JPH0518758Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0518758Y2 JPH0518758Y2 JP1986135959U JP13595986U JPH0518758Y2 JP H0518758 Y2 JPH0518758 Y2 JP H0518758Y2 JP 1986135959 U JP1986135959 U JP 1986135959U JP 13595986 U JP13595986 U JP 13595986U JP H0518758 Y2 JPH0518758 Y2 JP H0518758Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mask
- semiconductor wafer
- sides
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
本考案、半導体ウエハの両面に同時に密着させ
て上下から露光し、ウエハ両面上にレジストパタ
ーンを形成するのに用いる両面露光用ワーキング
マスクに関する。
て上下から露光し、ウエハ両面上にレジストパタ
ーンを形成するのに用いる両面露光用ワーキング
マスクに関する。
まだホトプロセスを全く施していない半導体ウ
エハの両面に第一マスクを用いてレジストパター
ンを形成するために、第２図に示すようにシリコ
ンウエハ１を上部マスクホルダ２２に保持した上
部マスク３と下部マスクホルダ２１に保持した下
部マスク４との間にはさみ、上下から光５１，５
２を投射して両面に同時に露光することが行われ
る。この場合、先ず第３図に示すように、下部マ
スク４のパターン６上にウエハ１をセツトする
が、その場合パターン６の一辺とウエハ１のオリ
エンテーシヨンフラツト（以下OFと略す）１１
が重なるかまたは平行であり、他の二辺６２，６
３とウエハ１の間に左右同じ間隔ｄが存在するよ
うにしなければならない。しかし目視によつてウ
エハをセツトしたのでは、マスクパターンのOF
基準線に対してのウエハOFのずれ角が規格値以
内に入れることが難しく、また左右の位置もずれ
てｄを等しくすることが難しい。従つて上部マス
ク３をこの下部マスク４に合わせて位置決めし、
レジストパターン形成時にウエハ１に自動合わせ
用マーカパターンを入れても、その位置とウエハ
との関係位置の精度が悪く、次のホトプロセスを
自動合わせで行うことができない欠点があつた。
エハの両面に第一マスクを用いてレジストパター
ンを形成するために、第２図に示すようにシリコ
ンウエハ１を上部マスクホルダ２２に保持した上
部マスク３と下部マスクホルダ２１に保持した下
部マスク４との間にはさみ、上下から光５１，５
２を投射して両面に同時に露光することが行われ
る。この場合、先ず第３図に示すように、下部マ
スク４のパターン６上にウエハ１をセツトする
が、その場合パターン６の一辺とウエハ１のオリ
エンテーシヨンフラツト（以下OFと略す）１１
が重なるかまたは平行であり、他の二辺６２，６
３とウエハ１の間に左右同じ間隔ｄが存在するよ
うにしなければならない。しかし目視によつてウ
エハをセツトしたのでは、マスクパターンのOF
基準線に対してのウエハOFのずれ角が規格値以
内に入れることが難しく、また左右の位置もずれ
てｄを等しくすることが難しい。従つて上部マス
ク３をこの下部マスク４に合わせて位置決めし、
レジストパターン形成時にウエハ１に自動合わせ
用マーカパターンを入れても、その位置とウエハ
との関係位置の精度が悪く、次のホトプロセスを
自動合わせで行うことができない欠点があつた。
本考案は、上述の欠点を除き、まだパターンを
有しない半導体両面の所期の位置にレジストパタ
ーンを露光することができ、その後のホトプロセ
スの自動合わせに使用できるマーカパターンをウ
エハ表面に形成できるワーキングマスクを提供す
ることを目的とする。
有しない半導体両面の所期の位置にレジストパタ
ーンを露光することができ、その後のホトプロセ
スの自動合わせに使用できるマーカパターンをウ
エハ表面に形成できるワーキングマスクを提供す
ることを目的とする。
【考案の要点】
本考案は、下部のマスクの上面に突出部を備
え、この突出部からウエハのOF全体に対して接
触する直線状一辺とその辺に直角でウエハの外周
に一点で接触する直線状一辺とを有し、かつこの
突出部の厚さをウエハの厚さより小さくすること
により、マスクパターンのOF基準線とウエハOF
とのずれ角およびパターンの両辺とウエハ外周と
の間隔のずれを規格以内に入れることが容易とな
り、上記の目的が達成される。
え、この突出部からウエハのOF全体に対して接
触する直線状一辺とその辺に直角でウエハの外周
に一点で接触する直線状一辺とを有し、かつこの
突出部の厚さをウエハの厚さより小さくすること
により、マスクパターンのOF基準線とウエハOF
とのずれ角およびパターンの両辺とウエハ外周と
の間隔のずれを規格以内に入れることが容易とな
り、上記の目的が達成される。
第１図は、本考案の一実施例の下部マスクを示
し、マスク４の面上にＬ字形のガイド７を有す
る。このガイド７は厚さ200〜300μｍの段差を有
する平板状凸部で、ガラス、金属、樹脂などから
ガイド面に蒸着加工あるいは張り合わせるなどで
形成する。ウエハ１のセツトの際、ウエハのOF
１１をガイド７の内辺７１の一つに密着させ、他
の内辺７２にウエハ１の円周が接するようにすれ
ば、ウエハ１とマスク４との関係位置は確定す
る。ウエハ１の厚さは400〜500μｍであるから、
下部マスク４の上に上部マスクを位置合わせする
際にガイド７は障害にならない。
し、マスク４の面上にＬ字形のガイド７を有す
る。このガイド７は厚さ200〜300μｍの段差を有
する平板状凸部で、ガラス、金属、樹脂などから
ガイド面に蒸着加工あるいは張り合わせるなどで
形成する。ウエハ１のセツトの際、ウエハのOF
１１をガイド７の内辺７１の一つに密着させ、他
の内辺７２にウエハ１の円周が接するようにすれ
ば、ウエハ１とマスク４との関係位置は確定す
る。ウエハ１の厚さは400〜500μｍであるから、
下部マスク４の上に上部マスクを位置合わせする
際にガイド７は障害にならない。
本考案によれば、両面露光の下部マスクに半導
体ウエハのOFに対する衝となる一辺と、それに
直角でウエハ外周に対する衝となる一辺とを有
し、厚さが半導体ウエハの厚さより小さい突出部
を設けることにより、ウエハ両面上にレジストパ
ターンを何ら問題を生じることなく形成でき、か
つ下部マスクへのウエハの位置合わせが容易にで
き、OF基準線とOFの間のずれ角、左右位置のず
れが小さくなり、ウエハ上の所定の位置に自動合
わせマーカパターンを形成できるので、次段以降
のホトプロセスに自動合わせが可能となり、半導
体ホトプロセスの精度向上および工程の自動化に
対して極めて有効である。
体ウエハのOFに対する衝となる一辺と、それに
直角でウエハ外周に対する衝となる一辺とを有
し、厚さが半導体ウエハの厚さより小さい突出部
を設けることにより、ウエハ両面上にレジストパ
ターンを何ら問題を生じることなく形成でき、か
つ下部マスクへのウエハの位置合わせが容易にで
き、OF基準線とOFの間のずれ角、左右位置のず
れが小さくなり、ウエハ上の所定の位置に自動合
わせマーカパターンを形成できるので、次段以降
のホトプロセスに自動合わせが可能となり、半導
体ホトプロセスの精度向上および工程の自動化に
対して極めて有効である。
第１図は本考案の一実施例の下部マスク位置合
わせ時の平面図、第２図は両面露光工程の断面
図、第３図は従来の下部マスク位置合わせ時の平
面図である。 １……半導体ウエハ、１１……OF、３……上
部マスク、４……下部マスク、５１，５２……
光、７……ガイド（突出部）。
わせ時の平面図、第２図は両面露光工程の断面
図、第３図は従来の下部マスク位置合わせ時の平
面図である。 １……半導体ウエハ、１１……OF、３……上
部マスク、４……下部マスク、５１，５２……
光、７……ガイド（突出部）。
Claims (1)
- まだパターンを有しない半導体ウエハ両面にそ
れぞれ露光用ワーキングマスクを密着させて上下
から露光し、半導体ウエハ両面上にレジストパタ
ーンを形成する際に用いる露光用ワーキングマス
クにおいて、下部マスクの上面に突出部を備え、
この突出部が半導体ウエハのオリエンテーシヨン
フラツト全体に接触する直線状一辺と、該直線状
一辺に直角で半導体ウエハの外周に接する直線状
一辺とを有し、かつこの突出部の厚さを半導体ウ
エハの厚さより小さくしたことを特徴とする半導
体ウエハの両面露光用ワーキングマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986135959U JPH0518758Y2 (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986135959U JPH0518758Y2 (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6341156U JPS6341156U (ja) | 1988-03-17 |
| JPH0518758Y2 true JPH0518758Y2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=31038632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986135959U Expired - Lifetime JPH0518758Y2 (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0518758Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917441U (ja) * | 1982-07-23 | 1984-02-02 | 日東電工株式会社 | フオトマスク |
-
1986
- 1986-09-04 JP JP1986135959U patent/JPH0518758Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6341156U (ja) | 1988-03-17 |
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