JPH02123769A - 半導体圧力センサ用ダイヤフラム製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサ用ダイヤフラム製造方法Info
- Publication number
- JPH02123769A JPH02123769A JP27838088A JP27838088A JPH02123769A JP H02123769 A JPH02123769 A JP H02123769A JP 27838088 A JP27838088 A JP 27838088A JP 27838088 A JP27838088 A JP 27838088A JP H02123769 A JPH02123769 A JP H02123769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- substrate
- thickness
- shaped
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体圧力センサのシリコン、ダイヤプラムの
製造力演に関するものである。
製造力演に関するものである。
従来のダイヤフラムの製造方法を簡単に説明する。表面
が（１００）而あるいは（１１０）面を有するＳ、基板
に保護膜を形成する。保護膜はＳ１０、、Ｓ、Ｎ等種々
の材質のものがある。フォトエツチング処理によりダイ
ヤプラムが形成される領域の保護膜を除去し、アルカリ
系のエツチング液を用いて異方性エツチングによりダイ
ヤフラムを形成している。しかしＳ１ウエハーの大口径
化に伴い、Ｓ、ウェハーの厚さが増し、ダイヤフラム形
成のためのエツチング深さが深くなると、精度及び均一
性の高いダイヤフ・ラムの厚さを得ることが困難になっ
てくる欠点があった。
が（１００）而あるいは（１１０）面を有するＳ、基板
に保護膜を形成する。保護膜はＳ１０、、Ｓ、Ｎ等種々
の材質のものがある。フォトエツチング処理によりダイ
ヤプラムが形成される領域の保護膜を除去し、アルカリ
系のエツチング液を用いて異方性エツチングによりダイ
ヤフラムを形成している。しかしＳ１ウエハーの大口径
化に伴い、Ｓ、ウェハーの厚さが増し、ダイヤフラム形
成のためのエツチング深さが深くなると、精度及び均一
性の高いダイヤフ・ラムの厚さを得ることが困難になっ
てくる欠点があった。
本発明の目的はダイヤフラムの厚さ精度及び均一性を制
御するために高濃度不純物層を形成したＳ基板を接着し
エツチングストッパーとする事と同時に片面を研磨する
事で、所望のダイヤフラム厚さを精度良く形成し、圧力
センサとしての特性のばらつきを小さくするものである
。
御するために高濃度不純物層を形成したＳ基板を接着し
エツチングストッパーとする事と同時に片面を研磨する
事で、所望のダイヤフラム厚さを精度良く形成し、圧力
センサとしての特性のばらつきを小さくするものである
。
本発明を図に従って説明する。第１図（ａ）〜（ｆ）は
本発明の製造方法によるシリコンダイヤフラムの製造工
程図を示す。
本発明の製造方法によるシリコンダイヤフラムの製造工
程図を示す。
（ａ）１はＳ１嚇゛結晶基板である。
（ｂ）Ｓ、単結晶基板１の両面にボロン高濃度層を１０
００℃以上の高温処理を行い＞１０”ｃｍ””の高濃度
不純物層２．２′を数μｍ程度形成されるようボロンを
Ｓ、基板中に拡散させる。
００℃以上の高温処理を行い＞１０”ｃｍ””の高濃度
不純物層２．２′を数μｍ程度形成されるようボロンを
Ｓ、基板中に拡散させる。
（ｃ）表面を洗浄し親木性をもたせた（ｂ）のＳ基板と
、表面が（１００）面あるいは（１１０）面を有するＳ
、基板３を室温の清浄な雰囲気中で直接重ね合せる。こ
の密着させたＳ１ウエハーを１００・０℃以上のＮ２又
は０２雰囲気中で加熱し接着する。
、表面が（１００）面あるいは（１１０）面を有するＳ
、基板３を室温の清浄な雰囲気中で直接重ね合せる。こ
の密着させたＳ１ウエハーを１００・０℃以上のＮ２又
は０２雰囲気中で加熱し接着する。
（ｄ）接着した８１基板１の片面を基板３の厚さと所望
のダイヤフラムの厚さを加えた厚さになるまで鏡面研磨
１′をする。
のダイヤフラムの厚さを加えた厚さになるまで鏡面研磨
１′をする。
（ｅ）従来からのダイヤフラム形成方法と同じように保
護膜４．４′を形成する。保護膜はＣＶＤ法、スパッタ
法、熱酸化法等による５１０２膜、Ｓ、Ｎ膜である。フ
ォトエツチング処理によりダイヤフラムが形成される領
域５の保護膜を除去する。
護膜４．４′を形成する。保護膜はＣＶＤ法、スパッタ
法、熱酸化法等による５１０２膜、Ｓ、Ｎ膜である。フ
ォトエツチング処理によりダイヤフラムが形成される領
域５の保護膜を除去する。
（ｆ′）アルカリ系のエツチング液を用いて（１１１）
面のエツチング速度が（１００）面や（１１０）而に比
べて極端に遅い事を利用した異方性エツチングによりダ
イヤフラム５′を形成する。
面のエツチング速度が（１００）面や（１１０）而に比
べて極端に遅い事を利用した異方性エツチングによりダ
イヤフラム５′を形成する。
［実施例］
ｎ型Ｓ１単結晶基板に１０６０℃、６０分の高温処理に
より＞ ｌ Ｏ”ｃｍ−”のボロン高濃度層を形成した
。さらにこのＳ１単結晶基板を洗浄後結晶方位を合せ（
１００）面を有するＳ、基板と重ね合せ、１０５０℃の
Ｎ２雰囲気中で６０分の熱処理をして接着させた。ＣＶ
Ｄ法により１０００人の８１Ｎ膜を形成した。フォトエ
ツチング処理によりダイヤフラム領域のバターニングを
行いＳ、Ｎ膜を除去した後、８０℃、２ｍｏ１のＫ Ｏ
Ｈ液でエツチング処理を行った。エツチング速度がＳ、
Ｎ膜に対しては０．４人／ｍｉｎ、ｓ：の（１００）面
では１．４μｍ／ｍｊｎであり、更に＞ １０ ”ａｎ
−１のボロン高濃度層では１／２０のエツチング速度と
急激に遅くなる事を用いてダイヤフラム厚さ１６０±２
μｍの均一性の高いダイヤフラムを精度良く形成でき、
圧力センサとしての感度特性のバラツキを±ｌＯ％以下
と小さくすることが出来た。圧力センサの感度のバラツ
キを決める最大要因はダイヤフラム部の形状である。従
って本発明によりシリコン・ダイヤフラムを均一かつ高
精度に製造できるため、圧力センサとしての特性のバラ
ツキも非常に小さくすることができ実用上の効果は大き
い。
より＞ ｌ Ｏ”ｃｍ−”のボロン高濃度層を形成した
。さらにこのＳ１単結晶基板を洗浄後結晶方位を合せ（
１００）面を有するＳ、基板と重ね合せ、１０５０℃の
Ｎ２雰囲気中で６０分の熱処理をして接着させた。ＣＶ
Ｄ法により１０００人の８１Ｎ膜を形成した。フォトエ
ツチング処理によりダイヤフラム領域のバターニングを
行いＳ、Ｎ膜を除去した後、８０℃、２ｍｏ１のＫ Ｏ
Ｈ液でエツチング処理を行った。エツチング速度がＳ、
Ｎ膜に対しては０．４人／ｍｉｎ、ｓ：の（１００）面
では１．４μｍ／ｍｊｎであり、更に＞ １０ ”ａｎ
−１のボロン高濃度層では１／２０のエツチング速度と
急激に遅くなる事を用いてダイヤフラム厚さ１６０±２
μｍの均一性の高いダイヤフラムを精度良く形成でき、
圧力センサとしての感度特性のバラツキを±ｌＯ％以下
と小さくすることが出来た。圧力センサの感度のバラツ
キを決める最大要因はダイヤフラム部の形状である。従
って本発明によりシリコン・ダイヤフラムを均一かつ高
精度に製造できるため、圧力センサとしての特性のバラ
ツキも非常に小さくすることができ実用上の効果は大き
い。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ
）は本発明によるシリコンダイヤフラムの製造方法を示
す工程図である。図中１はシリコン（Ｓｌ）単結晶基板
、２．２′は高濃度不純物層、３は（１００）又（１１
０）面のシリコン基板、４．４′は保護膜、５はダイヤ
フラム領域、５′はダイヤフラムである。
）は本発明によるシリコンダイヤフラムの製造方法を示
す工程図である。図中１はシリコン（Ｓｌ）単結晶基板
、２．２′は高濃度不純物層、３は（１００）又（１１
０）面のシリコン基板、４．４′は保護膜、５はダイヤ
フラム領域、５′はダイヤフラムである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （イ）高濃度不純物層を有するシリコン基板（第１）と
（１００）面あるいは（１１０ ）面を有するシリコン基板（第２）を接 着する工程と、 （ロ）前記高濃度不純物層を有するシリコン基板（第１
）の片面を研磨する工程と、 （ハ）前記高濃度不純物層をエッチングストッパとして
前記シリコン基板（第２）を異 方性エッチングする工程以上（イ）乃至 （ハ）の工程を含む半導体圧力センサ用 ダイヤフラム製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27838088A JPH02123769A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 半導体圧力センサ用ダイヤフラム製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27838088A JPH02123769A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 半導体圧力センサ用ダイヤフラム製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02123769A true JPH02123769A (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=17596529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27838088A Pending JPH02123769A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 半導体圧力センサ用ダイヤフラム製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02123769A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5552347A (en) * | 1992-01-16 | 1996-09-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Fabrication process for a semiconductor pressure sensor for sensing pressure applied thereto |
| WO2009075244A1 (ja) | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池の製造方法 |
-
1988
- 1988-11-02 JP JP27838088A patent/JPH02123769A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5552347A (en) * | 1992-01-16 | 1996-09-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Fabrication process for a semiconductor pressure sensor for sensing pressure applied thereto |
| WO2009075244A1 (ja) | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池の製造方法 |
| US8257994B2 (en) | 2007-12-13 | 2012-09-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing solar cell by forming a high concentration P-type impurity diffusion layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4400869A (en) | Process for producing high temperature pressure transducers and semiconductors | |
| JP2580497B2 (ja) | 異方性エッチングと基板接合による微細構造製造方法 | |
| KR950000319B1 (ko) | 반도체 압력센서 및 그 제조방법 | |
| US4523964A (en) | High temperature layered silicon structures | |
| JPH02123769A (ja) | 半導体圧力センサ用ダイヤフラム製造方法 | |
| JPH0945882A (ja) | 半導体基板及びその製造方法 | |
| JP2721265B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH07183477A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH04103177A (ja) | 半導体圧力センサーおよびにその製造方法 | |
| JPH0563211A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001066208A (ja) | 半導体圧力測定装置とその製造方法 | |
| JPH10160606A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JP2584639B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| SU517279A3 (ru) | Способ изготовлени полупроводникового прибора | |
| JP2519139B2 (ja) | Ｓｉ単結晶薄膜の厚さを均一化する方法 | |
| JPH02237066A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0342814A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH02128479A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPS60138978A (ja) | 感圧ダイヤフラムの製造方法 | |
| JPS5568679A (en) | Semiconductor pressure sensor and fabrication of the same | |
| JPS63266830A (ja) | 表面平坦化方法 | |
| KR100213759B1 (ko) | 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조방법 | |
| JPH0344912A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0442834B2 (ja) | ||
| JPH05226463A (ja) | 貼り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法 |