JPH05186884A

JPH05186884A - 金属製導体箔または金属合金製導体箔およびその製造方法

Info

Publication number: JPH05186884A
Application number: JP28691891A
Authority: JP
Inventors: Akira Mori; 暁森; Shigeru Yamamoto; 山本　　茂; Junichi Oda; 淳一小田; Naoki Uchiyama; 直樹内山
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 1991-03-19
Filing date: 1991-10-31
Publication date: 1993-07-27

Abstract

(57)【要約】【構成】本願の金属製導体箔または金属合金製導体箔
は、金属または当該金属を主成分とする合金からなる箔
本体１０の表面２１に、複数の鉛層３１，３２および錫
層４１，４２を交互に積層してなる厚みが１μｍ以上５
０μｍ以下のはんだ膜５０が形成されている。前記金属
が金、銀、白金及びパラジウムから選択された１種で
は、はんだ膜の厚みが３μｍ以上５０μｍ以下であり、
前記金属が鉛では、はんだ膜の厚みが１μｍ以上３０μ
ｍ以下、かつ、隣接する１つの鉛層と錫層からなる層の
厚みが８μｍ以下である。また、上記の導体箔は真空蒸
着法により製造される。【効果】はんだ接合部分の接合強度が高く、しかもは
んだボールが発生することがない導体箔を提供すること
ができる。したがって、はんだ付けされる素子にダメー
ジを与えることがなく、素子の信頼性を低下させる惧れ
もなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばトランジスタ等
の素子のための導体として用いて好適な金属製導体箔ま
たは金属合金製導体箔およびその製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば、比較的大きな電流の流れ
るパワートランジスタや光電変換素子において使用さ
れ、かつ、振動を受けやすい環境下で使用される導体と
しては、比抵抗を低下させると共に可撓性を持たせるた
めに、メッシュや導体の途中に曲げ加工を入れた構造と
された金属または金属合金製の導体箔（以下「導体箔」
と略称する。）がある。

【０００３】この導体箔の一面側には、通常、鉛ー錫系
合金からなるはんだ膜が形成されており、該導体箔を素
子にはんだ付けする場合、このはんだ膜を素子に当接さ
せた状態ではんだ膜の他面側からヒートブロックを押し
当てることにより、はんだ膜を溶解させて接続すること
ができるようになっている。

【０００４】ところで、前記導体箔にはんだ膜を形成す
る方法としては、溶融はんだ浴中にはんだ付けする部分
を侵漬してはんだ膜を形成する侵漬法や、導体箔にマス
キングしてはんだ膜を付着させる部分のみを露出させた
後にはんだをメッキし、その後マスクを除去するメッキ
法や、スパッタリングによってはんだ膜を形成するスパ
ッタ法などがある。

【０００５】しかしながら、前記侵漬法では、製品間に
おけるはんだ膜厚のバラツキが大きいために、膜厚不足
によるはんだ付け不良や、過剰に塗布されたはんだによ
る他の接合部とのショートや、箔材の断線が発生し易い
という不都合がある。また、特に、導体箔の材質が鉛ま
たは鉛合金の場合には、導体箔が溶融はんだ中に溶解し
てしまうという不都合も生じる。

【０００６】また、前記メッキ法では、製品間における
はんだの厚みや組成のバラツキが大きいために、はんだ
不足によるはんだ付け不良や、はんだ過多による箔材の
断線が発生し易いという不具合がある。また、例えば、
メッシュにはんだをメッキした導体箔においては、はん
だメッキ終了後にマスクを除去すると該導体箔に形成さ
れたメッシュ内にマスクの残渣が残り、この残渣が、は
んだの濡れ広がりを阻害するためにはんだ付け不良の原
因となるという不都合がある。

【０００７】また、スパッタ法では、成膜速度が遅いた
めに実用上必要とされる１μｍ以上のはんだ膜を形成す
るには極めて長時間を必要とし、実用として用いるには
不適当である。そこで、真空蒸着装置を用い、鉛ー錫系
合金からなるはんだ合金を蒸発源として導体箔の表面に
はんだ膜を形成する方法が提案され実用に供されてい
る。この真空蒸着法によれば、上述した不都合等を解消
することができるという利点がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
真空蒸着法においては、同一の温度では錫よりも鉛の蒸
気圧の方が遥に高い（例えば、１０００℃の下では、鉛
の方が錫より約１００００倍も高い）ために、図２に示
す様に、この方法により得られるはんだ膜１は、箔本体
２側に形成された極めて鉛に富んだ鉛基合金層３と、こ
の層３の表面側に形成された極めて錫に富んだ錫基合金
層４とから構成されることになる。このため、はんだ付
けの際には、鉛基合金層３および錫基合金層４の双方を
同時に溶融して均一な合金相とする必要がある。

【０００９】前記はんだ膜１の場合、鉛および錫単体の
それぞれの融点は、はんだ合金の融点よりも高温である
ために、はんだ合金のみからはんだ膜を構成した場合に
比較して、はんだ付け温度を高くしなければならず、は
んだ付けされる素子にダメージを与え、素子の信頼性を
低下させてしまうという不都合がある。特に、導体箔に
鉛または鉛を主成分とする合金を用いた場合、はんだ付
けのために該導体箔が高温に長時間さらされることにな
り、該導体箔の機械的強度が低下するという不都合もあ
る。

【００１０】そこで、本発明者等が、これらの不都合を
解決するために種々研究した結果、複数の鉛層および錫
層を交互に積層することにより、鉛層と錫層との相互拡
散が容易となり、層全体の融点をはんだ合金の融点に近
づけることができ、したがって、はんだ付け温度を低下
させることができることが判明した。

【００１１】また、複数の鉛層および錫層の各層の厚み
を一定の厚み以下に制御すれば、層全体の融点をはんだ
合金の融点にさらに近づけることができ、したがって、
はんだ付け温度をさらに低下させることができることも
判明した。

【００１２】また、真空蒸着法において、複数の蒸発源
を順次蒸発させることにより、複数の鉛層および錫層が
交互に積層されたはんだ膜を形成することができること
も判明した。

【００１３】本発明は、上記の知見に基づいてなされた
もので、真空蒸着法による利点を保ちつつ、はんだ付け
温度を低くすることのできる金属製導体箔または金属合
金製導体箔およびその製造方法を提供することを目的と
するものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な金属製導体箔または金属合金製導
体箔およびその製造方法を採用した。

【００１５】すなわち、請求項１記載の金属製導体箔ま
たは金属合金製導体箔は、金属または当該金属を主成分
とする合金からなる箔本体の表面に、複数の鉛層および
錫層を交互に積層してなるはんだ膜が形成され、このは
んだ膜の厚みが１μｍ以上５０μｍ以下とされているこ
とを特徴とする。

【００１６】ここで、はんだ膜の厚みを１μｍ以上５０
μｍ以下に限定した理由は、はんだ膜の厚みが１μｍ以
下であると、はんだ不足のために素子と導体箔との接合
不良が発生するおそれがあり、また、はんだ膜の厚みが
５０μｍを超えると、余分なはんだが隣接する電極に流
れ込んでショートしたり、接合部からはみ出たはんだが
ボール状となって他の電極等に接触し、ショートの原因
になるという不都合があるためである。

【００１７】また、請求項２記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔は、請求項１記載の金属製導体箔また
は金属合金製導体箔において、前記金属は、金（Ａ
ｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）及びパラジウム（Ｐ
ｄ）から選択された１種からなり、前記はんだ膜の厚み
が３μｍ以上５０μｍ以下とされていることを特徴とす
る。

【００１８】ここで、はんだ膜の厚みを３μｍ以上５０
μｍ以下に限定した理由は、箔本体の主成分が金（Ａ
ｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）及びパラジウム（Ｐ
ｄ）から選択された１種である場合に、はんだ膜の厚み
が３μｍ以下であると、はんだ不足のために素子と導体
箔との接合不良が発生するおそれがあり、また、はんだ
膜の厚みが５０μｍを超えると、余分なはんだが隣接す
る電極に流れ込んでショートしたり、接合部からはみ出
たはんだがボール状となって他の電極等に接触し、ショ
ートの原因になるという不都合があるためである。

【００１９】また、請求項３記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔は、請求項１記載の金属製導体箔また
は金属合金製導体箔において、前記金属は、鉛（Ｐｂ）
からなり、前記はんだ膜の厚みが１μｍ以上３０μｍ以
下、かつ、隣接する１つの鉛層と錫層からなる層の厚み
が８μｍ以下とされていることを特徴とする。

【００２０】ここで、鉛合金とは、例えば、錫（Ｓ
ｎ）、インジウム（Ｉｎ）、銀（Ａｇ）等の元素を副成
分として含み、融点が蒸着により形成されるはんだ膜よ
り高い合金をいうものである。

【００２１】また、はんだ膜の厚みを１μｍ以上３０μ
ｍ以下に限定した理由は、箔本体の主成分が鉛（Ｐｂ）
である場合に、はんだ膜の厚みが１μｍ以下であると、
はんだ不足のために素子と前記金属からなる導体箔との
接合不良が発生するおそれがあり、また、はんだ膜の厚
みが３０μｍを超えると、余分なはんだが隣接する電極
に流れ込んでショートしたり、接合部からはみ出たはん
だがボール状となって他の電極等に接触し、ショートの
原因になるという不都合があり、さらに、該導体箔が断
線したり、接合部の機械的強度が低下したり等の不具合
が生じるためである。

【００２２】また、隣接する１つの鉛層と錫層からなる
層の厚みを８μｍ以下に限定した理由は、層の厚みが８
μｍ以上であると、当該層を溶融して均一なはんだ膜と
するには、加熱温度を更に高くしたり、または加熱時間
を延長したりする必要が生じ、ひいてはＰｂを主成分と
する導体箔の機械的強度が低下したり、はんだ付けされ
る素子の機能が劣化したり等の不具合が生じるためであ
る。

【００２３】また、請求項４記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔の製造方法は、真空蒸着法により、金
属または当該金属を主成分とする合金からなる箔本体の
表面に鉛−錫系のはんだ膜を形成するようにした金属製
導体箔または金属合金製導体箔の製造方法であって、複
数の蒸発源を順次蒸発させることにより、複数の鉛層お
よび錫層を交互に積層したはんだ膜を形成することを特
徴とする。

【００２４】また、請求項５記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔の製造方法は、請求項４記載の金属製
導体箔または金属合金製導体箔の製造方法において、前
記金属は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）及び
パラジウム（Ｐｄ）から選択された１種からなることを
特徴とする。

【００２５】また、請求項６記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔の製造方法は、請求項４記載の金属製
導体箔または金属合金製導体箔の製造方法において、前
記金属は、鉛（Ｐｂ）からなることを特徴とする。

【００２６】

【実施例】本発明に係る導体箔の各実施例を図面に基づ
いて説明する。

【００２７】〔第１実施例〕図１は、本発明の第１実施
例である金属製導体箔または金属合金製導体箔（以下、
単に導体箔と略称する）１０の部分拡大断面図である。

【００２８】この導体箔１０は、シート状に形成された
箔本体２０の表面２１に、はんだ膜５０が形成され、該
はんだ膜５０は、２層の鉛層３１，３２および錫層４
１，４２が交互に積層されている。そして、このはんだ
膜５０の厚みＤは、３μｍ以上５０μｍ以下である。

【００２９】箔本体２０は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、
白金（Ｐｔ）及びパラジウム（Ｐｄ）から選択された１
種からなる貴金属または当該貴金属を主成分とする貴金
属合金からなるものである。また、前記鉛層および錫層
の数は２層以上であればよく、要は、交互に積層されて
おり、かつ、全体の厚みが３μｍ以上５０μｍ以下であ
ればよい。

【００３０】次に、本実施例に係る導体箔１０の製造方
法について説明する。まず、２つの蒸発源を備えた真空
蒸着装置を用意する。次いで、これらの蒸発源のうち１
つの蒸発源を加熱し、箔本体２０の表面２１に鉛層３１
および錫層４１を順次積層させる。ついで、もう一方の
蒸発源を加熱し、箔本体２０の錫層４１の表面に鉛層３
２および錫層４２を順次積層させる。このようにして、
２層の鉛層３１，３２および錫層４１，４２を交互に積
層したはんだ膜５０を形成することができる。

【００３１】なお、３層以上の鉛層および錫層を形成す
る場合には、３つ以上の蒸発源を順次加熱することによ
りそれぞれの層を順次積層させればよい。

【００３２】表１は、上記実施例の導体箔及び比較例と
して作成された導体箔それぞれの構造を比較したもので
ある。

【００３３】

【表１】

【００３４】また、表２は、上記実施例及び比較例のそ
れぞれの導体箔の機械的強度の評価結果を示したもので
ある。

【００３５】

【表２】

【００３６】ここでは、上記実施例及び比較例のそれぞ
れの導体箔及び評価用サンプルは下記の様にして作成し
た。（実施例１〜６）まず、図３に示す様に、幅（Ｗ）５ｍ
ｍ、長さ（Ｌ１）１０ｍｍ、厚み（ｔ）３０μｍのシー
ト状の全面に内径０．５ｍｍの多数の貫通穴２２が形成
された箔本体２０を用意した。この箔本体２０の材質は
銀（Ａｇ）と白金（Ｐｔ）の２種類とした。

【００３７】ついで、上記実施例の方法に従って、この
箔本体２０の一面側端部に、長さ（Ｌ２）１ｍｍにわた
って、はんだ膜５０を形成した。このはんだ膜５０は、
組成がＳｎ６０重量％ーＰｂ４０重量％となるように鉛
層３１，３２および錫層４１，４２のそれぞれの厚みを
設定し、これら鉛層３１，３２および錫層４１，４２を
交互に積層した。この様にして、導体箔１０を作成し
た。

【００３８】一方、図４に示す様に、１辺が２０ｍｍ、
厚みが０．５ｍｍの正方形のシリコン（Ｓｉ）板６０の
表面に、通常のスパッタ法により、厚み０．１μｍのチ
タン（Ｔｉ）層、厚み１μｍのパラジウム（Ｐｄ）層、
厚み１μｍの銀（Ａｇ）層を順次積層した。

【００３９】ついで、このシリコン板６０の表面に導体
箔１０のはんだ膜５０を当接させ、ついで、２１０〜２
５０℃に加熱したヒートブロックを大気中において導体
箔１０に押し付け、はんだ膜５０を溶融させてはんだ付
けを行った。この様にして、評価用サンプルを作成し
た。

【００４０】破断強度および破断場所の評価について
は、導体箔１０の自由端１１に、シリコン板６０に対し
て垂直方向（図４中上方）に静かに引張り力を加え、破
断強度および破断場所を調べることにより行った。ま
た、はんだ付けの際にボールが形成されたか否かについ
ても調査した。なお、サンプル数は各実施例についてそ
れぞれ１００個とした。

【００４１】（比較例１〜９）従来の浸漬法、メッキ
法、真空蒸着法により作成した１層のはんだ膜を有する
導体箔を比較例とした。また、上記実施例に係る真空蒸
着法において、はんだ膜の厚みが３μｍ未満であるも
の、及び５０μｍを超えるものをそれぞれ作成し、比較
例とした。これらの導体箔においては、上述した以外の
他の構成要素については、前記実施例１〜６と同様であ
るので、詳細についての説明を省略する。

【００４２】前記比較例１〜９のそれぞれの導体箔につ
いて、実施例１〜６と同様にして、破断強度、破断場
所、はんだボールの発生の有無についての評価を行っ
た。また、サンプル数は、前記各実施例と同様に、各比
較例についてそれぞれ１００個とした。

【００４３】表１及び表２より、本実施例の導体箔で
は、はんだ付けした部分から破断したものは皆無であり
接合強度が高いことが判る。また、はんだボールの発生
したものは皆無であり、他の接点に対してショートを引
き起こす惧れがないことは明らかである。

【００４４】これらの実施例に対して、比較例１・２に
係る導体箔では、はんだ膜の膜厚にバラつきがあるた
め、はんだ接合部分で破断するものとはんだボールが発
生するものとが混在していることが判る。また、比較例
３・４に係る導体箔では、メッキの残渣の影響のために
はんだの接合強度が不十分であることが判る。また、比
較例５〜７に係る導体箔では、はんだ層を十分に溶融す
ることができず、はんだ部分の接合強度が不十分である
ことが判る。さらに、比較例８に係る導体箔では、はん
だ膜の厚さが不十分であるために、はんだ部分の接合強
度が不足し、比較例９に係る導体箔では、破断強度は十
分であるものの、はんだボールが発生してしまい、ショ
ート等を引き起こすという不都合が発生することが判
る。

【００４５】以上、詳細に説明した様に、上記実施例の
導体箔１０によれば、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）等から
なる貴金属または該貴金属を主成分とする合金からなる
箔本体２０の表面２１に、複数の鉛層３１，３２および
錫層４１，４２を交互に積層してなるはんだ膜５０が形
成され、このはんだ膜５０の厚みが３μｍ以上５０μｍ
以下とされていることとしたので、該導体箔のはんだ付
け温度を低下させることができ、はんだ接合部分の接合
強度が高く、しかもはんだボールが発生することがない
導体箔を提供することができる。したがって、はんだ付
けされる素子にダメージを与えることがなく、素子の信
頼性を低下させる惧れもなくなる。

【００４６】また、本上記実施例の導体箔の製造方法に
よれば、複数の蒸発源を順次蒸発させることにより、箔
本体２０の表面２１に複数の鉛層３１，３２および錫層
４１，４２を交互に積層することとしたので、箔本体２
０の表面２１に、はんだ膜５０を構成する複数の鉛層３
１，３２および錫層４１，４２の厚みを精度よく制御す
ることができるはんだ膜５０を形成することができる。
したがって、接合強度が高く、かつ、はんだボールの発
生のない導体箔を製造することができる。

【００４７】〔第２実施例〕図５は、本発明の第２実施
例である導体箔７０の部分拡大断面図である。

【００４８】この導体箔７０は、シート状に形成された
箔本体７１の表面７２に、はんだ膜７３が形成され、該
はんだ膜７３は、３層の鉛層８１〜８３および錫層９１
〜９３が交互に積層されている。そして、このはんだ膜
７３の厚みＤは、１μｍ以上３０μｍ以下であり、か
つ、隣接する鉛層８１（８２，８３）と錫層９１（９
２，９３）からなる層の厚みが７μｍ以下である。

【００４９】箔本体７１は、鉛（Ｐｂ）単体、または鉛
（Ｐｂ）を主成分とし、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉ
ｎ）、銀（Ａｇ）等の元素を副成分として含み、融点が
蒸着により形成されるはんだ膜７３より高い合金であ
る。また、前記鉛層および錫層の数は２層以上であれば
よく、要は、交互に積層されており、全体の厚みが１μ
ｍ以上３０μｍ以下、かつ、隣接する鉛層と錫層からな
る層の厚みが８μｍ以下であればよい。

【００５０】次に、本実施例に係る導体箔７０の製造方
法について説明する。まず、３つの蒸発源を備えた真空
蒸着装置を用意する。次いで、これらの蒸発源のうち１
つの蒸発源を加熱し、箔本体７１の表面７２に鉛層８１
および錫層９１を順次積層させる。次いで、残る２つの
蒸発源のうち一方の蒸発源を加熱し、錫層９１の表面に
鉛層８２および錫層９２を順次積層させる。次いで、も
う一方の蒸発源を加熱し、錫層９２の表面に鉛層８３お
よび錫層９３を順次積層させる。このようにして、３層
の鉛層８１〜８３および錫層９１〜９３を交互に積層し
たはんだ膜７３を形成することができる。

【００５１】なお、４層以上の鉛層および錫層を形成す
る場合には、４つ以上の蒸発源を順次加熱することによ
りそれぞれの層を順次積層させればよい。

【００５２】表３は、上記実施例の導体箔及び比較例と
して作成された導体箔それぞれの構造を比較したもので
ある。

【００５３】

【表３】

【００５４】また、表４は、上記実施例及び比較例のそ
れぞれの導体箔の機械的強度の評価結果を示したもので
ある。

【００５５】

【表４】

【００５６】ここでは、上記実施例及び比較例のそれぞ
れの導体箔及び評価用サンプルは下記の様にして作成し
た。（実施例１〜６）まず、図３に示す様に、幅（Ｗ）５ｍ
ｍ、長さ（Ｌ１）１０ｍｍ、厚み（ｔ）３０μｍのシー
ト状の全面に内径０．５ｍｍの多数の貫通穴２２が形成
された箔本体７１を用意した。この箔本体７１の材質は
Ｐｂ、Ｐｂー１重量％Ｓｎ、Ｐｂー５重量％Ｓｎの３種
類とした。また、同一形状で貫通穴２２の無い箔本体も
同じ数の種類だけ用意した。

【００５７】ついで、上記実施例の方法に従って、この
箔本体７１の一面側端部に、長さ（Ｌ２）１ｍｍにわた
って、はんだ膜７３を形成した。このはんだ膜７３は、
組成がＳｎ６０重量％ーＰｂ４０重量％となるように鉛
層８１（８２，８３）および錫層９１（９２，９３）の
それぞれの厚みを設定し、これら鉛層８１（８２，８
３）および錫層９１（９２，９３）を交互に積層した。
この様にして、導体箔７０を作成した。

【００５８】一方、図４に示す様に、１辺が２０ｍｍ、
厚みが０．５ｍｍの正方形のシリコン（Ｓｉ）板６０の
表面に、通常のスパッタ法により、厚み０．１μｍのチ
タン（Ｔｉ）層、厚み１μｍのパラジウム（Ｐｄ）層、
厚み１μｍの銀（Ａｇ）層を順次積層した。

【００５９】ついで、このシリコン板６０の表面に導体
箔７０のはんだ膜７３を当接させ、ついで、２１０〜２
５０℃に加熱したヒートブロックを大気中において導体
箔７０に押し付け、はんだ膜７３を溶融させてはんだ付
けを行った。この様にして、評価用サンプルを作成し
た。

【００６０】破断強度および破断場所の評価について
は、導体箔７０の自由端７５に、シリコン板６０に対し
て垂直方向（図４中上方）に静かに引張り力を加え、破
断強度および破断場所を調べることにより行った。ま
た、はんだ付けの際にボールが形成されたか否かについ
ても調査した。なお、サンプル数は各実施例についてそ
れぞれ１００個とした。

【００６１】（比較例１〜７）従来の浸漬法、メッキ
法、真空蒸着法により作成した１層のはんだ膜を有する
導体箔を比較例とした。また、上記実施例に係る真空蒸
着法において、はんだ膜の厚みが１μｍ未満であるも
の、及び３０μｍを超えるもの、さらに隣接する鉛層と
錫層からなる層の厚みが８μｍを越えるものをそれぞれ
作成し、比較例とした。これらの導体箔においては、上
述した以外の他の構成要素については、前記実施例１〜
６と同様であるので、詳細についての説明を省略する。

【００６２】前記比較例１〜７のそれぞれの導体箔につ
いて、実施例１〜６と同様にして、破断強度、破断場
所、はんだボールの発生の有無についての評価を行っ
た。また、サンプル数は、前記各実施例と同様に、各比
較例についてそれぞれ１００個とした。

【００６３】表３及び表４より、本実施例の導体箔では
比較例と比べて、はんだ膜と箔本体の界面、及びはんだ
付けした部分から破断したものは皆無であり接合強度が
高いことが判る。また、はんだボールの発生したものは
皆無であり、他の接点に対してショートを引き起こす惧
れがないことは明らかである。

【００６４】以上、詳細に説明した様に、上記実施例の
導体箔７０によれば、鉛（Ｐｂ）単体または該鉛を主成
分とする合金からなる箔本体７１の表面７２に、複数の
鉛層８１（８２，８３）および錫層９１（９２，９３）
を交互に積層してなるはんだ膜７３が形成され、このは
んだ膜７３の全体の厚みが１μｍ以上３０μｍ以下、か
つ、隣接する鉛層と錫層からなる層の厚みが８μｍ以下
とされていることとしたので、該導体箔のはんだ付け温
度を低下させることができ、はんだ接合部分の接合強度
が高く、しかもはんだボールが発生することがない導体
箔を提供することができる。したがって、はんだ付けさ
れる素子にダメージを与えることがなく、素子の信頼性
を低下させる惧れもなくなる。

【００６５】また、本上記実施例の導体箔の製造方法に
よれば、複数の蒸発源を順次蒸発させることにより、箔
本体７１の表面７２に複数の鉛層８１（８２，８３）お
よび錫層９１（９２，９３）を交互に積層することとし
たので、箔本体７１の表面７２に、はんだ膜７３を構成
する複数の鉛層８１（８２，８３）および錫層９１（９
２，９３）の厚みを精度よく制御することができるはん
だ膜７３を形成することができる。したがって、接合強
度が高く、かつ、はんだボールの発生のない導体箔を製
造することができる。

【００６６】

【発明の効果】以上、詳細に説明した様に、本発明の請
求項１記載の金属製導体箔または金属合金製導体箔によ
れば、金属または当該金属を主成分とする合金からなる
箔本体の表面に、複数の鉛層および錫層を交互に積層し
てなるはんだ膜が形成され、このはんだ膜の厚みが１μ
ｍ以上５０μｍ以下とされていることとしたので、はん
だ接合部分の接合強度が高く、しかもはんだボールが発
生することがない導体箔を提供することができる。

【００６７】また、請求項２記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔によれば、請求項１記載の金属製導体
箔または金属合金製導体箔において、前記金属は、金
（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）及びパラジウム
（Ｐｄ）から選択された１種からなり、前記はんだ膜の
厚みが３μｍ以上５０μｍ以下とされていることとした
ので、該導体箔のはんだ付け温度を低下させることがで
き、はんだ接合部分の接合強度が高く、しかもはんだボ
ールが発生することがない導体箔を提供することができ
る。したがって、はんだ付けされる素子にダメージを与
えることがなく、素子の信頼性を低下させる惧れもなく
なる。

【００６８】また、請求項３記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔によれば、請求項１記載の金属製導体
箔または金属合金製導体箔において、前記金属は、鉛
（Ｐｂ）からなり、前記はんだ膜の厚みが１μｍ以上３
０μｍ以下、かつ、隣接する１つの鉛層と錫層からなる
層の厚みが８μｍ以下とされていることとしたので、該
導体箔のはんだ付け温度を低下させることができ、はん
だ接合部分の接合強度が高く、しかもはんだボールが発
生することがない導体箔を提供することができる。した
がって、はんだ付けされる素子にダメージを与えること
がなく、素子の信頼性を低下させる惧れもなくなる。

【００６９】また、請求項４記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔の製造方法によれば、真空蒸着法によ
り、金属または当該金属を主成分とする合金からなる箔
本体の表面に鉛−錫系のはんだ膜を形成するようにした
金属製導体箔または金属合金製導体箔の製造方法であっ
て、複数の蒸発源を順次蒸発させることにより、複数の
鉛層および錫層を交互に積層したはんだ膜を形成するこ
ととしたので、箔本体の表面に、複数の鉛層および錫層
を交互に積層してなるはんだ膜を形成することができ
る。したがって、はんだ膜の厚さを制御して形成するこ
とにより、接合強度が高くてはんだボールの発生がない
導体箔を製造することができる。

【００７０】また、請求項５記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔の製造方法によれば、請求項４記載の
金属製導体箔または金属合金製導体箔の製造方法におい
て、前記金属は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐ
ｔ）及びパラジウム（Ｐｄ）から選択された１種からな
ることとしたので、箔本体の表面に、はんだ膜を構成す
る複数の鉛層および錫層の厚みを精度よく制御すること
ができるはんだ膜を形成することができる。したがっ
て、接合強度が高く、かつ、はんだボールの発生のない
導体箔を製造することができる。

【００７１】また、請求項６記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔の製造方法によれば、請求項４記載の
金属製導体箔または金属合金製導体箔の製造方法におい
て、前記金属は、鉛（Ｐｂ）からなることとしたので、
箔本体の表面に、はんだ膜を構成する複数の鉛層および
錫層の厚みを精度よく制御することができるはんだ膜を
形成することができる。したがって、接合強度が高く、
かつ、はんだボールの発生のない導体箔を製造すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る導体箔を示す部分拡
大断面図である。

【図２】従来の導体箔を示す部分拡大断面図である。

【図３】本発明の第１及び第２実施例に係る導体箔の斜
視図である。

【図４】本発明の第１及び第２実施例に係る導体箔をシ
リコン板にはんだ付けした状態を示す斜視図である。

【図５】本発明の第２実施例に係る導体箔を示す部分拡
大断面図である。

【符号の説明】

１０導体箔２０箔本体２１箔本体の表面３１，３２鉛層４１，４２錫層５０はんだ膜Ｄはんだ膜の厚み７０導体箔７１箔本体７２箔本体の表面７３はんだ膜８１〜８３鉛層９１〜９３錫層

フロントページの続き (72)発明者内山直樹兵庫県三田市テクノパーク十二番の六三菱マテリアル株式会社三田工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属または当該金属を主成分とする合金
からなる箔本体の表面に、複数の鉛層および錫層を交互
に積層してなるはんだ膜が形成され、このはんだ膜の厚
みが１μｍ以上５０μｍ以下とされていることを特徴と
する金属製導体箔または金属合金製導体箔。
【請求項２】前記金属は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、
白金（Ｐｔ）及びパラジウム（Ｐｄ）から選択された１
種からなり、前記はんだ膜の厚みが３μｍ以上５０μｍ以下とされて
いることを特徴とする請求項１記載の金属製導体箔また
は金属合金製導体箔。
【請求項３】前記金属は、鉛（Ｐｂ）からなり、前記はんだ膜の厚みが１μｍ以上３０μｍ以下、かつ、
隣接する１つの鉛層と錫層からなる層の厚みが８μｍ以
下とされていることを特徴とする請求項１記載の金属製
導体箔または金属合金製導体箔。
【請求項４】真空蒸着法により、金属または当該金属
を主成分とする合金からなる箔本体の表面に鉛−錫系の
はんだ膜を形成するようにした金属製導体箔または金属
合金製導体箔の製造方法であって、複数の蒸発源を順次
蒸発させることにより、複数の鉛層および錫層を交互に
積層したはんだ膜を形成することを特徴とする金属製導
体箔または金属合金製導体箔の製造方法。
【請求項５】前記金属は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、
白金（Ｐｔ）及びパラジウム（Ｐｄ）から選択された１
種からなることを特徴とする請求項４記載の金属製導体
箔または金属合金製導体箔の製造方法。
【請求項６】前記金属は、鉛（Ｐｂ）からなることを
特徴とする請求項４記載の金属製導体箔または金属合金
製導体箔の製造方法。