C≡CH) 3.03(t,2H,J=6.5Hz,CH2) 3.20(d,2H,J=4.3Hz,CH2) 4.07(s,3H,OCH3) 7.35(dd,1H,J=7.5,1.5Hz,Ar−H) 7.50(s,1H,Ar−H) 7.72(t,1H,J=7.5Hz,Ar−H) 7.96(dd,1H,J=7.5,1.5Hz,Ar−H) 13.39(s,1H,Ar−OH) IR(KCl):cm-1 3460,3260,1660,1620,1580 MS 計算値(C21H16O5として) :348,0998 実測値 :348,1008

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中R1及びR2は各々水素原子又は低級アル
    キル基を、R3はトリ(低級アルキル)シリル基
    又は水素原子を示す。また式中基
    【式】は閉環して基 【式】を形成することもできる。〕 で表わされるシクロヘキセン誘導体。
JP23989584A 1984-11-14 1984-11-14 シクロヘキセン誘導体 Granted JPS61118345A (ja)

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JP23989584A JPS61118345A (ja) 1984-11-14 1984-11-14 シクロヘキセン誘導体

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JPS61118345A JPS61118345A (ja) 1986-06-05
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