JPH05190872A - 半導体圧力センサおよびその製造方法 - Google Patents

半導体圧力センサおよびその製造方法

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JPH05190872A
JPH05190872A JP4005655A JP565592A JPH05190872A JP H05190872 A JPH05190872 A JP H05190872A JP 4005655 A JP4005655 A JP 4005655A JP 565592 A JP565592 A JP 565592A JP H05190872 A JPH05190872 A JP H05190872A
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pressure
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semiconductor
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Osamu Takano
修 高野
Yasushi Matsumi
康司 松見
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、２つの半導体基板を貼り合わせて
１つの基板としたものに、感圧抵抗を形成した半導体圧
力センサに関するもので、ダイアフラムの厚さのばらつ
きを低減し、圧力特性のばらつきが少ない半導体圧力セ
ンサを容易に小型化することを目的とするものである。 【構成】 前記目的のために本発明は、２つの半導体基
板１１、１３を酸化膜１２で貼り合わせ、一方の基板１
１側にアイソレーション１６ａおよび埋め込みリード１
４ｂ、１６ｂを形成し、片方の基板１３側にダイアフラ
ム１９を前記酸化膜１２が露出するように形成し、その
ダイアフラム１９の底面の前記一方の基板１１側に感圧
抵抗２０を前記埋め込みリード１４ｂに接続するように
形成するようにしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板に感圧抵
抗を設ける半導体圧力センサとその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】単結晶シリコンは種々の半導体装置を作
りこむための半導体材料として優れている他によく知ら
れているように機械的にも歪・応力特性に履歴のないほ
ぼ理想的な高弾性をもち、かつその中にゲージファクタ
の非常に高い歪みゲージ（ピエゾ抵抗素子）を不純物拡
散によって容易に作りこむことができるので小型かつ高
精度の半導体圧力センサを構成することができる。図３
および図４はこのような半導体圧力センサの従来例をそ
れぞれ示すものである。文献例としては特開平２−１０
０３７２号公報に開示されるものがある。
【０００３】図３の例その１ではｎ型の単結晶シリコン
基板２２０の上面からまずｐ型不純物の拡散により抵抗
層である歪みゲージ２０７を細長な短冊状パターンで複
数個作りこみ、図示したように酸化膜２０５の窓を介し
て各歪ゲージ２０７の両端部にアルミ等の接続膜２１０
を接続した上で、通例のように全面を窒化膜等の保護膜
２１１で覆う。図では歪みゲージ２０７は２個のみが示
されているが、ふつうは４個の歪みゲージが、例えば全
体で方形を形成するような配置で作りこまれ、接続膜２
１０を介してブリッジ接続される。このブリッジの各頂
点に、一端部が接続された接続膜２１０の多端部状の保
護膜２１１には、図示のように窓が明けられて外部回路
との接続のための接続パッドＣＰが設けられる。
【０００４】また、図４に示された従来例その２では、
単結晶シリコン基板３３０には前述の例と同様にｎ型で
あるが高不純物濃度の物が用いられ、まずその表面にｐ
型層３３１を高不純物濃度で拡散した上でエピタキシャ
ル層３３２をｎ型で成長させ、そのなかに歪みゲージ３
０７を作りこむとともに、この例ではその検出信号を増
幅するトランジスタ等を含む集積回路３０８〜３０９が
作りこまれる。
【０００５】このため、ｎ型のエピタキシャル層３３２
の表面からｐ型の分離層３０６を高不純物濃度でｐ型層
３３１に達するように深く拡散して、それを複数の半導
体領域のひとつに前述の要領で作りこみ、他の半導体領
域内には電子回路の回路要素を作りこむと同時に歪みゲ
ージ３０７と接続し、そのブリッジ回路に一定の電圧も
しくは電流を供給するとともに、電子回路で増幅された
前記ブリッジ回路の信号を取り出すことができる。
【０００６】なお、図３、図４とも歪ゲージ２０７、３
０７下部のエッチング部２２２、３３４は周知のように
圧力センサにおけるダイアフラムである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述のいづれの半導体
圧力センサにおいても、単結晶シリコンが持つ高弾性に
より再現性の良い圧力検出値を得ることができ、かつ半
導体歪みゲージが持つ高いゲージファクタにより高感度
で圧力を検出できるが、図３の従来例ではその圧力検出
特性がばらつきやすい欠点がある。
【０００８】これは、図３の基板２２０に穴２２２を異
方性エッチングしたときにエッチングする深さを正確に
管理するのが困難であることから結果としてダイアフラ
ムの厚さにばらつきがでやすい。当然のことながら前記
ばらつきはダイアフラム２２２が深くなればなるほど大
きくなるので、基板２２０に薄いものを用いてエッチン
グする深さを小さくすれば、ばらつきをある程度抑える
ことが可能だが、その分基台やシリコンと基台を接続す
るための金属薄膜および半田からの、シリコンとの熱膨
張係数の差による熱応力を受けやすくなるために、圧力
検出特性の温度依存性が大きくなる。
【０００９】また、図４の従来例においては、基板３３
０へのダイアフラム３３４の異方性エッチングに電解エ
ッチングを利用することにより上述の問題の解決が可能
となる。この電解エッチングに関して言えば、まず水酸
化カリウム溶液を用いる化学エッチングで基板３３０の
厚みの大部分までエッチングした上で最後に沸酸系水溶
液を用いて電解エッチングすることによってエッチング
を図示のようにｐ型層３３１の下面で自動停止させるこ
とができる。つまり、基板３３０を正に、電解液を負に
それぞれ接続した状態でエッチングすることによりエッ
チングがｐ型層３３１の下面に達したときにｎ型の基板
３３０との間のｐｎ接合によってｐ型層に電流が流れな
くなるのでエッチングが停止する。
【００１０】このように図４の従来例では、基板３３０
に厚いものを用いてもダイアフラム３３４のエッチング
をｐ型層３３１のところで自動停止させてダイアフラム
の厚みを精度良く管理できるが、ダイアフラムの形成の
ために２工程を要し、かつ電解エッチングにかなり時間
がかかるという問題点がある。さらに、高不純物濃度の
ｐ型層３３１の上に成長させたエピタキシャル層３３２
内には結晶欠陥が発生しやすく、これに歪みゲージ３０
７を形成すると結晶欠陥に基づくリーク電流のために前
記ゲージのゲージファクタが低下しやすいので半導体圧
力センサの歩留まりが低下する問題がある。また、トラ
ンジスタ等の回路を形成する場合も同様であって、結晶
欠陥のためにトランジスタの耐圧値や、電流増幅率が低
下しやすい。
【００１１】近年、図４のような電子回路を搭載した半
導体圧力センサが製作され始めているが、それにともな
い半導体圧力センサ部の小型化が望まれている。しかし
ながら、以上述べたいづれの方法であってもダイアフラ
ムを小型化した場合に歪みゲージをダイアフラム形成前
に形成しているので、ウエハの結晶方向のオフアングル
の誤差等による異方性エッチングの面方向のばらつきや
歪みゲージ３０７のパターンに合わせてダイアフラムの
パターンを合わせこむアライメントの誤差などの影響を
非常に大きく受けるため、ダイアフラムの形状と歪みゲ
ージのパターンがずれてしまい、なかなか設計中心にこ
ないためダイアフラムを小型化すると圧力特性ばらつき
が大きくなるという問題点がある。
【００１２】本発明は以上述べた従来ダイアフラムを歪
ゲージである感圧抵抗を形成した後で形成していたため
に、アライメントや結晶方位のずれの影響でダイアフラ
ムと歪ゲージがずれることによって、特にダイアフラム
が小型になった時に圧力特性ばらつきが非常に大きくな
るといった問題点と異方性エッチングのエッチングレー
トのばらつきによるダイアフラムの厚さばらつきが大き
くなり、圧力特性ばらつきが非常に大きくなるといった
問題点を除去するために、二酸化シリコン膜を異方性エ
ッチングの停止層として使用して、ダイアフラムの厚さ
ばらつきを低減し、さらにダイアフラムを形成してから
歪ゲージとなる感圧抵抗パターンを形成するようにし、
容易に小型で圧力特性ばらつきの小さい半導体圧力セン
サを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前述した目的のため、こ
の発明は半導体圧力センサにおいて、ダイアフラムを二
酸化シリコン等の異方性エッチング停止層で物理的にエ
ッチングを停止させることで形成し、そこで形成された
ダイアフラムに合わせて停止層側に感圧抵抗パターン
を、あらかじめ設けてあったアイソレーション工程と同
時に形成された埋め込みリードと接続するように形成す
るようにしたものである。
【００１４】
【作用】前述したように本発明は、酸化膜を異方性エッ
チングのストッパにすることで厚さばらつきを抑えたダ
イアフラムを先ず形成し、異方性エッチングした面にそ
のダイアフラムの形状に合わせて感圧抵抗を形成し、Ｉ
Ｃの基本プロセスであるアイソレーションプロセスと同
時に感圧抵抗と電気的接続を行なうようにしたので、ダ
イアフラムを小型化、薄膜化できると同時に圧力特性の
ばらつきの小さい半導体圧力センサの製造が可能とな
る。
【００１５】
【実施例】図１ないし図２は本発明の実施例の工程断面
図であり、以下順に説明する。
【００１６】まず、図１（ａ）のように、（１００）ま
たは（１１０）面方位のｎ型またはｐ型の単結晶シリコ
ン基板１３と（１００）または（１１０）面方位のｎ型
の単結晶シリコン基板１１をそれぞれの表面に形成した
二酸化シリコン膜１２を溶融させて接合した基板をｎ型
半導体基板１３が所定の厚さになるまで光学研磨する。
また、この接合された基板は二酸化シリコン膜１２上に
ｎ型単結晶シリコンをエピタキシャル成長させたＳＯＩ
基板でも良い。
【００１７】この基板を図１（ｂ）のようにｎ型シリコ
ン１１に後に形成するトランジスタを電気的に分離する
ためのアイソレーション層１４ａと感圧抵抗パターンを
電気的に接続するための埋込リード層１４ｂであるボロ
ンを高濃度に拡散させたＰ＋ 層を形成する。
【００１８】次に図１（ｃ）のように前記Ｐ＋ 層を形
成した面にｎ型の単結晶シリコンをエピタキシャル成長
させて、エピタキシャル層１５を形成する。このときｎ
型シリコン層１１とエピタキシャル成長させたｎ型シリ
コン層１５の厚さの合計Ａがダイアフラムの実質的な厚
さとなるようにする。次にエピタキシャル成長させたシ
リコンの表面に、イオンインプランテーションまたは熱
拡散等の手法を用いてボロンを拡散させ、分離層１４
ａ、埋込リード１４ｂと基板表面との電気的接続を行な
うために縦型のＰ+ 層１６ａ、１６ｂをそれぞれ形成す
る。
【００１９】ここで図１（ｄ）に示すように、後工程で
ダイアフラムを形成したときにその薄肉部が、以降の工
程で加わる応力で変形したり破壊しないようにある程度
の強度を持たせるために、エピタキシャル成長させた単
結晶シリコンの表面にポリシリコン層１７ａを１００μ
ｍ程度あらかじめ設けておく。その直後に異方性エッチ
ングのマスクとなる窒化シリコン膜１８をＣＶＤ（化学
的気相成長）法にて２０００Å程度の厚さに形成しダイ
アフラムの大きさを考慮して異方性エッチングをする部
分の窒化シリコン膜１８を除去し、水酸化カリウム水溶
液等のアルカリ系のエッチャントを用いて異方性エッチ
ングを行なう。このとき、異方性エッチングは二酸化シ
リコン膜１２の部分で空隙１９を形成して停止し、空隙
１９で二酸化シリコン膜が露出した部分がダイアフラム
１９となる。
【００２０】次に図２（ｅ）のように異方性エッチング
によって露出した部分の二酸化シリコン膜１２に歪みゲ
ージである感圧抵抗パターンの形状に前記二酸化シリコ
ン膜をホトリソグラフィ、エッチングを行ない前記形状
に露出したｎ型シリコン層１１にボロンを高濃度に拡散
して感圧抵抗を形成する。このとき形成した感圧抵抗２
０のボロンの拡散深さと図１（ｂ）で形成した埋込リー
ド１４ｂのボロンの拡散深さの合計をｎ型シリコン層１
１の厚さよりも大きくすると感圧抵抗２０と埋込リード
１４ｂは（ｅ）図に図示したように電気的に接続され
る。そのあとｎ型エピタキシャル層１５にトランジスタ
を設けるために図１（ｄ）で説明したように形成したダ
イアフラムの変形と破壊を防ぐ目的で、空隙１９を二酸
化シリコン膜２１を介してポリシリコン１７ｂで埋めた
後で、ｎ型エピタキシャル層１５上に形成したポリシリ
コン層１７ａを除去する。
【００２１】図２（ｆ）は本実施例の最終形態で前述の
ように、ｎ型エピタキシャル層１５上に形成したポリシ
リコン層１７ａを除去したあとに、公知の半導体プロセ
スによりトランジスタ等で構成された電気回路を形成し
てから、アルミ配線２４を設けたのちにパッシベーショ
ン膜２５ａを形成する。一方、空隙１９を埋めていたポ
リシリコン１７ｂを除去してから感圧抵抗２０の保護と
前記電気回路の保護のためのパッシベーション膜２５ａ
によるダイアフラムへの応力を緩和することを兼ねて異
方性エッチングした面にもプラズマＣＶＤによりパッシ
ベーション膜２５ｂを設ける。
【００２２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、（１）酸化膜を異方性エッチングのストッパにする
ことで厚さばらつきを抑えたダイアフラムを先ず形成
し、（２）異方性エッチングした面にそのダイアフラム
の形状に合わせて感圧抵抗を形成し、（３）ＩＣの基本
プロセスであるアイソレーションプロセスと同時に感圧
抵抗と電気的接続を行なうようにしたので、ダイアフラ
ムを小型化、薄膜化できると同時に圧力特性のばらつき
の小さい半導体圧力センサの製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例（その１）。
【図２】本発明の実施例（その２）。
【図３】従来例その１。
【図４】従来例その２。
【符号の説明】
１１、１３ 半導体基板 １２ 二酸化シリコン膜 １４ａ、１６ａ アイソレーション １４ｂ、１６ｂ 埋め込みリード １８ 窒化シリコン １９ ダイアフラム ２０ 感圧抵抗

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の半導体基板と第２の半導体基板と
    を酸化膜を介して接合した１つの基板の、前記第１の半
    導体基板側に前記酸化膜が露出するように設けられたダ
    イアフラムと、該ダイアフラムの底面の前記第２の半導
    体基板側に設けられた感圧抵抗と、該感圧抵抗が前記第
    ２の半導体基板に設けられた埋め込みリードと電気的に
    接続されていることを特徴とする半導体圧力センサ。
  2. 【請求項２】 （ａ）第１の半導体基板と第２の半導体
    基板とを酸化膜を介して接合して１つの基板とし、前記
    第２の半導体基板に、少なくともトランジスタなどを電
    気的に分離するためのアイソレーション層、および後工
    程で形成する感圧抵抗と電気的接続をするための埋め込
    みリードとを形成する工程、 （ｂ）前記第２の半導体基板に、前記酸化膜が露出する
    ようにダイアフラムを形成する工程、 （ｃ）前記ダイアフラムの底面の前記第２の半導体基板
    側に、前記埋め込みリードと接続するように感圧抵抗を
    形成する工程、 以上の工程を含むことを特徴とする半導体圧力センサの
    製造方法。
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US08/000,680 US5296730A (en) 1992-01-16 1993-01-05 Semiconductor pressure sensor for sensing pressure applied thereto
US08/460,762 US5552347A (en) 1992-01-16 1995-06-02 Fabrication process for a semiconductor pressure sensor for sensing pressure applied thereto

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010093502A3 (en) * 2009-02-10 2010-12-16 Freescale Semiconductor Inc. Exposed pad backside pressure sensor package

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3367113B2 (ja) 1992-04-27 2003-01-14 株式会社デンソー 加速度センサ
DE4309207C2 (de) * 1993-03-22 1996-07-11 Texas Instruments Deutschland Halbleitervorrichtung mit einem piezoresistiven Drucksensor
US5949118A (en) 1994-03-14 1999-09-07 Nippondenso Co., Ltd. Etching method for silicon substrates and semiconductor sensor
DE4415984A1 (de) * 1994-05-06 1995-11-09 Bosch Gmbh Robert Halbleitersensor mit Schutzschicht
DE4418163B4 (de) * 1994-05-25 2007-04-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen
EP0702221A3 (en) * 1994-09-14 1997-05-21 Delco Electronics Corp Sensor integrated on a chip
US5581023A (en) * 1994-10-31 1996-12-03 Handfield; Michael Pressure transducer for monitoring a pneumatic tire
JP3433871B2 (ja) * 1996-01-26 2003-08-04 株式会社デンソー 集積化半導体歪みセンサ及びその製造方法
DE19643763A1 (de) * 1996-10-23 1998-05-07 Itt Ind Gmbh Deutsche Verfahren zum Bearbeiten eines Gebietes in einem Halbleiterwafer
US6284670B1 (en) 1997-07-23 2001-09-04 Denso Corporation Method of etching silicon wafer and silicon wafer
US6278167B1 (en) * 1998-08-14 2001-08-21 Infineon Technologies Ag Semiconductor sensor with a base element and at least one deformation element
JP3506932B2 (ja) 1998-12-09 2004-03-15 株式会社山武 半導体圧力センサ及びその製造方法
JP4238437B2 (ja) 1999-01-25 2009-03-18 株式会社デンソー 半導体力学量センサとその製造方法
JP3567094B2 (ja) * 1999-02-09 2004-09-15 株式会社日立製作所 回路内蔵型センサおよびそれを用いた圧力検出装置
DE10047500B4 (de) * 2000-09-26 2009-11-26 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Membran und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2002131161A (ja) * 2000-10-27 2002-05-09 Denso Corp 半導体圧力センサ
US6432737B1 (en) * 2001-01-03 2002-08-13 Amkor Technology, Inc. Method for forming a flip chip pressure sensor die package
US6441503B1 (en) 2001-01-03 2002-08-27 Amkor Technology, Inc. Bond wire pressure sensor die package
US6661080B1 (en) 2001-06-28 2003-12-09 Amkor Technology, Inc. Structure for backside saw cavity protection
US6586824B1 (en) 2001-07-26 2003-07-01 Amkor Technology, Inc. Reduced thickness packaged electronic device
US6593651B1 (en) * 2002-01-30 2003-07-15 Endevco Corporation Terminals for multi-layer devices
US6845664B1 (en) 2002-10-03 2005-01-25 The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration MEMS direct chip attach packaging methodologies and apparatuses for harsh environments
JP4989037B2 (ja) * 2004-04-05 2012-08-01 セイコーインスツル株式会社 容量型力学量センサおよび半導体装置
US20070158769A1 (en) * 2005-10-14 2007-07-12 Cardiomems, Inc. Integrated CMOS-MEMS technology for wired implantable sensors
US8360984B2 (en) * 2008-01-28 2013-01-29 Cardiomems, Inc. Hypertension system and method
CN116062677A (zh) * 2023-03-21 2023-05-05 无锡胜脉电子有限公司 一种抗干扰的mems压力传感器芯片及其制备方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4400869A (en) * 1981-02-12 1983-08-30 Becton Dickinson And Company Process for producing high temperature pressure transducers and semiconductors
JPS5828876A (ja) * 1981-08-12 1983-02-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ装置
JPS58103635A (ja) * 1981-12-16 1983-06-20 Yamatake Honeywell Co Ltd 半導体圧力変換器
JPS59117271A (ja) * 1982-12-24 1984-07-06 Hitachi Ltd 圧力感知素子を有する半導体装置とその製造法
JPS59169214A (ja) * 1983-03-16 1984-09-25 Nec Corp 薄膜圧電振動子の製造方法
US4673354A (en) * 1985-10-01 1987-06-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Stable silanol priming solution for use in dentistry
US4672354A (en) * 1985-12-05 1987-06-09 Kulite Semiconductor Products, Inc. Fabrication of dielectrically isolated fine line semiconductor transducers and apparatus
JPS62283679A (ja) * 1986-06-02 1987-12-09 Fujikura Ltd 半導体圧力センサの製造方法
US4773972A (en) * 1986-10-30 1988-09-27 Ford Motor Company Method of making silicon capacitive pressure sensor with glass layer between silicon wafers
JP2508070B2 (ja) * 1987-04-08 1996-06-19 日本電装株式会社 圧力検出素子及びその製造方法
DE3725659A1 (de) * 1987-08-03 1989-02-16 Bayer Ag Verfahren zur herstellung von mit fluor und gegebenenfalls zusaetzlich chlor substituierten benzotrifluoriden und neue benzotrifluoride
JPH0814517B2 (ja) * 1987-12-08 1996-02-14 富士電機株式会社 半導体圧力センサ
US4897360A (en) * 1987-12-09 1990-01-30 Wisconsin Alumni Research Foundation Polysilicon thin film process
US4885621A (en) * 1988-05-02 1989-12-05 Delco Electronics Corporation Monolithic pressure sensitive integrated circuit
US4977101A (en) * 1988-05-02 1990-12-11 Delco Electronics Corporation Monolithic pressure sensitive integrated circuit
JPH02123769A (ja) * 1988-11-02 1990-05-11 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体圧力センサ用ダイヤフラム製造方法
JPH02161779A (ja) * 1988-12-15 1990-06-21 Yokogawa Electric Corp 半導体圧力センサおよび製造方法
JPH03178172A (ja) * 1989-12-06 1991-08-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010093502A3 (en) * 2009-02-10 2010-12-16 Freescale Semiconductor Inc. Exposed pad backside pressure sensor package
US7900521B2 (en) 2009-02-10 2011-03-08 Freescale Semiconductor, Inc. Exposed pad backside pressure sensor package
CN102365540A (zh) * 2009-02-10 2012-02-29 飞思卡尔半导体公司 暴露焊盘背面压力传感器封装

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Publication number Publication date
US5552347A (en) 1996-09-03
US5296730A (en) 1994-03-22

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